攝像頭蓋板的真空鍍膜方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種攝像頭蓋板的真空鍍膜方法,包括將基板打磨、印刷、固化、清洗;置于真空鍍膜機(jī)鍍膜,基板向上或向下依次鍍上五氧化三鈦層、二氧化硅層、五氧化三鈦層、二氧化硅層;鍍膜室真空度3-5×103Pa,加熱到145-155℃、真空度1.5-2.5Pa時(shí),調(diào)整真空度達(dá)到1-1.3×10-1Pa,開啟離子源充氣,離子源燈絲電流為20-23A、電壓20-22V,放電電流2-4A、放電電壓145-155V,充氣時(shí)間為4-6min,關(guān)閉;當(dāng)真空度達(dá)到1.4-1.6×10-2Pa,充氧氣至真空度到2.5-3.5×10-2pa自動(dòng)鍍膜,鍍膜完成后取出基板,冷卻。本發(fā)明具有鍍層均勻、透過(guò)率高且耐磨損的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】攝像頭蓋板的真空鍍膜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及攝像頭蓋板處理【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種攝像頭蓋板的真空鍍膜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)的手機(jī)攝像頭的像素越來(lái)越高,要求其上的蓋板的清晰度和透過(guò)率也相應(yīng)提高;為了實(shí)現(xiàn)上述效果,往往采用真空鍍膜工藝在蓋板上鍍上不同的涂層,以達(dá)到清晰度的要求,同時(shí)兼顧實(shí)現(xiàn)耐磨損、透過(guò)率高等效果。但是目前的真空鍍膜工藝,往往存在鍍層不均勻的現(xiàn)象,這就導(dǎo)致其透過(guò)率和耐磨損等性能受到影響。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,提供一種鍍層均勻、透過(guò)率高且耐磨損的攝像頭蓋板的真空鍍膜方法。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種攝像頭蓋板的真空鍍膜方法,制備步驟包括:
[0005](1)首先將蓋板的基板進(jìn)行打磨,打磨至直徑為8-10mm,厚度為0.3-0.6mm的圓形基板;
[0006](2)然后將基板進(jìn)行油墨印刷,再置于140-160°C下、25-35min進(jìn)行固化;
[0007](3)將固化后的基板置于體積濃度為25-55%的乙醇溶液中進(jìn)行清洗,去除表面的浮塵;
[0008](4)將清洗后的基板晾干,然后置于真空鍍膜機(jī)中進(jìn)行真空鍍膜,真空鍍膜的基板上下兩面,以基板為基礎(chǔ)向上或向下依次鍍上五氧化三鈦層、二氧化硅層、五氧化三鈦層、二氧化娃層;上述各鍍層的厚度依次為五氧化三鈦層25-30nm、二氧化娃層34_40nm、五氧化三鈦層25-30nm、二氧化硅層100-110nm ;
[0009]真空鍍膜過(guò)程:首先開啟真空鍍膜裝置的電源,冷卻循環(huán)水;開啟粗抽泵將真空鍍膜室內(nèi)抽真空至真空度3-5X103Pa,開啟羅茨泵;然后開始加熱,當(dāng)溫度達(dá)到145-155°C、真空度達(dá)到1.5-2.5Pa時(shí),關(guān)閉粗抽泵,開啟精抽泵至真空度達(dá)到l-l^XK^Pa,開啟離子源充氣,觀察離子源燈絲電流,并維持燈絲電流為20-23A、燈絲電壓為20-22V,放電電流為2-4A、放電電壓為145-155V,離子源充氣時(shí)間為4-6min,然后關(guān)閉;當(dāng)真空度達(dá)到1.4-1.6X 10_2Pa,充氧氣至真空度到2.5-3.5X 10_2pa開始自動(dòng)鍍膜,鍍膜完成后取出基板,自然冷卻即可。
