技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種磁控濺射陰極裝置及磁控濺射裝置，包括：陰極背板，設(shè)置在陰極背板底面的底環(huán)結(jié)構(gòu)，以及氣體管路；其中，底環(huán)結(jié)構(gòu)環(huán)內(nèi)限定的區(qū)域為靶材放置區(qū)域；底環(huán)結(jié)構(gòu)包括：固定于陰極背板底面的上環(huán)，以及固定于上環(huán)背離陰極背板一側(cè)的底環(huán)；上環(huán)和底環(huán)之間形成有環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)，環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)面向靶材放置區(qū)域的一側(cè)設(shè)置有氣體通道；氣體管路貫穿陰極背板和上環(huán)后與環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)導(dǎo)通。由于氣體管路貫穿陰極背板和上環(huán)后與環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)導(dǎo)通，并且環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)面向靶材放置區(qū)域的一側(cè)設(shè)置有氣體通道，從而促使氣體能夠通入環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)內(nèi)，并沿著氣體通道通向靶材，因此，有效縮短了氣體與靶材之間的距離，從而使得氣體更容易被電離。

技術(shù)研發(fā)人員：趙鑫;任明沖;張林;谷士斌;趙冠超;楊榮;李立偉;孟原;郭鐵
受保護的技術(shù)使用者：新奧光伏能源有限公司
文檔號碼：201611032173
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.22
技術(shù)公布日：2017.01.25