致的熱量，以及難以在第一測量單元4的測量結果中造成誤差。在對樣本投射區(qū)域A2的位置進行檢測之后，如圖5的56中所示，控制單元16控制基板臺架14把首先執(zhí)行圖案形成的投射區(qū)域El置于位置21中。
[0034]在曝光裝置100中，當在基板2上形成圖案時，用戶可能希望重視例如重合精度或產量(產率)。因此，可取的是，在確定通過檢測單元15對各樣本投射區(qū)域2b的位置進行檢測的檢測次序時用戶可以選擇例如重視重合精度或產量。因此，在根據(jù)第一實施例的曝光裝置100中，如圖1中所示，設有由用戶用來向控制單元16給出指令的控制臺單元18。這允許用戶根據(jù)用途來在用于確定檢測次序的多個模式中選擇模式。然后，控制單元16根據(jù)用戶選擇的模式來確定檢測次序。所述多個模式例如可包括重視重合精度的模式(第一模式)和重視產量的模式(第二模式)。在第一模式中，確定檢測次序，以使得在下游側的樣本投射區(qū)域2b中更接近第一測量單元4的樣本投射區(qū)域首先經受檢測單元15的檢測，并且可精確地獲得在多個投射區(qū)域2a中使用的公共指標。另一方面，在第二模式中，確定檢測次序，以使得使檢測單元15檢測各樣本投射區(qū)域2b的位置所需的檢測時間變得比允許時間短(例如，最短)。與第一模式相比，在第二模式中，不能精確地獲得指標，但是可以減少檢測時間(增加產量)。
[0035]如上所述，根據(jù)第一實施例的曝光裝置100確定檢測次序，使得在下游側的樣本投射區(qū)域中更接近第一測量單元4的樣本投射區(qū)域首先經受檢測單元15的檢測。作為結果，可以使得難以由向第一測量單元4的光路施加由基板臺架14的移動導致的熱量而造成誤差，并因此精確地獲得在多個投射區(qū)域2a中使用的公共指標。在第一實施例中，如圖4中所示，已描述了在基板上形成四個樣本投射區(qū)域2b的示例。但是，例如如圖6中所示，可在基板上環(huán)狀地形成多個樣本投射區(qū)域2b。另外，在這種情況下，通過根據(jù)上述條件來確定如圖6中的箭頭所示的檢測次序，可以使得難以向第一測量單元4的光路4a施加由基板臺架14的移動導致的熱量H，以及難以在第一測量單元4的測量結果中造成誤差。
[0036]<產品的制造方法的實施例>
[0037]根據(jù)本發(fā)明實施例的產品的制造方法適于制造例如諸如半導體器件之類的微器件或具有微結構的元件的產品。根據(jù)本實施例的產品的制造方法包括:使用上述光刻裝置(曝光裝置)來在基板上形成圖案的步驟(對基板進行曝光的步驟)，和處理已在前面的步驟中形成所述圖案的基板的步驟。該制造方法還包括其它已知的步驟(氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑剝離、切割、接合和封裝等)。與傳統(tǒng)的方法相比，根據(jù)本實施例的產品的制造方法在產品的性能、質量、生產率和生產成本中的至少一個上是有利的。
[0038]雖然已參照示例性實施例描述了本發(fā)明，但應理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實施例。以下的權利要求的范圍應被賦予最寬泛的解釋以包含所有這種修改和等同的結構及功能。
【主權項】
1.一種在基板上形成圖案的光刻裝置，其特征在于，該裝置包括: 臺架，保持基板并且是能移動的； 測量單元，被配置為用光照射臺架的側表面并且基于由所述側表面反射的光來測量臺架的位置； 產生單元，被配置為在臺架移動的空間中產生氣流； 檢測單元，被配置為檢測在基板上形成的多個樣本投射區(qū)域的各自的位置；以及 控制單元，被配置為確定檢測單元檢測樣本投射區(qū)域的次序，使得在位于氣流的相對于基板的中心的下游側的樣本投射區(qū)域當中，從最接近測量單元的樣本投射區(qū)域開始依次執(zhí)行檢測單元的檢測。2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述控制單元獲取指示基板上的各樣本投射區(qū)域的位置的信息，并且使用該信息來確定所述次序。3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述控制單元獲取指示基板上的各樣本投射區(qū)域的坐標的信息，并且使用該信息來確定所述次序。4.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述產生單元包括噴射單元，所述噴射單元被配置為噴射氣體以在所述空間中產生與從測量單元發(fā)射的光的方向相交的方向上的氣流。5.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述控制單元確定所述次序以滿足:關于位于氣流的相對于基板的中心的下游側的樣本投射區(qū)域從更接近測量單元的樣本投射區(qū)域依次執(zhí)行檢測單元的檢測的條件，以及使得使檢測單元檢測所述多個樣本投射區(qū)域的各自的位置所需的時間段比允許時間短的條件。