[0010]作為優(yōu)選,步驟⑵固化溫度150°C下、固化時(shí)間30min ;采用該參數(shù),可以進(jìn)一步增加油墨與基板的結(jié)合牢固度,不易掉墨,不易脫落。
[0011]作為優(yōu)選,步驟(4)所述的各鍍層的厚度依次為五氧化三鈦層28nm、二氧化硅層36nm、五氧化三鈦層28nm、二氧化娃層108nm ;采用該厚度,可以增加整個(gè)蓋板的耐磨損效果,提高透過(guò)率,從而使得蓋板更耐磨,透過(guò)率高,提高攝像頭整體的像素。
[0012]作為優(yōu)選,步驟(4)所述的開啟粗抽泵將真空鍍膜室內(nèi)抽真空至真空度5X103Pa,采用該真空度可以實(shí)現(xiàn)更高的鍍膜,使得膜層與基板粘結(jié)的更加牢固。
[0013]作為優(yōu)選,所述的鍍層,在最外層的鍍層上還設(shè)置有一層AF防水層(防指紋油納米涂料是由氟基團(tuán)與硅基團(tuán)組合而成的納米涂層,主要是采用自動(dòng)噴涂機(jī)將AF防指紋藥水通過(guò)噴涂的方式設(shè)置在鍍層上),厚度為10-15nm;采用該厚度可以使得蓋板充分防水,有效保護(hù)攝像頭的安全。
[0014]作為優(yōu)選,所述的真空鍍膜室在待鍍膜的基板與鍍層原料之間設(shè)置于葉片狀擋板,在對(duì)鍍層原料加熱2-5s后將擋板撤離;采用該工序,由于在鍍層原料加熱初始的2-5s,各個(gè)原料的蒸汽擴(kuò)散的不均勻,如果此時(shí)直接鍍到基板上,會(huì)造成膜層厚度不均勻,不一致的現(xiàn)象,而采用上述工序有效防止上述現(xiàn)象的出現(xiàn),使得膜層鍍的更加均勻。
[0015]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和有益效果:
[0016]1.本發(fā)明在蓋板上下表面分別鍍上五氧化三鈦層25-30nm、二氧化娃層34-40nm、五氧化三鈦層25-30nm、二氧化娃層100-110nm ;使得蓋板更加耐磨損、且透過(guò)率高;檢測(cè)在420nm波段透過(guò)率95 %以上,500nm波段透過(guò)率98 %以上;580nm波段透過(guò)率98 %以上,600nm波段透過(guò)率95%以上;因此具有良好的透過(guò)率;此外采用鋼絲絨來(lái)回在蓋板表面摩擦200次以上,其滴水角仍然能保持大于110度,其具有良好的浸水性能。
[0017]2.本發(fā)明采用在所述的真空鍍膜室在待鍍膜的基板與鍍層原料時(shí)間設(shè)置于葉片狀擋板,在對(duì)鍍層原料加熱2-5s后將擋板撤離;采用該工序,由于在鍍層原料加熱初始的2_5s,各個(gè)原料的蒸汽擴(kuò)散的不均勻,如果此時(shí)直接鍍到基板上,會(huì)造成膜層厚度不均勻,不一致的現(xiàn)象,而采用上述工序有效防止上述現(xiàn)象的出現(xiàn),使得膜層鍍的更加均勻。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1本發(fā)明鍍膜蓋板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2設(shè)置葉片狀擋板真空鍍膜室結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步具體描述,但不局限于此。本發(fā)明的真空鍍膜機(jī)可采用行業(yè)常規(guī)真空鍍膜機(jī),也可采用201310453456.9中涉及的真空鍍膜機(jī)或申請(qǐng)?zhí)枮?0113303.9中涉及到的真空鍍膜機(jī)。
[0021]實(shí)施例1
