本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法、基板。

背景技術：

目前，OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)顯示裝置，由于具有結構簡單、優(yōu)質的動態(tài)畫面、寬視角、響應速度快、可柔化等優(yōu)點而受到廣泛關注。

OLED顯示裝置已成為目前研究的重點與熱點?，F(xiàn)有技術中，OLED顯示裝置的基本結構包括陽極、發(fā)光層和陰極，其中，發(fā)光層的成膜方法有很多種，例如，蒸鍍成膜法、分子束外延法、有機化學氣相沉積法等。由于蒸鍍成膜法具有操作簡單、膜厚容易控制、對薄膜的污染小等優(yōu)點，因而現(xiàn)有技術中多采用蒸鍍成膜法形成發(fā)光層，即在真空環(huán)境下，將蒸鍍材料加熱使其蒸發(fā)，并沉積到目標基板上形成發(fā)光層。

然而，傳統(tǒng)的蒸鍍方式是利用單一且為點狀的蒸鍍源作為蒸鍍源，由于氣化或升華出的分子并無一定的方向性，因而有非常多的蒸鍍材料會附著在蒸鍍腔體上，真正蒸鍍到目標基板上的蒸鍍材料的比率非常低，因此蒸鍍材料在蒸鍍過程中的損失比較嚴重，降低了蒸鍍材料的利用率及蒸鍍速率，增加了生產(chǎn)成本。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法、基板，可以提高蒸鍍過程中蒸鍍材料的利用率，降低生產(chǎn)成本，且提高了蒸鍍材料的蒸鍍速率。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供一種蒸鍍裝置，包括蒸發(fā)源、電子發(fā)射裝置和蒸鍍基臺；所述蒸發(fā)源，用于對蒸鍍材料加熱，以使所述蒸鍍材料氣化；所述電子發(fā)射裝置，用于使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料帶有電荷；所述蒸鍍基臺，用于固定目標基板；所述蒸鍍基臺可帶電，且所帶電的電性與從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料所帶電荷的電性相反。

優(yōu)選的，所述蒸鍍裝置還包括掩膜板；所述掩膜板放置于所述蒸發(fā)源和所述目標基板之間，所述掩膜板上具有開口圖案；所述掩膜板可帶電，且所帶電的電性與從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料所帶電荷的電性相同。

進一步優(yōu)選的，所述掩膜板為金屬掩膜板。

優(yōu)選的，所述蒸鍍裝置還包括絕緣擋片；所述絕緣擋片伸出于所述金屬掩膜板的開口圖案邊緣，以遮擋部分所述開口圖案。

優(yōu)選的，所述掩膜板靠近所述蒸發(fā)源的一側設置有凸塊，所述凸塊設置在所述開口圖案的周圍；其中，所述凸塊為導電材料。

進一步優(yōu)選的，所述凸塊的形狀為三棱柱，三棱柱的第一側面設置在所述掩膜板上，第二側面朝向所述開口圖案，第三側面背離所述開口圖案。

優(yōu)選的，在所述掩膜板為金屬掩膜板的情況下，所述金屬掩膜板和所述凸塊一體成型。

優(yōu)選的，所述蒸發(fā)源包括加熱線圈、加熱電源和蒸發(fā)容器，所述加熱線圈設置在所述蒸發(fā)容器內；所述蒸發(fā)容器，用于放置所述蒸鍍材料；所述加熱電源與所述加熱線圈相連，用于為所述加熱線圈加電，以使得所述加熱線圈升溫。

優(yōu)選的，所述電子發(fā)射裝置包括一個第一電子槍，所述第一電子槍的電子發(fā)射口為條狀；或者，包括多個排布成一行或陣列排布的第二電子槍，所述第二電子槍的電子發(fā)射口為點狀。

