液晶顯示裝置300的穿透率提升了 4. 34%，負(fù)載降低了 13. 96%，響應(yīng)時(shí)間降 低了 12. 45%。具有本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板100的液晶顯示裝置300與現(xiàn)有的七道 光罩制成制作的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置相比，本發(fā)明的液晶顯示裝置300提 高了開口率和穿透率，并降低了響應(yīng)時(shí)間。具體地，本發(fā)明的液晶顯示裝置300的穿透率提 升了 9. 38%，開口率提升了 10. 98%。具有本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板100的液晶顯示裝 置300與現(xiàn)有的六道光罩制成制作的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置相比，由于本發(fā) 明的薄膜晶體管陣列基板100的像素電極114和公共電極118之間只具有厚度為2 000 Λ 的第三絕緣保護(hù)層117,因此，本發(fā)明的液晶顯示裝置300的像素電極114和公共電極118 之間較現(xiàn)有的液晶顯示裝置能產(chǎn)生更大的電場(chǎng)，使得響應(yīng)時(shí)間降低，并提升了穿透率。且本 發(fā)明的液晶顯示裝置300的數(shù)據(jù)線102與公共電極118之間間隔第二絕緣保護(hù)層116和第 三絕緣保護(hù)層117,因此數(shù)據(jù)線102與公共電極118之間的距離較遠(yuǎn)，使數(shù)據(jù)線102所產(chǎn)生 的寄生電容較小，因此降低了液晶顯示裝置300的負(fù)載。相較現(xiàn)有的七道光罩制成制作的 薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置，具有本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板100的液晶顯示 裝置300的第二金屬層115的漏極115b呈折彎的條狀，無需設(shè)計(jì)成較大的接觸面積，因此， 薄膜晶體管陣列基板100中的像素區(qū)域P內(nèi)的透光區(qū)域面積增大，使得具有薄膜晶體管陣 列基板100的液晶顯示裝置300的開口率和穿透率得到提升。
[0045] 本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板100和具有薄膜晶體管陣列基板100的液晶顯示裝 置300,其薄膜晶體管陣列基板100沿著數(shù)據(jù)線102的長(zhǎng)度方向覆蓋有厚度為5 0 00 A的 第二絕緣保護(hù)層116和厚度為2 000 A的第三絕緣保護(hù)層117共兩層保護(hù)層，有效的防止 了薄膜晶體管陣列基板100在生產(chǎn)制作時(shí)外物對(duì)數(shù)據(jù)線102的刮傷。而且，第二絕緣保護(hù) 層116和第三絕緣保護(hù)層117增加了數(shù)據(jù)線102與公共電極118之間的距離，使得數(shù)據(jù)線 102產(chǎn)生的寄生電容減小，從而減小了負(fù)載，降低了功耗。且由于薄膜晶體管陣列基板100 的像素電極114和公共電極118之間只具有厚度為2 0 00 A的第三絕緣保護(hù)層117,即像 素電極114和公共電極118相距較近，因此，像素電極114和公共電極118之間能產(chǎn)生較大 的電場(chǎng)，降低了具有薄膜晶體管陣列基板100的液晶顯示裝置300的響應(yīng)時(shí)間，并同時(shí)提高 了穿透率。此外，第二金屬層115的漏極115b呈折彎的條狀，無需設(shè)計(jì)成較大的接觸面積， 因此，薄膜晶體管陣列基板100中的像素區(qū)域P內(nèi)的透光區(qū)域面積增大，即增大了薄膜晶體 管陣列基板100的開口率，并提高了穿透率。
[0046] 以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施 方式中的具體細(xì)節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單 變型，這些簡(jiǎn)單變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。在上述【具體實(shí)施方式】中所描述的各個(gè)具體 技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重 復(fù)，本發(fā)明對(duì)各種可能的組合方式不再另行說明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種薄膜晶體管陣列基板，其包括基板、設(shè)置在該基板上的多條掃描線和設(shè)置在該 多條掃描線上方的多條數(shù)據(jù)線，該多條掃描線和該多條數(shù)據(jù)線相互交叉限定出多個(gè)像素區(qū) 域，其特征在于，該薄膜晶體管陣列基板還包括： 第一金屬層，形成在該基板上，并與對(duì)應(yīng)的該掃描線連接； 第一絕緣保護(hù)層，形成在該基板上并覆蓋該第一金屬層和該多條掃描線； 半導(dǎo)體層，形成在該第一絕緣保護(hù)層上并位于該第一金屬層上方； 像素電極，形成在該第一絕緣保護(hù)層上并位于各該像素區(qū)域內(nèi)； 