1.一種真空鍍膜的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
第一步，通過(guò)激光切割或者刻蝕導(dǎo)電圓片(1)，在導(dǎo)電圓片(1)上得到通孔(2)；
第二步，將靶材圓片(3)、導(dǎo)電圓片(1)、襯底圓片(4)依次疊放，并置于真空中加熱至溫度穩(wěn)定；
第三步，在靶材圓片(3)和襯底圓片(4)上施加電壓，其中靶材圓片(3)接正電極，襯底圓片(4)接負(fù)電極，在電壓作用下襯底圓片(4)上鍍有靶材薄膜(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，鍍膜在陽(yáng)極鍵合機(jī)中進(jìn)行，或在帶有真空泵、加熱器以及電壓產(chǎn)生單元的裝置中進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜方法，抽真空的真空度要求為10‐5Pa—10‐1Pa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜方法，第二步溫度在250℃—450℃之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜方法，第三步施加的電壓為200V—2000V之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜方法，施加電壓時(shí)間為1分鐘—20小時(shí)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜方法，其特征在于所述的襯底圓片(4)為硼硅玻璃圓片，玻璃中含有鈉離子或者其他堿金屬離子，厚度為100微米—2毫米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于導(dǎo)電圓片為半導(dǎo)體圓片或金屬圓片中的一種，厚度為100微米‐3毫米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于導(dǎo)電圓片為硅圓片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于所述的靶材圓片(3)為高碳鱗片石墨圓片，厚度為100微米—5毫米，含碳量為99.5％以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于所述的靶材圓片(3)為金屬圓片，厚度為100微米—5毫米，純度為99.5％以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空鍍膜方法，其特征在于所述的金屬為鋁、銅、金、銀、鎳中的一種或者一種以上的合金。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于所述導(dǎo)電圓片(1)為硅圓片，厚度為500微米—2毫米，所述的通孔(2)為陣列，陣列之間有微通道(5)相連。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于所述導(dǎo)電圓片(1)為金屬圓片，厚度為500微米—5毫米，所述的金屬通孔(2)陣列之間有微通道(5)相連。
15.根據(jù)權(quán)利要求15所述的真空鍍膜方法，所述的金屬圓片為鋁圓片、金圓片、銅圓片、鎳圓片、銀圓片、鉻圓片、鎢圓片中的一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜方法，其特征在于所述的導(dǎo)電圓片(1)通過(guò)靶材圓片(3)與鍍膜裝置底盤(6)間接連接，靶材圓片(3)接鍍膜裝置正極。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜方法，其特征在于所述的襯底圓片(4)與鍍膜裝置的負(fù)電極(7)相連接。