蝕刻用液體組合物和使用其的多層印刷電路板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供蝕刻用液體組合物和使用其的多層印刷電路板的制造方法，所述蝕刻用液體組合物效率良好地去除作為制造多層印刷電路板的半加成法中的晶種層的化學(xué)銅鍍層，同時(shí)一并進(jìn)行布線表面的致密粗化處理。本發(fā)明的多層印刷電路板的制造中使用的蝕刻用液體組合物包含0.2～5質(zhì)量%的過氧化氫、0.5～8質(zhì)量%的硫酸、0.3～3ppm的鹵素離子和0.003～0.3質(zhì)量%的四唑類。
【專利說明】蝕刻用液體組合物和使用其的多層印刷電路板的制造方法
[0001]相關(guān)申請
[0002]本申請是基于日本專利申請2012-147081主張巴黎公約的優(yōu)先權(quán)的申請。因此，本申請包含全部該日本專利申請中公開的事項(xiàng)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及蝕刻用液體組合物和使用其的多層印刷電路板的制造方法，更詳細(xì)而言，涉及用于電氣、電子設(shè)備等的多層印刷電路板的制造中使用的蝕刻用液體組合物、和包括對在基板上實(shí)施的化學(xué)銅鍍層和電解銅鍍層進(jìn)行蝕刻處理而形成銅布線的多層印刷電路板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]伴隨近年來的電子設(shè)備的小型化、輕量化、高度功能化，印刷電路板強(qiáng)烈要求銅布線的微細(xì)化和多層化。
[0005]作為形成微細(xì)布線的制造方法之一，有半加成法。該布線形成法在絕緣材料上形成被稱為晶種層的金屬層(作為金屬層，通常使用化學(xué)銅鍍層)，在其表面形成抗鍍層，然后進(jìn)行曝光、顯影，形成抗蝕圖案。然后，施行電解鍍銅，剝離抗蝕劑，蝕刻去除晶種層，形成銅布線。
[0006]進(jìn)而，為了多層化而在通過上述記載形成的銅布線上層疊層間絕緣材料，與上述記載同樣地形成布線。最外層的布線的情況下，為了保護(hù)除外部連接端子以外的銅布線而在銅布線上涂布阻焊劑、被稱為覆蓋層的樹脂。
[0007]為了使銅布線與層間絕緣材料、阻焊劑等樹脂的密合性良好，通過拋光研磨、磨砂研磨等機(jī)械處理、粗化劑等化學(xué)研磨處理使銅表面粗化。
[0008]一直以來，作為半加成法中的晶種層的化學(xué)銅鍍層的蝕刻去除處理(通常被稱為閃蝕(flash etching)處理)和用于多層化的銅布線表面粗化處理分別通過各自的工序(化學(xué)試劑)進(jìn)行。
[0009]作為化學(xué)銅鍍層的蝕刻用液體組合物，公開了:含有過氧化氫、硫酸、唑類、溴離子的蝕刻用液體組合物(日本特開2006-13340號公報(bào)，專利文獻(xiàn)I);以包含硫酸、過氧化氫、苯并三唑衍生物為特征的蝕刻劑(日本特開2009-149971號公報(bào)，專利文獻(xiàn)2);以包含過氧化氫、硫酸作為主成分且包含唑類作為添加劑為特征的蝕刻用液體組合物(日本特開2006-9122號公報(bào)，專利文獻(xiàn)3)等?，F(xiàn)有的化學(xué)銅鍍層的蝕刻用液體組合物由于無法使布線表面粗化，與層間絕緣材料等樹脂的密合性不良，因而無法同時(shí)進(jìn)行化學(xué)銅鍍層的去除和布線粗化處理。
[0010]另外，作為銅布線粗化劑，公開了:含有含氧酸(0X0 acid)、過氧化物、唑類、50mg/L以下的鹵化物的蝕刻用液體組合物(日本特開2000-64067號公報(bào)，專利文獻(xiàn)4);包含硫酸、過氧化氫、苯基四唑類和硝基苯并三唑類、氯離子的蝕刻用液體組合物(日本特開2009-191357號公報(bào)，專利文獻(xiàn)5);含有硫酸、過氧化氫、苯基四唑、氯離子源的微蝕刻劑(日本特開2002-47583號公報(bào)，專利文獻(xiàn)6);含有硫酸、過氧化氫、5-氨基四唑、除5-氨基四唑以外的四唑化合物、膦酸系螯合劑的表面粗化劑(日本特開2009-19270號公報(bào)，專利文獻(xiàn)7);含有硫酸、過氧化物、四唑化合物、電位高于銅的金屬離子的微蝕刻用液體組合物(日本特開2004-3020號公報(bào)，專利文獻(xiàn)8);含有過氧化氫、硫酸、苯并三唑類、氯離子的表面粗化處理液(日本特開2005-213526號公報(bào)，專利文獻(xiàn)9);由如下的水溶液形成的微蝕刻劑(日本特開2000-282265號，公報(bào)專利文獻(xiàn)10)等，即，該水溶液包含由無機(jī)酸和銅的氧化劑形成的主劑以及由唑類和蝕刻抑制劑形成的主劑?，F(xiàn)有的液體由于化學(xué)銅鍍層的溶解速度并不大于電解銅鍍層的溶解速度，因而利用半加成法形成微細(xì)布線變得困難。
