磨削機床及在該機床上加工非球面單晶硅透鏡的方法
【專利摘要】磨削機床及在該機床上加工非球面單晶硅透鏡的方法，它涉及一種磨削機床及單晶硅透鏡精密磨削加工的方法。本發(fā)明為了解決現(xiàn)有的傳統(tǒng)非球面透鏡磨削加工面形精度低，表面損傷嚴重，后續(xù)拋光量較大，嚴重降低非球面透鏡成形加工效率的問題。裝置：真空吸盤安裝在工作主軸上，單晶硅工件通過轉(zhuǎn)接夾具安裝在真空吸盤上，磨削主軸裝在Z軸聯(lián)動工作臺上，圓弧形金剛石砂輪安裝在磨削主軸的下端部，圓弧形金剛石砂輪的外圓弧與單晶硅工件表面相接觸。方法：單晶硅工件和圓弧型金剛石砂輪的安裝；單晶硅工件的外圓面磨削加工；單晶硅基準端面的磨削加工；單晶硅工件的非球凹面磨削加工；單晶硅工件的非球凸面磨削加工。本發(fā)明用于非球面單晶硅透鏡的加工。
【專利說明】磨削機床及在該機床上加工非球面單晶硅透鏡的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種磨削機床及在該機床上加工軸對稱非球面單晶硅透鏡精密磨削加工的方法，具體涉及一種采用一定粒度的圓弧型碟片金剛石砂輪對單晶硅透鏡的非球面精密磨削成形加工方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，非球面單晶硅透鏡在軍用和民用產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛，非球面透鏡用以替換球面透鏡，最顯著的優(yōu)勢在于可以修正球面透鏡在準直和聚焦系統(tǒng)中所帶來的球差。通過調(diào)整曲面常數(shù)和非球面系數(shù)，非球面透鏡可以最大限度的消除球差。非球面透鏡(光線匯聚到同一點，提供光學品質(zhì))，基本上消除了球面透鏡所產(chǎn)生的球差(光線匯聚到不同點，導(dǎo)致成像模糊)。采用三片球面透鏡，增大有效焦距，用于消除球差。但是，一片非球面透鏡(高數(shù)值孔徑，短焦距)就可以實現(xiàn)，并且簡化系統(tǒng)設(shè)計和提供光的透過率。非球面透鏡簡化了光學工程師為了提高光學品質(zhì)所涉及的元素，同時提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。例如在變焦系統(tǒng)中，通常情況下10片或者更多的透鏡被采用(附加:高的機械容差，額外裝配程序，提高抗反射鍍膜)，然而I片或者2片非球面透鏡就可以實現(xiàn)類似或更好的光學品質(zhì)，從而減小系統(tǒng)尺寸，提高成本率，降低系統(tǒng)的綜合成本。
[0003]然而，目前的軸對稱非球面單晶硅透鏡成形工藝，首先在銑磨機上對透鏡工件預(yù)成型，預(yù)成型后的表面粗糙度大，面形精度差，損傷層厚度大，導(dǎo)致后續(xù)拋光加工余量大，透鏡的整體加工效率極低，然后在磨邊機上加工透鏡外圓部分，工藝過程復(fù)雜。采用本發(fā)明的軸對稱非球面單晶硅透鏡加工方法，在一臺磨削加工機床上可以同時完成精密磨削非球凹凸面(工作面)以及外圓，簡化了工藝加工過程，磨削加工后透鏡的表面粗糙度低，損傷層厚度小，面形精度高，凹凸面中心線對中誤差小，極大的減小了后續(xù)拋光加工余量，提高了透鏡的整體加工效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有的傳統(tǒng)非球面透鏡磨削加工面形精度低，表面損傷嚴重，后續(xù)拋光量較大，嚴重降低非球面透鏡成形加工效率的問題。進而提供一種磨削機床及在該機床上加工非球面單晶硅透鏡的方法。
