曝光方法和曝光裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及曝光方法和曝光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為曝光裝置，已知的曝光裝置包括:基座，被曝光的基板被配置在該基座的上方；及曝光用光源，其將光隔著掩模照射到基板。在這樣的曝光裝置中，在掩模上形成有預(yù)定的圖案。并且，通過將光隔著該掩模照射到基板，從而將圖案轉(zhuǎn)印到基板。
[0003]此處，基板并非一定是平坦的，尤其是在作業(yè)工序已經(jīng)進(jìn)展的基板，發(fā)生變形的情況多。在這樣基板不平坦的情況下，不能使基板適當(dāng)?shù)匚接诨?例如工件夾具)，曝光精度有可能惡化。
[0004]因此，如圖15所示，在專利文獻(xiàn)I的基板曝光裝置中，首先，利用在下表面202粘附固定有掩模膜100M的上框200來按壓膜狀的基板100W。由此，消除基板100W的翹曲、折皺，在下框100的上表面102上使基板100W平坦。然后，通過用真空吸附裝置120進(jìn)行抽真空，從而將基板100W吸附固定于下框100的上表面102。
[0005]另外，如圖16所示，專利文獻(xiàn)2的曝光裝置具有:基板支承臺312，其支承基板311 ;及中空的密封部件313，其以將基板311的周圍圍繞的方式延伸。在密封部件313上載置光掩模306。將壓力供給到由基板支承臺312和基板311和密封部件313和光掩模306包圍的第I空間327、及密封部件313的中空內(nèi)部即第2空間328。并且，通過適當(dāng)設(shè)定該壓力的值，從而實現(xiàn)使光掩模306遍及基板311的表面整體均勻地緊貼。另外，在基板支承臺312上形成有多個吸引孔325，通過對吸引孔325施加負(fù)壓，從而吸附并保持基板311。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2001 - 209192號公報
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本特開2004 - 54255號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明欲解決的技術(shù)問題
[0011]但是，在專利文獻(xiàn)I及2的發(fā)明中，由于需要使基板與掩模接觸，因此，有可能在基板及掩模的接觸面發(fā)生損傷。
[0012]另外，不只是基板，也可能存在掩模不平坦的情況，在這樣的情況下，需要在使基板的形狀與掩模的形狀對應(yīng)之后進(jìn)行曝光。但是，專利文獻(xiàn)I及2僅記載了使基板平坦，而難以對應(yīng)這樣的事態(tài)。
[0013]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供能夠抑制在基板及掩模上發(fā)生損傷、并且使基板具有期望的曲率的曝光方法和曝光裝置。此外，所說的使“基板具有期望的曲率”也包含使基板曲率為零而使基板平坦的情況。
[0014]用于解決問題的技術(shù)方案
[0015]本發(fā)明的上述目的由下述的構(gòu)成達(dá)成。
[0016](I) 一種曝光方法，
[0017]具有被曝光的基板配置于上方的基座，
[0018]所述曝光方法包括:將來自曝光用光源的光隔著掩模照射到所述基板來進(jìn)行曝光的工序，
[0019]所述曝光方法的特征在于，
[0020]在所述基座的上表面設(shè)置有多個凹槽，
[0021]在所述凹槽的內(nèi)部配置有波紋管，所述波紋管在上下方向伸縮自由，且所述波紋管的上端比所述基座的上表面向上方突出，
[0022]在所述凹槽的內(nèi)部，在所述波紋管的內(nèi)部或外部設(shè)置有具有支承面的支承部件，所述支承面與所述基座的上表面位于同一面上、或位于比該上表面靠上方的位置，
[0023]所述曝光方法包括以下工序:
[0024]將所述基板載置到多個所述波紋管上的工序；及
[0025]通過將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而使所述基板具有與多個所述支承面的位置關(guān)系對應(yīng)的曲率的工序。
[0026](2)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0027]多個所述支承部件的支承面與所述基座的上表面位于同一面上，
[0028]所述曝光方法包括以下工序:
[0029]將所述基板載置到多個所述波紋管上的工序；及
[0030]通過將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而將所述基板以平面狀固定的工序。
[0031](3)如(2)所述的曝光方法，其特征在于，
[0032]所述基座是在所述上表面形成有能夠抽真空的多個真空槽的工件夾具，
[0033]所述曝光方法包括:通過將多個所述真空槽抽真空，從而將所述基板的下表面吸附固定于所述工件夾具的上表面的工序。
[0034](4)如(3)所述的曝光方法，其特征在于，
