專利名稱：：研磨墊及研磨裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于在半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體及集成電路等上形成平坦面的研磨用墊及研磨裝置。
背景技術(shù)：
：隨著半導(dǎo)體裝置的高密度化，多層布線、和伴隨多層布線的層間絕緣膜的形成、或插塞(plug)、鑲嵌(damascene)等電極形成技術(shù)越發(fā)重要。同時(shí)上述層間絕緣膜或電極的金屬膜平坦化操作的重要性增加，作為用于此平坦化操作的有效技術(shù)，普遍使用被稱為CMP(化學(xué)機(jī)械研磨，ChemicalMechanicalPolishing)的研磨才支術(shù)。使用此CMP技術(shù)的研磨裝置如圖l所示，一邊研磨晶圓等襯底，一邊從研磨墊的背側(cè)(定盤側(cè))向襯底的被研磨面照射激光或可見光，測(cè)定研磨狀態(tài)，上述裝置作為重要的技術(shù)受到注目(參見專利文獻(xiàn)l)。作為用于上述研磨裝置的終點(diǎn)檢測(cè)用研磨墊，介紹如下研磨墊，所述研磨墊對(duì)于研磨搭載集成電路的晶圓有用，其至少一部分由無漿料粒子吸收、輸送的基本功能的硬質(zhì)均勻樹脂片材構(gòu)成，此樹脂片材可透過波長(zhǎng)為1903500納米范圍的光線(參見專利文獻(xiàn)2)。此研磨墊以羅門哈斯(Rohm&Haas)公司的IC-1000為代表，由含有微球嚢(微嚢)的發(fā)泡結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的研磨層本身的透光率不充分，所以具有研磨層、和通過雙面粘合膠帶等層合在上述研磨層上的緩沖層(cushionlayer)，在上述研磨墊的規(guī)定位置形成貫通上述研磨層、雙面粘合膠帶及緩沖層三者的開口部，在上述開口部的研磨面?zhèn)惹度雽?shí)心且由透明的熱固性硬質(zhì)均勻樹脂構(gòu)成的窗部件。其為圖2所示的結(jié)構(gòu)。然而，以上述透明的硬質(zhì)均勻樹脂為窗部件的研磨墊存在以下問題由于窗部件與作為被研磨面的襯底表面接觸，所以襯底表面易于產(chǎn)生劃痕的問題或窗部件剝離導(dǎo)致的漿料泄漏的問題、或由于研磨過程中溫度升高導(dǎo)致窗部件和定盤包圍的空氣膨脹，窗部件向研磨面的上面突出，導(dǎo)致終點(diǎn)檢測(cè)不良的問題。另外，還存在由于在研磨層和緩沖層制成不同形狀的開口部故制造過程變得繁雜的問題。進(jìn)而，還具有在熱固性硬質(zhì)均勻樹脂的制造中成型周期時(shí)間變長(zhǎng)等操作方面的問題。另一方面，已知在研磨墊上設(shè)置貫通孔，觀察晶圓研磨面上光的反射狀態(tài)，進(jìn)而判定研磨狀態(tài)的晶圓研磨方法(參見專利文獻(xiàn)3)。但是，此處介紹的2種貫通孔，其中一種貫通孔存在由于該貫通孔的一端靠近研磨墊中心，所以從研磨墊中心供給的漿料進(jìn)入貫通孔，漿料滯留，光難以充分通過的問題，另一種貫通孔存在由于貫通孔在與墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度相對(duì)于晶圓過大，所以不能均勻地研磨被研磨材料的問題。專利文獻(xiàn)l:特開平9-7985號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特表平ll-512977號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:特開2000-254860號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的背景，本發(fā)明提供一種研磨墊及研磨裝置，所述研磨墊是為了在玻璃、半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體及集成電路等上形成平坦面而使用的研磨用墊，在襯底表面不易產(chǎn)生劃痕，研磨過程中能夠光學(xué)性良好地測(cè)定研磨狀態(tài)，同時(shí)能夠測(cè)定是否能夠均勻研磨纟皮研磨材料的整個(gè)表面。為了解決上述課題，本發(fā)明采用以下手段。即，本發(fā)明的研磨墊的特征在于，設(shè)置連通研磨面和背面的貫通孔，該貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的35%以上，該貫通孔在朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度等于或小于與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度，該貫通孔的朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度為半徑的10%以下，與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度為半徑的12.5%以下。根據(jù)本發(fā)明，能夠在玻璃、半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體及集成電路等上形成平坦面時(shí)，減少在被研磨材料表面產(chǎn)生劃痕，并在研磨過程中光學(xué)性良好地測(cè)定研磨狀態(tài)，同時(shí)能夠提供采用可以測(cè)定是否均勻地研磨被研磨材料的整個(gè)表面的簡(jiǎn)略化方法的半導(dǎo)體裝置。此圖為使用研磨裝置的一例說明光學(xué)測(cè)定研磨狀態(tài)的原理的簡(jiǎn)圖。此圖為表示具有現(xiàn)有的窗部件的終點(diǎn)檢測(cè)用研磨墊的平面圖。此圖為本發(fā)明的設(shè)置有貫通孔的研磨墊的平面圖。[圖4]此圖為本發(fā)明的設(shè)置有貫通孔的研磨墊的剖面圖。[圖5]此圖為本發(fā)明的設(shè)置有貫通孔和連通側(cè)面和貫通孔的通路的研磨墊的平面圖。此圖為本發(fā)明的設(shè)置有貫通孔和連通側(cè)面和貫通孔的通路的研磨墊的剖面圖。符號(hào)說明1研磨層2透光材料3終點(diǎn)檢測(cè)用研磨墊4緩沖層5被研磨材料(晶圓)6研磨頭7激光或白色光8分光器(beamsplitters)9光源10光4企測(cè)部11入射光12反射光13定盤14孔15貫通孔16背面膠帶17中間膠帶18通路具體實(shí)施例方式本發(fā)明人對(duì)上述課題、即在被研磨材料表面不易產(chǎn)生劃痕，研磨過程中能夠光學(xué)性良好地測(cè)定研磨狀態(tài)，同時(shí)能夠測(cè)定是否均勻地研磨被研磨材料的整個(gè)表面的研磨墊，進(jìn)行了潛心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)一種研磨墊能夠一并解決上述課題，所述研磨墊設(shè)置了連通研磨面和背面的貫通孔，該貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的35%以上，該貫通孔在朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度等于或小于與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度，該貫通孔在朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度為半徑的10%以下，與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度為半徑的12.5%以下。本發(fā)明的研磨墊優(yōu)選具有研磨層和緩沖層。作為構(gòu)成本發(fā)明研磨墊的研磨層，微橡膠(microgum)A硬度為70度以上且具有獨(dú)立氣泡的結(jié)構(gòu)的研磨層，由于在半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體及集成電路等上形成平坦面，故優(yōu)選。作為形成上述結(jié)構(gòu)體的材料，沒有特殊的限定，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氨酯、聚脲、聚酰胺、聚氯乙烯、聚縮醛、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯、環(huán)氧樹脂、ABS樹脂、AS樹脂、酚樹脂、蜜胺樹脂、氯丁二烯橡膠、丁二烯橡膠、丁苯橡膠、乙丙橡膠、硅橡膠、氟橡膠及以上述化合物為主要成分的樹脂等。上述樹脂中，從能夠較容易地控制獨(dú)立氣泡直徑方面考慮，較優(yōu)選以聚氨酯為主要成分的原料。所謂本發(fā)明的聚氨酯，是基于聚異氰酸酯的加聚反應(yīng)或聚合反應(yīng)而合成的高分子。被用作聚異氰酸酯的反應(yīng)對(duì)象的化合物為含活性氫化合物，即，含有2個(gè)以上多羥基或者氨基的化合物。作為聚異氰酸酯，可以舉出甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、1,6-己二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等，但并不限定于此。作為含有多羥基的化合物，以多元醇為代表，可以舉出聚醚型多元醇、聚四亞甲基醚乙二醇、環(huán)氧樹脂改性多元醇、聚酯多元醇、丙婦酸多元醇、聚丁二烯多元醇、硅氧烷多元醇等。優(yōu)選根據(jù)硬度、氣泡直徑及發(fā)泡倍率來確定聚異氰酸酯和多元醇、及催化劑、發(fā)泡劑、整泡劑的組合或最適量。