1.一種磁控濺射陰極裝置，其特征在于，包括：陰極背板，設(shè)置在陰極背板底面的底環(huán)結(jié)構(gòu)，以及氣體管路；其中，
所述底環(huán)結(jié)構(gòu)環(huán)內(nèi)限定的區(qū)域?yàn)榘胁姆胖脜^(qū)域；
所述底環(huán)結(jié)構(gòu)包括：固定于所述陰極背板底面的上環(huán)，以及固定于所述上環(huán)背離所述陰極背板一側(cè)的底環(huán)；所述上環(huán)和底環(huán)之間形成有環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)，所述環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)面向所述靶材放置區(qū)域的一側(cè)設(shè)置有氣體通道；
所述氣體管路貫穿所述陰極背板和所述上環(huán)后與所述環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射陰極裝置，其特征在于，所述底環(huán)包括：底板、分別與所述底板的兩端連接的外壁和內(nèi)壁，所述底板、所述外壁和所述內(nèi)壁連接構(gòu)成一環(huán)狀凹槽結(jié)構(gòu)，所述環(huán)狀凹槽結(jié)構(gòu)為所述環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射陰極裝置，其特征在于，所述環(huán)狀凹槽結(jié)構(gòu)面向所述靶材放置區(qū)域的一側(cè)設(shè)置的氣體通道為環(huán)狀狹縫氣體通道。
4.如權(quán)利要求3所述的磁控濺射陰極裝置，其特征在于，所述內(nèi)壁的高度小于所述外壁的高度；所述內(nèi)壁面向上環(huán)的一面與所述上環(huán)之間形成所述環(huán)狀狹縫氣體通道。
5.如權(quán)利要求4所述的磁控濺射陰極裝置，其特征在于，所述內(nèi)壁與所述外壁的高度之差為0.01mm～1mm。
6.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射陰極裝置，其特征在于，所述上環(huán)由固定螺絲通過平行于上環(huán)軸線的通孔與所述陰極背板連接；所述底環(huán)由固定螺絲通過在所述外壁中平行于底環(huán)軸線的通孔與所述上環(huán)連接。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的磁控濺射陰極裝置，其特征在于，所述氣體管路包括貫穿所述陰極背板與所述上環(huán)的通孔；或者，
所述氣體管路包括設(shè)置在貫穿所述陰極背板與所述上環(huán)的通孔內(nèi)的管道，且所述管道在與所述環(huán)狀中空結(jié)構(gòu)連接的一端具有出氣孔。
8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的磁控濺射陰極裝置，其特征在于，還包括：設(shè)置于所述上環(huán)與所述氣體管路之間的密封圈。
9.一種磁控濺射裝置，其特征在于，包括：真空腔體，設(shè)置于所述真空腔體內(nèi)的至少一套如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的磁控濺射陰極裝置。
10.如權(quán)利要求9所述磁控濺射裝置，其特征在于，每一套所述磁控濺射陰極裝置的靶材放置區(qū)域處安裝有不同材料的靶材。