優(yōu)選的，所述蒸鍍裝置還包括第一電源和第二電源；所述第一電源，用于使所述蒸鍍基臺帶電；所述第二電源，用于使所述掩膜板帶電。

第二方面，提供一種蒸鍍方法，包括：將目標基板放置在蒸鍍基臺上，控制蒸鍍基臺帶電；對放置在蒸發(fā)源中的蒸鍍材料進行加熱，以使所述蒸鍍材料氣化；控制氣化的所述蒸鍍材料帶電，其中，所述蒸鍍基臺所帶電的電性與從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料所帶電荷的電性相反，以使得所述蒸鍍材料在所述蒸鍍基臺的電場力的作用下運動，在目標基板上形成膜層。

優(yōu)選的，控制氣化的所述蒸鍍材料帶電，包括：向從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料發(fā)射電子，使電子附著在所述蒸鍍材料上。

優(yōu)選的，在所述蒸鍍裝置包括掩膜板的情況下，所述方法還包括：將掩膜板放置于所述蒸發(fā)源和所述目標基板之間；控制所述掩膜板帶電，且所帶電的電性與從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料所帶電荷的電性相同。

第三方面，提供一種基板，所述基板上形成有膜層，所述膜層由上述的方法形成。

本發(fā)明實施例提供一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法、基板，由于從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的蒸鍍材料帶有電荷，且固定目標基板的蒸鍍基臺也可帶電，并且蒸鍍基臺所帶電的電性與蒸鍍材料所帶電荷的電性相反，因而在蒸發(fā)源蒸發(fā)出蒸鍍材料后，在蒸鍍基臺電場力的作用下，蒸鍍材料會改變運動方向，向蒸鍍基臺的方向運動，以沉積在目標基板上，從而避免了蒸鍍材料無方向運動導致的蒸鍍材料的浪費，提高了蒸鍍材料的利用率，降低了生產(chǎn)成本。在此基礎上，從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的蒸鍍材料在電場力的作用下，可加速向目標基板運動，從而提高了蒸鍍材料的蒸鍍速率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖一；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖二；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖三；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖四；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖五；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖六；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種蒸鍍方法的流程示意圖。

附圖標記：

10-蒸發(fā)源；101-加熱線圈；102-加熱電源；103-蒸發(fā)容器；20-電子發(fā)射裝置；30-蒸鍍基臺；40-目標基板；50-蒸鍍材料；60-掩膜板；70-絕緣擋片；80-凸塊；801-第一側面；802-第二側面；803-第三側面；90-第一電源；100-第二電源。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種蒸鍍裝置，如圖1所示，包括蒸發(fā)源10、電子發(fā)射裝置20和蒸鍍基臺30；蒸發(fā)源10，用于對蒸鍍材料50加熱，以使蒸鍍材料50氣化；電子發(fā)射裝置20，用于使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶有電荷；蒸鍍基臺30，用于固定目標基板40；蒸鍍基臺30可帶電，且所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相反。

需要說明的是，第一，對于電子發(fā)射裝置20的結構不進行限定，以能使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶有電荷為準，例如可以是電子槍。此處，電子發(fā)射裝置20可以通過發(fā)出電子，使電子附著在蒸鍍材料50上，從而使蒸鍍材料50帶電，電子發(fā)射裝置20可以發(fā)出正電子，也可以發(fā)出負電子。當電子發(fā)射裝置20發(fā)出正電子時，正電子附著在從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50上，蒸鍍材料50帶正電；當電子發(fā)射裝置20發(fā)出負電子時，負電子附著在從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50上，蒸鍍材料50帶負電。

此處，電子發(fā)射裝置20可以設置在蒸發(fā)源10內，也可以設置在蒸鍍源10外，只要電子發(fā)射裝置20能夠使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶電即可。

第二，對于蒸鍍材料50的類型不進行限定，蒸鍍材料50可以是有機材料，也可以是無機材料。

此處，當利用上述蒸鍍裝置形成OLED顯示裝置的發(fā)光層時，蒸鍍材料50一般為有機材料。

第三，目標基板40，即指待成膜的基板。

第四，若從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶正電，則給蒸鍍基臺30供電，使蒸鍍基臺30帶負電；若從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶負電，則給蒸鍍基臺30供電，使蒸鍍基臺30帶正電。本發(fā)明實施例附圖中均以從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶負電，蒸鍍基臺30帶正電為例進行示意。

