一種連續(xù)式真空離子鍍膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)，具有箱式真空鍍膜室，箱式真空鍍膜室內(nèi)的左、右兩側(cè)分別設(shè)有基膜放卷機(jī)構(gòu)和基膜收卷糾偏機(jī)構(gòu)，箱式真空鍍膜室內(nèi)由左至右間隔設(shè)有多排平面磁控濺射靶，其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶，相鄰排平面磁控濺射靶之間形成有鍍膜通道，所述多排平面磁控濺射靶的前、后兩側(cè)分別設(shè)有水冷托板，水冷托板的外側(cè)設(shè)有傳動輥，傳動輥位于相鄰兩排平面磁控濺射靶之間的位置；所述基膜放卷機(jī)構(gòu)裝設(shè)的基膜繞經(jīng)傳動輥后從鍍膜通道通過并由基膜收卷糾偏機(jī)構(gòu)進(jìn)行糾偏后收卷。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了基膜的放卷、鍍膜及收卷均在同一個(gè)箱式真空鍍膜室內(nèi)完成，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單、體積小，大幅度降低了制作成本。
【專利說明】一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的真空離子鍍膜設(shè)備主要由放料室、多個(gè)鍍膜室、多個(gè)過渡室和收料室組成，整套鍍膜設(shè)備體積龐大，設(shè)備長度一般達(dá)到18米以上，設(shè)備安裝時(shí)占地空間大，另外上述真空離子鍍膜設(shè)備在運(yùn)行時(shí)需要多套的擴(kuò)散泵機(jī)組、分子泵機(jī)組、機(jī)械泵、羅茨泵與之配套進(jìn)行抽真空作業(yè)，不僅耗電量巨大，而且整套設(shè)備生產(chǎn)制造成本很高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、占地空間小、設(shè)備制造成本低且耗能少的連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)，具有箱式真空鍍膜室，箱式真空鍍膜室內(nèi)的左、右兩側(cè)分別設(shè)有基膜放卷機(jī)構(gòu)和基膜收卷糾偏機(jī)構(gòu)，箱式真空鍍膜室內(nèi)由左至右間隔設(shè)有多排平面磁控濺射靶，其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶，相鄰排平面磁控濺射靶之間形成有鍍膜通道，所述多排平面磁控濺射靶的前、后兩側(cè)分別設(shè)有水冷托板，水冷托板的外側(cè)設(shè)有傳動輥，傳動輥位于相鄰兩排平面磁控濺射靶之間的位置；所述基膜放卷機(jī)構(gòu)裝設(shè)的基膜繞經(jīng)所述傳動輥后從所述的鍍膜通道通過并由所述基膜收卷糾偏機(jī)構(gòu)進(jìn)行糾偏后收卷。
[0005]采用上述結(jié)構(gòu)的連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)，由于箱式真空鍍膜室內(nèi)由左至右間隔設(shè)有多排平面磁控濺射靶，其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶，相鄰排平面磁控濺射靶之間形成有鍍膜通道，因此基膜由放卷機(jī)構(gòu)放卷后繞經(jīng)設(shè)置在水冷托板外側(cè)的傳動輥并穿過多個(gè)所述鍍膜通道時(shí)，會在多個(gè)鍍膜通道內(nèi)連續(xù)被鍍膜通道兩側(cè)的平面磁控濺射靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，這樣即可以保證基膜表面鍍膜的厚度要求，同時(shí)也可保證基膜表面鍍膜的質(zhì)量要求。由于本發(fā)明的連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)僅有一個(gè)箱式真空鍍膜室，基膜的放卷、鍍膜及糾偏收卷均在同一個(gè)箱式真空鍍膜室內(nèi)完成，因此本發(fā)明的鍍膜機(jī)與傳統(tǒng)的真空離子鍍膜機(jī)相比較不僅設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單、體積明顯變小，同時(shí)與本發(fā)明相配套的抽真空設(shè)備數(shù)量也明顯減少，一方面節(jié)省了設(shè)備安裝的占地空間、降低了設(shè)備的制造成本，另外在節(jié)省抽真空設(shè)備采購成本的同時(shí)，使本發(fā)明在鍍膜作業(yè)時(shí)也節(jié)省了大量電能。
[0006]作為本發(fā)明的改進(jìn)，所述單面濺射平面磁控濺射靶包括平面磁控濺射靶本體和裝于平面磁控濺射靶本體外側(cè)的屏蔽罩，平面磁控濺射靶本體具有靶體，靶體上裝有磁靴，在磁靴的一側(cè)均布裝有多排第一永久磁體、多排第一永久磁體的外側(cè)與所述屏蔽罩之間依序裝有第一靶材隔水板和第一靶材，所述雙面濺射平面磁控濺射靶包括所述的平面磁控濺射靶本體和裝于該平面磁控濺射靶本體外側(cè)的屏蔽罩，在所述磁靴相對的另一側(cè)均布裝有多排第二永久磁體，多排第二永久磁體的外側(cè)與所述屏蔽罩之間依序裝有第二靶材隔水板和第二靶材。
