4個(gè)第I及第2壁部31、32和第3壁部33和第4壁部34和第5壁部35為互相相似的形狀。
[0184]并且，在第I及第2壁部31、32與第3壁部33之間、第3壁部33與第4壁部34之間、第4壁部34與第5壁部35之間、以及第5壁部35的內(nèi)部，分別形成有真空槽13。
[0185]通過(guò)這樣將工件夾具10的上部(上表面11)利用多個(gè)壁部31?35分割地構(gòu)成，從而使工件夾具10的上表面11的面積(多個(gè)壁部31?35上表面的合計(jì)面積)減小，使多個(gè)真空槽13的合計(jì)面積(從上方觀察的面積)增加。由此，能夠提高由多個(gè)真空槽13對(duì)基板3的吸附力。為了使多個(gè)真空槽13更可靠地吸附基板3，優(yōu)選使多個(gè)真空槽13的合計(jì)面積比工件夾具10的上表面11的面積大。
[0186]另外，通過(guò)將第I及第2壁部31、32和第3壁部33和第4壁部34和第5壁部35做成為互相相似的形狀，從而第I?第5壁部31?35 (工件夾具10的上表面11)能夠均等地支承基板3。由此，能夠防止在抽真空時(shí)被吸附的基板3上產(chǎn)生凹凸。
[0187]此外，多個(gè)真空槽13既可以在工件夾具10的下部互相連結(jié)并與同一真空裝置連通，也可以各自與獨(dú)立的真空裝置連通。另外，壁部30不限定于由第I?第5壁部31?35構(gòu)成的構(gòu)成，也可以在第5壁部35的內(nèi)部進(jìn)一步設(shè)置其他壁部。
[0188](第7實(shí)施方式)
[0189]接下來(lái)，說(shuō)明本發(fā)明的第7實(shí)施方式的曝光裝置I。此外，由于本實(shí)施方式的曝光裝置與第6實(shí)施方式的基本的構(gòu)成相同，因此，對(duì)于不同的部分進(jìn)行詳細(xì)記述，對(duì)于相同的部分，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略說(shuō)明。
[0190]在真空槽13的底部形成有具有與該真空槽13的深度大致相同的高度的多個(gè)突起114。從上方觀察突起114的形狀不限定于圖14所示那樣的大致正方形狀，能夠做成為例如圓形、矩形等任意的形狀。另外，突起114的上表面的形狀不限定于圖14所示那樣的平面形狀，也可以是例如圓筒面那樣與基板3進(jìn)行線接觸那樣的形狀、如球面那樣與基板3進(jìn)行點(diǎn)接觸那樣的形狀。
[0191]這樣，通過(guò)在真空槽113的底部設(shè)置多個(gè)突起114，從而突起114與上表面11 一起均等地支承基板3。因此，能夠防止在抽真空時(shí)被吸附的基板3上產(chǎn)生凹凸。
[0192]另外，本申請(qǐng)基于2014年5月8日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2014 — 096930、2014年10月29日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2014 - 219827、及2014年10月29日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2014 - 219842，將其內(nèi)容作為參照援引于此。
[0193]此外，本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，能夠適當(dāng)進(jìn)行變更、改良等。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種曝光方法， 具有被曝光的基板配置于上方的基座， 所述曝光方法包括:將來(lái)自曝光用光源的光隔著掩模照射到所述基板來(lái)進(jìn)行曝光的工序， 所述曝光方法的特征在于， 在所述基座的上表面設(shè)置有多個(gè)凹槽， 在所述凹槽的內(nèi)部配置有波紋管，所述波紋管在上下方向伸縮自由，且所述波紋管的上端比所述基座的上表面向上方突出， 在所述凹槽的內(nèi)部，在所述波紋管的內(nèi)部或外部設(shè)置有具有支承面的支承部件，所述支承面與所述基座的上表面位于同一面上、或位于比該上表面靠上方的位置， 所述曝光方法包括以下工序: 將所述基板載置到多個(gè)所述波紋管上的工序；及 通過(guò)將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過(guò)將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而使所述基板具有與多個(gè)所述支承面的位置關(guān)系對(duì)應(yīng)的曲率的工序。2.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于， 多個(gè)所述支承部件的支承面與所述基座的上表面位于同一面上， 所述曝光方法包括以下工序: 將所述基板載置到多個(gè)所述波紋管上的工序；及 通過(guò)將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過(guò)將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而將所述基板以平面狀固定的工序。3.如權(quán)利要求2所述的曝光方法，其特征在于， 所述基座是在所述上表面形成有能夠抽真空的多個(gè)真空槽的工件夾具， 所述曝光方法包括:通過(guò)將多個(gè)所述真空槽抽真空，從而將所述基板的下表面吸附固定于所述工件夾具的上表面的工序。4.如權(quán)利要求3所述的曝光方法，其特征在于， 多個(gè)所述真空槽的合計(jì)面積比所述工件夾具的上表面的面積大。5.如權(quán)利要求3或4所述的曝光方法，其特征在于， 在所述真空槽的底部形成有具有與所述真空槽的深度大致相同的高度的多個(gè)突起。6.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于， 多個(gè)所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時(shí)在上下方向升降， 所述曝光方法包括以下工序: 通過(guò)使多個(gè)所述支承部件上升，從而使該支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方處互相位于同一平面上的工序； 將所述基板載置到多個(gè)所述波紋管上的工序； 通過(guò)將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過(guò)將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而使所述基板為平面狀的工序；及 使所述支承部件下降，而使所述基板的下表面與所述基座的上表面緊貼的工序。