多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)及硅烷環(huán)防塞多孔噴頭的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，該硅烷環(huán)防塞的多孔噴頭包括噴頭盤本體，所述噴頭盤本體與硅烷環(huán)的出氣口密封配合，所述噴頭盤本體上設(shè)置有至少一個小于硅烷環(huán)的出氣口口徑的氣流出孔。該硅烷環(huán)防塞多孔噴頭安裝后能減少吸附在硅烷環(huán)內(nèi)壁上氮化硅，這樣就有效地延長了硅烷環(huán)內(nèi)氮化硅沉積時間，減少了堵塞概率。本發(fā)明還公開了一種多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)，在其第一出氣支路管道的第一出氣口、所述第二出氣支路管道的第二出氣口處均設(shè)置有本發(fā)明所述的硅烷環(huán)防塞的多孔噴頭，以延長硅烷環(huán)的使用壽命，同時其上還設(shè)計有多段式結(jié)構(gòu)，來解決硅烷環(huán)出口處面臨著整體變形帶來的不便于更換問題。
【專利說明】多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)及硅烷環(huán)防塞多孔噴頭

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于太陽能電池制作設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體屬于等離子增強化學氣相沉積(PECVD)【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，還涉及一種多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)。

【背景技術(shù)】
[0002]鍍膜一般是利用液體或氣體為媒介，將氣體電離成等離子體后，進一步的沉積在襯底上。多晶硅太陽能電池的鍍膜工序就是利用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)技術(shù)，在硅片基板上連續(xù)沉積氮化硅減反射膜。目前可實現(xiàn)PECVD的設(shè)備比較多，如荷蘭OTB的鍍膜設(shè)備，該設(shè)備通過直流離子源產(chǎn)生等離子體，其特點是產(chǎn)生的等離子體束斑中心能量最高，離中心點越遠的區(qū)域能量衰減越嚴重，等離子體束從噴口至腔體底部呈錐形分布。如附圖1所示:在離子源內(nèi)通入氬氣，同時在離子源內(nèi)的電極加上脈沖高壓，使電極的尖端發(fā)生放電，將氬氣解離，產(chǎn)生等離子體，等離子體在氬氣的壓力下沿著一細小通道進入反應(yīng)腔，將出口端NH3解離，混合而成Ar/ NH3等離子體從出口噴出。再將距出口端一定距離之外均勻噴入的硅烷氣解離，被解離的氨氣和硅烷在工藝腔內(nèi)發(fā)生反應(yīng)生成氮化硅沉積在硅片襯底上。為了保證SiH4氣體均勻噴入Ar/ NH3等離子體中覆蓋范圍內(nèi)，并被Ar/NH3等離子體解離，在工藝腔內(nèi)發(fā)生化學反應(yīng)生成氮化硅沉積在襯底上，所述的PECVD系統(tǒng)中需要安裝硅烷氣體分布系統(tǒng)，這種裝置即所謂的“硅烷環(huán)”。
[0003]現(xiàn)有硅烷環(huán)產(chǎn)品存在如下幾個問題:
1、現(xiàn)有硅烷環(huán)有兩個平行相對的出口(圖2)，硅烷從出口處平行相對噴出，在實際應(yīng)用中解離的氨氣和硅烷發(fā)生反應(yīng)在硅烷環(huán)出口處逐步沉積氮化硅固體顆粒，將硅烷環(huán)出口堵塞，導致硅烷氣體分布不均，因此沉積在太陽電池表面的氮化硅薄膜分布不均產(chǎn)生嚴重色差，導致產(chǎn)品降級或報廢。
[0004]2、由于硅烷環(huán)始終處于一個高溫的工作環(huán)境，使其出口處容易變形，且變形后使硅烷出口產(chǎn)生夾角，硅烷氣體分布出現(xiàn)變化，同樣導致太陽電池表面的氮化硅薄膜分布不均產(chǎn)生嚴重色差。