[0011]現(xiàn)有的粗化劑(蝕刻劑)對銅表面進(jìn)行幾μ m的蝕刻而使銅表面粗糙化，通過物理(錨固)效果確保了銅與層間絕緣材料等樹脂的密合。但是，近年來，銅布線寬度從以往的30~50 μ m微細(xì)化至15 μ m以下、最小至幾μ m，現(xiàn)有的粗化劑(蝕刻劑)由于銅布線寬度細(xì)化增大，布線的消失或銅布線表面的粗糙度大(深度方向的凹凸大)，因而擔(dān)心斷線的產(chǎn)生、傳輸損耗的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的目的在于，效率良好地去除作為制造多層印刷電路板的半加成法中的晶種層的化學(xué)銅鍍層、同時(shí)將用于多層化的布線與層間絕緣材料等樹脂的密合性優(yōu)異的布線表面的致密粗化處理一并處理的蝕刻用液體組合物、及使用其的印刷電路板的制造方法。
[0013]本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)效率良好地去除作為制造多層印刷電路板的半加成法中的晶種層的化學(xué)銅鍍層、同時(shí)將用于多層化的布線與層間絕緣材料等樹脂的密合性優(yōu)異的布線表面的致密粗化處理一并處理的蝕刻用液體組合物、及使用其的印刷電路板的制造方法，從而完成了本發(fā)明。
[0014]即，本發(fā)明如下所示 。
[0015]1.一種蝕刻用液體組合物，其為多層印刷電路板的制造中使用的蝕刻用液體組合物，其包含
[0016]0.2~5質(zhì)量％的過氧化氫、
[0017]0.5~8質(zhì)量％的硫酸、
[0018]0.3~3ppm的鹵素離子、和
[0019]0.003~0.3質(zhì)量％的四唑類。
[0020]2.根據(jù)上述I所述的蝕刻用液體組合物，其中，前述四唑類為選自由IH-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑和1,5-二乙基四唑組成的組中的一種以上。
[0021]3.根據(jù)上述I或2所述的蝕刻用液體組合物，其中，前述鹵素離子為選自由氟離子、氯離子、溴離子和碘離子組成的組中的一種以上。
[0022]4.一種多層印刷電路板的制造方法，其為包括對在基板上實(shí)施的化學(xué)銅鍍層和電解銅鍍層進(jìn)行蝕刻處理而形成銅布線的方法，
[0023]使用包含0.2~5質(zhì)量％的過氧化氫、0.5~8質(zhì)量％的硫酸、0.3~3ppm的鹵素離子和0.003~0.3質(zhì)量％的四唑類的蝕刻用液體組合物進(jìn)行蝕刻處理。
[0024]5.根據(jù)上述4所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，在半加成法中，將前述化學(xué)銅鍍層去除，同時(shí)使前述電解銅鍍層粗化，形成前述銅布線。[0025]6.根據(jù)上述5所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，在前述化學(xué)銅鍍層的溶解速度與前述電解銅鍍層的溶解速度之比為3以上的條件下進(jìn)行蝕刻處理。
[0026]7.根據(jù)上述4~6中的任一項(xiàng)所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，進(jìn)行蝕刻處理，使得前述銅布線的比表面積為1.2~2。
[0027](其中，銅布線的比表面積是銅布線的每Iμ m長X I μ m寬的單位區(qū)域的表面積，銅布線的比表面積是用掃描隧道顯微鏡觀測前述銅布線的表面時(shí)得到的值。)
