1.一種蒸鍍裝置，其特征在于，包括蒸發(fā)源、電子發(fā)射裝置和蒸鍍基臺；
所述蒸發(fā)源，用于對蒸鍍材料加熱，以使所述蒸鍍材料氣化；
所述電子發(fā)射裝置，用于使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料帶有電荷；
所述蒸鍍基臺，用于固定目標基板；所述蒸鍍基臺可帶電，且所帶電的電性與從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料所帶電荷的電性相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸鍍裝置還包括掩膜板；
所述掩膜板放置于所述蒸發(fā)源和所述目標基板之間，所述掩膜板上具有開口圖案；所述掩膜板可帶電，且所帶電的電性與從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料所帶電荷的電性相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述掩膜板為金屬掩膜板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸鍍裝置還包括絕緣擋片；
所述絕緣擋片伸出于所述金屬掩膜板的開口圖案邊緣，以遮擋部分所述開口圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述掩膜板靠近所述蒸發(fā)源的一側(cè)設置有凸塊，所述凸塊設置在所述開口圖案的周圍；
其中，所述凸塊為導電材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述凸塊的形狀為三棱柱，三棱柱的第一側(cè)面設置在所述掩膜板上，第二側(cè)面朝向所述開口圖案，第三側(cè)面背離所述開口圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍裝置，其特征在于，在所述掩膜板為金屬掩膜板的情況下，所述金屬掩膜板和所述凸塊一體成型。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)源包括加熱線圈、加熱電源和蒸發(fā)容器，所述加熱線圈設置在所述蒸發(fā)容器內(nèi)；
所述蒸發(fā)容器，用于放置所述蒸鍍材料；
所述加熱電源與所述加熱線圈相連，用于為所述加熱線圈加電，以使得所述加熱線圈升溫。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射裝置包括一個第一電子槍，所述第一電子槍的電子發(fā)射口為條狀；
或者，包括多個排布成一行或陣列排布的第二電子槍，所述第二電子槍的電子發(fā)射口為點狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸鍍裝置還包括第一電源和第二電源；
所述第一電源，用于使所述蒸鍍基臺帶電；
所述第二電源，用于使所述掩膜板帶電。
11.一種蒸鍍方法，其特征在于，包括：
將目標基板放置在蒸鍍基臺上，控制蒸鍍基臺帶電；
對放置在蒸發(fā)源中的蒸鍍材料進行加熱，以使所述蒸鍍材料氣化；
控制氣化的所述蒸鍍材料帶電，其中，所述蒸鍍基臺所帶電的電性與從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料所帶電荷的電性相反，以使得所述蒸鍍材料在所述蒸鍍基臺的電場力的作用下運動，在目標基板上形成膜層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蒸鍍方法，其特征在于，控制氣化的所述蒸鍍材料帶電，包括：
向從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料發(fā)射電子，使電子附著在所述蒸鍍材料上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蒸鍍方法，其特征在于，在所述蒸鍍裝置包括掩膜板的情況下，所述方法還包括：
將掩膜板放置于所述蒸發(fā)源和所述目標基板之間；
控制所述掩膜板帶電，且所帶電的電性與從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料所帶電荷的電性相同。
14.一種基板，所述基板上形成有膜層，其特征在于，所述膜層由權(quán)利要求11-13任一項所述的方法形成。