作為上述在聚氨酯中形成獨(dú)立氣泡的方法，通常為在聚氨酯制造時(shí)通過在樹脂中配合各種發(fā)泡劑進(jìn)行的化學(xué)發(fā)泡法，但也可以優(yōu)選使用通過機(jī)械攪拌使樹脂發(fā)泡后使其固化的方法。從能夠?qū)崿F(xiàn)劃痕少、半導(dǎo)體襯底的局部凹凸的平坦性良好兩方面的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選上述獨(dú)立氣泡的平均氣泡直徑為30pm以上150fim以下。更優(yōu)選平均氣泡直徑為140nm以下、進(jìn)而為130jim以下。平均氣泡直徑低于30iim時(shí)，有時(shí)劃痕增多，不優(yōu)選。另外，平均氣泡直徑超過150jLim時(shí)，半導(dǎo)體襯底的局部凹凸的平坦性變差，故不優(yōu)選。需要說明的是，平均氣泡直徑是以200倍的倍率對(duì)樣品剖面進(jìn)行SEM觀察，然后用圖像處理裝置對(duì)記錄的SEM照片的氣泡直徑進(jìn)行測(cè)定，取其平均值，將其稱為測(cè)定值。作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案之一的研磨墊含有聚氨酯和由乙烯類化合物聚合的聚合物，具有獨(dú)立氣泡。聚氨酯在提高硬度時(shí)變脆，另外，只使用由乙烯類化合物聚合的聚合物時(shí)，雖然能夠提高韌性和硬度，但難以得到具有獨(dú)立氣泡的均質(zhì)的研磨墊。通過含有聚氨酯和由乙烯類化合物聚合的聚合物，能夠形成含有獨(dú)立氣泡、韌性和硬度高的研磨墊。本發(fā)明中的乙烯類化合物，為具有聚合性的碳碳雙鍵的化合物。具體而言，可以舉出丙烯酸甲酯、曱基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、曱基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸異癸基酯、曱基丙烯酸正十二烷基酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、曱基丙烯酸2-羥基丙基酯、曱基丙烯酸2-羥基丁基酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸二乙基氨基乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、乙二醇二曱基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、富馬酸、富馬酸二甲酯、富馬酸二乙酯、富馬酸二丙酯、馬來酸、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯、馬來酸二丙酯、苯基馬來酰亞胺、環(huán)己基馬來酰亞胺、異丙基馬來酰亞胺、丙烯腈、丙烯酰胺、氯乙烯、1，1-二氯乙歸、苯乙烯、a-甲基苯乙烯、二乙烯基苯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、二甘醇二曱基丙烯酸酯等。上述單體可以單獨(dú)使用，也可以2種以上混合使用。上述乙烯類化合物中，優(yōu)選CH2-CR〗COOR2(R1:曱基、乙基，R2:曱基、乙基、丙基、丁基)。其中，從在聚氨酯中易于形成獨(dú)立氣泡、單體含浸性良好、容易聚合固化、含有聚合固化的聚氨酯和由乙烯類化合物聚合的聚合物的發(fā)泡結(jié)構(gòu)體的硬度高且平坦化特性良好的方面考慮，優(yōu)選甲基丙烯酸曱酯，甲基丙烯酸乙酯，甲基丙烯酸正丁基酯，甲基丙烯酸異丁基酯。作為上述乙烯類化合物的聚合引發(fā)劑，可以使用偶氮二異丁腈、偶氮二(2,4-二甲基戊腈)、偶氮二環(huán)己烷腈、過氧化苯甲酰、月桂酰過氧化物、過氧化二碳酸二異丙酯等自由基引發(fā)劑。另外，也可以使用氧化還原類聚合引發(fā)劑例如過氧化物和胺類的組合。上述聚合引發(fā)劑，不僅可以單獨(dú)使用，也可以2種以上混合使用。作為乙烯類化合物含浸到聚氨酯中的方法，可以舉出在加入單體的容器中浸漬聚氨酯，使其含浸的方法。需要說明的是，此時(shí)，為了加快含浸速度，優(yōu)選進(jìn)行加熱、加壓、減壓、攪拌、振蕩、超聲波振動(dòng)等處理。乙烯類化合物在聚氨酯中的含浸量取決于使用的單體及聚氨酯的種類、或制造的研磨墊的特性，不能一概而論，例如在使用乙烯類化合物的情況下，聚合固化的發(fā)泡結(jié)構(gòu)體中由乙烯類化合物得到的聚合物和聚氨酯的含有比率按重量比計(jì)優(yōu)選為30/70~80/20。由乙烯類化合物得到的聚合物的含有比率按重量比計(jì)不足30/70的情況下，有時(shí)研磨墊的硬度降低，故不優(yōu)選。另外，含有比率超過80/20時(shí)，有時(shí)研磨層具有的彈力性被破壞，故不優(yōu)選。需要說明的是，聚合固化的聚氨酯中由乙烯類化合物得到的聚合物及聚氨酯的含有率可以通過熱解氣相色語法/質(zhì)譜法測(cè)定。作為該方法中可以使用的裝置，作為熱解裝置可以舉出Double-ShotPyrolyzer"PY—2010D"(FrontierLaboratoriesLtd制),作為氣相色語'質(zhì)鐠裝置，可以舉出，，TRI0-1"(VG社制)。本發(fā)明中一體化含有聚氨酯和乙烯聚合物(vinylpolymer)的含義是指不以聚氨酯相和由乙烯類化合物聚合得到的聚合物相被分離的狀態(tài)而被含有，但如果定量地表示，則用光斑大小為50fim的顯微紅外分光裝置觀察研磨墊得到的紅外光i瞽具有聚氨酯的紅外吸收峰和由乙烯類化合物聚合的聚合物的紅外吸收峰，各處的紅外光譜大致相同。作為此處使用的顯微紅外分光裝置，可以舉出SPECTRA-TECH社制的IRps。需要說明的是，為了改良制造的研磨墊的特性，也可以添加研磨劑、防帶電劑、潤(rùn)滑劑、穩(wěn)定劑、染料等各種添加劑。本發(fā)明的研磨層的微橡膠A硬度，是指用高分子計(jì)器(抹)制微橡膠硬度計(jì)MD-l評(píng)價(jià)的值。微橡膠A硬度計(jì)MD-l能夠測(cè)定用現(xiàn)有硬度計(jì)難以測(cè)定的薄物品小物品的硬度，被設(shè)計(jì)制作成彈簧式橡膠硬度計(jì)(Durometer)A型的約l/5的縮小型，因此，能夠得到與彈簧式硬度計(jì)A型的硬度一致的測(cè)定值。通常的研磨墊的研磨層或硬質(zhì)層的厚度薄于5mm,不能用彈簧式橡膠硬度計(jì)A型進(jìn)行評(píng)價(jià)，因此用上述微橡膠MD-l進(jìn)行評(píng)價(jià)。本發(fā)明的研磨層的微橡膠A硬度為70度以上，優(yōu)選為80度以上。微橡膠A硬度不足70度時(shí)，有時(shí)半導(dǎo)體襯底局部凹凸的平坦性不良，故不優(yōu)選。本發(fā)明的研磨層的密度是用Hubbard型比重瓶(Hubbard-typepycnometer)(以JISR-3503為基準(zhǔn))以水為介質(zhì)測(cè)定的值。本發(fā)明的研磨層優(yōu)選密度在0.31.1g/cr^的范圍內(nèi)。密度不足0.3g/cm4t，有時(shí)局部的平坦性不良，整體(global)階差增大。密度超過l.lg/cm3時(shí)，易于產(chǎn)生劃痕。進(jìn)而優(yōu)選密度為0.60.9g/cm3，另外，更優(yōu)選密度為0.650.85g/cm3的范圍。為了抑制滑行(hydroplane)現(xiàn)象，可以在本發(fā)明的研磨墊的研磨層表面形成拉溝形狀、波紋形狀、螺旋形狀、同心圓形狀等通常研磨墊能夠得到的溝(槽)后進(jìn)行使用。理想情況為在穿過該貫通孔中心位置的研磨墊的同心圓的內(nèi)側(cè)區(qū)域，溝(槽)不與貫通孔接觸。所謂貫通孔的中心位置，是指由從研磨墊中心通過貫通孔兩端的兩條直線所描繪的角度的二等分線和連接貫通孔兩端的直線的交點(diǎn)。當(dāng)在通過該貫通孔中心位置的研磨墊的同心圓內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)溝(槽)與貫通孔接觸時(shí)，漿料易于流入貫通孔中，易于發(fā)生光散射，有可能導(dǎo)致終點(diǎn)檢測(cè)不良，故不優(yōu)選。本發(fā)明的研磨墊，通常在研磨前或研磨過程中用通過電沉積固定金剛石磨粒的調(diào)節(jié)器修整(dressing)研磨層表面。作為修整方法，可采用于研磨前進(jìn)行的ex-situ修整(ex-situdressing)和與研磨同時(shí)進(jìn)行的in-situ修整中的任一種。在本發(fā)明的研磨層上層合體積彈性模量為40MPa以上且拉伸彈性模量為lMPa以上20MPa以下的緩沖層，面內(nèi)均勻性良好，故較理想。所謂體積彈性模量，是指對(duì)預(yù)先測(cè)定體積的被測(cè)定物施加各向同性的壓力，測(cè)定其體積變化。其定義如下體積彈性模量=施加壓力/(體積變化/原來體積)。本發(fā)明的體積彈性模量如下進(jìn)行測(cè)定。向內(nèi)容積為約40mL的不銹鋼制的測(cè)定池中加入試樣片和23。C的水，裝入容量0.5mL的硼硅酸玻璃制計(jì)量吸管(最小刻度0.005mL)。另外，作為壓力容器使用聚氯乙烯樹脂制管(內(nèi)徑90mmcpx2000mm、壁厚5mm)，向其中投入加入了上述試樣片的測(cè)定池，在壓力P下氮加壓，測(cè)定體積變化V1。然后，不向測(cè)定池中加入試樣，在表1所示的壓力P下氮加壓，測(cè)定體積變化VO。計(jì)算壓力P除以AV/Vi=(VI-VO)/Vi得到的值，作為上述試樣的體積彈性模量。本發(fā)明的體積彈性模量是在23。C下對(duì)樣品施加0.040.14MPa壓力時(shí)的體積彈性模量。本發(fā)明的緩沖層的體積彈性模量?jī)?yōu)選為40MPa以上。