[0028]8.根據(jù)上述4~7中的任一項(xiàng)所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，前述四唑類為選自由IH-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑和1,5-二乙基四唑組成的組中的一種以上。
[0029]9.根據(jù)上述4~8中的任一項(xiàng)所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，前述鹵素離子為選自由氟離子、氯離子、溴離子和碘離子組成的組中的一種以上。
[0030]本發(fā)明的印刷電路板制造方法由于能夠在以往困難的利用半加成法的印刷電路板制造中效率良好地去除作為晶種層的化學(xué)銅鍍層，同時(shí)將用于多層化的布線與層間絕緣材料等樹脂的密合性優(yōu)異的布線表面的致密粗化處理一并處理(在一個(gè)工序中處理)，因而產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值極高。由此，通過選擇性地去除作為晶種層的化學(xué)銅鍍層，能夠抑制布線寬度減少量，防止斷線、缺失。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為實(shí)施例4的銅表面的三維圖像(X 30000)。
[0032]圖2為比較例8的銅表面的三維圖像(X 30000)。
[0033]圖3為實(shí)施例6的布線截面電子顯微鏡照片(X 3000)。
`[0034]圖4為比較例11的布線截面電子顯微鏡照片(X 3000)。
【具體實(shí)施方式】
[0035]本發(fā)明的蝕刻用液體組合物包含過氧化氫、硫酸、鹵素離子和四唑類，優(yōu)選還包含水。過氧化氫的濃度為0.2~5.0質(zhì)量％、優(yōu)選為0.3~3.0質(zhì)量％、進(jìn)一步優(yōu)選為0.4~
2.5質(zhì)量％、特別優(yōu)選為0.5~2.0質(zhì)量％。過氧化氫的濃度為0.2~5.0質(zhì)量％時(shí)，可得到良好的銅的溶解速度，經(jīng)濟(jì)上也優(yōu)異。
[0036]硫酸的濃度為0.5~8.0質(zhì)量％、優(yōu)選為0.6~7.0質(zhì)量％、進(jìn)一步優(yōu)選為0.8~
6.0質(zhì)量％、特別優(yōu)選為1.0~5.0質(zhì)量％。硫酸的濃度為0.5~8.0質(zhì)量％時(shí)，可得到良好的銅的溶解速度，經(jīng)濟(jì)上也優(yōu)異。
[0037]鹵素離子具有使銅或銅合金表面粗化的效果，銅或銅合金與樹脂的密合性變得良好。鹵素離子可列舉出氟離子、氯離子、溴離子、碘離子，在它們當(dāng)中，優(yōu)選的是氯離子、溴離子，特別優(yōu)選氯離子。鹵素離子的濃度為0.3~3ppm、優(yōu)選為0.5~3ppm、特別優(yōu)選為
0.5 ~2ppm。
[0038]四唑類通過與鹵素離子組合使用而具有使銅或銅合金表面微小地致密粗化的效果，從而提高銅或銅合金與層間絕緣材料等樹脂的密合性。在四唑類當(dāng)中，優(yōu)選IH-四唑、1-甲基四唑、1-乙基四唑、5-甲基四唑、5-乙基四唑、5-正丙基四唑、5-巰基四唑、5-巰基-1-甲基四唑、1，5-二甲基四唑、1，5-二乙基四唑、1-甲基-5-乙基四唑、1-乙基-5-甲基四唑、1-異丙基-5-甲基四唑、1-環(huán)己基-5-甲基四唑中的至少一種。進(jìn)一步優(yōu)選IH-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、5-乙基四唑、5-巰基-1-甲基四唑、1，5-二甲基四唑、1，5-二乙基四唑、1-乙基-5-甲基四唑，特別優(yōu)選IH-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、1，5- 二乙基四唑。四唑類的濃度為0.003~0.3質(zhì)量％、優(yōu)選為0.005~0.25質(zhì)量％、特別優(yōu)選為0.01~0.2質(zhì)量％。
[0039]從傳輸損耗的觀點(diǎn)來看，銅布線的表面粗糙度(Ra值)優(yōu)選為0.5μπι以下、更優(yōu)選為0.4 μ m以下、特別優(yōu)選為0.3 μ m以下。超過0.5 μ m時(shí)，傳輸損耗出現(xiàn)問題的可能性聞。