[0005]3、硅烷環(huán)出口在發(fā)生堵塞或變形后，需要將整個硅烷環(huán)主體進行更換，更換周期長且增加了材料成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明目的在于提供一種硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，該硅烷環(huán)防塞多孔噴頭解決的技術(shù)問題在于減緩硅烷環(huán)出氣口處的氮化硅固體顆粒沉積，降低硅烷環(huán)堵塞頻率，且此噴頭是可拆卸、可清洗、可重復利用的，以便于在硅烷環(huán)變形后將此部位更換，而不需將整個硅烷環(huán)更換，提高了設(shè)備的開機率，降低了硅烷環(huán)成本。
[0007]本發(fā)明公開的解決上述問題的硅烷環(huán)防塞多孔噴頭所采用的基本技術(shù)方案為:
包括噴頭盤本體，所述噴頭盤本體與硅烷環(huán)的出氣口密封配合，所述噴頭盤本體上設(shè)置有至少一個小于硅烷環(huán)的出氣口口徑的氣流出孔。上述技術(shù)方案中噴頭可拆卸安裝在硅烷環(huán)的出氣口處或者與硅烷環(huán)的出氣口一體成型密封配合，這樣加裝了硅烷環(huán)防塞多孔噴頭后的硅烷環(huán)由原來的直接管道出口重新設(shè)計為噴頭式出口，這里并不限定氣流出孔的大小、數(shù)量、排布，各種可以在噴頭盤本體上進行開孔的方案均可行，本方案的實質(zhì)原理為，此設(shè)計的重點為噴頭式設(shè)計上出口處的氣流出孔的氣流流速大于更改前直接管道式出口氣流流速，這樣就使電離后的部分-NH2+等活性基團更少的進入硅烷環(huán)使其與硅烷環(huán)內(nèi)噴出的硅烷反應(yīng)生成氮化硅薄膜，從而也減少了吸附在硅烷環(huán)內(nèi)壁上氮化硅，這樣就有效地延長了硅烷環(huán)內(nèi)氮化硅沉積時間，減少了堵塞概率。
[0008]進一步的，所述多孔噴頭與硅烷環(huán)的各出氣支路管道的一體成型或者可拆卸式密封連接。一體成型與可拆卸式密封連接均為可用的方案，優(yōu)選的噴頭也可拆卸式設(shè)計，能方便噴頭的單獨更換。
[0009]進一步的，硅烷環(huán)防塞多孔噴頭與硅烷環(huán)的各出氣支路管道的連接方式包括但不限于螺紋套接、法蘭盤連接、夾有密封墊圈的法蘭盤連接。上述連接方式均為常用的管道噴頭之間的連接方案，密封效果好。
[0010]進一步的，所述氣流出孔在噴頭盤本體上的排布為沿圓周方向的對稱分布。所述氣流出孔數(shù)量為9個，其中I個處于噴頭盤中心位置，其余八個排布在同一圓周上。上述氣流出孔的分布為優(yōu)選的分布方式，在噴頭上密集分布若干對稱的小孔，有利于氣流的加速且均勻的噴出，有利于提升反應(yīng)效果，更進一步減少堵塞概率。
[0011]進一步的，所述噴頭盤本體的氣流出孔處還設(shè)置有強化防塞外噴頭，強化防塞外噴頭與噴頭盤本體的連接方式為一體成型或者可拆卸式連接。在氣流出孔處設(shè)置強化防塞外噴頭，增加了出口處外部的管壁面積，使之能夠附著更多的氮化硅顆粒，減緩氮化硅對出氣孔的堵塞，延長硅烷環(huán)的使用壽命。
[0012]進一步的，所述強化防塞外噴頭的形狀包括但不限于直筒或者開口向外的錐筒或者直筒上延伸錐筒的形狀組合。上述形狀及形狀組合為可選的形狀組合，特別是直筒和錐筒組合而成的開口向外的喇叭狀噴頭為優(yōu)選的噴頭形狀，有效地增加了出口處外部的管壁面積，并且喇叭狀使得氮化硅顆粒附著帶來的影響最小，有效減緩了氮化硅對出氣孔的堵塞。
[0013]本發(fā)明目的還在于提供一種多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)，該多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)解決的技術(shù)問題在于克服以往硅烷環(huán)出氣口處的氮化硅固體顆粒沉積嚴重，出口處容易變形，且變形后使硅烷出口產(chǎn)生夾角，硅烷氣體分布出現(xiàn)變化，導致太陽電池表面的氮化硅薄膜分布不均產(chǎn)生嚴重色差，同時硅烷環(huán)出口在發(fā)生堵塞或變形后，需要將整個硅烷環(huán)主體進行更換，更換周期長且材料成本高等問題。
[0014]本發(fā)明公開的解決上述問題的多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)所采用的基本技術(shù)方案為:
包括進氣管道，進氣管道一端為進氣口，進氣管道另一端延伸出第一出氣支路管道、第二出氣支路管道，所述進氣管道的進氣口一端設(shè)置有用于固定的固定部，所述第一出氣支路管道、第二出氣支路管道背向進氣管道的一端分別為第一出氣口、第二出氣口，第一出氣支路管道與第二出氣支路管道整體呈環(huán)狀分布，所述第一出氣口、第二出氣口朝向離子源中心位置，所述第一出氣支路管道的第一出氣口、所述第二出氣支路管道的第二出氣口處均設(shè)置有如上述硅烷環(huán)防塞多孔噴頭中任意一項技術(shù)方案中所述的硅烷環(huán)防塞多孔噴頭。