[0005]本發(fā)明的裝置技術(shù)方案是:磨削機床包括X軸聯(lián)動工作臺、工作主軸、Y軸聯(lián)動工作臺和Z軸聯(lián)動工作臺，Y軸聯(lián)動工作臺安裝在X軸聯(lián)動工作臺上，工作主軸穿設(shè)在Y軸聯(lián)動工作臺上，Z軸聯(lián)動工作臺設(shè)置在X軸聯(lián)動工作臺的一側(cè)，所述磨削機床還包括真空吸盤、轉(zhuǎn)接夾具、磨削主軸和圓弧形金剛石砂輪，真空吸盤安裝在工作主軸上，單晶硅工件通過轉(zhuǎn)接夾具安裝在真空吸盤上，磨削主軸豎直安裝在Z軸聯(lián)動工作臺上，圓弧形金剛石砂輪安裝在磨削主軸的下端部，圓弧形金剛石砂輪的外圓弧與單晶硅工件表面相接觸，所述轉(zhuǎn)接夾具包括圓柱連接端和圓柱吸附端，圓柱連接端和圓柱吸附端由左至右依次固定連接并制成一體，且圓柱連接端的直徑大于圓柱吸附端的直徑，圓柱連接端和圓柱吸附端內(nèi)分別開設(shè)兩組正反相對設(shè)置的階梯孔。
[0006]本發(fā)明的方法技術(shù)方案是:通過以下步驟實現(xiàn)的:
[0007]步驟一:單晶硅工件和圓弧型金剛石砂輪的安裝；
[0008]將單晶硅工件貼在真空吸盤轉(zhuǎn)接夾具上，并安裝在機床工件主軸的真空吸盤上，通過工件主軸驅(qū)動單晶硅工件旋轉(zhuǎn)運動；將圓弧金剛石砂輪安裝在垂直布置的磨削主軸下端部，由磨削主軸驅(qū)動砂輪旋轉(zhuǎn)運動；
[0009]步驟二:單晶硅工件的外圓面磨削加工；
[0010]采用千分表對工件的外圓面進行圓度測量并調(diào)整圓度誤差在20?40 μ m;通過X軸聯(lián)動工作臺、Y軸聯(lián)動工作臺和Z軸聯(lián)動工作臺的移動使圓弧形金剛石砂輪接觸單晶硅工件外圓面，編制Z軸方向直線運動軌跡進行單晶硅工件外圓精密磨削加工至所要求尺寸，加工參數(shù)為:工作主軸的轉(zhuǎn)速為350?500rpm，圓弧形金剛石砂輪的轉(zhuǎn)速為4000?8000rpm，磨削深度為2?20 μ m，磨削進給速度為10?100mm/min，磨削液為水基乳化液；
[0011]步驟三:單晶硅基準端面的磨削加工；
[0012]編制X軸方向直線運動軌跡進行單晶硅工件的基準端面精密磨削加工至端面完全被加工，加工參數(shù)為工作主軸的主軸轉(zhuǎn)速為150-250rpm，圓弧形金剛石砂輪的轉(zhuǎn)速為4000?8000rpm,圓弧形金剛石砂輪的磨削深度為2?20 μ m,圓弧形金剛石砂輪的進給速度為l-10mm/min，磨削液為水基乳化液；
[0013]步驟四:單晶硅工件的非球凹面磨削加工；
[0014]依據(jù)圓弧形金剛石砂輪的外徑尺寸，編制X-Z平面內(nèi)非球凹面磨削加工軌跡進行單晶硅工件的非球凹面精密磨削加工至所要求尺寸，加工參數(shù)為工作主軸的主軸轉(zhuǎn)速為150-250rpm,圓弧形金剛石砂輪的轉(zhuǎn)速為4000?8000rpm,圓弧形金剛石砂輪的磨削深度為2?20 μ m,圓弧形金剛石砂輪的進給速度為l-10mm/min,磨削液為水基乳化液；
[0015]步驟五:單晶硅工件的非球凸面磨削加工；
[0016]取下非球凹面加工成型的單晶硅工件，以非球凸面與轉(zhuǎn)接夾具相接觸，并安裝在機床工件主軸的真空吸盤上；采用千分表對單晶硅工件的外圓進行圓度測量并調(diào)整圓度誤差在Iym以內(nèi)；依據(jù)圓弧形金剛石砂輪的外徑尺寸，編制X-Z平面內(nèi)非球凹面磨削加工軌跡進行單晶硅工件凸面精密磨削加工至所要求尺寸，加工參數(shù)為工作主軸主軸轉(zhuǎn)速為150-250rpm,圓弧形金剛石砂輪的轉(zhuǎn)速為4000?8000rpm,圓弧形金剛石砂輪的磨削深度為2?20 μ m,圓弧形金剛石砂輪的進給速度為l-10mm/min,磨削液為水基乳化液,至此完成了對單晶硅工件的磨削。