6.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述控制單元確定所述次序以滿足:關于位于氣流的相對于基板的中心的下游側的樣本投射區(qū)域從更接近測量單元的樣本投射區(qū)域依次執(zhí)行檢測單元的檢測的條件，以及使得用于移動臺架以使檢測單元檢測所述多個樣本投射區(qū)域的各自的位置的距離比允許值小的條件。7.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，基板包含多個投射區(qū)域，在所述多個投射區(qū)域的每個上應形成圖案，并且， 所述控制單元確定所述次序，以滿足關于位于氣流的相對于基板的中心的下游側的樣本投射區(qū)域從更接近測量單元的樣本投射區(qū)域依次執(zhí)行檢測單元的檢測的條件，并且使得臺架在檢測單元的檢測的結束與各投射區(qū)域中的圖案形成的開始之間的移動量最小。8.根據(jù)權利要求1所述的裝置，還包括輸送單元，所述輸送單元被配置為將基板輸送到臺架上， 其中，所述控制單元確定所述次序，以滿足關于位于氣流的相對于基板的中心的下游側的樣本投射區(qū)域從更接近測量單元的樣本投射區(qū)域依次執(zhí)行檢測單元的檢測的條件，并且使得臺架在通過輸送單元將基板輸送到臺架上的結束與檢測單元的檢測開始之間的移動量最小。9.一種在基板上形成圖案的光刻裝置，其特征在于，該裝置包括: 臺架，保持基板并且是能移動的； 測量單元，被配置為用光照射臺架的側表面并且基于由所述側表面反射的光來測量臺架的位置； 產生單元，被配置為在臺架移動的空間中產生氣流； 檢測單元，被配置為檢測在基板上形成的多個樣本投射區(qū)域的各自的位置；以及 控制單元，被配置為根據(jù)從多個模式中選擇的模式來確定檢測單元檢測樣本投射區(qū)域的次序， 其中，所述多個模式包括第一模式和第二模式，其中，在第一模式中，確定所述次序使得關于位于氣流的相對于基板的中心的下游側的樣本投射區(qū)域從更接近測量單元的樣本投射區(qū)域依次執(zhí)行檢測單元的檢測；在第二模式中，確定所述次序使得使檢測單元檢測所述多個樣本投射區(qū)域的各自的位置所需的時間段比允許時間短。10.一種產品的制造方法，其特征在于，該方法包括以下的步驟: 使用光刻裝置來在基板上形成圖案；以及 處理上面已形成有圖案的基板以制造產品， 其中，光刻裝置在基板上形成圖案，并且所述光刻裝置包括: 臺架，保持基板并且是能移動的； 測量單元，被配置為用光照射臺架的側表面并且基于由所述側表面反射的光來測量臺架的位置； 產生單元，被配置為在臺架移動的空間中產生氣流； 檢測單元，被配置為檢測在基板上形成的多個樣本投射區(qū)域的各自的位置；以及 控制單元，被配置為確定檢測單元檢測樣本投射區(qū)域的次序，使得在位于氣流的相對于基板的中心的下游側的樣本投射區(qū)域當中，從最接近測量單元的樣本投射區(qū)域開始依次執(zhí)行檢測單元的檢測。11.一種在光刻裝置中確定通過檢測單元檢測樣本投射區(qū)域的次序的方法，所述光刻裝置在基板上形成圖案并且包括:臺架，保持基板并且是能移動的；測量單元，被配置為用光照射臺架的側表面并且基于由所述側表面反射的光來測量臺架的位置；產生單元，被配置為在臺架移動的空間中產生氣流；以及檢測單元，被配置為檢測在基板上形成的多個樣本投射區(qū)域的各自的位置， 其特征在于，該方法包括: 確定所述次序，使得在位于氣流的相對于基板的中心的下游側的樣本投射區(qū)域當中，從最接近測量單元的樣本投射區(qū)域開始依次執(zhí)行檢測單元的檢測。
【專利摘要】本發(fā)明涉及光刻裝置、確定方法和產品的制造方法。本發(fā)明提供一種在基板上形成圖案的光刻裝置，該裝置包括：臺架，保持基板并且是能移動的；測量單元，被配置為用光照射臺架的側表面并且基于由側表面反射的光來測量臺架的位置；產生單元，被配置為在臺架移動的空間中產生氣流；檢測單元，被配置為檢測在基板上形成的多個樣本投射區(qū)域的各自的位置；以及控制單元，被配置為確定通過檢測單元檢測樣本投射區(qū)域的次序，使得在位于氣流的相對于基板中心的下游側的樣本投射區(qū)域當中，從最接近測量單元的樣本投射區(qū)域開始依次執(zhí)行檢測單元的檢測。
【IPC分類】G03F7/20
【公開號】CN105093845
【申請?zhí)枴緾N201510257107
【發(fā)明人】小倉匡博, 三島和彥, 水元一史
【申請人】佳能株式會社
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年5月20日
【公告號】EP2947512A2, US20150338751