光刻裝置、確定方法和產(chǎn)品的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光刻裝置、確定方法和產(chǎn)品的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]將掩模圖案轉(zhuǎn)印到基板上的曝光裝置是在半導(dǎo)體器件等的制造步驟(光刻步驟)中要使用的裝置之一。在曝光裝置中,全局對(duì)準(zhǔn)方法一般用作掩模與基板之間的對(duì)準(zhǔn)的方法。在全局對(duì)準(zhǔn)方法中,通過檢測(cè)在基板上形成的某些代表性的投射區(qū)域(樣本投射區(qū)域(sample shot reg1n))的位置并且使用通過統(tǒng)計(jì)處理檢測(cè)結(jié)果而獲得的并且用作基板上的所有投射區(qū)域中的公共指標(biāo)(index)的指標(biāo),來執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)。為了增加產(chǎn)量,日本專利公開N0.2005-217092已提出確定樣本投射區(qū)域的檢測(cè)次序以減少基板臺(tái)架在樣本投射區(qū)域的位置檢測(cè)的結(jié)束與樣本投射區(qū)域的曝光的開始之間的移動(dòng)距離的方法。
[0003]—般地,曝光裝置包括用光照射基板臺(tái)架的側(cè)表面并且基于反射光來測(cè)量基板臺(tái)架的位置的測(cè)量單元(例如,干涉儀),并且基于測(cè)量單元的測(cè)量結(jié)果來控制基板臺(tái)架的移動(dòng)。如果由于隨著基板臺(tái)架的移動(dòng)而產(chǎn)生的熱量的影響在從測(cè)量單元發(fā)射的光的光路上出現(xiàn)溫度分布,則在測(cè)量單元的測(cè)量結(jié)果中可能出現(xiàn)誤差。然后,如果在檢測(cè)每個(gè)樣本投射區(qū)域的位置時(shí)出現(xiàn)這種誤差,則可能變得難以精確地獲得在基板上的所有投射區(qū)域中使用的公共指標(biāo)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明例如提供了就執(zhí)行全局對(duì)準(zhǔn)而言有利的技術(shù)。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種在基板上形成圖案的光刻裝置,該裝置包括:臺(tái)架,保持基板并且是可移動(dòng)的;測(cè)量單元,被配置為用光照射臺(tái)架的側(cè)表面并且基于由該側(cè)表面反射的光來測(cè)量臺(tái)架的位置;產(chǎn)生單元,被配置為在臺(tái)架移動(dòng)的空間中產(chǎn)生氣流;檢測(cè)單元,被配置為檢測(cè)在基板上形成的多個(gè)樣本投射區(qū)域的各自的位置;以及控制單元,被配置為確定檢測(cè)單元檢測(cè)樣本投射區(qū)域的次序,使得在位于氣流的相對(duì)于基板中心的下游側(cè)的樣本投射區(qū)域當(dāng)中,從最接近測(cè)量單元的樣本投射區(qū)域開始依次執(zhí)行檢測(cè)單元的檢測(cè)。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種在基板上形成圖案的光刻裝置,該裝置包括:臺(tái)架,保持基板并且是可移動(dòng)的;測(cè)量單元,被配置為用光照射臺(tái)架的側(cè)表面并且基于由該側(cè)表面反射的光來測(cè)量臺(tái)架的位置;產(chǎn)生單元,被配置為在臺(tái)架移動(dòng)的空間中產(chǎn)生氣流;檢測(cè)單元,被配置為檢測(cè)在基板上形成的多個(gè)樣本投射區(qū)域的各自的位置;以及控制單元,被配置為根據(jù)從多個(gè)模式中選擇的模式來確定檢測(cè)單元檢測(cè)樣本投射區(qū)域的次序,其中所述多個(gè)模式包括第一模式和第二模式,在第一模式中確定次序使得關(guān)于位于氣流的相對(duì)于基板中心的下游側(cè)的樣本投射區(qū)域從更接近測(cè)量單元的樣本投射區(qū)域依次執(zhí)行檢測(cè)單元的檢測(cè),在第二模式中確定次序使得使檢測(cè)單元對(duì)多個(gè)樣本投射區(qū)域的各自的位置進(jìn)行檢測(cè)所需的時(shí)間段變得短于允許的時(shí)間。