[0015]上述技術(shù)方案的有益效果在于，多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)技術(shù)方案中多孔噴頭可安裝在娃燒環(huán)的出氣口處或者與娃燒環(huán)的出氣口一體成型密封配合，這樣加裝了娃燒環(huán)防塞多孔噴頭后的硅烷環(huán)由原來的直接管道出口重新設(shè)計為噴頭式出口，本方案的實質(zhì)原理為，此設(shè)計的重點為噴頭式設(shè)計上出口處的氣流出孔的氣流流速大于更改前直接管道式出口氣流流速，這樣就使電離后的部分-NH2+等活性基團更少的進入硅烷環(huán)使其與硅烷環(huán)內(nèi)噴出的硅烷反應(yīng)生成氮化硅薄膜，從而也減少了吸附在硅烷環(huán)內(nèi)壁上氮化硅，這樣就有效地延長了硅烷環(huán)內(nèi)氮化硅沉積時間，減少了堵塞概率。同時，在氣流出孔處設(shè)置強化防塞外噴頭，增加了出口處外部的管壁面積，使之能夠附著更多的氮化硅顆粒，減緩氮化硅對出氣孔的堵塞，延長硅烷環(huán)的使用壽命。
[0016]進一步的，所述噴頭式硅烷環(huán)為可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)，分段處可處于進氣管道、第一出氣支路管道、第二出氣支路管道上的一處或者多處。在使用中，硅烷環(huán)出口處面臨著整體變形帶來的不便于更換問題，設(shè)計上述可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)是為了便于更換變形了的硅烷環(huán)出口，分段處處于進氣管道、第一出氣支路管道、第二出氣支路管道上的一處或者多處均可解決上述技術(shù)問題，在分段的同時分別在分段處分段后的兩段連接處設(shè)置記號點，用于檢測分段處分段后的兩段對接后是否有效的對接與水平安裝。
[0017]進一步的，所述可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)的可拆卸連接方式包括但不限于密封的螺紋套筒式連接，法蘭盤密封連接等管道密封連接中的常規(guī)技術(shù)手段。
[0018]本發(fā)明還公開了一種多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)，用于解決硅烷環(huán)出口處面臨著整體變形帶來的不便于更換的技術(shù)問題，其所采用的基本技術(shù)方案為:
包括進氣管道、第一出氣支路管道、第二出氣支路管道，其特征在于，所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)為可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)，分段處可處于進氣管道、第一出氣支路管道、第二出氣支路管道上的一處或者多處。在使用中，硅烷環(huán)出口處面臨著整體變形帶來的問題，設(shè)計上述可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)是為了便于更換變形了的硅烷環(huán)出口，分段處處于進氣管道、第一出氣支路管道、第二出氣支路管道上的一處或者多處均可解決上述技術(shù)問題，在分段的同時分別在分段處分段后的兩段連接處設(shè)置記號點，用于檢測分段處分段后的兩段對接后是否有效的對接與水平安裝。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是硅烷環(huán)與離子源的工作關(guān)系示意圖；
圖2是現(xiàn)有硅烷環(huán)的主視結(jié)構(gòu)圖(左上)、側(cè)視結(jié)構(gòu)圖(右上)、俯視結(jié)構(gòu)圖(左下)；
圖3是本發(fā)明所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)的實施例1的主視結(jié)構(gòu)圖(左上)、側(cè)視結(jié)構(gòu)圖(右上)、俯視結(jié)構(gòu)圖(左下)；
