技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種QLED的制備方法，在電子傳輸層上沉積發(fā)光層之前，對(duì)所述電子傳輸層進(jìn)行表面處理，包括以下步驟：將所述電子傳輸層進(jìn)行氧氣等離子體預(yù)處理或臭氧處理、以及紫外燈輻射處理，其中，所述紫外燈輻射處理的光子能量大于電子傳輸材料的有效能帶隙。本發(fā)明QLED的制備方法，可以有效減少電子傳輸層材料表面缺陷的濃度、去除有機(jī)殘留雜質(zhì)，從而減少電子傳輸層表面缺陷對(duì)激子的淬滅，進(jìn)而有效地提高QLED器件的發(fā)光效率和使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：陳崧;錢磊;楊一行;曹蔚然;向超宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TCL集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610971260
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.01
技術(shù)公布日：2017.02.15