不足40MPa時(shí)，有時(shí)半導(dǎo)體襯底整個(gè)表面的面內(nèi)均勻性被破壞，故不優(yōu)選，另一個(gè)原因在于，流入貫通研磨墊表面和背面的孔中的漿料或水含浸在緩沖層中，使緩沖特性經(jīng)時(shí)地變化，故不優(yōu)選。進(jìn)而，優(yōu)選體積彈性模量的范圍為200MPa以上。本發(fā)明的拉伸彈性模量如下定義形成啞鈴形狀，施加拉伸應(yīng)力，測(cè)定拉伸變形(=拉伸長(zhǎng)度變化/原長(zhǎng)度)在0.01至0.03的范圍內(nèi)的拉伸應(yīng)力，拉伸彈性模量=((拉伸變形為0.03時(shí)的拉伸應(yīng)力)-(拉伸變形為0.01時(shí)的拉伸應(yīng)力))/0.02。作為測(cè)定裝置，可以給出ORIENTEC社制TENSILON萬能試驗(yàn)機(jī)RTM-IOO等。作為測(cè)定條件，試驗(yàn)速度為5cm/分鐘、試驗(yàn)片形狀為寬5mm、試樣長(zhǎng)50mm的啞鈴形狀。本發(fā)明的緩沖層的拉伸彈性模量?jī)?yōu)選為lMPa以上20MPa以下。拉伸彈性模量不足lMPa時(shí)，有時(shí)半導(dǎo)體襯底整個(gè)表面的面內(nèi)均勻性被破壞，故不優(yōu)選。拉伸彈性模量超過20MPa時(shí)，有時(shí)也會(huì)發(fā)生半導(dǎo)體襯底整個(gè)表面的面內(nèi)均勻性被破壞，故不優(yōu)選。更優(yōu)選拉伸彈性才莫量的范圍為1.2MPa以上1OMPa以下。本發(fā)明的緩沖層的吸水率優(yōu)選為5%以下。吸水率超過5%時(shí)，研磨過程中使用的水被緩沖層吸收，研磨墊的貫通孔的周邊部分膨潤(rùn)，貫通孔的邊緣高于研磨層表面的其他部分，阻礙均勻研磨，或?qū)е庐a(chǎn)生劃痕，故不優(yōu)選。作為上述緩沖層，可以舉出天然橡膠、丁腈橡膠、氯丁二烯橡膠、聚丁二烯橡膠、熱固化聚氨酯橡膠、熱塑性聚氨酯橡膠、硅橡膠等無發(fā)泡的彈性體，但并不特別限定于此。緩沖層的厚度優(yōu)選為0.32mm的范圍。不足0.5mm時(shí)，有時(shí)半導(dǎo)體襯底整個(gè)表面的面內(nèi)均勻性4皮破壞，故不優(yōu)選。超過2mm時(shí)，有時(shí)局部平坦性被破壞，故不優(yōu)選。進(jìn)而優(yōu)選厚度范圍為0.5mm以上2mm以下。更優(yōu)選范圍為0.75mm以上1.75mm以下。本發(fā)明的研磨墊設(shè)置連通研磨墊的研磨面和背面的貫通孔。該貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的35%以上是必要的。該貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心小于半徑的35%時(shí)，供給到定盤中心的漿料易于流入該貫通孔，該貫通孔中易于滯留大量漿料，光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)信號(hào)由于漿料的散射而減小，故不優(yōu)選。進(jìn)而優(yōu)選距離為半徑的38%以上。另外，通過使貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的35%以上，使被研磨劑不接近研磨墊中心，通過將上述連通研磨面和背面的貫通孔設(shè)置在研磨過程中通過晶圓中心的位置，能夠終點(diǎn)檢測(cè)晶圓整個(gè)表面是否被均勻研磨。上述研磨墊的貫通孔的截面形狀可以采取正方形、橢圓形、圓形、長(zhǎng)方形等多種形狀，但理想形狀為在朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度等于或小于與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度。朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)于與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度時(shí)，晶圓不能均勻地研磨，面內(nèi)均勻性變差，故不優(yōu)選。本發(fā)明的研磨墊的貫通孔的大小為研磨過程中能夠光學(xué)測(cè)定研磨狀態(tài)程度的大小，必須使貫通孔的朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度為半徑的10%以下。超過半徑的ioo/。時(shí)，漿料大量地流入，流入貫通孔的漿料的散射導(dǎo)致光學(xué)的終點(diǎn)檢測(cè)信號(hào)減小，故不優(yōu)選。另外，貫通孔在朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度優(yōu)選為5mm以上20mm以下。不足5mm時(shí)，光學(xué)的終點(diǎn)檢測(cè)信號(hào)減小，不優(yōu)選。該貫通孔的與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度為半徑的12.5%以下是必要的。超過半徑的12.5%時(shí)，作為被研磨材料的晶圓不能均勻地研磨，故不優(yōu)選。另外，貫通孔的與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度優(yōu)選為5mm以上25mm以下。不足5mm時(shí)，光學(xué)的終點(diǎn)檢測(cè)信號(hào)減小，不優(yōu)選。本發(fā)明中所謂的連通，是指連續(xù)地開口連接。圖3、圖4中的14表示連通研磨面和背面的貫通孔。本發(fā)明的連通研磨面和背面的貫通孔的形成方法，可以舉出使用規(guī)定的金屬模進(jìn)行沖裁的方法、或用NC刻紋機(jī)(NCrouter)等使用刀具打穿的方法。本發(fā)明的該緩沖層為1.5mm以上2mm以下時(shí)，由于研磨屑易于滯留，所以設(shè)置將連通研磨面和背面的貫通孔與研磨墊側(cè)面連通的通路，由于能夠減少劃痕，故優(yōu)選。圖3、圖4中的14表示連通研磨面和背面的貫通孔。圖5、圖6中的17表示將連通該研磨面和背面的貫通孔和研磨墊側(cè)面連通的通路。在將連通研磨面和背面的貫通孔和研磨墊側(cè)面連通的通路的接觸面，上述通路和上述背面的距離優(yōu)選為研磨墊厚度的l/2以下。上述貫通孔和上述通路的接觸面，是上述貫通孔和上述通路交差的位置，上述通路和上述背面的距離，是在上述交差位置中最靠近背面的位置和背面的距離。在上述貫通孔和上述通路的接觸面，上述通路和上述背面的距離超過研磨墊厚度的1/2時(shí)，滯留在貫通孔中的漿料或研磨屑不能充分地排出，因此有時(shí)導(dǎo)致晶圓產(chǎn)生劃痕，不優(yōu)選。本發(fā)明的將連通研磨面和背面的貫通孔和研磨墊側(cè)面連通的通路截面的形狀，可以采取正方形、橢圓形、圓形、長(zhǎng)方形等多種形狀，但從不易對(duì)研磨墊表面變形產(chǎn)生影響的方面考慮，優(yōu)選正方形或長(zhǎng)方形。使通路截面在厚度方向的長(zhǎng)度為研磨墊厚度的l/2以下，由于不易對(duì)研磨墊表面變形產(chǎn)生影響，故優(yōu)選。本發(fā)明的將連通研磨面和背面的貫通孔和研磨墊側(cè)面連通的通路的截面的大小優(yōu)選為連通研磨面和背面的貫通孔的大小的0.05%以上10%以下。不足0.05%時(shí)，有時(shí)不能充分地排出漿料或研磨屑，故不優(yōu)選。超過10%時(shí)，有時(shí)對(duì)研磨墊表面造成影響，使研磨特性變差，故不優(yōu)選。更優(yōu)選范圍為0.1%以上5%以下。本發(fā)明的連通研磨面和背面的貫通孔的形成方法，可以舉出使用規(guī)定的金屬模進(jìn)行沖裁的方法、或用NC刻紋機(jī)等使用刀具進(jìn)行打穿的方法。作為形成從研磨墊側(cè)面連通貫通孔的通路的方法，所述貫通孔連通研磨墊表面和背面，可以舉出以下方法。研磨層為單層墊時(shí)，可以舉出在研磨層背面預(yù)先形成連通貫通孔和研磨層側(cè)面的溝，在其上貼合背面膠帶形成研磨墊的方法。研磨墊至少由研磨層和緩沖層構(gòu)成時(shí)，可以舉出以下方法在緩沖層上預(yù)先形成溝使貫通孔和側(cè)面連通，然后在該緩沖層上貼附中間膠帶和背面膠帶，貼合研磨層，進(jìn)而開通貫通孔的方法、或貼合研磨層、中間膠帶、緩沖層和背面膠帶后，開通貫通孔，在緩沖層部分用NC刻紋機(jī)等從背面膠帶側(cè)刻出連通貫通孔和側(cè)面的溝的方法。接下來，說明本發(fā)明的研磨裝置。本發(fā)明的研磨裝置至少具有以下部件上述研磨墊、和向研磨墊和被研磨材料之間供給漿料的部件、將上述研磨墊和襯底接觸使其相對(duì)移動(dòng)進(jìn)行研磨的部件、及通過設(shè)置在上述研磨墊中的貫通孔光學(xué)測(cè)定研磨狀態(tài)的部件。研磨墊以外的部件可以組合現(xiàn)有7>知的部件構(gòu)成。使用上述裝置，在使研磨墊和襯底之間存在漿料的狀態(tài)下，在上述研磨墊和上述襯底之間施加負(fù)荷，使上述襯底和上述研磨墊相對(duì)移動(dòng)，由此可以研磨被研磨材料，并且通過對(duì)上述一皮研磨材料照射光能夠以光學(xué)方式獲得被研磨材料的研磨狀態(tài)。具體而言，例如可以舉出如圖l所示結(jié)構(gòu)的裝置。在定盤13上形成孔14,設(shè)置上述研磨墊的貫通孔使其位于孔14上。將透光材料2嵌入孔14中，以使?jié){料滴入后不與定盤下的分光器8等接觸，并發(fā)揮防止?jié){料泄漏的作用。確定此孔的位置，以使定盤13旋轉(zhuǎn)的一部分之間能夠從被保持在研磨頭6上的被研磨材料5看到。光源9位于定盤13的下方，其固定位置為，使得當(dāng)孔接近被研磨材料5時(shí)，由光源9發(fā)射的激光或白色光7的入射光11通過定盤13的孔、研磨層l后照射到存在于其上的被研磨材料5的表面。