圖4是本發(fā)明所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)中多孔噴頭的正面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是本發(fā)明所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)中多孔噴頭的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6是本發(fā)明所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)中多孔噴頭的強化防塞外噴頭的結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖中標記及相應(yīng)的零部件名稱:
10-進氣管道11-進氣口 12-固定盤121-固定孔21-第一出氣支路管道22-第二出氣支路管道31-第一出氣口 32-第二出氣口 40-多孔噴頭41-噴頭盤本體42-氣流出孔43-強化防塞外噴頭51-進氣管道第一分段處52-進氣管道第二分段處53-第一出氣支路管道分段處54-第二出氣支路管道分段處61-硅烷環(huán)62-等離子體63-離子源。

【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合實施例及附圖，對本發(fā)明作進一步地的詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0021]如圖1所示為現(xiàn)有硅烷環(huán)與離子源的工作關(guān)系示意圖，在離子源63內(nèi)通入氬氣，同時在離子源內(nèi)的電極加上脈沖高壓，使電極的尖端發(fā)生放電，將氬氣解離，產(chǎn)生等離子體62，等離子體62在氬氣的壓力下沿著一細小通道進入反應(yīng)腔，將出口端NH3解離，混合而成Ar/ NH3等離子體從出口噴出。再將距出口端一定距離之外均勻噴入的硅烷氣解離，被解離的氨氣和硅烷在工藝腔內(nèi)發(fā)生反應(yīng)生成氮化硅沉積在硅片襯底上。為了保證SiH4氣體均勻噴入Ar/ NH3等離子體中覆蓋范圍內(nèi)，并被Ar/NH3等離子體解離，在工藝腔內(nèi)發(fā)生化學反應(yīng)生成氮化硅沉積在襯底上，所述的PECVD系統(tǒng)中需要安裝硅烷氣體分布系統(tǒng)，這種裝置即所謂的硅烷環(huán)61。
實施例1:
如圖4、圖5所示為本發(fā)明所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)中多孔噴頭的正面與側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖，包括噴頭盤本體41，所述噴頭盤本體41與硅烷環(huán)的出氣口(包括第一出氣口 31、第二出氣口 32)密封配合，所述氣流出孔42在噴頭盤本體41上的排布為沿圓周方向的對稱分布。所述氣流出孔數(shù)量為9個，其中I個處于噴頭盤中心位置，其余八個排布在同一圓周上。這里并不限定氣流出孔的大小、數(shù)量、排布，各種可以在噴頭盤本體上進行開孔的方案均可行，本方案的實質(zhì)原理為，此設(shè)計的重點為噴頭式設(shè)計上出口處的氣流出孔的氣流流速大于更改前直接管道式出口氣流流速，這樣就使電離后的部分-NH2+等活性基團更少的進入硅烷環(huán)使其與硅烷環(huán)內(nèi)噴出的硅烷反應(yīng)生成氮化硅薄膜，從而也減少了吸附在硅烷環(huán)內(nèi)壁上氮化硅，這樣就有效地延長了硅烷環(huán)內(nèi)氮化硅沉積時間，減少了堵塞概率。
[0022]進一步的，所述多孔噴頭40可拆卸安裝在硅烷環(huán)的出氣口處或者與硅烷環(huán)的出氣口一體成型密封配合，這樣加裝了娃燒環(huán)防塞多孔噴頭40后的娃燒環(huán)由原來的直接管道出口重新設(shè)計為噴頭式出口，優(yōu)選的噴頭也可拆卸式設(shè)計，能方便噴頭的單獨更換。
[0023]進一步的，硅烷環(huán)防塞多孔噴頭40與硅烷環(huán)的各出氣支路管道的連接方式包括但不限于螺紋套接、法蘭盤連接、夾有密封墊圈的法蘭盤連接。上述連接方式均為常用的管道噴頭之間的連接方案，密封效果好。