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種產(chǎn)品的制造方法,該方法包括以下的步驟:使用光刻裝置在基板上形成圖案;以及處理其上形成有圖案的基板以制造產(chǎn)品,其中,光刻裝置在基板上形成圖案并且包括:臺(tái)架,保持基板并且是可移動(dòng)的;測(cè)量單元,被配置為用光照射臺(tái)架的側(cè)表面并且基于由該側(cè)表面反射的光來測(cè)量臺(tái)架的位置;產(chǎn)生單元,被配置為在臺(tái)架移動(dòng)的空間中產(chǎn)生氣流;檢測(cè)單元,被配置為檢測(cè)在基板上形成的多個(gè)樣本投射區(qū)域的各自的位置;以及控制單元,被配置為確定檢測(cè)單元檢測(cè)樣本投射區(qū)域的次序,使得在位于氣流的相對(duì)于基板中心的下游側(cè)的樣本投射區(qū)域當(dāng)中,從最接近測(cè)量單元的樣本投射區(qū)域開始依次執(zhí)行檢測(cè)單元的檢測(cè)。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種在光刻裝置中確定檢測(cè)單元檢測(cè)樣本投射區(qū)域的次序的方法,所述光刻裝置在基板上形成圖案并且包括:臺(tái)架,保持基板并且是可移動(dòng)的;測(cè)量單元,被配置為用光照射臺(tái)架的側(cè)表面并且基于由該側(cè)表面反射的光來測(cè)量臺(tái)架的位置;產(chǎn)生單元,被配置為在臺(tái)架移動(dòng)的空間中產(chǎn)生氣流;以及檢測(cè)單元,被配置為檢測(cè)在基板上形成的多個(gè)樣本投射區(qū)域的各自的位置,該方法包括:確定所述次序,使得在位于氣流的相對(duì)于基板中心的下游側(cè)的樣本投射區(qū)域當(dāng)中,從最接近測(cè)量單元的樣本投射區(qū)域開始依次執(zhí)行檢測(cè)單元的檢測(cè)。
[0009]參照附圖閱讀示例性實(shí)施例的以下描述,本發(fā)明的其它特征將變得清楚。
【附圖說明】
[0010]圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的曝光裝置的布置的示意圖;
[0011]圖2是示出了基板臺(tái)架及其周邊部分的布置的示意圖;
[0012]圖3是用于說明通過基板臺(tái)架的移動(dòng)而產(chǎn)生的熱量的示圖;
[0013]圖4是示出了保持基板的基板臺(tái)架及其周邊部分的布置的示意圖;
[0014]圖5示出了用于說明第一測(cè)量單元與基板臺(tái)架之間的位置關(guān)系的示圖;
[0015]圖6是示出了保持基板的基板臺(tái)架及其周邊部分的布置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面參照附圖來描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。注意,在所有附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件,并且將不會(huì)給出對(duì)其的重復(fù)描述。在以下實(shí)施例中,將描述把掩模圖案轉(zhuǎn)印到基板上的曝光裝置。但是,本發(fā)明不限于此。本發(fā)明例如也可應(yīng)用于諸如使用模具來使基板上的壓印材料成形的壓印裝置,或用帶電粒子束照射基板并在基板上形成圖案的繪制裝置之類的光刻裝置。
[0017]〈第一實(shí)施例〉
[0018]將參照?qǐng)D1來描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的曝光裝置100。圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的曝光裝置100的布置的示意圖。曝光裝置100例如可包括照射光學(xué)系統(tǒng)11、投影光學(xué)系統(tǒng)12、掩模臺(tái)架13、基板臺(tái)架14、檢測(cè)單元15和控制單元16。例如,控制單元16包含CPU、或存儲(chǔ)器等,并且控制把在掩模I上形成的圖案轉(zhuǎn)印到基板2上的處理(對(duì)基板2進(jìn)行曝光的處理)。