被研磨材料5表面的反射光12經(jīng)分光器8導(dǎo)入光檢測(cè)部10中，通過對(duì)光檢測(cè)部10檢測(cè)到的光強(qiáng)度的波形進(jìn)行分析，可以測(cè)定被研磨材料表面的研磨狀態(tài)。擔(dān)心嵌入本發(fā)明研磨裝置的孔中的透明材料發(fā)生漿料泄漏的情況下，最好在將研磨墊貼附在定盤上前貼附能夠被覆定盤表面的孔部分的保護(hù)膜。保護(hù)膜是在厚度為10~50inm的透明基膜上以10~30pm的厚度形成粘合層而得到的，其大小為孔面積的2倍以上，能夠防止?jié){料與孔部分液體接觸，故優(yōu)選。該保護(hù)膜中的粘合層部分用大于基膜的端部的隔離膜被覆，隔離膜分成2個(gè)以上，剝離分割的部分隔離膜，使露出的粘合層與定盤的孔部分粘結(jié)，然后剝離殘留的隔離膜，將粘合層固定在定盤上，如果如上所述進(jìn)行貼附，則能夠在不產(chǎn)生褶皺的前提下，良好地貼附，故優(yōu)選。作為分割的方法，優(yōu)選3分割，其原因在于首先剝離中央部，使露出的粘合層與定盤孔粘合，然后剝離殘留的隔離膜，在定盤上固定粘合層，如果如上所述進(jìn)行貼附，則能夠在不產(chǎn)生褶皺、也不引入空氣的前提下，良好地貼合。通過在貼附該保護(hù)膜后貼附該研磨墊，能夠減少漿料從孔的透明材料泄漏的可能。隔離膜與基膜的端部相比至少大3mm以上，由此易于剝離隔離膜，故優(yōu)選?？梢允褂帽景l(fā)明的研磨墊，并使用二氧化硅類漿料、氧化鋁類漿料、氧化鈰類漿料等作為漿料，使半導(dǎo)體晶圓上的絕緣膜的凹凸或金屬布線的凹凸局部平坦化，或者減小整體階差，或者抑制凹狀扭曲。作為漿料的具體例，可以舉出卡博特公司(CabotCorporation)制的CMP用CAB-O-SPERSE(注冊(cè)商標(biāo))SC-1、CMP用CAB-O-SPERSE(注冊(cè)商標(biāo))SC-112、CMP用SEMI-SPERSE(注冊(cè)商標(biāo))AMIOO、CMP用SEMI-SPERSE(注冊(cè)商標(biāo))AM100C、CMP用SEMI-SPERSE12、CMP用SEMI-SPERSE(注冊(cè)商標(biāo))25、CMP用SEMI-SPERSE(注冊(cè)商標(biāo))W2000、CMP用SEMI-SPERSE(注冊(cè)商標(biāo))W-A400等，但并不限定于此。本發(fā)明的研磨墊的對(duì)象，例如為半導(dǎo)體晶圓上形成的絕緣層或金屬布線的表面，作為絕緣層，可以舉出金屬布線的層間絕緣膜或金屬布線的下層絕緣膜或用于分離元件的淺溝槽隔離層(ShallowTrenchIsolation)，作為金屬布線，為鋁、鎢、銅等，結(jié)構(gòu)上有鑲嵌(damascene)、雙鑲嵌(dualdamascene)、插塞等。以銅為金屬布線時(shí)，氮化硅等勢(shì)壘金屬(barriermetal)也成為研磨對(duì)象。目前，絕緣膜以氧化珪為主流，但由于遲延時(shí)間的問題，可以使用低介電常數(shù)絕緣膜。本發(fā)明的研磨墊，可以在不易產(chǎn)生劃痕的狀態(tài)下一邊研磨一邊良好地測(cè)定研磨狀態(tài)。除半導(dǎo)體晶圓以外，也可以用于磁頭、硬盤、藍(lán)寶石等的研磨。本發(fā)明的研磨墊適合用于在玻璃、半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體及集成電路等上形成平坦面。實(shí)施例以下，利用實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)地說明本發(fā)明。但是，并不能理解為本發(fā)明限定于這些實(shí)施例。另外，測(cè)定如下進(jìn)行。微橡膠A硬度用高分子計(jì)器(抹)制的微橡膠硬度計(jì)"MD-l"測(cè)定。微橡膠硬度計(jì)"MD-l"的結(jié)構(gòu)如下所述。1.1傳感器(sensor)部(1)荷重方式懸臂梁式板彈簧(2)彈簧荷重:0點(diǎn)/2.24gf。100點(diǎn)/33.85gf(3)彈簧荷重誤差士0.32gf(4)押針尺寸直徑0.16mm圓柱形。高度0.5mm(5)位移才全測(cè)方式應(yīng)變儀式(StrainGauge-Type)(6)力口壓腳尺寸外徑4mm內(nèi)徑1.5mm1.2傳感器驅(qū)動(dòng)部(1)驅(qū)動(dòng)方式由步進(jìn)電動(dòng)機(jī)上下驅(qū)動(dòng)。由空氣阻尼器(airdamper)控制下降速度(2)上下動(dòng)作行程(stroke):12mm(3)下降速度1030mm/秒(4)高度調(diào)整范圍0~67mm(試樣臺(tái)面和傳感器加壓面的距離)1.3試樣臺(tái)(1)試樣臺(tái)尺寸直徑80mm(2)微動(dòng)機(jī)構(gòu)由XY臺(tái)及測(cè)微頭進(jìn)行微動(dòng)。行程X軸、Y軸均為15mm(3)水平調(diào)整器水平調(diào)整用本體腳座及圓型水平器。氣泡直徑測(cè)定使用日立制作所(抹)制SEM2400掃描型電子顯微鏡，用圖像解析裝置解析以200倍倍率觀察的照片，由此計(jì)測(cè)照片中存在的所有氣泡直徑，以其平均值作為平均氣泡直徑。體積彈性模量的測(cè)定在內(nèi)容積約為40mL的不銹鋼制測(cè)定池中加入NBR橡膠片材27g(比重1.29、初始體積21m)和23。C的水，如圖5所示在其上安裝容量0.5mL的硼硅酸玻璃制計(jì)量吸管(最小刻度0.005mL)。另外，作為壓力容器使用聚氯乙烯樹脂制管(內(nèi)徑90mmcpx2000mm、壁厚5mm),向其中加入裝有上迷試樣片的測(cè)定池，在如表1所示的壓力P下氮加壓，測(cè)定體積變化V1。接下來，測(cè)定池中不加入試樣，在如表1所示的壓力P下氮加壓，僅測(cè)定水的體積變化V0。計(jì)算壓力P除以AV/Vi-(VI-VO)/Vi得到的值，作為上述試樣的體積彈性模量。在研磨過程中能夠光學(xué)性良好地測(cè)定研磨狀態(tài)的研磨裝置使用應(yīng)用材料(AppliedMaterials)(公司)的Mirra(注冊(cè)商標(biāo))3400或Reflexion(注冊(cè)商標(biāo))，在規(guī)定的研磨條件下一邊進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)一邊研磨。關(guān)于研磨特性，測(cè)定8英寸晶圓或12英寸晶圓的除去最外周3mm之外的研磨速率(埃/分鐘)和面內(nèi)均勻性=(最大研磨速率-最小研磨速率)/平均研磨速率xl00(%)。缺陷檢查使用KLA-Tencol(林)制SP-l或應(yīng)用材料(公司)制缺陷檢查裝置Complus,測(cè)定O.18)im以上的缺陷。吸水率的測(cè)定測(cè)定緩沖層試驗(yàn)片的干燥重量，在水中浸漬24小時(shí)后，測(cè)定吸水的試驗(yàn)片重量，按照(吸水的試驗(yàn)片重量-干燥重量)i干燥重量x100(%)的定義計(jì)算，所得值即為吸水率。實(shí)施例l用RIM成型機(jī)混合30重量份聚丙二醇、40重量份二苯基曱烷二異氰酸酯、0.5重量份水、0.3重量份三乙基胺、1.7重量份硅氧烷整泡劑和0.09重量份辛酸錫，注入金屬模中，進(jìn)行加壓成型，制成厚度2.6mm的具有獨(dú)立氣泡的發(fā)泡聚氨酯片材(微橡膠A硬度42，密度0.76g/cm3、獨(dú)立氣泡的平均氣泡直徑34|im)。將上述發(fā)泡聚氨酯片材在添加了0.2重量份偶氮二異丁腈的甲基丙烯酸甲酯中浸漬60分鐘。接下來，通過將上述發(fā)泡聚氨酯片材浸漬在由15重量份聚乙烯醇"CP"(聚合度約500、NACALAITESQUE(株)制)、35重量份乙醇(特級(jí)試劑、片山化學(xué)(林)制)、50重量份水構(gòu)成的溶液中，然后進(jìn)行干燥，由此用聚乙烯醇被覆上迷發(fā)泡聚氨酯片材表層。然后通過氯乙烯制墊片在2片玻璃板間夾持上述發(fā)泡聚氨酯片材，通過在65。C下加熱6小時(shí)、在120。C下加熱3小時(shí)使其聚合固化。從玻璃板間脫模，水洗后，在50。C下真空干燥。切割加工如上所述得到的硬質(zhì)發(fā)泡片材，使厚度為2.00mm,由此制作研磨層。研磨層中的曱基丙烯酸甲酯含有率為66重量％。另外，研磨層的微橡膠A硬度為98度、密度為0.81g/cm3、獨(dú)立氣泡的平均氣泡直徑為45(im。作為緩沖層，利用積水化學(xué)工業(yè)(抹)制5782W粘合層(中間月交帶)將日本MATAI(抹)制的熱塑性聚氨酯的微橡膠A硬度為65度的l.Omm制品(體積彈性模量-65MPa、拉伸彈性模量-4MPa、吸水率=0.2%)制成層合體，再在背面貼合積水化學(xué)工業(yè)(林)雙面膠帶5604TDX作為背面膠帶。將此層合體沖裁成直徑508mm的圓，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的46.5%(118mm)的位置，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的4.8%U2mm)、寬為半徑的9.4%(24mm)的貫通孔。所得結(jié)構(gòu)體的形狀如圖3、圖4所示。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端，位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%的位置。用NC刻紋機(jī)在上述研磨墊的研磨層表面形成槽寬lmm、槽深0.825mm、槽節(jié)距(gloovepitch)20mm的格子狀XY-槽，進(jìn)而形成研磨墊。