[0024]如圖6所示是本發(fā)明所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)中多孔噴頭的強化防塞外噴頭的結(jié)構(gòu)示意圖，強化防塞外噴頭43設(shè)置在所述噴頭盤本體41的氣流出孔42處，強化防塞外噴頭43與噴頭盤本體41的連接方式可為一體成型或者可拆卸式連接。在氣流出孔處設(shè)置強化防塞外噴頭，增加了出口處外部的管壁面積，使之能夠附著更多的氮化硅顆粒，減緩氮化硅對出氣孔的堵塞，延長硅烷環(huán)的使用壽命。圖中所示所述強化防塞外噴頭43的形狀為優(yōu)選的直筒和錐筒組合而成的開口向外的喇叭狀，效地增加了出口處外部的管壁面積，并且喇叭狀使得氮化硅顆粒附著帶來的影響最小，有效減緩了氮化硅對出氣孔的堵塞。但強化防塞外噴頭43的形狀不限于，另外包括但不限于直筒或者開口向外的錐筒或者直筒上延伸錐筒的形狀組合。
[0025]如圖2所示是現(xiàn)有硅烷環(huán)的主視結(jié)構(gòu)圖(左上)、側(cè)視結(jié)構(gòu)圖(右上)、俯視結(jié)構(gòu)圖(左下);包括進氣管道10，進氣管道10 —端為進氣口 11，進氣管道10另一端延伸出第一出氣支路管道21、第二出氣支路管道22，所述進氣管道10的進氣口 11 一端設(shè)置有用于固定的固定盤12，固定盤12上設(shè)置有多個固定孔121，所述第一出氣支路管道21、第二出氣支路管道22背向進氣管道10的一端分別為第一出氣口 31、第二出氣口 32，第一出氣支路管道21與第二出氣支路管道22整體呈環(huán)狀分布，所述第一出氣口 31、第二出氣口 32朝向離子源中心位置，所述第一出氣支路管道的第一出氣口、所述第二出氣支路管道的第二出氣口處均設(shè)置有如上所述硅烷環(huán)防塞多孔噴頭。
[0026]上述技術(shù)方案的有益效果在于，多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)技術(shù)方案中多孔噴頭可安裝在娃燒環(huán)的出氣口處或者與娃燒環(huán)的出氣口一體成型密封配合，這樣加裝了娃燒環(huán)防塞多孔噴頭后的硅烷環(huán)由原來的直接管道出口重新設(shè)計為噴頭式出口，本方案的實質(zhì)原理為，此設(shè)計的重點為噴頭式設(shè)計上出口處的氣流出孔的氣流流速大于更改前直接管道式出口氣流流速，這樣就使電離后的部分-NH2+等活性基團更少的進入硅烷環(huán)使其與硅烷環(huán)內(nèi)噴出的硅烷反應(yīng)生成氮化硅薄膜，從而也減少了吸附在硅烷環(huán)內(nèi)壁上氮化硅，這樣就有效地延長了硅烷環(huán)內(nèi)氮化硅沉積時間，減少了堵塞概率。同時，在氣流出孔處設(shè)置強化防塞外噴頭，增加了出口處外部的管壁面積，使之能夠附著更多的氮化硅顆粒，減緩氮化硅對出氣孔的堵塞，延長硅烷環(huán)的使用壽命。
[0027]進一步的，所述噴頭式硅烷環(huán)為可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)，分段處可處于進氣管道、第一出氣支路管道、第二出氣支路管道上的一處或者多處，如圖3中所示包括的分段處有進氣管道第一分段處51，進氣管道第二分段處52，第一出氣支路管道分段處53，第二出氣支路管道分段處54，但不限于此，可以為一處或者多出分段。在使用中，硅烷環(huán)出口處面臨著整體變形帶來的不便于更換問題，設(shè)計上述可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)是為了便于更換變形了的硅烷環(huán)出口，分段處處于進氣管道、第一出氣支路管道、第二出氣支路管道上的一處或者多處均可解決上述技術(shù)問題，在分段的同時分別在分段處分段后的兩段連接處設(shè)置記號點，用于檢測分段處分段后的兩段對接后是否有效的對接與水平安裝。
[0028]進一步的，所述可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)的可拆卸連接方式包括但不限于密封的螺紋套筒式連接，法蘭盤密封連接等管道密封連接中的常規(guī)技術(shù)手段。