[0040]化學(xué)銅鍍層的溶解速度在各種條件下變化，例如，在30°C的處理?xiàng)l件下，優(yōu)選為0.4~2 μ m/分鐘、更優(yōu)選為0.6~2 μ m/分鐘、特別優(yōu)選為0.8~1.5 μ m/分鐘。
[0041]電解銅鍍層的溶解速度在各種條件下變化，例如，在30°C的處理?xiàng)l件下，優(yōu)選為
0.1~0.5 μ m/分鐘、更優(yōu)選為0.15~0.4 μ m/分鐘、特別優(yōu)選為0.2~0.35 μ m/分鐘。
[0042]化學(xué)銅鍍層的溶解速度與電解銅鍍層的溶解速度之比(化學(xué)銅鍍層的溶解速度/電解銅鍍層的溶解速度)優(yōu)選為3以上、更優(yōu)選為3.5以上且8以下、特別優(yōu)選為4以上且
7.5以下?；瘜W(xué)銅鍍層的溶解速度與電解銅鍍層的溶解速度之比處于上述范圍內(nèi)時(shí)，能夠效率良好地去除化學(xué)銅鍍層，同時(shí)使電解銅鍍層的表面粗化。
[0043]銅箔的剝離強(qiáng)度(Peel強(qiáng)度)也依賴于作為對象的層間絕緣材料等樹脂材料，優(yōu)選為0.6kgf/cm以上、更優(yōu)選為0.8kgf/cm以上、進(jìn)一步優(yōu)選為0.9kgf/cm以上、特別優(yōu)選為 1.0kgf/cm 以上。
[0044]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻用液體組合物的使用溫度，沒有特別限制，優(yōu)選為20~50°C、更優(yōu)選為25~40°C、進(jìn)一步優(yōu)選為25~35°C。使用溫度為20°C以上時(shí)，能夠加快銅的溶解速度，為50°C以下時(shí)，能夠抑制過氧化氫的分解。
[0045]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻用液體組合物的處理時(shí)間，沒有特別限制，優(yōu)選為I~600秒、更優(yōu)選為5~300秒、進(jìn)一步優(yōu)選為10~180秒、特別優(yōu)選為15~120秒，根據(jù)金屬表面的狀態(tài)、蝕刻用液體組合物的濃度、溫度、處理方法等各種條件適宜選擇。
[0046]關(guān)于利用本發(fā)明的蝕刻用液體組合物的處理方法，沒有特別限制，利用浸潰、噴霧等手段。另外，關(guān)于處理時(shí)間，根據(jù)溶解的銅或銅合金的厚度適宜選擇。
[0047]銅的表面積[μπι2]可以通過用掃描隧道顯微鏡觀測銅的表面來算出。即，銅的表面積[Pm2]可以在用掃描隧道顯微鏡觀測銅的表面而得到三維形狀數(shù)據(jù)之后，根據(jù)該三維形狀數(shù)據(jù)算出。
[0048]利用掃描隧道顯微鏡觀察銅的表面時(shí)的倍率例如為30000倍。
[0049]銅的比表面積等于將考慮銅表面的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的凹凸時(shí)的表面積除以假定該區(qū)域平坦時(shí)的表面積而得到的值。例如，其等于將考慮銅表面的5μπι長Χ5μπι寬的區(qū)域內(nèi)的凹凸時(shí)的表面積除以假設(shè)該區(qū)域平坦時(shí)的表面積(即，5 μ mX 5 μ m=25 μ m2)而得到的值。
[0050]銅的比表面積是考慮了銅表面的凹凸的值。因此，存在銅的表面越致密則銅的比表面積越大的傾向。此處所說的“致密”是指銅表面的凸部的每一個(gè)都微小且凸部密集的狀態(tài)。
[0051]掃描隧道顯微鏡是用于檢測金屬探針與試樣之間流通的隧道電流的類型的顯微鏡。將前端尖銳的鉬、鎢等金屬探針靠近試樣之后，在它們之間施加微小的偏壓時(shí)，由于隧道效應(yīng)，隧道電流流通。通過以將該隧道電流保持一定的方式掃描探針，以原子水平觀測試樣的表面形狀。
[0052]實(shí)施例
[0053]以下通過實(shí)施例和比較例對本發(fā)明進(jìn)行具體說明，但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例。
