一種陣列基板、陣列基板的制造方法、顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及陣列基板的制造方法。
【背景技術】
[0002]為了提高顯示裝置的顯示效果，越來越多的人開始將注意力投向顯示裝置的窄邊框設計，尤其是對于用于大屏幕戶外顯示的拼接屏，窄邊框顯示裝置可以有效降低拼接屏中拼接縫的寬度，顯著提高整體的顯示效果。
[0003]現(xiàn)有技術對于窄邊框顯示器的制作通常是將工藝邊際量壓縮至極限的方法來實現(xiàn)，其中一項非常重要的技術就是顯示面板行驅動(Gate Driver on Array，簡稱GOA)的技術量產(chǎn)化的實現(xiàn)。利用GOA技術將柵極開關電路集成在陣列基板上以形成對陣列基板地掃描驅動，從而可以省掉柵極驅動集成電路部分，其不僅可以從材料成本和制作工藝兩方面降低產(chǎn)品成本，而且顯示面板可以做到兩邊對稱和窄邊框的美觀設計。在現(xiàn)有的顯示面板的結構中，GOA電路一般對稱設置于有面板顯示區(qū)域的兩側，并且GOA電路內(nèi)又可以分為TFT (Thin Film Transistor，薄膜場效應晶體管)區(qū)域和電容區(qū)域等，電容的作用是去除GOA電路的噪聲，保證GOA電路的穩(wěn)定。但為了達到電容的設計規(guī)格，電容的長度通常需要制作的較大，從而限制了 GOA電路的尺寸，使得顯示裝置的邊框難以進一步變窄。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括:
[0005]顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)包括用于輸出柵極驅動信號的非晶硅柵極區(qū)，其特征在于，所述非晶硅柵極區(qū)包括第一電容器和第二電容器，所述第一電容器包括第一極板和第二極板，所述第二電容器包括第三極板和第四極板，還包括第三電容器，所述第三電容器由所述第二極板和所述第三極板構成，其中，所述第一極板與所述第三極板電連接，所述第二極板與所述第四極板電連接，并且，所述第一極板、所述第二極板、所述第三極板和所述第四極板中任意相鄰的二者在所述陣列基板垂直方向上的投影至少部分重疊。
[0006]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括:
[0007]提供一基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)包括用于輸出柵極驅動信號的非晶硅柵極區(qū)；在所述基板的所述非晶硅柵極區(qū)形成第一極板；在所述第一極板上形成柵極絕緣層；在所述非晶硅柵極區(qū)的所述柵極絕緣層上形成第二極板；在所述第二極板上形成第一絕緣層；圖案化所述第一絕緣層和所述柵極絕緣層，在所述第一絕緣層和所述柵極絕緣層上形成第一通孔以暴露所述第一極板；在所述第一絕緣層上形成第三極板，所述第三極板通過所述第一通孔與所述第一極板電連接；在所述第一絕緣層和所述第三極板上形成第二絕緣層；圖案化所述第二絕緣層和所述第一絕緣層，在所述第二絕緣層和所述第一絕緣層上形成第二通孔以暴露所述第二極板；在所述第二絕緣層上形成第四極板，所述第四極板通過所述第二通孔與所述第二極板電連接，并且，所述第一極板、所述第二極板、所述第三極板和所述第四極板中任意相鄰的二者在所述陣列基板垂直方向上的投影至少部分重疊。
[0008]相較于傳統(tǒng)陣列基板，本發(fā)明提出的陣列基板中所采用的非晶硅柵極區(qū)的電路設計能夠在保證電容大小滿足工作需要的同時減小非晶硅柵極區(qū)的電路所占的區(qū)域尺寸，進一步減小顯示面板邊框的寬度。
【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0010]圖1所示為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板俯視圖；
[0011]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種用于輸出柵極驅動信號的非晶硅柵極區(qū)結構剖視圖；
[0012]圖3為本發(fā)明實施例提出的一種顯示面板結構圖；
[0013]圖4至圖13為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法。
【具體實施方式】
[0014]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0015]圖1所示為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板10俯視圖，陣列基板10包括:顯示區(qū)11和非顯示區(qū)(除顯示區(qū)11的外圍區(qū)域)，其中，非顯示區(qū)包括用于輸出柵極驅動信號的非晶硅柵極區(qū)12，非晶硅柵極區(qū)12—般設置于陣列基板10的左右兩側非顯示區(qū)內(nèi)，需要說明的是，非晶硅柵極區(qū)12并不局限于圖1中所示的位置，可以根據(jù)產(chǎn)品的需要而設置于面板上的任意位置，在此不作限定。
[0016]在圖1所示發(fā)明實施例中，非晶硅柵極區(qū)12具有至少一個移位寄存器單元(圖1中未示出)，每一級移位寄存器單元均具有用于輸出一行所對應的行掃描信號的輸出TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)，該行掃描信號由該TFT輸出，并輸出至陣列基板10的顯示區(qū)11，用于驅動顯示區(qū)11中一行像素的開啟或關閉，每一級移位寄存器單元的輸出信號又分別作為其上下級移位寄存器單元的復位信號或預充電信號，從而實現(xiàn)陣列基板10的逐行掃描。
