1.一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，包括微型蒸發(fā)源陣列、基板傳動(dòng)裝置，其特征在于：所述微型蒸發(fā)源陣列中的微型蒸發(fā)源蒸發(fā)口徑小，并通過快門開關(guān)控制蒸發(fā)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于：所述微型蒸發(fā)源陣列由復(fù)數(shù)個(gè)微型蒸發(fā)源陣列排布而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于：所述微型蒸發(fā)源之間間距為5μm~5000μm，其排布方式為并列排布或交錯(cuò)排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于：所述微型蒸發(fā)源包括一蒸發(fā)噴頭，其口徑為1μm~500μm，使得微型蒸發(fā)源具有小蒸發(fā)口徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于：所述蒸發(fā)噴頭上帶有所述快門開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于：所述快門開關(guān)能夠控制微型蒸發(fā)源的蒸發(fā)照射，且能夠在瞬間開合。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于：所述基板傳動(dòng)裝置能夠帶動(dòng)基板移動(dòng)，所述基板與微型蒸發(fā)源陣列之間的距離為50μm~10000μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于：所述傳動(dòng)裝置能夠帶動(dòng)基板進(jìn)行多維移動(dòng)，具體的在空間直角坐標(biāo)系xyz中，包括沿x軸移動(dòng)、沿y軸移動(dòng)、沿z軸移動(dòng)以及在xy平面上繞w軸旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高均勻度圖形化多點(diǎn)源陣列蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于：基板沿x、y、z軸移動(dòng)的速度為1μm/s~5000μm/s之間，基板在xy平面上繞w軸旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度為1°/s~90°/s之間。