[0035]多個所述真空槽的合計面積比所述工件夾具的上表面的面積大。
[0036](5)如(3)或⑷所述的曝光方法，其特征在于，
[0037]在所述真空槽的底部形成有具有與所述真空槽的深度大致相同的高度的多個突起。
[0038](6)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0039]多個所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時在上下方向升降，
[0040]所述曝光方法包括以下工序:
[0041]通過使多個所述支承部件上升，從而使該支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方處互相位于同一平面上的工序；
[0042]將所述基板載置到多個所述波紋管上的工序；
[0043]通過將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而使所述基板為平面狀的工序；及
[0044]使所述支承部件下降，而使所述基板的下表面與所述基座的上表面緊貼的工序。
[0045](7)如(6)所述的曝光方法，其特征在于，
[0046]所述基座是在所述上表面形成有能夠抽真空的多個真空槽的工件夾具，
[0047]所述曝光方法包括:通過將多個所述真空槽抽真空，從而將所述基板的下表面吸附固定于所述工件夾具的上表面的工序。
[0048](8)如(7)所述的曝光方法，其特征在于，
[0049]多個所述真空槽的合計面積比所述工件夾具的上表面的面積大。
[0050](9)如(7)或⑶所述的曝光方法，其特征在于，
[0051]在所述真空槽的底部形成有具有與所述真空槽的深度大致相同的高度的多個突起。
[0052](10)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0053]多個所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時在上下方向升降，
[0054]所述曝光方法包括以下工序:
[0055]通過使多個所述支承部件上升，從而使該支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方處互相位于同一平面上的工序；
[0056]將所述基板載置到多個所述波紋管上的工序；及
[0057]通過將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而使所述基板為平面狀的工序。
[0058](11)如(10)所述的曝光方法，其特征在于，
[0059]具有對從所述基座的上表面到所述基板的下表面的距離進(jìn)行測量的傳感器，
[0060]所述曝光方法包括:基于由所述傳感器得到的所述基板的位置信息，使多個所述支承部件升降，使所述基板為平面狀的工序。
[0061](12)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0062]多個所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時在上下方向升降，
[0063]所述曝光方法包括以下工序:
[0064]通過使多個所述支承部件上升，從而使該支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方處位于使得各自的所述支承面與所述掩模的下表面的上下方向距離大致相同的位置的工序；
[0065]將所述基板載置到多個所述波紋管上的工序；及
[0066]通過將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而使所述基板具有與多個所述支承面的位置關(guān)系對應(yīng)的曲率，使所述基板的上表面與所述掩模的下表面的上下方向距離均勻的工序。
[0067](13)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0068]多個所述支承部件分別能夠在保持所述波紋管的同時在上下方向升降，
[0069]所述曝光方法包括以下工序:
[0070]通過使多個所述支承部件上升，從而使該支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方處互相位于同一平面上的工序；
[0071]使多個所述支承部件之中的至少一個上升或下降的工序；
[0072]將所述基板載置到多個所述波紋管上的工序；及
[0073]通過將所述波紋管的內(nèi)部抽真空，從而使所述波紋管的上端吸附于所述基板的下表面并且收縮，通過將所述基板按壓于所述支承部件的支承面，從而在與具有局部變形的所述基板相對應(yīng)的位置改變所述支承面的高度，由此使所述基板具有期望的曲率，使所述基板局部翹曲的工序。
[0074](14) 一種曝光裝置，其包括:
[0075]基座，被曝光的基板配置于上方；及
[0076]曝光用光源，其隔著掩模將光照射到所述基板，
[0077]所述曝光裝置的特征在于，
[0078]在所述基座的上表面設(shè)置有多個凹槽，
[0079]在所述凹槽的內(nèi)部配置有波紋管，所述波紋管在上下方向伸縮自由，所述波紋管的上端比所述基座的上表面向上方突