[0029]采用前文所述的為本發(fā)明的各個優(yōu)選實施例，各個優(yōu)選實施例中的優(yōu)選實施方式如果不是明顯自相矛盾或以某一優(yōu)選實施方式為前提，各個優(yōu)選實施方式都可以任意疊加組合使用，所述實施例以及實施例中的具體參數(shù)僅是為了清楚表述發(fā)明人的發(fā)明驗證過程，并非用以限制本發(fā)明的專利保護范圍，本發(fā)明的專利保護范圍仍然以其權(quán)利要求書為準，凡是運用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0030]如上所述，可較好的實現(xiàn)本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，其特征在于，包括噴頭盤本體(41)，所述噴頭盤本體(41)與硅烷環(huán)的出氣口密封配合，所述噴頭盤本體(41)上設(shè)置有至少一個小于硅烷環(huán)的出氣口口徑的氣流出孔(42)。
2.如權(quán)利要求1所述硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，其特征還在于，所述硅烷環(huán)防塞多孔噴頭與硅烷環(huán)的各出氣支路管道的一體成型或者可拆卸式密封連接。
3.如權(quán)利要求2所述硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，其特征還在于，硅烷環(huán)防塞多孔噴頭(40)與硅烷環(huán)的各出氣支路管道的連接方式包括但不限于螺紋套接、法蘭盤連接、夾有密封墊圈的法蘭盤連接。
4.如權(quán)利要求1所述硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，其特征還在于，所述氣流出孔(42)在噴頭盤本體(41)上的排布為沿圓周方向的對稱分布，所述氣流出孔數(shù)量為9個，其中I個處于噴頭盤中心位置，其余八個排布在同一圓周上。
5.如權(quán)利要求1所述硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，其特征還在于，所述噴頭盤本體的氣流出孔(42)處還設(shè)置有強化防塞外噴頭(43)，強化防塞外噴頭(43)與噴頭盤本體的連接方式為一體成型或者可拆卸式連接。
6.如權(quán)利要求5所述硅烷環(huán)防塞多孔噴頭，其特征還在于，所述強化防塞外噴頭(43)的形狀包括但不限于直筒或者開口向外的錐筒或者直筒上延伸錐筒的形狀組合。
7.多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)，其特征在于，包括進氣管道(10)，進氣管道(10)—端為進氣口(11)，進氣管道(10)另一端延伸出第一出氣支路管道(21)、第二出氣支路管道(22)，所述第一出氣支路管道(21)、第二出氣支路管道(22)背向進氣管道的一端分別為第一出氣口(31)、第二出氣口(32)，所述第一出氣支路管道(21)的第一出氣口(31)、所述第二出氣支路管道(22)的第二出氣口(32)處均設(shè)置有如權(quán)利要求1-6中任意一項所述的硅烷環(huán)防塞多孔噴頭。
8.如權(quán)利要求7所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)，其特征還在于，所述噴頭式硅烷環(huán)為可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)，分段處可處于進氣管道(10)、第一出氣支路管道(21)、第二出氣支路管道(22)上的一處或者多處。
9.如權(quán)利要求8所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)，其特征還在于，所述可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)的可拆卸連接方式包括但不限于密封的螺紋套筒式連接，法蘭盤密封連接。
10.多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)，包括包括進氣管道(10)，進氣管道(10)—端為進氣口(11)，進氣管道(10)另一端延伸出第一出氣支路管道(21)、第二出氣支路管道(22)，其特征在于，所述多段可拆卸噴頭式硅烷環(huán)為可拆卸的多段式結(jié)構(gòu)，分段處可處于進氣管道、第一出氣支路管道、第二出氣支路管道上的一處或者多處。
【文檔編號】C23C16/455GK104233232SQ201410540347
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年10月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月14日
【發(fā)明者】徐濤, 侯林均, 龍巍, 吳昕, 林洪峰 申請人:天威新能源控股有限公司