[0019]照射光學(xué)系統(tǒng)11用從光源(未示出)發(fā)射的光照射由掩模臺(tái)架13保持的掩模I。投影光學(xué)系統(tǒng)12具有預(yù)定的倍率(例如,X 1/2),并且把在掩模I上形成的圖案投影到基板2上。掩模I和基板2分別由掩模臺(tái)架13和基板臺(tái)架14保持,并且經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)12在光學(xué)上位于近乎共軛位置(投影光學(xué)系統(tǒng)12的物面和像面)中。例如,掩模臺(tái)架13通過真空夾具或靜電夾具等保持掩模1,并且被配置為能夠在例如X方向和Y方向上移動(dòng)。例如,基板臺(tái)架14通過真空夾具或靜電夾具等保持基板2,并且被配置為能夠在例如X方向和Y方向上移動(dòng)。
[0020]檢測(cè)單元15檢測(cè)在基板上形成的某些代表性的投射區(qū)域2a(多個(gè)樣本投射區(qū)域2b)的位置(包含旋轉(zhuǎn)),以使用全局對(duì)準(zhǔn)方法來執(zhí)行掩模I與基板2之間的對(duì)準(zhǔn)。檢測(cè)單元15例如通過檢測(cè)設(shè)在樣本投射區(qū)域2b中的多個(gè)標(biāo)記來獲取各樣本投射區(qū)域2b的位置。這允許控制單元16通過統(tǒng)計(jì)處理由檢測(cè)單元15檢測(cè)到的各樣本投射區(qū)域2b的位置來獲得在基板上的所有投射區(qū)域2a中使用的公共指標(biāo)。在第一實(shí)施例中,檢測(cè)單元15被提供為在不干涉投影光學(xué)系統(tǒng)12的情況下檢測(cè)各樣本投射區(qū)域2b的位置的軸外檢測(cè)單元。但是,本發(fā)明不限于此。檢測(cè)單元15例如可被提供為經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)12檢測(cè)各樣本投射區(qū)域2b的位置的TTL(通過透鏡,Through The Lens)檢測(cè)單元。
[0021]現(xiàn)在將參照?qǐng)D2來描述基板臺(tái)架14及其周邊部分的布置。圖2是示出了基板臺(tái)架14及其周邊部分的布置的示意圖?;迮_(tái)架14保持基板2,并被配置為能夠在例如X方向和Y方向上在基座部件10上移動(dòng)。在根據(jù)第一實(shí)施例的曝光裝置100中,例如,如圖2中所示,設(shè)有被配置為在X方向和Y方向上驅(qū)動(dòng)基板臺(tái)架14的X滑動(dòng)器8和Y滑動(dòng)器9。X滑動(dòng)器8在基座部件10上在X方向上驅(qū)動(dòng)基板臺(tái)架14。Y滑動(dòng)器9在基座部件10上在Y方向上驅(qū)動(dòng)基板臺(tái)架14。通過如上所述地提供X滑動(dòng)器8和Y滑動(dòng)器9,保持基板2的基板臺(tái)架14可被配置為能夠在基座部件10上移動(dòng)。基板臺(tái)架14還可具有例如在Z方向上驅(qū)動(dòng)基板2以調(diào)整基板2的高度、在Θ方向上旋轉(zhuǎn)基板2、或者校正基板2的傾斜的功能。
[0022]第一測(cè)量單元4和第二測(cè)量單元5測(cè)量基板臺(tái)架14的位置。第一測(cè)量單元4包括例如干涉儀,用光照射基板臺(tái)架14的在X方向(第一方向)上的側(cè)表面,并且基于由該側(cè)表面反射的光來獲得基板臺(tái)架14在X方向上距基準(zhǔn)位置的位移。這允許第一測(cè)量單元4測(cè)量基板臺(tái)架14在X方向上的位置。在圖2所示的示例中,第一測(cè)量單元4設(shè)在X滑動(dòng)器8上。但是,第一測(cè)量單元4可以位于可用光照射基板臺(tái)架14的X方向上的側(cè)表面的位置。
[0023]與第一測(cè)量單元4類似,第二測(cè)量單元5包括例如干涉儀,用光照射基板臺(tái)架14的Y方向上的側(cè)表面,并且基于由該側(cè)表面反射的光來獲得基板臺(tái)架14在Y方向上的位移。