[0054].表面積測定
[0055]掃描隧道顯微鏡:使用SII NanoTechnology Inc.制L-tracell/NanoNavill 工作站，以3萬倍進(jìn)行觀測。
[0056].銅溶解量測定方法:通過以下的數(shù)學(xué)式利用質(zhì)量法算出。
[0057]溶解量=(處理前質(zhì)量-處理后質(zhì)量)/(處理面積X銅的密度)
[0058](式中，銅的密度為8.96g/cm3。)
[0059].布線寬度測定
[0060]金屬顯微鏡使用Olympus Corporation 制 IVDffilL。
[0061].銅箔的剝離強(qiáng)度(Peel強(qiáng)度)測定
[0062]剝離強(qiáng)度根據(jù)JIS C6481所規(guī)定的方法測定。
[0063]實(shí)施例1
[0064]將化學(xué)鍍銅基板(尺寸15cmX15cm，鍍層厚度I μ m)、電解鍍銅基板(尺寸15cmX15cm，鍍層厚度IOym)用`包含過氧化氫I質(zhì)量％、硫酸3質(zhì)量％、5_甲基四唑0.1質(zhì)量％、氯離子Ippm的蝕刻用液體組合物在液溫30°C、噴壓0.1MPa下進(jìn)行噴霧處理。通過處理前后的基板的質(zhì)量差算出銅溶解量，算出每單位時(shí)間的銅溶解速度。進(jìn)而，算出化學(xué)銅鍍層溶解速度與電解銅鍍層溶解速度之比。
[0065]實(shí)施例2
[0066]除了使用包含過氧化氫0.5質(zhì)量％、硫酸2.5質(zhì)量％、5_甲基四唑0.01質(zhì)量％、1，5- 二甲基四唑0.01質(zhì)量％、氯離子Ippm的蝕刻用液體組合物之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
[0067]實(shí)施例3
[0068]除了使用包含過氧化氫1.5質(zhì)量％、硫酸4.5質(zhì)量％、1_甲基四唑0.02質(zhì)量％、
I,5-二甲基四唑0.02質(zhì)量％、溴離子3ppm的蝕刻用液體組合物之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
[0069]比較例I
[0070]除了使用包含過氧化氫4質(zhì)量％、硫酸9質(zhì)量％、5_氨基四唑0.3質(zhì)量％、氯離子IOppm的蝕刻用液體組合物(與專利文獻(xiàn)4的實(shí)施例7同樣的組成)之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
[0071]比較例2
[0072]除了使用包含過氧化氫2.5質(zhì)量％、硫酸13.7質(zhì)量％、5_苯基四唑0.03質(zhì)量％、
4-硝基苯并三唑0.07質(zhì)量％、氯離子8ppm的蝕刻用液體組合物(與專利文獻(xiàn)5的實(shí)施例1同樣的組成)之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
[0073]比較例3
[0074]除了使用包含過氧化氫3質(zhì)量％、硫酸10質(zhì)量％、5_苯基四唑0.02質(zhì)量％、甲苯磺酸0.2質(zhì)量％、氯離子3ppm的蝕刻用液體組合物(與專利文獻(xiàn)6的實(shí)施例1同樣的組成)之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。[0075]比較例4
[0076]除了使用包含過氧化氫5.25質(zhì)量％、硫酸12.5質(zhì)量％、5_氨基四唑0.06質(zhì)量％、
5-甲基四唑0.02質(zhì)量％、1-羥基-乙烷-1，1- 二膦酸0.4質(zhì)量％的蝕刻用液體組合物(與專利文獻(xiàn)7的實(shí)施例1同樣的組成)之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
[0077]比較例5
[0078]除了使用包含過氧化氫1.5質(zhì)量％、硫酸9質(zhì)量％、5-甲基四唑0.1質(zhì)量％、四唑0.05質(zhì)量％、鈀Ippm的蝕刻用液體組合物(與專利文獻(xiàn)8的實(shí)施例8同樣的組成)之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
