1.一種QLED的制備方法，其特征在于，在電子傳輸層上沉積發(fā)光層之前，對所述電子傳輸層進(jìn)行表面處理，包括以下步驟：將所述電子傳輸層進(jìn)行氧氣等離子體預(yù)處理或臭氧處理、以及紫外燈輻射處理，其中，所述紫外燈輻射處理的光子能量大于電子傳輸材料的有效能帶隙。
2.如權(quán)利要求1所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述表面處理為真空條件下的氧氣等離子體預(yù)處理和紫外燈輻射處理，且所述氧氣等離子體預(yù)處理和紫外燈輻射處理同時進(jìn)行，處理時間30-300s，其中，
所述氧氣等離子體預(yù)處理的濺射功率為25-250mw/cm2，氧氣流量為5-1000sccm；
所述紫外燈輻射處理的功率密度≥100mw/cm2。
3.如權(quán)利要求2所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述表面處理在設(shè)置有磁控管的預(yù)清洗設(shè)備中進(jìn)行。
4.如權(quán)利要求1所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述表面處理為真空條件下的氧氣等離子體預(yù)處理和紫外燈輻射處理，其中，
所述氧氣等離子體預(yù)處理在設(shè)置有單獨(dú)氧離子發(fā)生裝置的表面處理設(shè)備中進(jìn)行，所述單獨(dú)氧離子發(fā)生裝置的通電線圈功率為10-200W，濺射功率為25-250mw/cm2，氧氣流量為5-200sccm，處理時間15-150s；
所述紫外燈輻射處理的功率密度≥100mw/cm2。
5.如權(quán)利要求1所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述表面處理為臭氧處理和紫外燈輻射處理。
6.如權(quán)利要求5所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述表面處理在紫外-臭氧發(fā)生裝置中進(jìn)行。
7.如權(quán)利要求6所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述紫外-臭氧發(fā)生裝置的功率≥100W。
8.如權(quán)利要求1-7任一所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸材料包括過渡族氧化物、II-VI族半導(dǎo)體、鈦酸鹽。
9.如權(quán)利要求8所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述過渡族氧化物包括氧化鋅、二氧化鈦、五氧化二鉭，其中，所述氧化鋅包括氧化鋅納米晶、非摻雜氧化鋅、非摻雜氧化鋅-有機(jī)納米復(fù)合物；所述II-VI族半導(dǎo)體包括硫化鋅、硒化鋅、碲化鋅、硫化鎘；所述鈦酸鹽包括鈦酸鉍、鈦酸鋇。
10.一種QLED，包括依次層疊設(shè)置的襯底、底電極、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和頂電極，其特征在于，所述電子傳輸層為權(quán)利要求1-9任一方法進(jìn)行表面處理的電子傳輸層。