[0017]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種用于輸出柵極驅動信號的非晶硅柵極區(qū)膜層剖視圖。其中，在基板101上設置有第一極板103，在第一極板103上設置有柵極絕緣層105，在柵極絕緣層105上設置有第二極板107，在第二極板107上設置有第一絕緣層109，在第一絕緣層109和柵極絕緣層105上具有至少一個第一通孔111，第一通孔111暴露至少部分第一極板103，在第一絕緣層109上設置有第三極板113，第三極板113通過第一通孔111與第一極板103電連接，在第三極板113和第一絕緣層109上設置有第二絕緣層115，在第二絕緣層115和第一絕緣層109上具有至少一個第二通孔117，第二通孔117暴露至少部分第二極板107，在第二絕緣層115上設置有第四極板119，第四極板119通過第二通孔117與第二極板107電連接。其中，第一極板103和第二極板107在基板101垂直方向上的投影至少部分重疊，如圖2中的重疊區(qū)域I ;第二極板107和第三極板113在基板101垂直方向上的投影至少部分重疊，如圖2中的重疊區(qū)域2 ;第三極板113和第四極板119在基板101垂直方向上的投影至少部分重疊，如圖2中的重疊區(qū)域3。
[0018]在圖2所示實施例中，柵極絕緣層105、第一絕緣層109和第二絕緣層115的材質為氮化硅，或包括氮化硅的復合結構。
[0019]在圖2所示實施例中，第一極板103、第二極板107以及位于第一極板103和第二極板107之間的柵極絕緣層105共同形成第一電容器，第三極板113、第四極板119以及位于第三極板113和第四極板119之間的第二絕緣層115共同構成第二電容器，同時，由于第一極板103通過第一通孔111與第三極板113電連接，并且第二極板107通過第二通孔117與第四極板119電連接，因此，第二極板107、第三極板113以及位于第二極板107和第三極板113之間的第一絕緣層109共同形成第三電容器。因此，在如圖2所示實施例的膜層結構中，第一電容器、第二電容器和第三電容器三者之間實現(xiàn)了并聯(lián)，即，在該膜層結構中電容值的總和為第一電容器、第二電容器和第三電容器三者之和。采用這樣的設計，可以在非晶硅柵極區(qū)，在保證電容大小滿足工作需要的同時減小非晶硅柵極區(qū)的電路所占的區(qū)域尺寸，進一步減小顯示面板邊框的寬度。
[0020]需要說明的是，對于相鄰的第一極板103和第二極板107而目，二者在基板101垂直方向上的投影具有至少部分重疊區(qū)域I ;同樣的，對于相鄰的第二極板107和第三極板113而言，二者在基板101垂直方向上的投影具有至少部分重疊區(qū)域2 ;但是，對于不相鄰的第一極板103和第三極板113而言，二者在基板101垂直方向上的投影既可以存在部分重疊的區(qū)域也可以完全不存在重疊區(qū)域，例如在圖2所示實施例中，第一極板103和第三極板113在基板101垂直方向上的投影存在部分重疊區(qū)域(圖中未標出)。具體的，第一極板103、第二極板107、第三極板113和第四極板119的設計也可以不局限于圖2所示的技術方案，例如，不相鄰的第一極板101與第三極板103在基板101垂直方向上的投影完全不存在重疊區(qū)域；或者，不相鄰的第二極板107與第四極板119在基板101垂直方向上的投影完全不存在重疊區(qū)域；或者，不相鄰的第一極板103與第三極板113在基板101垂直方向上的投影完全不存在重疊區(qū)域的同時，不相鄰的第二極板107與第四極板119在基板101垂直方向上的投影完全不存在重疊區(qū)域；亦或者，第一極板103、第二極板107、第三極板113和第四極板119在在基板101垂直方向上的投影具有共同的重疊區(qū)域。與此相似的技術方案在此不再贅述，只要保證第一極板103、第二極板107、第三極板113和第四極板119中任意相鄰的二者在基板101垂直方向上的投影至少部分重疊即可。
[0021]需要說明的是，對于圖1所示的陣列基板10而言，在顯示區(qū)11中包括柵電極層和源漏電極層(圖中未給出)，柵電極層包括柵極線，源漏電極層包括數(shù)據(jù)線，柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉設置。具體的，結合圖2，位于非顯示區(qū)的非晶硅柵極區(qū)膜層中的第一極板103可以與位于顯示區(qū)11中的柵極線同層設置，同時，位于非顯示區(qū)的非晶硅柵極區(qū)膜層中的第二極板107可以與位于顯示區(qū)11中的數(shù)據(jù)線同層設置。這樣設計的好處在于，可以節(jié)省工藝步驟，降低制作成本。
[0022]需要說明的是，在圖2所示實施例中，第一極板103可以接收柵極線的電位信號，同時，第二極板107可以接收數(shù)據(jù)線的電位信號，這樣設計的好處在于，可以進一步節(jié)省布線空間，而無需單獨為第一極板103和第二極板107提供傳輸電位信號的傳輸線。
[0023]需要說明的是，對于圖1所示的陣列基板10而言，在顯示區(qū)11中還包括公共電極與像素電極(圖中未給出)。具體的，結合圖2，位于非顯示區(qū)的非晶硅柵極區(qū)膜層中的第三極板113可以與公共電極同層設置，同時，第四極板119與像素電極同層設置；或者，位于非顯示區(qū)的非晶硅柵極區(qū)膜層中的第三極板與像素電極同層設置，同時，第四極板與所述公共電極同層設置。這樣設計的好處在