液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在播放用和醫(yī)療用等的大屏幕且高精細(xì)的監(jiān)視器制品(用像素?cái)?shù)表示為10M/30英寸左右)中，由于布線長(zhǎng)度長(zhǎng)，布線電阻高，易于產(chǎn)生拖影(smear)不良。由于將用透明導(dǎo)電膜(ITO)形成的公共布線配置于像素電極的上部的C-Top的IPS(In-Plane Switching:共面轉(zhuǎn)換)型的液晶顯示裝置中也能觀察到該趨勢(shì)，尤其是為了相對(duì)于大尺寸的橫方向降低公共電阻，追加形成與公共ITO相同電位的橫向公共金屬(common metal)布線從而應(yīng)對(duì)拖影。圖1A表示液晶顯示裝置的顯示區(qū)域的局部構(gòu)成的概略俯視圖。作為影像信號(hào)線的漏極線105沿縱方向配置，用該漏極線105和沿橫方向配置的掃描信號(hào)線包圍的區(qū)域成為像素，在像素區(qū)域內(nèi)配置多條公共ITO布線110。橫向公共金屬布線1lh配置于與掃描信號(hào)線(柵極布線)重疊的區(qū)域(橫方向)。此外，關(guān)于液晶顯示裝置如例如專利文獻(xiàn)I公開。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-150925號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]監(jiān)視器制品用的液晶顯示裝置向大屏幕化和高精細(xì)化的方向發(fā)展。因此，進(jìn)一步進(jìn)行了大屏幕的液晶顯示裝置的試制，結(jié)果明確了如果僅憑進(jìn)行追加橫向公共金屬布線這樣的對(duì)策，對(duì)于拖影不良來(lái)說(shuō)是不充分的。為了進(jìn)一步減少公共布線電阻，發(fā)明人等對(duì)相對(duì)于橫向公共金屬布線還追加了與公共ITO相同電位的縱向公共金屬布線、并將橫向公共金屬布線和縱向公共金屬布線配置成網(wǎng)格狀的構(gòu)造進(jìn)行了研究。圖1B表示該液晶顯示裝置的顯示區(qū)域的局部構(gòu)成的概略俯視圖?？v向公共金屬布線1lv配置于與作為影像信號(hào)線的漏極線105重疊的區(qū)域。然而，明確了將金屬布線縱橫地呈網(wǎng)格狀配置，能夠?qū)⒖v方向公共電阻減少約10%，雖然拖影不良被抑制，但在驅(qū)動(dòng)時(shí)區(qū)域范圍(domain area)(非透過(guò)區(qū)域)的形態(tài)發(fā)生變化，透過(guò)率發(fā)生變化。
[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種抑制拖影不良，且透過(guò)率均勻的液晶顯示裝置。
[0008]用于解決課題的手段
[0009]作為用于實(shí)現(xiàn)上述目的的一個(gè)實(shí)施方式，一種液晶顯示裝置，具有多個(gè)像素，將梳齒狀透明導(dǎo)電膜作為公共布線使用，其特征在于，
[0010]上述公共布線還具有向縱方向和橫方向延伸的網(wǎng)格狀的公共金屬布線，
[0011]上述梳齒狀的透明導(dǎo)電膜在相鄰的像素間相連。
[0012]此外，一種液晶顯示裝置，具有多個(gè)像素、和與上述多個(gè)像素分別連接的多個(gè)影像信號(hào)線以及掃描信號(hào)線，將梳齒狀的透明導(dǎo)電膜作為公共布線來(lái)使用，其特征在于，
[0013]上述公共布線還具有向沿著上述影像信號(hào)線的方向和沿著上述掃描信號(hào)線的方向延伸的網(wǎng)格狀的公共金屬布線，
[0014]上述梳齒狀的透明導(dǎo)電膜在夾著上述影像信號(hào)線而相互相鄰的像素間相連。
[0015]另外，一種液晶顯示裝置，具有多個(gè)像素、和與上述多個(gè)像素分別連接的多個(gè)影像信號(hào)線以及掃描信號(hào)線，將梳齒狀的透明導(dǎo)電膜作為公共布線來(lái)使用，其特征在于，
[0016]上述公共布線還具有向沿著上述影像信號(hào)線的方向和沿著上述掃描信號(hào)線的方向延伸的網(wǎng)格狀的公共金屬布線，