[0022](1)首先將蓋板的基板(強(qiáng)化玻璃)進(jìn)行打磨,打磨至直徑為10mm,厚度為0.5mm的圓形基板;
[0023](2)然后將基板進(jìn)行油墨印刷(IR油墨,主要采用常規(guī)的絲網(wǎng)印刷工藝,如日本精工油墨有限公司在中國(guó)的“精工油墨(四會(huì))有限公司”提供的絲網(wǎng)油墨如HFGV2/3),再置于150°C下、30min進(jìn)行固化;
[0024](3)將固化后的基板置于體積濃度為35%的乙醇溶液中進(jìn)行清洗,去除表面的浮沉;
[0025](4)將清洗后的基板晾干,然后置于真空鍍膜機(jī)中進(jìn)行真空鍍膜,真空鍍膜的基板上下兩面,以基板為基礎(chǔ)向上或向下依次鍍上五氧化三鈦層、二氧化硅層、五氧化三鈦層、二氧化硅層;上述各鍍層的厚度依次為五氧化三鈦層28nm、二氧化硅層36nm、五氧化三鈦層28nm、二氧化娃層108nm ;
[0026]真空鍍膜過(guò)程:開總電源,循環(huán)水之后,先開維持泵,3秒后開擴(kuò)散泵,檢查電流表是否正常,開粗抽泵,3s后開粗抽閥,當(dāng)真空度到5*103pa,開羅茨泵,開始加熱,當(dāng)擴(kuò)散溫度達(dá)到150度真空度2pa時(shí)關(guān)閉粗抽泵,3s后打開前置閥,3s后打開精抽閥,當(dāng)真空度都1.時(shí),開離子源充氣,開離子源電源陽(yáng)極-啟動(dòng)/停止-陰極,觀察離子源燈絲電流(22.5A),燈絲電壓21.9v,放電電流3A,放電電壓150V,若數(shù)值偏差較大則旋轉(zhuǎn)進(jìn)行調(diào)節(jié);離子源充氣5分鐘后關(guān)閉,關(guān)閉離子源陰極-啟動(dòng)/停止-陽(yáng)極,關(guān)離子源充氣,當(dāng)真空度到1.5*l(T2pa,開燈絲充氧氣當(dāng)真空度達(dá)到3.0*l(T2pa、在膜層控制儀上選取要進(jìn)行的鍍膜過(guò)程,電機(jī)高壓開、燈絲開,自動(dòng)鍍膜,鍍膜完成后再觸摸屏上點(diǎn)擊高壓關(guān)、燈絲關(guān),檢查環(huán)形窩燈絲是否關(guān)閉,高壓是否關(guān)閉;緩慢增加電流,看到膜層控制儀上開始出現(xiàn)速率時(shí)停止,等到膜層控制儀上速率下降到1以下時(shí),馬上關(guān)閉蒸發(fā)電流,關(guān)精抽閥,3s后關(guān)閉前置閥,再3s后關(guān)上羅茨泵,然后打開真空鍍膜室充氣退機(jī),實(shí)現(xiàn)自動(dòng)鍍膜過(guò)程。
[0027]如圖1所示,本實(shí)施例制備的鍍膜蓋板結(jié)構(gòu)示意圖:基板1為基礎(chǔ)向上或向下依次鍍上五氧化三鈦層2、二氧化硅層3、五氧化三鈦層2、二氧化硅層3。
[0028]如圖2在待鍍膜的基板與鍍層原料之間設(shè)置于葉片狀擋板,具體為真空鍍膜室4,上部設(shè)置安裝待鍍膜的基板的料板5 (即真空度模室的旋轉(zhuǎn)盤),為上凹的球缺狀,真空室內(nèi)底部設(shè)置若干盛放原料(如二氧化硅、五氧化三鈦等原料)的料盒6,在料盒和球缺狀在料板之間設(shè)置葉片狀擋板7 ;對(duì)鍍層原料加熱5s后將擋板撤離;葉片擋板7下端連接有由真空鍍膜機(jī)電機(jī)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)桿,方便在加熱5s后將擋板旋轉(zhuǎn)撤離,使得原料蒸汽與上方安裝待鍍膜的基板的料板5充分接觸,實(shí)現(xiàn)鍍膜。