蒸鍍基臺30可以是導電材料，也可以是絕緣材料。若蒸鍍基臺30為導電材料，則可以直接給蒸鍍基臺30施加與蒸鍍材料50所帶電荷電性相反的電壓；若蒸鍍基臺30為絕緣材料，可以通過產(chǎn)生靜電，使蒸鍍基臺30帶電，且所帶電的電性與蒸鍍材料50所帶電荷電性相反。

此處，蒸鍍基臺30所帶電的電壓越大，產(chǎn)生的電場越大，對從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50的吸引力越大，因而可以通過調節(jié)蒸鍍基臺30所帶電的電壓大小來調節(jié)蒸鍍材料50的蒸鍍速率。

第五，對于蒸發(fā)源10的結構不進行限定，只要能夠對蒸鍍材料50加熱，使其蒸發(fā)即可。

本發(fā)明實施例提供一種蒸鍍裝置，由于從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶有電荷，且固定目標基板40的蒸鍍基臺30也可帶電，并且蒸鍍基臺30所帶電的電性與蒸鍍材料50所帶電荷的電性相反，因而在蒸發(fā)源10蒸發(fā)出蒸鍍材料50后，在蒸鍍基臺30電場力的作用下(如圖1中箭頭所示)，蒸鍍材料50會改變運動方向，向蒸鍍基臺30的方向運動，以沉積在目標基板40上，從而避免了蒸鍍材料50無方向運動導致的蒸鍍材料50的浪費，提高了蒸鍍材料50的利用率，降低了生產(chǎn)成本。在此基礎上，從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50在電場力的作用下，可加速向目標基板30運動，從而提高了蒸鍍材料50的蒸鍍速率。

優(yōu)選的，如圖2所示，蒸鍍裝置還包括掩膜板60；掩膜板60放置于蒸發(fā)源10和目標基板40之間，掩膜板60上具有開口圖案；掩膜板60可帶電，且所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相同。

此處，在蒸發(fā)源10和目標基板40之間放置掩膜板60，可以在目標基板40上形成與掩膜板60上開口圖案相同的蒸鍍圖案。對于掩膜板60上的開口圖案不進行限定，可以根據(jù)目標基板40上所要形成的蒸鍍圖案進行相應設計。

在此基礎上，對于掩膜板60和目標基板40之間的距離不進行限定。掩膜板60和目標基板40之間的距離越近，掩膜板60與蒸鍍基臺30之間產(chǎn)生的電場越強，則對從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50的吸引力越大，蒸鍍材料50的蒸鍍速率越快，成膜的精度也會越高。然而，掩膜板60與目標基板40之間的距離越近，在放入掩膜板60時，掩膜板60可能會碰撞到目標基板40，而使目標基板40損壞；也有可能掩膜板60與目標基板40之間的距離越近，蒸鍍基臺30與掩膜板60產(chǎn)生的電場越強，蒸鍍基臺30與掩膜板60產(chǎn)生的靜電會使目標基板40上的一些膜層擊穿，從而損壞目標基板40，因此，掩膜板60與目標基板40之間的距離越遠，掩膜板60在移動過程中損傷目標基板40的可能性就越低，因而應根據(jù)需要合理地對掩膜板60和目標基板40之間的距離進行調節(jié)。

其中，掩膜板60可以導電材料，也可以是絕緣材料。當掩膜板60為導電材料時，則可以直接給掩膜板60施加與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷電性相同的電壓；當掩膜板60為絕緣材料時，可以通過產(chǎn)生靜電，使掩膜板60帶電，且所帶電的電性與蒸鍍材料50所帶電荷電性相同。示例的，若從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶正電，則掩膜板60帶正電；若從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶負電，則掩膜板60帶負電。本發(fā)明實施例附圖中均以從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶負電，掩膜板60帶負電為例進行示意。

本發(fā)明實施例，掩膜板60可帶電，且掩膜板60所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相同，根據(jù)電性相同相斥原理，因而當從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50運動到達掩膜板60附近位置時，掩膜板60產(chǎn)生的電場會使蒸鍍材料50反向運動，或者改變蒸鍍材料50的運動方向，以使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50向遠離掩膜板60的方向運動，這樣便可以減少附著在掩膜板60上的蒸發(fā)材料50的量，從而減少對掩膜板60的污染，進而可以減小掩膜板60的清洗更換頻率，提高生產(chǎn)效率。