[0079]比較例6
[0080]除了使用包含過氧化氫1.5質(zhì)量％、硫酸5質(zhì)量％、苯并三唑0.3質(zhì)量％、氯離子5ppm的蝕刻用液體組合物(與專利文獻(xiàn)9的實(shí)施例1同樣的組成)之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
[0081]比較例7 [0082]除了使用包含過氧化氫10質(zhì)量％、硫酸16質(zhì)量％、甲苯基三唑0.2質(zhì)量％、亞磷酸I質(zhì)量％的蝕刻用液體組合物(與專利文獻(xiàn)10的實(shí)施例1同樣的組成)之外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
[0083][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種蝕刻用液體組合物，其為多層印刷電路板的制造中使用的蝕刻用液體組合物，其包含 0.2~5質(zhì)量％的過氧化氫、 0.5~8質(zhì)量％的硫酸、 0.3~3ppm的鹵素離子、和 0.003~0.3質(zhì)量％的四唑類。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻用液體組合物，其中，所述四唑類為選自由IH-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑和1,5-二乙基四唑組成的組中的一種以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻用液體組合物，其中，所述鹵素離子為選自由氟離子、氯離子、溴離子和碘離子組成的組中的一種以上。
4.一種多層印刷電路板的制造方法，其為包括對在基板上實(shí)施的化學(xué)銅鍍層和電解銅鍍層進(jìn)行蝕刻處理而形成銅布線的方法， 使用包含0.2~5質(zhì)量％的過氧化氫、0.5~8質(zhì)量％的硫酸、0.3~3ppm的鹵素離子和0.003~0.3質(zhì)量％的四唑類的蝕刻用液體組合物進(jìn)行蝕刻處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，在半加成法中，將所述化學(xué)銅鍍層去除，同時(shí)使所述電解銅鍍層粗化，形成所述銅布線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，在所述化學(xué)銅鍍層的溶解速度與所述電解銅鍍層的溶解速度之比為3以上的條件下進(jìn)行蝕刻處理。`
7.根據(jù)權(quán)利要求4~6中的任一項(xiàng)所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，進(jìn)行蝕刻處理，使得所述銅布線的比表面積為1.2~2， 其中，銅布線的比表面積是銅布線的每I μ m長X I μ m寬的單位區(qū)域的表面積，銅布線的比表面積是用掃描隧道顯微鏡觀測所述銅布線的表面時(shí)得到的值。
8.根據(jù)權(quán)利要求4~6中的任一項(xiàng)所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，所述四唑類為選自由IH-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑和1,5-二乙基四唑組成的組中的一種以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求4~6中的任一項(xiàng)所述的多層印刷電路板的制造方法，其中，所述鹵素離子為選自由氟離子、氯離子、溴離子和碘離子組成的組中的一種以上。
【文檔編號】C23F1/18GK103510089SQ201310217858
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月29日
【發(fā)明者】高橋健一, 池田和彥 申請人:三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社