[0007]本發(fā)明連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)中的雙面濺射平面磁控濺射靶是以現(xiàn)有技術(shù)中普通的單面濺射平面磁控濺射靶為基礎(chǔ)，通過在所述磁靴相對的另一側(cè)均布裝有多排第二永久磁體，多排第二永久磁體的外側(cè)與所述屏蔽罩之間依序裝有第二靶材隔水板和第二靶材，來達(dá)到能夠?qū)崿F(xiàn)兩側(cè)同時(shí)濺射鍍膜的目的，本發(fā)明中的一個(gè)雙面濺射平面磁控濺射靶可起到兩個(gè)普通單面濺射平面磁控濺射靶的作用，可以進(jìn)一步地降低本發(fā)明鍍膜機(jī)的制造成本，使本發(fā)明的鍍膜機(jī)體積可以做得更小，節(jié)省安裝時(shí)的占地空間。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。
[0009]圖1是本發(fā)明一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是本發(fā)明一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)中的單面濺射平面磁控濺射靶的俯剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖3是本發(fā)明一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)中的雙面濺射平面磁控濺射靶的俯剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]參見圖1 一圖3，首先參見圖1，本發(fā)明一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)，具有箱式真空鍍膜室1，箱式真空鍍膜室內(nèi)的左、右兩側(cè)分別設(shè)有基膜放卷機(jī)構(gòu)2和基膜收卷糾偏機(jī)構(gòu)3，箱式真空鍍膜室內(nèi)由左至右間隔設(shè)有多排平面磁控濺射靶4，其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶41、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶42，相鄰排平面磁控濺射靶
4之間形成有鍍膜通道5，所述多排平面磁控濺射靶4的前、后兩側(cè)分別設(shè)有水冷托板6，水冷托板6的外側(cè)設(shè)有傳動輥7，傳動輥7位于相鄰兩排平面磁控濺射靶之間的位置；所述基膜放卷機(jī)構(gòu)2裝設(shè)的基膜10繞經(jīng)所述傳動輥7后從所述的鍍膜通道5通過并由所述基膜收卷糾偏機(jī)構(gòu)3進(jìn)行糾偏后收卷。參見圖2、圖3，所述單面濺射平面磁控濺射靶41包括平面磁控濺射靶本體410和裝于平面磁控濺射靶本體外側(cè)的屏蔽罩411，平面磁控濺射靶本體410具有祀體412,祀體上裝有磁靴413,在磁靴413的一側(cè)均布裝有多排第一永久磁體414、多排第一永久磁體的外側(cè)與所述屏蔽罩411之間依序裝有第一祀材隔水板415和第一靶材416，所述雙面濺射平面磁控濺射靶42包括所述的平面磁控濺射靶本體410和裝于該平面磁控濺射靶本體外側(cè)的屏蔽罩411，在所述磁靴413相對的另一側(cè)均布裝有多排第二永久磁體424，多排第二永久磁體的外側(cè)與所述屏蔽罩411之間依序裝有第二靶材隔水板425和第二靶材426。
【權(quán)利要求】
1.一種連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)，其特征在于:具有箱式真空鍍膜室(1),箱式真空鍍膜室內(nèi)的左、右兩側(cè)分別設(shè)有基膜放卷機(jī)構(gòu)(2)和基膜收卷糾偏機(jī)構(gòu)(3),箱式真空鍍膜室內(nèi)由左至右間隔設(shè)有多排平面磁控濺射靶(4),其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶(虹)、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶(42),相鄰排平面磁控濺射靶(4)之間形成有鍍膜通道(5),所述多排平面磁控濺射靶(4)的前、后兩側(cè)分別設(shè)有水冷托板(6),水冷托板(6)的外側(cè)設(shè)有傳動輥(7),傳動輥(7)位于相鄰兩排平面磁控濺射靶之間的位置；所述基膜放卷機(jī)構(gòu)(2)裝設(shè)的基膜繞經(jīng)所述傳動輥(7)后從所述的鍍膜通道(5)通過并由所述基膜收卷糾偏機(jī)構(gòu)(3)進(jìn)行糾偏后收卷。
2.如權(quán)利要求1所述的連續(xù)式真空離子鍍膜機(jī)，其特征在于:所述單面濺射平面磁控濺射靶(41)包括平面磁控濺射靶本體(410)和裝于平面磁控濺射靶本體外側(cè)的屏蔽罩(411),平面磁控濺射靶本體(410)具有靶體(412),靶體上裝有磁靴(413),在磁靴(413)的一側(cè)均布裝有多排第一永久磁體(414^多排第一永久磁體的外側(cè)與所述屏蔽罩(411)之間依序裝有第一靶材隔水板(415)和第一靶材(416),所述雙面濺射平面磁控濺射靶(42)包括所述的平面磁控濺射靶本體(410)和裝于該平面磁控濺射靶本體外側(cè)的屏蔽罩(411),在所述磁靴(413)相對的另一側(cè)均布裝有多排第二永久磁體(424),多排第二永久磁體的外側(cè)與所述屏蔽罩(411)之間依序裝有第二靶材隔水板(425 )和第二靶材(426 )。
【文檔編號】C23C14/35GK104404474SQ201410823619
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月26日
【發(fā)明者】關(guān)秉羽 申請人:遼寧北宇真空科技有限公司