[0017]上述梳齒狀的透明導(dǎo)電膜在夾著上述掃描信號(hào)線而相互相鄰的像素間相連。
[0018]發(fā)明效果
[0019]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種抑制拖影不良，且透過(guò)率均勻的液晶顯示裝置。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1A是以往的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域的主要部分(包含公共布線的像素部)的概略俯視圖。
[0021]圖1B是發(fā)明人等研究的液晶顯示裝置的主要部分(公共布線)的俯視圖。
[0022]圖2A是發(fā)明人等研究的、各實(shí)施例的液晶顯示裝置的像素區(qū)域中的主要制造工序的工序流程。
[0023]圖2B是發(fā)明人等研究的、第一實(shí)施例的液晶顯示裝置的公共布線的制造工序圖(形成公共金屬布線的狀態(tài))，上圖是俯視圖，下圖是在上圖的A-A'線的剖視圖。
[0024]圖2C是發(fā)明人等研究的、第一實(shí)施例的液晶顯示裝置的公共布線的制造工序圖(形成公共ITO布線的狀態(tài))，上圖是俯視圖，下圖是在上圖的B-B'線的剖視圖。
[0025]圖3A是發(fā)明人等研究的液晶顯示裝置的主要部分(公共布線)的俯視圖以及縱向公共布線部的放大俯視圖。
[0026]圖3B是發(fā)明人等研究的液晶顯示裝置的公共布線的俯視圖，上圖是用ITO+金屬形成梳齒前端的情況，下部是僅用ITO形成梳齒前端的情況。
[0027]圖4是本發(fā)明的第一實(shí)施例的液晶顯示裝置中的公共布線的俯視圖。
[0028]圖5A是具有發(fā)明人等研究的網(wǎng)格狀公共金屬布線的液晶顯示裝置(通常的梳齒狀公共ITO布線)的像素部的俯視圖。
[0029]圖5B是本發(fā)明的第二實(shí)施例的液晶顯示裝置的像素部的俯視圖。
[0030]圖5C是本發(fā)明的第三實(shí)施例的液晶顯示裝置的像素部的俯視圖。
[0031]圖6是以往以及本發(fā)明的各實(shí)施例的監(jiān)視器制品的一個(gè)例子。
[0032]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0033]1lh:橫方向公共金屬，1lv:縱向公共金屬，105:漏極線，110:公共ITO膜(布線)，120、121:絕緣膜(UPS膜、有機(jī)PAS膜、PAS膜)，130:區(qū)域范圍(domain area)(非透過(guò)區(qū)域)，150:監(jiān)視器制品的顯示部，160:邊框
【具體實(shí)施方式】
[0034]發(fā)明人等關(guān)于驅(qū)動(dòng)時(shí)區(qū)域范圍(非透過(guò)區(qū)域)的形態(tài)變化的原因進(jìn)行了研究。圖2A的(I)表示發(fā)明人等研究的像素區(qū)域中的主要的制造工序的工序流程。通過(guò)工序I?3，形成在像素區(qū)域中形成的開關(guān)用薄膜晶體管(TFT)以及連接于TFT的漏極的漏極線。接下來(lái)，形成了無(wú)機(jī)鈍化(PAS)膜(工序4)、有機(jī)鈍化膜(工序5)后，形成連接于上述TFT的源極的像素電極(CIT)(工序6)。接下來(lái)，形成上部無(wú)機(jī)鈍化膜(UPS)(工序7)。然后，形成公共金屬層和公共ITO(工序8、9)。由于認(rèn)為橫向公共金屬布線具有實(shí)際效果且可靠性高，所以尤其著眼于縱向公共金屬布線。
[0035]圖3A、圖3B表示發(fā)明人等研究的液晶顯示裝置的主要部分(公共布線)的俯視圖。用附圖標(biāo)記140表示的區(qū)域的縱方向和橫方向中交叉的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域。縱向公共金屬布線1lv配置于與作為影像信號(hào)線的漏極線105重疊的區(qū)域。圖3B表示關(guān)于區(qū)域范圍(非透過(guò)區(qū)域)的形態(tài)不同的情況。