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于激光透過的透明材料，在此透明材料上貼合在聚酯膜上涂布粘附材料的保護(hù)膜，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼附上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)(retainerring)壓力-8psi、內(nèi)管壓力=5psi、薄膜(membrane)壓力=7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)可以清楚地觀察到伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.5,最小為20.0,具有充分大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2500埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為12%。用KLA-Tencol社制商品名"SP-1"的缺陷檢查裝置測(cè)定研磨晶圓上0.18pm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為4個(gè)，良好。進(jìn)而，連續(xù)研磨9小時(shí)，可清楚地觀察伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.5，最小為20.0,能夠維持充分大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2400埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為13%。對(duì)研磨的晶圓用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18(im以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為6個(gè)，良好。實(shí)施例2用RIM成型機(jī)混合30重量份聚丙二醇、40重量份二苯基曱烷二異氰酸酯、0.5重量份水、0.4重量份三乙基胺、1.8重量份硅整泡劑和0.09重量份辛酸錫，注入金屬模中進(jìn)行加壓成型，制成厚度2.2mm的發(fā)泡聚氨酯片材(微橡膠八硬度=23度、密度0.47g/cm3、獨(dú)立氣泡平均直徑72(^m)。將上述發(fā)泡聚氨酯片材浸漬在添加了0.1重量份偶氮二異丁腈的甲基丙歸酸曱酯中1O分鐘。用玻璃板夾持被甲基丙烯酸甲酯膨潤(rùn)的發(fā)泡聚氨酯片材，在65。C下加熱6小時(shí)后，在10(TC下加熱3小時(shí)。加熱后從玻璃板中取出，在50。C下真空干燥。將所得的硬質(zhì)發(fā)泡片材雙面磨削，制成厚度為2.OOmm的研磨層。研磨層的聚曱基丙烯酸甲酯含有率為65重量％。另外，研磨層的微橡膠A硬度為87度、密度為0.50g/cm3、獨(dú)立氣泡平均直徑為109[im。將曰本MATAI(抹)制的熱塑性聚氨酯的微橡膠A硬度為75度的2.0mm制品(體積彈性模量-lOOMPa、拉伸彈性模量-7MPa)預(yù)先用具有寬2mm的圓刃的NC刻紋機(jī)刻出寬2mm、深lmm的溝，將其作為緩沖層，然后利用積水化學(xué)工業(yè)(抹)制550D粘合層(中間膠帶)與研磨層制成層合體，進(jìn)而在背面貼合積水化學(xué)工業(yè)(抹)雙面膠帶5604TDX作為背面膠帶。將此層合體沖裁成直徑508mm的圓，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的46.5%(118mm)的位置，用沖裁^L形成長(zhǎng)為半徑的4.8%(12mm)、寬為半徑的9.4%(24mm)的貫通孔。所得的結(jié)構(gòu)體的形狀為圖5、圖6所示的結(jié)構(gòu)。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端，位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%的位置。采用NC刻紋機(jī)在上述研磨墊的研磨層表面形成槽寬lmm、槽深0.6mm、槽節(jié)距30mm的格子狀XY-槽，進(jìn)而形成研磨墊。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼附上述研磨塾，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力=8psi、內(nèi)管壓力-5psi、薄膜壓力-7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.6，最小為20.2，具有充分大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2600埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好為9%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18ium以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為2個(gè)，良好。進(jìn)而，繼續(xù)研磨9小時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.7，最小為20.1，能夠維持充分大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2650埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為8%。對(duì)研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷4企查裝置測(cè)定0.18nm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為3個(gè)，良好。實(shí)施例3采用與實(shí)施例1相同的方法制作層合體。將此層合體沖裁成直徑為508mm的圓，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的37.8%(96mm)的位置，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的4.8%(12mm)、寬為半徑的9.4%(24mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的37.8%的位置。用NC刻紋機(jī)在上述研磨墊的研磨層表面上形成槽寬lmm、槽深度0.6mm、槽節(jié)距30mm的格子狀XY-槽，進(jìn)而形成研磨墊。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力=8psi、內(nèi)管壓力^5psi、薄膜壓力-7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為22,6、最小為19,2，存在較大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2600埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為9%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18pm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為3個(gè)，良好。進(jìn)而，繼續(xù)研磨9小時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為22.7,最小為19.1,能夠維持較大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn);險(xiǎn)測(cè)。氧化膜的研磨速率為2650埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為8%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18(im以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為5個(gè)，良好。實(shí)施例4采用與實(shí)施例l相同的方法，制作層合體。將此層合體沖裁成直徑775mm的圓，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的49.2%U91mm)的位置，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的3.01%(12mm)、寬為半徑的4.90%(19mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的49.2%的位置。用NC刻紋機(jī)在上述研磨墊的研磨層表面形成槽寬lmm、槽深0.825mm、槽節(jié)距20mm的格子狀XY-槽，進(jìn)而形成研磨墊。