本發(fā)明涉及一種高均勻度圖形化多點源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，適用于制作高均勻的點陣OLED顯示器件以及沉積高度均勻薄膜。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic light-emitting device，OLED)被公認(rèn)為下一代顯示領(lǐng)域的先鋒，OLED器件具有主動發(fā)光，面板發(fā)光，視角廣，響應(yīng)時間短，發(fā)光效率高，色域?qū)?，工作電壓低，器件厚度薄，可制成彎曲面板，制作工藝相對簡單，成本低等特性?/p>

OLED作為一種面光源，由于OLED發(fā)光接近自然光、綠色環(huán)保、可采用蒸鍍、旋涂、離子束濺射等簡單工藝制備并能夠沉積在柔性襯底上，被認(rèn)為在固態(tài)照明方面將有重大的價值。用現(xiàn)有掩膜板蒸鍍法蒸鍍OLED器件，難以制作高精度OLED器件，不同像素的OLED需要不同的掩膜板。

采用現(xiàn)有的蒸鍍方法如點蒸發(fā)源、小平面蒸發(fā)源、環(huán)狀蒸發(fā)源等蒸發(fā)源蒸鍍小分子材料時，由于蒸發(fā)源到基板平面各個位置的距離有差別，隨著蒸鍍時間的延長，基板上的不同位置，得到厚度不均勻的膜層，也造成蒸發(fā)材料的浪費。

在實際操作中，大面積的基板生產(chǎn)中，雖然有最適的基板、蒸發(fā)源距離，但是依然會造成巨大浪費，并且必然造成成膜的不均勻，必然導(dǎo)致器件性能的衰減。

對于圖形化蒸發(fā)過程中，往往需要利用到掩模板。由于基板、掩模板、蒸發(fā)源之間具有一定的溫度差，材料會附著在掩模板上，具有精細(xì)微結(jié)構(gòu)的掩模板將很容易因為附著物的堆積而阻塞，造成蒸發(fā)圖形化和成膜性能的缺陷。

針對上述技術(shù)存在的問題,本發(fā)明旨在提供一種具有制作高均勻的點陣OLED顯示器件以及沉積高度均勻的單晶薄膜的裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種高均勻度圖形化多點源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，該裝置使用微型蒸發(fā)源陣列有效加快了蒸發(fā)成膜的速度、并且保持了原有的高可控性，保證了材料的節(jié)約有效使用，實現(xiàn)了大型面板的蒸鍍可能和高均勻性，特別的具有了無掩模板蒸鍍圖形化，免除了掩模板所帶來的不足。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種高均勻度圖形化多點源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，包括微型蒸發(fā)源陣列、基板傳動裝置，所述微型蒸發(fā)源陣列中的微型蒸發(fā)源蒸發(fā)口徑小，并通過快門開關(guān)控制蒸發(fā)。

在本發(fā)明一實施例中，所述微型蒸發(fā)源陣列由復(fù)數(shù)個微型蒸發(fā)源陣列排布而成。

在本發(fā)明一實施例中，所述微型蒸發(fā)源之間間距為5μm~5000μm，其排布方式為并列排布或交錯排布。

在本發(fā)明一實施例中，所述微型蒸發(fā)源包括一蒸發(fā)噴頭，其口徑為1μm~500μm，使得微型蒸發(fā)源具有小蒸發(fā)口徑。

在本發(fā)明一實施例中，所述蒸發(fā)噴頭上帶有所述快門開關(guān)。

在本發(fā)明一實施例中，所述快門開關(guān)能夠控制微型蒸發(fā)源的蒸發(fā)照射，且能夠在瞬間開合。

在本發(fā)明一實施例中，所述基板傳動裝置能夠帶動基板移動，所述基板與微型蒸發(fā)源陣列之間的距離為50μm~10000μm。

在本發(fā)明一實施例中，所述傳動裝置能夠帶動基板進(jìn)行多維移動，具體的在空間直角坐標(biāo)系xyz中，包括沿x軸移動、沿y軸移動、沿z軸移動以及在xy平面上繞w軸旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動。

在本發(fā)明一實施例中，基板沿x、y、z軸移動的速度為1μm/s~5000μm/s之間，基板在xy平面上繞w軸旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動的速度為1°/s~90°/s之間。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明裝置，使用微型蒸發(fā)源陣列有效加快了蒸發(fā)成膜的速度、并且保持了原有的高可控性，保證了材料的節(jié)約有效使用，實現(xiàn)了大型面板的蒸鍍可能和高均勻性，特別的具有了無掩模板蒸鍍圖形化，免除了掩模板所帶來的不足。