優(yōu)選的，掩膜板60為金屬掩膜板。

其中，對于金屬掩膜板的材料不進行限定，例如可以選取Al(鋁)、Cu(銅)、Ag(銀)或其合金等中的至少一種。

本發(fā)明實施例，當掩膜板60為金屬掩膜板時，可以直接給金屬掩膜板施加與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相同的電壓即可，操作過程更簡單。

在掩膜板60為金屬掩膜板的情況下，當給掩膜板60施加與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷電性相同的電壓時，根據(jù)電性相同相斥原理，掩膜板60所產(chǎn)生的電場會使蒸鍍材料50向遠離掩膜板60的方向運動，因而掩膜板60的開口圖案邊緣也會對運動到開口圖案邊緣的蒸鍍材料50排斥，最終導致形成在目標基板30上、且與開口圖案邊緣正對位置處的蒸鍍材料50的厚度較小，從而造成目標基板30上的成膜不均勻。基于此，本發(fā)明實施例進一步優(yōu)選的，如圖3所示，蒸鍍裝置還包括絕緣擋片70；絕緣擋片70伸出于金屬掩膜板的開口圖案邊緣，以遮擋部分開口圖案。

其中，可以在掩膜板60的開口圖案邊緣設置一圈絕緣擋片70，也可以在開口圖案邊緣間隔設置絕緣擋片70，此處不進行限定。為了確保在目標基板40上所成膜的均勻性最好，因而優(yōu)選在掩膜板60的開口圖案邊緣一圈均設置絕緣擋片70。

此處，絕緣擋片70可以設置在掩膜板60靠近目標基板40的一側，也可以設置在掩膜板60靠近蒸發(fā)源10的一側。

需要說明的是，在掩膜板60的開口圖案邊緣一圈均設置絕緣擋片70時，目標基板40上形成的膜層的圖案與絕緣擋片70靠近開口一側圍成的圖案相同，因而可以根據(jù)目標基板40上所要形成的膜層的圖案相應調整絕緣擋片70靠近開口一側圍成的圖案。

本發(fā)明實施例，通過在金屬掩膜板的開口圖案邊緣設置絕緣擋片70，可避免在目標基板40上形成膜層時，由于掩膜板60對蒸鍍材料50的排斥作用，而使得與開口圖案邊緣正對位置處的膜層的厚度較小，從而導致目標基板40上形成的膜層厚度不均勻，因而在金屬掩膜板的開口圖案邊緣設置絕緣擋片70，可以提高目標基板40上形成的膜層的均勻性和成膜的精確度。

優(yōu)選的，如圖4所示，掩膜板60靠近蒸發(fā)源10的一側設置有凸塊80，凸塊80設置在開口圖案的周圍；其中，凸塊80為導電材料。

其中，對于凸塊80的材料不進行限定，只要導電即可。例如凸塊80的材料可以為Al、Cu、Ag及其合金等。在掩膜板60為金屬掩膜板時，凸塊80的材料可以和金屬掩膜板的材料相同，也可以和金屬掩膜板的材料不同，此處不進行限定。基于此，可以在掩膜板60的開口圖案邊緣設置一圈凸塊80，也可以在掩膜板60的開口圖案邊緣間隔設置凸塊80。

此外，在掩膜板60為金屬掩膜板時，凸塊80可以是掩膜板60的一部分，也可以是單獨的導電材料。

需要說明的是，當給掩膜板60施加與從蒸鍍源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷電性相同的電壓時，由于凸起80為導電材料，因而凸起80會帶電，且所帶電的電性與掩膜板60所帶電的電性相同。

此處，對于凸塊80的形狀不進行限定。本發(fā)明實施例優(yōu)選凸塊80的形狀，應該是在凸起80所帶電的電性與掩膜板60所帶電的電性相同時，凸塊80產(chǎn)生的電場方向是朝向開口圖案的。