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"Reflexion(注冊(cè)商標(biāo))，，)的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的12英寸晶圓在卡環(huán)壓力=10.4psi、Zl=8psi、Z2=4.4psi、Z3=4psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-51rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=49rpm、以150cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為20.6,最小為18.2,存在較大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2300埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為10%。對(duì)于研磨的晶圓，用應(yīng)用材料社制商品名"Complus"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18jum以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為5個(gè)，良好。進(jìn)而，繼續(xù)研磨9小時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為20.5,最小為18.3,能夠維持較大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2450埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為9%。對(duì)于研磨的晶圓，用應(yīng)用材料社制商品名"Complus"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18pm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為6個(gè)，良好。實(shí)施例5采用與實(shí)施例l相同的方法，制作層合體。將此層合體沖裁成直徑為508mm的圓，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的54.3%(138mm)的位置，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的7.4%U9mm)、寬為半徑的9.4%(24mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端，位于距離研磨墊中心為半徑的54.3%的位置。用NC刻紋機(jī)在上述研磨墊的研磨層表面形成槽寬lmm、槽深0.6mm、槽節(jié)距30mm的格子狀XY-槽，進(jìn)而形成研磨墊。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力=8psi、內(nèi)管壓力-5psi、薄膜壓力-7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為19.6，最小為17.2，存在較大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)斗全測(cè)。氧化膜的研磨速率為2400埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為11%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18pm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為4個(gè)，良好。進(jìn)而，繼續(xù)研磨9小時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化由激光千涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為19.7，最小為17.3，能夠維持較大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2430埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為10%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18iim以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為4個(gè)，良好。實(shí)施例6采用與實(shí)施例l相同的方法，制作層合體。將此層合體沖裁成直徑為508mm的圓，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的35.4%(90mm)的位置用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的4.8%U2mm)、寬為半徑的4.8%(12mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的35.4%的位置。用NC刻紋機(jī)在上述研磨墊的研磨層表面形成槽寬lmm、槽深0.6mm、槽節(jié)距30mm的格子狀XY-槽，進(jìn)而形成研磨墊。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼附上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力-8psi、內(nèi)管壓力-5psi、薄膜壓力-7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為20.6，最小為18.3,存在較大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2550埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為9%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18pm以上的劃痕，劃痕數(shù)為3個(gè)，良好。進(jìn)而，繼續(xù)研磨9小時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為20.7,最小為18.5，能夠維持較大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2430埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為8%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18ium以上的劃痕，劃痕數(shù)為6個(gè)，良好。比壽交例l代替實(shí)施例1的研磨層，在市售的含有微球嚢的發(fā)泡聚氨酯IC-IOOO(NITTAHAAS社制)(密度0.82g/cm3、平均氣泡直徑23—(厚度1.25mm、大小直徑508mm)上，在開口部的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為118mm的位置形成長(zhǎng)12mm、寬24mm的開口部。在東麗(林)制的進(jìn)行了易粘合放電處理的4倍發(fā)泡聚乙烯泡沫的0.8mm制品(吸7^率=0.5%)上形成開口部，使其稍小于上述IC-IOOO上形成的開口部，使用住友3M(林)制雙面膠帶442J作為中間膠帶進(jìn)行貼合。貼合積水化學(xué)工業(yè)(株)雙面膠帶5604TDX作為背面膠帶。將預(yù)先準(zhǔn)備的與上述IC-IOOO的開口部相同的大小、厚度為1.25mm的硬質(zhì)聚氨酯(硬度微橡膠A硬度=99度)的窗部件嵌入上述研磨墊的研磨層開口部。用NC刻紋機(jī)在上述研磨墊的研磨層表面形成槽寬lmm、槽深0.6mm、槽節(jié)距20mm的格子狀XY-槽，進(jìn)而形成終點(diǎn)檢測(cè)用研磨墊。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合上述研磨墊，使窗部材料與其相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力-8psi、內(nèi)管壓力-5psi、薄膜壓力-7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.0，最小為21.0,具有充分大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2450埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為12%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18(am以上的劃痕，劃痕數(shù)為45個(gè)，不良。進(jìn)而，繼續(xù)研磨9小時(shí)，伴隨膜厚變化由激光千涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化降低，最大為22.1,最小為21.1,難以精度良好地進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2300埃/分鐘。面內(nèi)均勻性稍稍變差，為15%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-1"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18(im以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為90個(gè)，不良。