第二金屬層，形成在該半導(dǎo)體層上，該第二金屬層包括源極和漏極，該源極與對(duì)應(yīng)的該 數(shù)據(jù)線連接，該漏極與對(duì)應(yīng)的該像素電極連接； 第二絕緣保護(hù)層，形成在該第二金屬層上，同時(shí)該第二絕緣保護(hù)層還覆蓋各該數(shù)據(jù)線 和各該掃描線，各該像素區(qū)域內(nèi)的該像素電極未被該第二絕緣保護(hù)層覆蓋； 第三絕緣保護(hù)層，形成在該第二絕緣保護(hù)層上，并覆蓋各該像素區(qū)域內(nèi)的該像素電 極；以及 公共電極，形成在該第三絕緣保護(hù)層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該漏極呈折彎的條狀，該漏 極的一端與該半導(dǎo)體層連接，該漏極的另一端直接與該像素電極連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該第三絕緣保護(hù)層的厚度 小于該第二絕緣保護(hù)層的厚度。
4. 如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該第二絕緣保護(hù)層的厚度 為200~10000A,該第三絕緣保護(hù)層的厚度為2 O O ~ 5 O O O A。
5. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該第二絕緣保護(hù)層還進(jìn)一 步地覆蓋該源極、該漏極和從該源極和該漏極之間露出的該半導(dǎo)體層。
6. -種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣 列基板。
7. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置包括該薄膜晶體 管陣列基板、與該薄膜晶體管陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩色濾光片基板、設(shè)置在該薄膜晶體管 陣列基板和該彩色濾光片基板之間的液晶層。
8. -種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在基板形成第一金屬層和多條掃描線，該第一金屬層與對(duì)應(yīng)的掃描線連接； 形成第一絕緣保護(hù)層，并覆蓋該第一金屬層和該多條掃描線，并在該第一絕緣保護(hù)層 上形成半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層位于該第一金屬層上方； 在該第一絕緣保護(hù)層上形成像素電極； 在該半導(dǎo)體層上形成第二金屬層和多條數(shù)據(jù)線，該多條掃描線和該多條數(shù)據(jù)線相互交 叉限定出多個(gè)像素區(qū)域，該像素電極位于各該像素區(qū)域內(nèi)，該第二金屬層包括源極和漏極， 該源極與對(duì)應(yīng)的該數(shù)據(jù)線連接，漏極與對(duì)應(yīng)的該像素電極連接； 在該第二金屬層上形成第二絕緣保護(hù)層，同時(shí)該第二絕緣保護(hù)層還覆蓋各該數(shù)據(jù)線和 各該掃描線，各該像素區(qū)域內(nèi)的該像素電極未被該第二絕緣保護(hù)層覆蓋； 在該第二絕緣保護(hù)層上形成第三絕緣保護(hù)層，并覆蓋各該像素區(qū)域內(nèi)的該像素電極； 以及 在該第三絕緣保護(hù)層上形成公共電極。
9. 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在 該第三絕緣保護(hù)層上形成配向膜并覆蓋該第三絕緣保護(hù)層和該公共電極，該配向膜采用紫 外光進(jìn)行配向。
10. 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，該第三絕緣保 護(hù)層的厚度小于該第二絕緣保護(hù)層的厚度。
【專利摘要】一種薄膜晶體管陣列基板，包括：基板；第一金屬層，形成在基板上，并與對(duì)應(yīng)掃描線連接；第一絕緣保護(hù)層，形成在基板上；半導(dǎo)體層，形成在第一絕緣保護(hù)層上；像素電極，形成在第一絕緣保護(hù)層上并位于各像素區(qū)域；第二金屬層，形成在半導(dǎo)體層上，并包括源極和漏極，源極與對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線連接，漏極與對(duì)應(yīng)像素電極連接；第二絕緣保護(hù)層形成在第二金屬層上，并覆蓋各數(shù)據(jù)線和各掃描線；第三絕緣保護(hù)層形成在第二絕緣保護(hù)層上；公共電極形成在第三絕緣保護(hù)層上。該薄膜晶體管陣列基板能提高穿透率，減小負(fù)載，降低功耗。本發(fā)明還涉及一種液晶顯示裝置。
【IPC分類】G02F1-136, G02F1-1337, H01L27-12, G02F1-1333, G02F1-1362, G02F1-1368
【公開號(hào)】CN104635393
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510066841
【發(fā)明人】許傳志, 蔣雋, 房聳, 朱曉妮, 馬鐵軍
【申請(qǐng)人】昆山龍騰光電有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2015年2月9日