本發(fā)明實施例，由于掩膜板60靠近蒸發(fā)源10的一側設置有凸塊80，當掩膜板60帶電時，凸塊80也帶電，且凸塊80產(chǎn)生的電場力可以使蒸鍍材料50向掩膜板60開口圖案處運動，從而沉積在目標基板40上，因而提高了沉積到目標基板40上的蒸鍍材料50的量，進而提高了蒸鍍材料50的利用率，且減小了沉積到掩膜板60上蒸鍍材料50的量，減小了掩膜板60的清洗更換頻率，提高了生產(chǎn)效率。

進一步優(yōu)選的，如圖4所示，凸塊80的形狀為三棱柱，三棱柱的第一側面801設置在掩膜板60上，第二側面802朝向開口圖案，第三側面803背離開口圖案，使得掩膜板60的電場分布在凸塊80的作用下發(fā)生變化。具體的，若不設置該凸塊80，如圖3中箭頭所示則掩膜板60的電場線基本上呈自下而上垂直分布，而若設置凸塊80，則在第二側面802的作用下使得凸塊80和開口圖案之間的區(qū)域內電場線如圖4中箭頭所示自下而上向第二側面802的方向傾斜。

所謂第二側面802朝向開口圖案是指：第二側面802內某一點為端點向背離凸塊80的方向做該第二側面802的垂線，該垂線指向開口圖案。例如圖4所示，開口圖案在凸塊80的右側，而第二側面802朝向右側，第三側面803朝向左側。

本領域技術人員應該明白，三棱柱有兩個底面和三個側面，相鄰側面的交線為側邊。這里的三棱柱應按照廣義理解：一側邊在任一點的垂面(若側邊為直線，則該垂面為垂直于該側邊的平面；若該側邊為曲線，則該垂面為垂直于該側邊在該點處切線的平面)為全等三角形。

此處，需要說明的是，三棱柱的三條側邊可以是直線，也可以是曲線(此時為彎曲的三棱柱)。為了使凸塊80能夠包圍開口圖案且凸塊80與開口圖案邊緣的距離相同，因而優(yōu)選當掩膜板60的開口圖案邊緣為直線時，三棱柱的三條側邊是直線，當掩膜板60的開口圖案邊緣為曲線時，三棱柱的三條側邊是曲線。

本發(fā)明實施例，在凸塊80的形狀為三棱柱，且第一側面801設置在掩膜板60上，第二側面802朝向開口圖案，第三側面803背離開口圖案時，此時凸塊80產(chǎn)生的電場力方向靠近開口圖案，因而可以使更多的從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50向掩膜板60的開口方向運動，從而使蒸鍍材料50更多地沉淀在目標基板40上，進一步地提高蒸鍍材料50的利用率和蒸鍍速率。

優(yōu)選的，在掩膜板60為金屬掩膜板的情況下，金屬掩膜板和凸塊80一體成型。

本發(fā)明實施例，金屬掩膜板和凸塊80一體成型，可以簡化蒸鍍裝置的制作過程。

優(yōu)選的，如圖5所示，蒸發(fā)源10包括加熱線圈101、加熱電源102和蒸發(fā)容器103，加熱線圈101設置在蒸發(fā)容器103內；蒸發(fā)容器103，用于放置蒸鍍材料50；加熱電源102與加熱線圈101相連，用于為加熱線圈101加電，以使得加熱線圈101升溫。

其中，當加熱電源102給加熱線圈101加電時，加熱線圈101的溫度會升高，從而導致蒸發(fā)容器103的溫度升高，蒸發(fā)容器103的溫度達到蒸發(fā)材料50的氣化溫度時，放置在蒸發(fā)容器103中的蒸發(fā)材料50便會蒸發(fā)。

此處，可以通過控制加熱電源102對加熱線圈101施加的交流電壓的大小，從而精確地控制蒸發(fā)容器103的溫度。

本發(fā)明實施例，由于加熱電源102可以給加熱線圈101加電，以使加熱線圈101升溫，從而使得蒸發(fā)容器103的溫度升高，最終使蒸鍍材料50蒸發(fā)，以在目標基板40上進行鍍膜。