[0017]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下效果:
[0018]1、本發(fā)明實現(xiàn)單晶硅透鏡的精密磨削加工，包括透鏡結(jié)構(gòu)中的外圓、端面、凹面和凸面，采用以上加工參數(shù)以及加工方法，加工后工件的表面粗糙度為<40nm，面形精度〈0.2μπι，有效的降低了單晶硅透鏡的表面損傷；基于以上加工順序，可以控制凹面與凸面的中心線對中誤差〈Ιμπι。
[0019]2、本發(fā)明有效的簡化了磨削加工工藝的加工過程，有效降低后續(xù)拋光加工的工作量，單晶硅透鏡工件成形效率提高60-70% ；
[0020]3、本發(fā)明在一臺機床上完成了透鏡基準面、凸凹面以及外圓的精密磨削加工，有效的降低了設(shè)備成本。
[0021]4、本發(fā)明中的真空吸盤轉(zhuǎn)接夾具，避免了繁瑣的工件裝夾過程，減少了工裝時間，且對工件無應(yīng)力傷害。
[0022]5、本發(fā)明操作簡單，對工人技術(shù)要求不高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明中軸對稱非球面單晶硅透鏡精密磨削加工裝置圖；圖2是本發(fā)明中的工件圖；圖3是本發(fā)明中的真空吸盤轉(zhuǎn)接夾具；圖4是本發(fā)明中的外圓磨削加工圖；圖5是本發(fā)明中的端面磨削加工圖；圖6是本發(fā)明中的凹面磨削加工圖；圖7是本發(fā)明中的凸面磨削加工圖。

【具體實施方式】
[0024]【具體實施方式】一:結(jié)合圖1、圖2和圖3說明本實施方式，本實施方式的磨削機床包括X軸聯(lián)動工作臺1、工作主軸2、Y軸聯(lián)動工作臺3和Z軸聯(lián)動工作臺9，Y軸聯(lián)動工作臺3安裝在X軸聯(lián)動工作臺I上，工作主軸2穿設(shè)在Y軸聯(lián)動工作臺3上，Z軸聯(lián)動工作臺9設(shè)置在X軸聯(lián)動工作臺I的一側(cè)，所述磨削機床還包括真空吸盤4、轉(zhuǎn)接夾具5、磨削主軸6和圓弧形金剛石砂輪7，真空吸盤4安裝在工作主軸2上，單晶硅工件8通過轉(zhuǎn)接夾具5安裝在真空吸盤4上，磨削主軸6豎直安裝在Z軸聯(lián)動工作臺9上，圓弧形金剛石砂輪7安裝在磨削主軸6的下端部，圓弧形金剛石砂輪7的外圓弧與單晶硅工件8表面相接觸，所述轉(zhuǎn)接夾具5包括圓柱連接端5-1和圓柱吸附端5-2，圓柱連接端5-1和圓柱吸附端5-2由左至右依次固定連接并制成一體，且圓柱連接端5-1的直徑大于圓柱吸附端5-2的直徑，圓柱連接端5-1和圓柱吸附端5-2內(nèi)分別開設(shè)兩組正反相對設(shè)置的階梯孔5-3。
[0025]【具體實施方式】二:結(jié)合圖1和圖3說明本實施方式，本實施方式的轉(zhuǎn)接夾具5的圓柱吸附端5-2的外圓直徑小于單晶硅工件8的外圓直徑2-3_。如此設(shè)置，便于對單晶硅工件8的不同端面進行加工。其它組成和連接關(guān)系與【具體實施方式】一相同。
[0026]【具體實施方式】三:結(jié)合圖1說明本實施方式，本實施方式的圓弧形金剛石砂輪7為樹脂基圓弧金剛石砂輪，樹脂基圓弧金剛石砂輪的粒度為D3?D7，樹脂基圓弧金剛石砂輪的濃度為50%?100%。如此設(shè)置，便于保證加工質(zhì)量和加工精度。其它組成和連接關(guān)系與【具體實施方式】一或二相同。
[0027]【具體實施方式】四:結(jié)合圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6和圖7說明本實施方式，本實施方式的磨削機床加工非球面單晶硅透鏡的方法，所述方法通過以下步驟實現(xiàn)的:
[0028]步驟一:單晶硅工件8和圓弧型金剛石砂輪7的安裝；
[0029]將單晶硅工件8貼在真空吸盤轉(zhuǎn)接夾具5上，并安裝在機床工件主軸2的真空吸盤4上，通過工件主軸2驅(qū)動單晶硅工件8旋轉(zhuǎn)運動；將圓弧金剛石砂輪7安裝在垂直布置的磨削主軸6下端部，由磨削主軸6驅(qū)動砂輪7旋轉(zhuǎn)運動；
[0030]步驟二:單晶硅工件8的外圓面20磨削加工；
[0031]采用千分表對工件的外圓面20進行圓度測量并調(diào)整圓度誤差在20?40 μ m ;通過X軸聯(lián)動工作臺1、Y軸聯(lián)動工作臺3和Z軸聯(lián)動工作臺9的移動使圓弧形金剛石砂輪7接觸單晶硅工件8外圓面20，編制Z軸方向直線運動軌跡進行單晶硅工件8外圓精密磨削加工至所要求尺寸，加工參數(shù)為:工作主軸2的轉(zhuǎn)速為350-500rpm，圓弧形金剛石砂輪7的轉(zhuǎn)速為4000-8000rpm，磨削深度為2-20 μ m，磨削進給速度為10-100mm/min，磨削液為水基乳化液；其中，砂輪轉(zhuǎn)速/工作主軸轉(zhuǎn)速不可為整數(shù)倍，否則出現(xiàn)明顯波紋現(xiàn)象；砂輪速度越高(6000-8000rpm),磨削深度越小(2_5 μ m),磨削進給速度越慢(10-20mm/min),磨削后的表面光潔度越好；磨削深度越大(10-20 μ m),磨削進給速度越快(50-100mm/min),材料去除效率越高。
[0032]步驟三:單晶硅基準端面21的磨削加工；
[0033]編制X軸方向直線運動軌跡進行單晶硅工件8的基準端面21精密磨削加工至端面完全被加工，加工參數(shù)為工作主軸2的主軸轉(zhuǎn)速為150-250rpm，圓弧形金剛石砂輪7的轉(zhuǎn)速為4000-8000rpm,圓弧形金剛石砂輪7的磨削深度為2-20 μ m,圓弧形金剛石砂輪7的進給速度為l-10mm/min，磨削液為水基乳化液；其中，砂輪轉(zhuǎn)速/工作主軸轉(zhuǎn)速不可為整數(shù)倍,否則出現(xiàn)明顯波紋現(xiàn)象；砂輪速度越高(6000-8000rpm),磨削深度越小(2-5μηι),磨削進給速度越慢(l-3mm/min),磨削后的表面光潔度越好；磨削深度越大(10-20 μ m),磨削進給速度越快(5-10mm/min),材料去除效率越高。
[0034]步驟四:單晶硅工件8的非球凹面22磨削加工；
[0035]依據(jù)圓弧形金剛石砂輪7的外徑尺寸，編制X-Z平面內(nèi)非球凹面22磨削加工軌跡進行單晶硅工件8的非球凹面22精密磨削加工至所要求尺寸，加工參數(shù)為工作主軸2的主軸轉(zhuǎn)速為150_250rpm,圓弧形金剛石砂輪7的轉(zhuǎn)速為4000-8000rpm,圓弧形金剛石砂輪7的磨削深度為2-20 μ m,圓弧形金剛石砂輪7的進給速度為l-10mm/min，磨削液為水基乳化液；其中，砂輪轉(zhuǎn)速/工作主軸轉(zhuǎn)速不可為整數(shù)倍，否則出現(xiàn)明顯波紋現(xiàn)象；砂輪速度越高(6000-8000rpm),磨削深度越小(2_5 μ m),磨削進給速度越慢(l-3mm/min),磨削后的表面光潔度越好；磨削深度越大(10-20 μ m)，磨削進給速度越快(5-10mm/min)，在保證一定表面光潔度精度條件下，材料去除效率越高。步驟五:單晶硅工件8的非球凸面23磨削加工；