附圖說明

圖1是本發(fā)明制作的單個微型蒸發(fā)源示意圖。

圖2是本發(fā)明制作的微型蒸發(fā)源陣列的示意圖。

圖3是本發(fā)明制作的微型蒸發(fā)源陣列與基板位置工作方式的平面示意圖。

圖中：101為蒸發(fā)噴頭；102為蒸發(fā)材料填料處；301為基板；302為微型蒸發(fā)源陣列。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖1-3，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行具體說明。

本發(fā)明的一種高均勻度圖形化多點源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，包括微型蒸發(fā)源陣列、基板傳動裝置，所述微型蒸發(fā)源陣列中的微型蒸發(fā)源蒸發(fā)口徑小，并通過快門開關(guān)控制蒸發(fā)。

所述微型蒸發(fā)源陣列由復(fù)數(shù)個微型蒸發(fā)源陣列排布而成。所述微型蒸發(fā)源之間間距為5μm~5000μm，其排布方式為并列排布或交錯排布。

所述微型蒸發(fā)源包括一蒸發(fā)噴頭101，其口徑為1μm~500μm，使得微型蒸發(fā)源具有小蒸發(fā)口徑。所述蒸發(fā)噴頭101上帶有所述快門開關(guān)。所述快門開關(guān)能夠控制微型蒸發(fā)源的蒸發(fā)照射，且能夠在瞬間開合。

所述基板傳動裝置能夠帶動基板301移動，所述基板301與微型蒸發(fā)源陣列302之間的距離為50μm~10000μm。所述傳動裝置能夠帶動基板301進(jìn)行多維移動，具體的在空間直角坐標(biāo)系xyz中，包括沿x軸移動、沿y軸移動、沿z軸移動以及在xy平面上繞w軸旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動。基板沿x、y、z軸移動的速度為1μm/s~5000μm/s之間，基板在xy平面上繞w軸旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動的速度為1°/s~90°/s之間。

以下為本發(fā)明的具體實現(xiàn)過程。

如圖2所示，本發(fā)明包括一微型蒸發(fā)源陣列，其中包括一整套蒸鍍蒸發(fā)器件，如圖1所示，每個蒸發(fā)源均包括一蒸發(fā)噴頭101和一蒸發(fā)材料填料處102，蒸發(fā)噴頭101上帶有所述快門開關(guān)，以使得個蒸發(fā)源可以通過快門進(jìn)行獨立控制。

參閱圖3，本發(fā)明還包括一基板傳動裝置，能夠按照分析儀數(shù)據(jù)通過計算機(jī)來控制基板301移動速度、角度、位置，這是實現(xiàn)無掩模板圖形化蒸發(fā)、高均勻成膜的關(guān)鍵。

具體按如下步驟進(jìn)行：

S1：利用計算機(jī)設(shè)計器件各層結(jié)構(gòu)具體參數(shù)和圖形要求，制作基本OLED器件結(jié)構(gòu)。

S2：將所設(shè)計的器件結(jié)構(gòu)輸入到設(shè)備程序中，例如，NPB、Alq_{3 、}LiF和Al。根據(jù)所建數(shù)據(jù)模型得出二維平面上的材料供給，設(shè)計出成膜設(shè)備各個蒸發(fā)源運作情況和相應(yīng)基板加熱運動情況，設(shè)定分析儀以及相應(yīng)參數(shù)達(dá)到最適（NPB：0. 300k?、Alq₃ : 0. 400 k? 、LiF：0.060 k?、Al：2.500 k?）。

S3：各個源裝填材料完畢后，按照程序設(shè)定的運作方式抽至高真空3x10^-5Pa，運作設(shè)定的操作步驟，配合分析儀準(zhǔn)確控制流量和快門開關(guān)準(zhǔn)確開合。由于控制多組蒸發(fā)源和較高的成膜速度，需要更加精確的分析儀和快速的反應(yīng)設(shè)備。

S4：運行設(shè)備，基板在微型蒸發(fā)源陣列上方按照程序運動，噴嘴陣列移動至距離基板至5-5000um距離，并進(jìn)行基板對位，計算機(jī)控制電流情況，材料將可控速率進(jìn)行蒸發(fā)。快門開關(guān)在適當(dāng)?shù)奈恢镁_開合實現(xiàn)均勻圖形化成膜。隨即基板傳動裝置按照程序移動，蒸發(fā)源陣列掃過全部基板，依次完成NPB、Alq_{3 、}LiF和Al蒸發(fā)。

S4：完成器件表面處理。將制造完成的器件移出，清理器件表面和設(shè)備腔體。

以上是本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明技術(shù)方案所作的改變，所產(chǎn)生的功能作用未超出本發(fā)明技術(shù)方案的范圍時，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。