優(yōu)選的，電子發(fā)射裝置20包括一個第一電子槍，第一電子槍的電子發(fā)射口為條狀；或者包括多個排布成一行或陣列排布的第二電子槍，第二電子槍的電子發(fā)射口為點狀。

其中，對于第一電子槍和第二電子槍的類型不進行限定，可以是熱電子發(fā)射鎢絲電子槍，也可以是冷場發(fā)射電子槍。此外，第一電子槍和第二電子槍均可以發(fā)出正電子或負電子，正電子或負電子附著在蒸鍍材料50上，便可以使蒸鍍材料50帶正電或負電。

當電子槍的電子發(fā)射口為條狀，因而可以設置一個第一電子槍使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶電；當電子槍的電子發(fā)射口為點狀，為了使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50均能夠帶電，因而需要設置多個排布成一行或呈陣列排布的第二電子槍。本領域技術人員應該明白，無論設置一個第一電子槍，還是多個第二電子槍，都應該確保能夠使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50充分且均勻地帶電。

此處，需要說明的是，無論是第一電子槍，還是第二電子槍，其發(fā)射出的電子的能量均不能過大，以免損壞蒸鍍材料50，尤其是，蒸鍍材料50為有機材料時，電子槍發(fā)出的能量若太大，可能會導致有機材料的結構破壞。

本發(fā)明實施例，當電子發(fā)射裝置20包括一個第一電子槍或多個第二電子槍時，均可以使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶電。

優(yōu)選的，如圖6所示，蒸鍍裝置還包括第一電源90和第二電源100；第一電源90，用于使蒸鍍基臺30帶電；第二電源100，用于使掩膜板60帶電。

本發(fā)明實施例，蒸鍍裝置包括第一電源90和第二電源100，第一電源90可以使蒸鍍基臺30帶電，且所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相反；第二電源100可以使掩膜板60帶電，且所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相同。

本發(fā)明實施例提供一種蒸鍍方法，如圖7所示，包括：

S100、將目標基板40放置在蒸鍍基臺30上，控制蒸鍍基臺30帶電。

其中，蒸鍍基臺30所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電的電性相反。若從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶正電，則蒸鍍基臺30帶負電；若從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶負電，則蒸鍍基臺30帶正電。

此處，蒸鍍基臺30可以是導電材料，也可以是絕緣材料。若蒸鍍基臺30為導電材料，則可以直接給蒸鍍基臺30施加與蒸鍍材料50所帶電荷電性相反的電壓；若蒸鍍基臺30為絕緣材料，可以通過產(chǎn)生靜電，使蒸鍍基臺30帶電，且所帶電的電性與蒸鍍材料50所帶電荷電性相反。

需要說明的是，蒸鍍基臺30所帶電的電壓越大，產(chǎn)生的電場越大，對從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50的吸引力越大，因而可以通過調節(jié)施加到蒸鍍基臺30上的電壓大小來調節(jié)蒸鍍材料50的蒸鍍速率。

S101、對放置在蒸發(fā)源10中的蒸鍍材料50進行加熱，以使蒸鍍材料50氣化。

其中，蒸鍍材料50可以是有機材料，也可以是無機材料。

此處，對于蒸發(fā)源10的結構不進行限定，只要能夠對蒸鍍材料50加熱，使其蒸發(fā)即可。

S102、控制氣化的蒸鍍材料50帶電，其中，蒸鍍基臺30所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相反，以使得蒸鍍材料50在蒸鍍基臺30的電場力的作用下運動，在目標基板40上形成膜層。

此處，對于如何使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶電不進行限定，只要能使蒸鍍材料50帶電，且所帶電的電性與蒸鍍基臺30所帶電的電性相反即可。示例的，若蒸鍍基臺30帶正電，則從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶負電；若蒸鍍基臺30帶負電，則從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶正電?；诖?，可以利用電子發(fā)射裝置20發(fā)射出電子，并使電子附著在蒸鍍材料50上，從而使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶電。