[0036]取下非球凹面22加工成型的單晶硅工件8，以非球凸面23與轉(zhuǎn)接夾具5相接觸，并安裝在機床工件主軸2的真空吸盤4上；采用千分表對單晶硅工件8的外圓進行圓度測量并調(diào)整圓度誤差在;依據(jù)圓弧形金剛石砂輪7的外徑尺寸，編制X-Z平面內(nèi)非球凹面磨削加工軌跡進行單晶硅工件8凸面精密磨削加工至所要求尺寸加工參數(shù)為工作主軸2的主軸轉(zhuǎn)速為150-250rpm，圓弧形金剛石砂輪7的轉(zhuǎn)速為4000-8000rpm，圓弧形金剛石砂輪7的磨削深度為2-20 μ m,圓弧形金剛石砂輪7的進給速度為l-10mm/min，磨削液為水基乳化液；其中，砂輪轉(zhuǎn)速/工作主軸轉(zhuǎn)速不可為整數(shù)倍，否則出現(xiàn)明顯波紋現(xiàn)象；砂輪速度越高(6000-8000rpm),磨削深度越小(2_5 μ m),磨削進給速度越慢(l-3mm/min),磨削后的表面光潔度越好；磨削深度越大(10-20 μ m),磨削進給速度越快(5_10mm/min),在保證一定表面光潔度精度條件下，材料去除效率越高。至此完成了對單晶硅工件8的磨削。
[0037]【具體實施方式】五:結(jié)合圖1說明本實施方式，本實施方式的圓弧形金剛石砂輪7的外徑尺寸小于單晶硅工件8的非球凹面的最小曲率半徑。如此設(shè)置，便于保證加工質(zhì)量和加工精度。其它組成和連接關(guān)系與【具體實施方式】一、二、三或四相同。
[0038]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明的，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，以及應(yīng)用到本發(fā)明未提及的領(lǐng)域中，當然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種磨削機床，它包括X軸聯(lián)動工作臺(I)、工作主軸(2)、Y軸聯(lián)動工作臺(3)和Z軸聯(lián)動工作臺(9)，Y軸聯(lián)動工作臺(3)安裝在X軸聯(lián)動工作臺(I)上，工作主軸(2)穿設(shè)在Y軸聯(lián)動工作臺(3)上，Z軸聯(lián)動工作臺(9)設(shè)置在X軸聯(lián)動工作臺(I)的一側(cè)，其特征在于:所述磨削機床還包括真空吸盤(4)、轉(zhuǎn)接夾具(5)、磨削主軸(6)和圓弧形金剛石砂輪(7)，真空吸盤(4)安裝在工作主軸(2)上，單晶硅工件(8)通過轉(zhuǎn)接夾具(5)安裝在真空吸盤(4)上，磨削主軸(6)豎直安裝在Z軸聯(lián)動工作臺(9)上，圓弧形金剛石砂輪(7)安裝在磨削主軸(6)的下端部，圓弧形金剛石砂輪(7)的外圓弧與單晶硅工件(8)表面相接觸，所述轉(zhuǎn)接夾具(5)包括圓柱連接端(5-1)和圓柱吸附端(5-2)，圓柱連接端(5-1)和圓柱吸附端(5-2)由左至右依次固定連接并制成一體，且圓柱連接端(5-1)的直徑大于圓柱吸附端(5-2)的直徑，圓柱連接端(5-1)和圓柱吸附端(5-2)內(nèi)分別開設(shè)兩組正反相對設(shè)置的階梯孔(5-3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨削機床，其特征在于:所述轉(zhuǎn)接夾具(5)的圓柱吸附端(5-2)的外圓直徑小于單晶硅工件⑶的外圓直徑2-3mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磨削機床，其特征在于:所述圓弧形金剛石砂輪(7)為樹脂基圓弧金剛石砂輪，樹脂基圓弧金剛石砂輪的粒度為D3?D7，樹脂基圓弧金剛石砂輪的濃度為50%?100%。