7.如權(quán)利要求6所述的曝光方法，其特征在于， 所述基座是在所述上表面形成有能夠抽真空的多個(gè)真空槽的工件夾具， 所述曝光方法包括:通過(guò)將多個(gè)所述真空槽抽真空，從而將所述基板的下表面吸附固定于所述工件夾具的上表面的工序。8.如權(quán)利要求7所述的曝光方法，其特征在于， 多個(gè)所述真空槽的合計(jì)面積比所述工件夾具的上表面的面積大。9.如權(quán)利要求7或8所述的曝光方法，其特征在于， 在所述真空槽的底部形成有具有與所述真空槽的深度大致相同的高度的多個(gè)突起。10.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于， 多個(gè)所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時(shí)在上下方向升降， 所述曝光方法包括以下工序: 通過(guò)使多個(gè)所述支承部件上升，從而使該支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方處互相位于同一平面上的工序； 將所述基板載置到多個(gè)所述波紋管上的工序；及 通過(guò)將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過(guò)將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而使所述基板為平面狀的工序。11.如權(quán)利要求10所述的曝光方法，其特征在于， 具有對(duì)從所述基座的上表面到所述基板的下表面的距離進(jìn)行測(cè)量的傳感器， 所述曝光方法包括:基于由所述傳感器得到的所述基板的位置信息，使多個(gè)所述支承部件升降，而使所述基板為平面狀的工序。12.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于， 多個(gè)所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時(shí)在上下方向升降， 所述曝光方法包括以下工序: 通過(guò)使多個(gè)所述支承部件上升，從而使該支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方處位于使得各自的所述支承面與所述掩模的下表面的上下方向距離大致相同的位置的工序； 將所述基板載置到多個(gè)所述波紋管上的工序；及 通過(guò)將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過(guò)將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而使所述基板具有與多個(gè)所述支承面的位置關(guān)系對(duì)應(yīng)的曲率，使所述基板的上表面與所述掩模的下表面的上下方向距離均勻的工序。13.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于， 多個(gè)所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時(shí)在上下方向升降， 所述曝光方法包括以下工序: 通過(guò)使多個(gè)所述支承部件上升，從而使該支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方處互相位于同一平面上的工序； 使多個(gè)所述支承部件之中的至少一個(gè)上升或下降的工序； 將所述基板載置到多個(gè)所述波紋管上的工序；及 通過(guò)將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過(guò)將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而在與具有局部變形的所述基板相對(duì)應(yīng)的位置改變所述支承面的高度，由此使所述基板具有期望的曲率，使所述基板局部翹曲的工序。14.一種曝光裝置，其包括: 基座，被曝光的基板配置于上方；及 曝光用光源，其隔著掩模將光照射到所述基板， 所述曝光裝置的特征在于， 在所述基座的上表面設(shè)置有多個(gè)凹槽， 在所述凹槽的內(nèi)部配置有波紋管，所述波紋管在上下方向伸縮自由，所述波紋管的上端比所述基座的上表面向上方突出， 在所述凹槽的內(nèi)部，在所述波紋管的內(nèi)部或外部設(shè)置有具有支承面的支承部件，所述支承面與所述基座的上表面位于同一面上、或位于比該上表面靠上方的位置， 所述波紋管的內(nèi)部能夠抽真空。15.如權(quán)利要求14所述的曝光裝置，其特征在于， 所述基座是在所述上表面形成有能夠抽真空的多個(gè)真空槽的工件夾具。16.如權(quán)利要求14或15所述的曝光裝置，其特征在于， 多個(gè)所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時(shí)在上下方向升降。17.如權(quán)利要求15所述的曝光裝置，其特征在于， 多個(gè)所述真空槽的合計(jì)面積比所述工件夾具的上表面的面積大。18.如權(quán)利要求17所述的曝光裝置，其特征在于， 在所述真空槽的底部形成有具有與所述真空槽的深度大致相同的高度的多個(gè)突起。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種曝光方法和曝光裝置，能夠抑制在基板及掩模發(fā)生損傷，并且使基板具有期望的曲率。包括以下工序：將基板(3)載置到多個(gè)波紋管(17)上的工序；通過(guò)將波紋管(17)的內(nèi)部抽真空，從而使波紋管(17)的上端(17a)吸附于基板(3)的下表面(3a)并且收縮，通過(guò)將基板(3)按壓于支承部件(19)的支承面(19a)，從而使基板(3)具有與多個(gè)支承面(19a)的位置關(guān)系對(duì)應(yīng)的曲率的工序。
【IPC分類】G03F7/20
【公開(kāi)號(hào)】CN105093844
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510232828
【發(fā)明人】佐治伸仁
【申請(qǐng)人】恩斯克科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年5月8日