本發(fā)明實施例提供一種蒸鍍方法，由于蒸鍍基臺30帶電，氣化的蒸鍍材料50也帶電，且蒸鍍基臺30所帶電的電性與蒸鍍材料50所帶電荷的電性相反，因而從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50，在蒸鍍基臺30電場力的作用下，蒸鍍材料50會改變運動方向，向蒸鍍基臺30的方向運動，以沉積在目標基板40上，從而避免了蒸鍍材料50無方向運動導致的蒸鍍材料50的浪費，提高了蒸鍍材料50的利用率，降低了生產(chǎn)成本。在此基礎上，蒸發(fā)出的蒸鍍材料50在電場力的作用下，可加速向目標基板30運動，從而提高了蒸鍍材料50的蒸鍍速率。

優(yōu)選的，控制氣化的蒸鍍材料50帶電，包括：向從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50發(fā)射電子，使電子附著在蒸鍍材料50上。

其中，可以向從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50發(fā)射正電子，此時蒸鍍材料50帶正電，也可以向從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50發(fā)射負電子，此時蒸鍍材料50帶負電。

此處，可以利用電子發(fā)射裝置20例如電子槍向蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50發(fā)射電子。

本發(fā)明實施例，當向從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50發(fā)射電子，使電子附著在蒸鍍材料50上時，這樣便可以從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶電。

優(yōu)選的，如圖2所示，在蒸鍍裝置包括掩膜板60的情況下，上述方法還包括：將掩膜板60放置于蒸發(fā)源10和目標基板40之間；控制掩膜板60帶電，且所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相同。

其中，將掩膜板60放置在蒸鍍源10和目標基板40之間，可以在目標基板40上形成與掩膜板60上開口圖案相同的蒸鍍圖案。對于掩膜板60上的開口圖案不進行限定，可以根據(jù)目標基板40上所要形成的蒸鍍圖案進行相應設計。

在此基礎上，在放置掩膜板60時，應使目標基板40上待形成膜層的位置正對掩膜板60上的開口圖案。

此處，掩膜板60可以導電材料，也可以是絕緣材料。對于如何使掩膜板60帶電不進行限定，當掩膜板60為導電材料時，則可以直接給掩膜板60施加與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷電性相同的電壓；當掩膜板60為絕緣材料時，可以通過產(chǎn)生靜電，使掩膜板60帶電，且所帶電的電性與蒸鍍材料50所帶電荷電性相同。示例的，若從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶正電，則掩膜板60帶正電；若從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶負電，則掩膜板60帶負電。

本發(fā)明實施例，由于掩膜板60所帶電的電性與從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50所帶電荷的電性相同，根據(jù)電性相同相斥，因而當從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50運動到達掩膜板60附近位置時，掩膜板60產(chǎn)生的電場會使蒸鍍材料50反向運動，或者改變蒸鍍材料50的運動方向，以使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50向遠離掩膜板60的方向運動，這樣便可以減少附著在掩膜板60上的蒸發(fā)材料50的量，從而減少對掩膜板60的污染，進而可以減小掩膜板60的清洗更換頻率，提高生產(chǎn)效率。

本發(fā)明實施例還提供一種基板，該基板上形成有膜層，所述膜層由上述的方法形成。

本發(fā)明實施例提供一種基板，由于基板上的膜層在形成時，是通過使從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50帶有電荷，蒸鍍基臺30也帶電，且蒸鍍基臺30所帶電的電性與蒸鍍材料50所帶電荷的電性相反，因而在蒸發(fā)源10蒸發(fā)出蒸鍍材料50后，在蒸鍍基臺30電場力的作用下，蒸鍍材料50會改變運動方向，向蒸鍍基臺30的方向運動，以沉積在目標基板40上，從而避免了蒸鍍材料50無方向運動導致的蒸鍍材料50的浪費，提高了在基板上形成膜層時，蒸鍍材料50的利用率，降低了生產(chǎn)成本。在此基礎上，從蒸發(fā)源10蒸發(fā)出的蒸鍍材料50在電場力的作用下，可加速向目標基板30運動，從而在基板上形成膜層時，可提高蒸鍍材料50的蒸鍍速率。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。