4.一種使用權(quán)利要求1中的磨削機床加工非球面單晶硅透鏡的方法，其特征在于:所述方法通過以下步驟實現(xiàn)的: 步驟一:單晶硅工件(8)和圓弧型金剛石砂輪(7)的安裝； 將單晶硅工件(8)貼在真空吸盤轉(zhuǎn)接夾具(5)上，并安裝在機床工件主軸(2)的真空吸盤⑷上，通過工件主軸⑵驅(qū)動單晶硅工件⑶旋轉(zhuǎn)運動；將圓弧金剛石砂輪(7)安裝在垂直布置的磨削主軸￠)下端部，由磨削主軸(6)驅(qū)動砂輪(7)旋轉(zhuǎn)運動； 步驟二:單晶硅工件(8)的外圓面(20)磨削加工； 采用千分表對工件的外圓面(20)進行圓度測量并調(diào)整圓度誤差在20?40 μ m;通過X軸聯(lián)動工作臺(I)、Y軸聯(lián)動工作臺(3)和Z軸聯(lián)動工作臺(9)的移動使圓弧形金剛石砂輪(7)接觸單晶硅工件(8)外圓面(20)，編制Z軸方向直線運動軌跡進行單晶硅工件(8)外圓精密磨削加工至所要求尺寸，加工參數(shù)為:工作主軸(2)的轉(zhuǎn)速為350?500rpm，圓弧形金剛石砂輪(7)的轉(zhuǎn)速為4000?8000rpm，磨削深度為2?20 μ m，磨削進給速度為10?100mm/min,磨削液為水基乳化液； 步驟三:單晶硅基準端面(21)的磨削加工； 編制X軸方向直線運動軌跡進行單晶硅工件(8)的基準端面(21)精密磨削加工至端面完全被加工，加工參數(shù)為工作主軸(2)的主軸轉(zhuǎn)速為150-250rpm，圓弧形金剛石砂輪(7)的轉(zhuǎn)速為4000?8000rpm,圓弧形金剛石砂輪(7)的磨削深度為2?20 μ m,圓弧形金剛石砂輪(7)的進給速度為l-10mm/min，磨削液為水基乳化液； 步驟四:單晶硅工件(8)的非球凹面(22)磨削加工； 依據(jù)圓弧形金剛石砂輪(7)的外徑尺寸，編制X-Z平面內(nèi)非球凹面(22)磨削加工軌跡進行單晶硅工件(8)的非球凹面(22)精密磨削加工至所要求尺寸，加工參數(shù)為工作主軸(2)的主軸轉(zhuǎn)速為150-250rpm，圓弧形金剛石砂輪(7)的轉(zhuǎn)速為4000?8000rpm，圓弧形金剛石砂輪(7)的磨削深度為2?20 μ m，圓弧形金剛石砂輪(7)的進給速度為l-10mm/min，磨削液為水基乳化液； 步驟五:單晶硅工件(8)的非球凸面(23)磨削加工； 取下非球凹面(22)加工成型的單晶硅工件(8)，以非球凸面(23)與轉(zhuǎn)接夾具(5)相接觸，并安裝在機床工件主軸(2)的真空吸盤(4)上；采用千分表對單晶硅工件(8)的外圓進行圓度測量并調(diào)整圓度誤差在Iym以內(nèi)；依據(jù)圓弧形金剛石砂輪(7)的外徑尺寸，編制X-Z平面內(nèi)非球凹面磨削加工軌跡進行單晶硅工件(8)凸面精密磨削加工至所要求尺寸，加工參數(shù)為工作主軸(2)主軸轉(zhuǎn)速為150-250rpm，圓弧形金剛石砂輪(7)的轉(zhuǎn)速為4000?8000rpm,圓弧形金剛石砂輪(7)的磨削深度為2?20 μ m，圓弧形金剛石砂輪(7)的進給速度為l-10mm/min，磨削液為水基乳化液，至此完成了對單晶硅工件(8)的磨削。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加工非球面單晶硅透鏡的方法，其特征在于:所述圓弧形金剛石砂輪(7)的外徑尺寸小于單晶硅工件⑶的非球凹面的最小曲率半徑。
【文檔編號】B24B13/005GK104339243SQ201410697311
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月26日
【發(fā)明者】陳冰, 郭兵, 趙清亮 申請人:哈爾濱工業(yè)大學