技術(shù)特征：

1.一種增大層狀鈷基氧化物薄膜高溫?zé)犭妱莸姆椒ǎ涮卣髟谟冢?/p>

（1）c軸傾斜的單晶襯底的預(yù)處理：將c軸傾斜單晶襯底在空氣氣氛、950℃~1150℃下一次退火0.5~2h，之后在室溫下依次用丙酮、酒精和去離子水在超聲波清洗器中各處理1~5min，再在空氣氣氛、950℃~1150℃下二次退火0.5~2h；

（2）通過脈沖激光沉積在步驟（1）得到的c軸傾斜單晶襯底上制備層狀鈷基氧化物外延薄膜，從而在薄膜傾斜方向上獲得增大的高溫?zé)犭妱荨?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增大層狀鈷基氧化物薄膜高溫?zé)犭妱莸姆椒ǎ涮卣髟谟冢核鰧訝钼捇趸餅镃a₃Co₄O₉或Sr₃Co₄O₉。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增大層狀鈷基氧化物薄膜高溫?zé)犭妱莸姆椒?，其特征在于：所述c軸傾斜的單晶襯底為LaAlO₃、SrTiO₃、(La_xSr_1-x)(Al_yTa_1-y)O₃或Al₂O₃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增大層狀鈷基氧化物薄膜高溫?zé)犭妱莸姆椒?，其特征在于：所述c軸傾斜的傾斜角度為0<θ＜90°。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增大層狀鈷基氧化物薄膜高溫?zé)犭妱莸姆椒?，其特征在于：所述脈沖激光沉積的工藝條件為KrF準(zhǔn)分子激光波長248nm，激光脈寬28ns，激光能量175-350mJ，激光頻率2-5Hz，背底真空1×10^-3Pa-1×10^-4Pa，生長溫度730-810℃，生長流動氧壓5-50Pa，生長時間5-40min。