專利名稱：一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置，屬于等離子體鍍膜領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
[0002]在晶體硅太陽電池的制備過程中，氮化硅膜對太陽電池起鈍化、減反射、保護發(fā)射區(qū)的作用，可提高太陽電池的光生電流，同時降低暗電流與提高開壓，因此氮化硅薄膜制備工序在太陽電池工藝中起著較為重要的作用。[0003]氮化硅薄膜的制備方法很多，有直接氮化法，濺射法，熱分解法，也可以在700 1000°C下由常壓化學(xué)氣相淀積法(APCVD)或者在750°C左右用低壓化學(xué)氣相淀積法 (LPCVD)制得，但現(xiàn)在工業(yè)上和實驗室一般使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)來生成氮化硅薄膜。其中，PECVD又可以分為直接式PECVD和間接式PECVD。直接式PECVD中， 基片位于電極之上，直接接觸等離子體。間接式PECVD基片不接觸激發(fā)電極。直接式PECVD 鍍膜效率較高，在近幾年來得到了廣泛的應(yīng)用。但直接式PECVD鍍膜設(shè)備需要經(jīng)常維護，而設(shè)備維護時間的長短直接關(guān)系產(chǎn)線能否正常生產(chǎn)，因此，有必要縮短設(shè)備的維護時間，提高設(shè)備的實際生產(chǎn)時間。[0004]在直接式PECVD鍍膜設(shè)備維護過程中，對氣孔的疏通往往耗費較長時間，這主要是由于產(chǎn)生等離子的氣體排氣孔在鍍膜的過程中很容易阻塞。氣孔堵塞的原因主要可分為兩類，即設(shè)備本身的設(shè)計原因和設(shè)備運行中產(chǎn)生的原因。在設(shè)備設(shè)計上，由于鍍膜時排氣孔設(shè)計不易過大，且排氣口直接與等離子體接觸，這導(dǎo)致在鍍膜一段時間后，氮化硅膜直接覆蓋在小氣孔上導(dǎo)致氣孔堵塞，從而影響鍍膜質(zhì)量。此外，在設(shè)備運行過程中，脫落的基片容易蓋住排氣孔從而導(dǎo)致氣孔堵塞。發(fā)明內(nèi)容[0005]為解決上述問題，本實用新型提供一種能有效減少鍍膜過程中排氣孔堵塞問題的新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置。[0006]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案為[0007]—種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置，包括底部帶有進氣孔的排氣帽，排氣帽的壁體上設(shè)置有數(shù)個通孔。[0008]作為上述方案的進一步設(shè)置，所述排氣帽的頂部為封閉式結(jié)構(gòu)。[0009]所述排氣帽呈圓柱形，進氣孔設(shè)置在排氣帽的下底面，通孔設(shè)置在排氣帽的側(cè)面。[0010]所述通孔為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。[0011]本實用新型一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置，以可拆卸式的方法安裝在直接式PECVD鍍膜設(shè)備的排氣孔上，使進氣孔與排氣孔相對應(yīng)，這樣氣體依次經(jīng)排氣孔、進氣孔進入排氣帽內(nèi)，再通過排氣帽的通孔排出。本實用新型能有效減少鍍膜過程中排氣孔堵塞問題，使排氣孔不易堵塞，不僅有利于設(shè)備鍍膜的問題，同時有利于減少設(shè)備維護時間，且設(shè)計簡單，便于安裝與更換。[0012]
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步說明。

[0013]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；[0014]圖2為圖1的仰視示意圖。
具體實施方式
[0015]如圖1、圖2所示，本實用新型一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置， 包括底部帶有進氣孔1的排氣帽2，排氣帽2的壁體上設(shè)置有數(shù)個通孔3，且通孔3為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。排氣帽2呈圓柱形，進氣孔1設(shè)置在排氣帽2的下底面，通孔3設(shè)置在排氣帽2的側(cè)面。排氣帽2的頂部為封閉式結(jié)構(gòu)。[0016]本實用新型減少了排氣孔與等離子體接觸的幾率，可減緩排氣孔被堵塞的速度， 延長鍍膜設(shè)備的正常使用時間，同時能防止鍍膜過程中異物覆蓋排氣孔。[0017]上述實施例僅用于解釋說明本實用新型的發(fā)明構(gòu)思，而非對本實用新型權(quán)利保護的限定，凡利用此構(gòu)思對本實用新型進行非實質(zhì)性的改動，均應(yīng)落入本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置，其特征在于包括底部帶有進氣孔的排氣帽，排氣帽的壁體上設(shè)置有數(shù)個通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置，其特征在于所述排氣帽的頂部為封閉式結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置，其特征在于所述排氣帽呈圓柱形，進氣孔設(shè)置在排氣帽的下底面，通孔設(shè)置在排氣帽的側(cè)面。
4.如權(quán)利要求1所述的一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置，其特征在于所述通孔為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型涉及一種新型等離子體增強化學(xué)氣相沉積排氣孔裝置，屬于等離子體鍍膜領(lǐng)域，包括底部帶有進氣孔的排氣帽，排氣帽的壁體上設(shè)置有數(shù)個通孔。本實用新型能有效減少鍍膜過程中排氣孔堵塞問題，使排氣孔不易堵塞，不僅有利于設(shè)備鍍膜的問題，同時有利于減少設(shè)備維護時間，且設(shè)計簡單，便于安裝與更換。
文檔編號C23C16/455GK202246854SQ201120291549
公開日2012年5月30日 申請日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者林堅, 金若鵬 申請人:浙江向日葵光能科技股份有限公司