[0036]該研究的結(jié)果得知，在圖3B的上圖中，梳齒前端是由ITO+金屬形成的，在圖3B的下圖中，梳齒前端僅由ITO形成。因此進(jìn)而，關(guān)于該區(qū)別進(jìn)行研究的結(jié)果是，得知由于公共ITO膜的加工的不均勻性(蝕刻條件的偏差或?qū)ξ坏钠畹?，梳齒的齒的位置或粗細(xì)、長(zhǎng)短、前端形狀等存在偏差，存在公共ITO到達(dá)縱向公共金屬布線1lv的情況和不到達(dá)的情況。本發(fā)明是基于上述新的見(jiàn)解而產(chǎn)生的，延長(zhǎng)公共ITO布線的梳齒，在相互相鄰的像素間將梳齒相連。由此，即使消除梳齒前端、加工不均勻，梳齒前端和公共金屬的位置關(guān)系也不改變，梳齒前端穩(wěn)定地由ITO+金屬形成。由此，能夠抑制拖影不良，同時(shí)使透過(guò)率均勻。以下，本發(fā)明使用實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明。此外，相同附圖標(biāo)記表示相同構(gòu)成要素。
[0037]實(shí)施例1
[0038]關(guān)于本發(fā)明的第一實(shí)施例，使用圖2A?圖2C、圖4進(jìn)行說(shuō)明。此外，在發(fā)明人等的上述研究結(jié)果中本實(shí)施例中未記載的事項(xiàng)只要不是特殊的情況，就能夠用于本實(shí)施例。圖2A的(I)是本實(shí)施例的液晶顯示裝置(C-Top的IPS型)的像素區(qū)域中的主要制造工序的工序流程。使用該圖關(guān)于制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0039]<工序1:柵極形成>
[0040]首先，在玻璃制的TFT基板上形成柵電極。柵電極在與掃描信號(hào)線同層形成。柵電極使用在Al合金上層疊有Mo合金而成的物質(zhì)，但不限定于此。接下來(lái)，利用SiN形成絕緣膜。該絕緣膜的覆蓋柵電極的部分為柵極絕緣膜。
[0041]< 工序 2:a-Si 形成 >
[0042]接下來(lái)，在隔著柵極絕緣膜與柵電極對(duì)置的位置上形成半導(dǎo)體層。在本實(shí)施例中，作為半導(dǎo)體層，利用等離子體CVD形成a-Si膜。該半導(dǎo)體層構(gòu)成TFT的溝道部。
[0043]<工序3:漏極源極形成>
[0044]接下來(lái)，夾著溝道部地在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極。此外，在半導(dǎo)體層和漏電極或源電極之間形成有n+Si層。用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體層與源電極或與漏電極的歐姆接觸。漏電極兼用作影像信號(hào)線。源電極和漏電極在同層同時(shí)形成。在本實(shí)施例中，源電極或者漏電極用Mo合金形成。在試圖降低源電極或者漏電極的電阻的情況下，例如，也可以使用用Mo合金夾住Al合金而成的電極構(gòu)造。此外，源極漏極等的稱呼是為了方便起見(jiàn)，將一個(gè)稱為源極的情況下，能夠?qū)⒘硪粋€(gè)稱為漏極。
[0045]< 工序 4:PAS 形成 >
[0046]接下來(lái)，覆蓋TFT地利用SiN形成無(wú)機(jī)鈍化(PAS)膜。PAS膜保護(hù)TFT的尤其是溝道部免受雜質(zhì)影響。
[0047]<工序5:有機(jī)PAS形成>
[0048]接下來(lái)，在PAS膜上形成有機(jī)PAS膜，在PAS膜與有機(jī)PAS膜的層疊膜上形成供源電極露出的開口部。
[0049]<工序6:CIT(像素電極形成)>
[0050]接下來(lái)，通過(guò)濺鍍形成覆蓋PAS膜和有機(jī)PAS膜的層疊膜而作為像素電極的ITOdndium Tin Oxide:氧化銦錫)，所述層疊膜具有供源電極露出的開口部。像素電極形成為面狀。
[0051]〈工序7:UPS 形成〉
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