[0029]對(duì)本實(shí)施例制備的基板進(jìn)行檢查,首先檢測(cè)在420nm波段透過(guò)率95%以上,500nm波段透過(guò)率98%以上;580nm波段透過(guò)率98%以上,600nm波段透過(guò)率95%以上;因此具有良好的透過(guò)率;此外采用鋼絲絨來(lái)回在蓋板表面摩擦200次以上,其滴水角仍然能保持大于110度,其具有良好的浸水性能。然后采用鋼絲絨來(lái)回在蓋板表面摩擦200次以上,其滴水角仍然能保持大于110度,其具有良好的浸水性能。
[0030]實(shí)施例2
[0031]制備步驟同實(shí)施例1,在攝像頭蓋板安裝處于遠(yuǎn)離攝像頭的一面的最外層噴涂上厚度為12nm的AF防水膜層,從而提高整個(gè)蓋板的防水性能。
【權(quán)利要求】
1.一種攝像頭蓋板的真空鍍膜方法,其特征在于,制備步驟包括: (1)首先將蓋板的基板進(jìn)行打磨,打磨至直徑為8-10mm,厚度為0.3-0.6mm的圓形基板; (2)然后將基板進(jìn)行油墨印刷,再置于140-160°C下、25-35min進(jìn)行固化; (3)將固化后的基板置于體積濃度為25-55%的乙醇溶液中進(jìn)行清洗,去除表面的浮沉; (4)將清洗后的基板晾干,然后置于真空鍍膜機(jī)中進(jìn)行真空鍍膜,真空鍍膜的基板上下兩面,以基板為基礎(chǔ)向上或向下依次鍍上五氧化三鈦層、二氧化硅層、五氧化三鈦層、二氧化娃層;上述各鍍層的厚度依次為五氧化三鈦層25-30nm、二氧化娃層34_40nm、五氧化三欽層 25_30nm、二氧化娃層 10-1lOnm ; 真空鍍膜過(guò)程:首先開啟真空鍍膜裝置的電源,冷卻循環(huán)水;開啟粗抽泵將真空鍍膜室內(nèi)抽真空至真空度3-5X 13Pa,開啟羅茨泵;然后開始加熱,當(dāng)溫度達(dá)到145-155°C、真空度達(dá)到1.5-2.5Pa時(shí),關(guān)閉粗抽泵,開啟精抽泵至真空度達(dá)到1-1.3X KT1Pa,開啟離子源充氣,觀察離子源燈絲電流,并維持燈絲電流為20-23A、燈絲電壓為20-22V,放電電流為2-4A、放電電壓為145-155V,離子源充氣時(shí)間為4-6min,然后關(guān)閉;當(dāng)真空度達(dá)到1.4-1.6X 10_2Pa,充氧氣至真空度到2.5-3.5X 10_2pa開始自動(dòng)鍍膜,鍍膜完成后取出基板,自然冷卻即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像頭蓋板的真空鍍膜方法,其特征在于,步驟(2)固化溫度150 °C下、固化時(shí)間30min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像頭蓋板的真空鍍膜方法,其特征在于,步驟(4)所述的各鍍層的厚度依次為五氧化三鈦層28nm、二氧化娃層36nm、五氧化三鈦層28nm、二氧化娃層 108nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像頭蓋板的真空鍍膜方法,其特征在于,步驟(4)所述的開啟粗抽泵將真空鍍膜室內(nèi)抽真空至真空度5X103Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像頭蓋板的真空鍍膜方法,其特征在于,所述的鍍層,在最外層的鍍層上還鍍有一層AF層,厚度為10-15nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像頭蓋板的真空鍍膜方法,其特征在于,所述的真空鍍膜室在待鍍膜的基板與鍍層原料之間設(shè)置有葉片狀擋板,在對(duì)鍍層原料加熱2-5s后將擋板撤離。
【文檔編號(hào)】C23C14/54GK104498876SQ201410824612
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月25日
【發(fā)明者】林國(guó)華 申請(qǐng)人:江西昌佳鑫科技有限公司