比壽交例2在與實(shí)施例1相同的層合研磨墊中，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的29%(74mm)處，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的22.8%(58mm)、寬為半徑的7.4%(19mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的29%的位置。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力=8psi、內(nèi)管壓力=5psi、薄膜壓力-7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為21.5，最小為20.0,強(qiáng)度變化小，難于終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2800埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為7%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-1"的缺陷4企查裝置測(cè)定0.18iim以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為10個(gè)，良好。進(jìn)而，繼續(xù)研磨9小時(shí)，伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化最大為21.5，最小為20.0,強(qiáng)度變化小，難以終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2750埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為6%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-1"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18pm以上的劃痕，劃痕數(shù)為30個(gè)，不良。比專交例3在與實(shí)施例l相同的層合研磨墊中，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%(118mm)處，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的4.8%(12mm)、寬為半徑的19.6%(50mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%的位置。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力=Spsi、內(nèi)管壓力=5psi、薄膜壓力=7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.6,最小為20.2,具有充分大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2500埃/分鐘，面內(nèi)均勻性不良，為25%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-1"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18nm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為2個(gè)，良好。進(jìn)而，繼續(xù)研磨9小時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.7，最小為20.1,能夠維持充分大的強(qiáng)度變化、可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2400埃/分鐘。面內(nèi)均勻性不良，為30%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18pm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為10個(gè)，良好。比專交例4在與實(shí)施例l相同的層合研磨墊中，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的29.1%(73.9mm)處，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的4.8%(12mm)、寬為半徑的9.4%(24mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的29.1%的位置。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨才幾(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力=8psi、內(nèi)管壓力=5psi、薄膜壓力=7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，伴隨膜厚變化的由激光千涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化最大為21.5，最小為20.0，強(qiáng)度變化小，難以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2400埃/分鐘，面內(nèi)均勻性良好，為8%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18(im以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為2個(gè)，良好。比專交例5在與實(shí)施例l相同的層合研磨墊中，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%(118mm)處，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的9.4%(24mm)、寬為半徑的7.4%(19mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%的位置。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力=8psi、內(nèi)管壓力-5psi、薄膜壓力-7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.6,最小為20.2,具有充分大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2400埃/分鐘，面內(nèi)均勻性不良，為20%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18iam以上的劃痕，劃痕數(shù)為2個(gè)，良好。比壽交例6在與實(shí)施例1相同的層合研磨墊中，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%(118mm)處，用沖裁才幾形成長(zhǎng)為半徑的22.8%(58mm)、寬為半徑的7.4%(19mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%的位置。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"MIRRA(注冊(cè)商標(biāo))3400")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的8英寸晶圓在卡環(huán)壓力=8psi、內(nèi)管壓力-5psi、薄膜壓力-7psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-45rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=45rpm、以200cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，伴隨膜厚變化由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化最大為21.5,最小為20.0,強(qiáng)度變化小，難于進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2450埃/分鐘，面內(nèi)均勻性不良，為25%。對(duì)于研磨的晶圓，用KLA-Tencol社制商品名"SP-l"的缺陷才僉查裝置測(cè)定0.18nm以上的劃痕，劃痕數(shù)為2個(gè)，良好。比專交例7在與實(shí)施例4相同的層合研磨墊中，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的29.1%(113mm)處，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的4.9%(19mm)、寬為半徑的6.2%(24mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的29.1%。