本實(shí)用新型涉及晶片加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶片磨面裝置。

背景技術(shù)：

硅片尺寸不斷增大，硅晶片表面平整度要求日趨嚴(yán)格。磨面機(jī)常采用電機(jī)拖動(dòng)，通過齒輪傳動(dòng)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)上、下拋光盤以及內(nèi)外齒圈的傳動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)對工件的研磨拋光。通常在一個(gè)拋光盤上設(shè)置多個(gè)載樣盤，多片硅片同時(shí)進(jìn)行磨面拋光，這種方式能夠充分利用設(shè)備資源，增大產(chǎn)能，但是，傳統(tǒng)晶片磨面機(jī)只能通過研磨時(shí)間來確定拋光厚度，無法對單個(gè)載樣盤上的硅片進(jìn)行精確的研磨。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實(shí)用新型通過在基座上每個(gè)載樣盤上設(shè)置獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)裝置和氣缸頂緊裝置，提供一種能夠精確控制每個(gè)載樣盤上晶片磨面拋光的晶片磨面裝置。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是，一種晶片磨面裝置，包括有基座，其特征在于，所述基座上方設(shè)有若干載樣盤，載樣盤下端設(shè)有垂直朝上安裝的氣缸，載樣盤與氣缸之間設(shè)有支撐桿，支撐桿固定連接氣缸的活塞，氣缸一側(cè)設(shè)有垂直安裝的直線位移傳感器，直線位移傳感器的滑塊與支撐桿通過連接片固定連接，載樣盤與支撐桿之間設(shè)有滾珠軸承，滾珠軸承的內(nèi)圓固定連接支撐桿，滾珠軸承的外圓固定連接載樣盤下端，載樣盤與滾珠軸承之間還設(shè)有磁力轉(zhuǎn)動(dòng)裝置，磁力轉(zhuǎn)動(dòng)裝置包括有定子和轉(zhuǎn)子，定子固定安裝在基座上的，轉(zhuǎn)子的固定套設(shè)在滾珠軸承外圓上，轉(zhuǎn)子通過滾珠軸承外圓帶動(dòng)載樣盤轉(zhuǎn)動(dòng)。

轉(zhuǎn)子為永磁體，定子為環(huán)繞永磁體的電線圈。

基座上設(shè)有凹槽，所述氣缸及直線位移傳感器均安裝在凹槽內(nèi)，所述電線圈安裝在凹槽的內(nèi)壁上并環(huán)繞轉(zhuǎn)子，所述載樣盤上端面高出基座上表面。

載樣盤的下端可拆卸的套接在轉(zhuǎn)子上。

本實(shí)用新型的工作原理是：氣缸將載樣盤頂起，載樣盤在定子和轉(zhuǎn)子的電機(jī)原理作用下旋轉(zhuǎn)，載樣盤上的硅片與在磨面過程中不斷被消耗，厚度減少。直線位移傳感器能夠精確反映晶片厚度減少狀況，通過控制載樣盤轉(zhuǎn)速，氣缸頂緊壓力從而精確實(shí)現(xiàn)對每片硅片的磨面控制。

本實(shí)用新型的有益效果是，本實(shí)用新型的晶片磨面裝置能夠同時(shí)研磨不同磨面要求的硅片，磨面過程中控制精確，適應(yīng)不同研磨材料及研磨工藝的要求。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，一種晶片磨面裝置，包括有基座1，所述基座1上方設(shè)有若干載樣盤2，載樣盤2下端設(shè)有垂直朝上安裝的氣缸3，載樣盤2與氣缸3之間設(shè)有支撐桿4，支撐桿4固定連接氣缸3的活塞，氣缸3一側(cè)設(shè)有垂直安裝的直線位移傳感器5，直線位移傳感器5的滑塊6與支撐桿4通過連接片7固定連接，載樣盤2與支撐桿4之間設(shè)有滾珠軸承，滾珠軸承的內(nèi)圓固定連接支撐桿4，滾珠軸承的外圓固定連接載樣盤2下端，載樣盤2與滾珠軸承之間還設(shè)有磁力轉(zhuǎn)動(dòng)裝置，磁力轉(zhuǎn)動(dòng)裝置包括有定子9和轉(zhuǎn)子8，定子9固定安裝在基座上的，轉(zhuǎn)子8的固定套設(shè)在滾珠軸承外圓上，轉(zhuǎn)子8通過滾珠軸承外圓帶動(dòng)載樣盤2轉(zhuǎn)動(dòng)。

轉(zhuǎn)子8為永磁體，定子9為環(huán)繞轉(zhuǎn)子8的電線圈。

基座1上設(shè)有凹槽，所述氣缸3及直線位移傳感器5均安裝在凹槽內(nèi)，所述電線圈安裝在凹槽的內(nèi)壁上并環(huán)繞轉(zhuǎn)子，所述載樣盤2上端面高出基座1上表面。

載樣盤2的下端可拆卸的套接在滾珠軸承外圓上。

氣缸3將載樣盤2頂起，載樣盤2在定子9和轉(zhuǎn)子8的電機(jī)原理作用下旋轉(zhuǎn)，載樣盤2上的硅片與在磨面過程中不斷被消耗，厚度減少。直線位移傳感器6通過氣缸3活塞的直線位移精確反映晶片厚度減少狀況，通過控制電線圈電流大小，控制轉(zhuǎn)子8帶動(dòng)載樣盤2的轉(zhuǎn)速，以及氣缸3頂緊壓力從而精確實(shí)現(xiàn)對每片硅片的磨面控制。

以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的較佳具體實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本實(shí)用新型的構(gòu)思做出諸多修改和變化，因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本實(shí)用新型的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。