在安裝在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"Reflexion(注冊(cè)商標(biāo))")的定盤上的用于透過激光的透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的12英寸晶圓在卡環(huán)壓力==10.4psi、Zl=8psi、Z2=4.4psi、Z3=4psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-51rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=49rpm、以150cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，伴隨膜厚變化的由激光干涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化最大為21.5，最小為20.1,強(qiáng)度變化小，難于進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2320埃/分鐘。面內(nèi)均勻性良好，為10。/0。對(duì)于研磨的晶圓，用應(yīng)用材料社制商品名"Complus"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18nm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為5個(gè)，良好。比專交例8在與實(shí)施例4相同的層合研磨墊中，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%U80mm)處，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的15.0%(58mm)、寬為半徑的6.2%(24mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%的位置。在具有終點(diǎn)檢測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"Reflexion(注冊(cè)商標(biāo))，，)的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材相通。將具有氧化膜的12英寸晶圓在卡環(huán)壓力=10.4psi、Zl=8psi、Z2=4.4psi、Z3=4psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-51rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)數(shù)=49rpm、以150cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，伴隨膜厚變化的由激光千涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化最大為21.5，最小為20.2，強(qiáng)度變化小，難以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2250埃/分鐘。面內(nèi)均勻性不良，為24%。對(duì)于研磨的晶圓，用應(yīng)用材料社制商品名"Complus，，的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18pm以上的劃痕時(shí)，劃痕數(shù)為5個(gè)，良好。比專交例9在與實(shí)施例4相同的層合研磨墊中，在貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%U80mm)處，用沖裁機(jī)形成長(zhǎng)為半徑的15.0%(58mm)、寬為半徑的6.2%(24mm)的貫通孔。貫通孔的靠近研磨墊中心的一端位于距離研磨墊中心為半徑的46.5%的位置。在具有終點(diǎn);險(xiǎn)測(cè)功能的研磨機(jī)(應(yīng)用材料制"Reflexion(注冊(cè)商標(biāo))")的定盤上安裝用于透過激光的透明材料，在此透明材料上貼合保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是在聚酯膜上涂布粘附材料形成的，使透明材料不與漿料接觸。在上述定盤上貼合上述研磨墊，使貫通孔與定盤的透明材料相通。將具有氧化膜的12英寸晶圓在卡環(huán)壓力=10.4psi、Zl=8psi、Z2=4.4psi、Z3=4psi、平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)-51rpm、研磨頭旋轉(zhuǎn)翁:=49rpm、以150cc/分鐘的流量流入漿料(卡博特公司制、SS-12)的條件下，進(jìn)行研磨，此時(shí)，能夠清楚地觀察到伴隨膜厚變化的由激光千涉導(dǎo)致的強(qiáng)度變化，最大為23.6,最小為20.2,具有充分大的強(qiáng)度變化，可以進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)。氧化膜的研磨速率為2230埃/分鐘。面內(nèi)均勻性不良，為21%。對(duì)于研磨的晶圓，用應(yīng)用材料社制商品名"Complus"的缺陷檢查裝置測(cè)定0.18)im以上的劃痕，劃痕數(shù)為5個(gè)，良好。實(shí)施例1~6、比較例l~9的結(jié)果如表1所示。對(duì)于終點(diǎn)檢測(cè)，能才全測(cè)為A、略^:能^r測(cè)為B、不能4僉測(cè)則為C。對(duì)于面內(nèi)均勻性，初期和9小時(shí)后均良好時(shí)為A,初期良好而9小時(shí)后有變差傾向時(shí)為B，初期和9小時(shí)后均不良時(shí)為C。對(duì)于劃痕，良好時(shí)為A、稍好時(shí)為B、不良時(shí)為C。<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>權(quán)利要求1.一種研磨墊，其特征在于，設(shè)置有連通研磨面和背面的貫通孔，所述貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的35％以上，所述貫通孔的朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度等于或小于與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度，所述貫通孔的朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度為半徑的10％以下，與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度為半徑的12.5％以下。2、如權(quán)利要求l所述的研磨墊，其特征在于，具有連通所述貫通孔和研磨墊側(cè)面的通路。3、如權(quán)利要求l所述的研磨墊，研磨墊具有緩沖層，所述緩沖層的吸水率為5%以下。4、如權(quán)利要求3所述的研磨墊，緩沖層為無發(fā)泡的彈性體層。5、如權(quán)利要求l所述的研磨墊，其特征在于，在研磨面形成溝，所述溝在通過所述貫通孔中心位置的研磨墊的同心圓內(nèi)側(cè)區(qū)域不與所述貫通孔接觸。6、一種研磨裝置，所述研磨裝置至少具備下述部件如權(quán)利要求l所述的研磨墊；使所述研磨墊和襯底接觸、使其相對(duì)移動(dòng)進(jìn)行研磨的部件；及向上述研磨墊和被研磨材料之間供給漿料的部件；以及通過上述研磨墊的研磨層光學(xué)測(cè)定研磨狀態(tài)的部件。7、一種研磨裝置用保護(hù)膜，是用于權(quán)利要求6所述研磨裝置的保護(hù)膜，具有固定研磨墊的定盤、且所述定盤具有用于光學(xué)測(cè)定研磨狀態(tài)的孔及嵌入該孔中的透明材料，其特征在于，所述保護(hù)膜由基膜、粘合層和隔離膜三層構(gòu)成，粘合層上的隔離膜大于基膜的端部，被分割成2個(gè)以上。8、一種研磨方法，所述方法使用權(quán)利要求l所述的研磨墊，一邊研磨絕緣膜或金屬布線一邊光學(xué)測(cè)定研磨狀態(tài)。全文摘要本發(fā)明提供一種研磨墊及研磨裝置，所述研磨墊用于在玻璃、半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體及集成電路等上形成平坦面，在襯底表面不易產(chǎn)生劃痕，研磨過程中能夠光學(xué)性良好地測(cè)定研磨狀態(tài)，同時(shí)能夠測(cè)定是否能均勻地研磨被研磨材料的整個(gè)表面。為了解決上述課題，本發(fā)明采用以下方法即，本發(fā)明的研磨墊的特征在于，研磨過程中在通過晶圓中心的位置設(shè)置連通研磨面和背面的貫通孔，該貫通孔的靠近研磨墊中心的一端距離研磨墊中心為半徑的35％以上，該貫通孔在朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度等于或小于與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度，該貫通孔在朝向研磨墊中心方向的長(zhǎng)度為半徑的10％以下，與朝向研磨墊中心方向垂直的方向的長(zhǎng)度為半徑的12.5％以下。文檔編號(hào)B24B37/04GK101375375SQ200780003648公開日2009年2月25日申請(qǐng)日期2007年1月29日優(yōu)先權(quán)日2006年2月6日發(fā)明者城邦恭,本田智之,花本深雪申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社