薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板和具有其的液 晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，液晶顯示裝置（LCD，Liquid Crystal Display)的顯示屏幕越來越大，在 大尺寸的顯示屏幕中，每英寸所擁有的像素數(shù)目（PPI，Pixels Per Inch)數(shù)值越高，即代 表顯示屏幕能夠以越高的密度顯示圖像，圖像的細(xì)節(jié)就會越豐富。然而，現(xiàn)有的高PPI的 液晶顯示裝置的穿透率和開口率依然較低。為了提高液晶顯示裝置的穿透率和開口率， 一般的方法是使用新材料或者使用新技術(shù)如低溫多晶娃技術(shù)（LTPS，Low Temperature Poly-silicon)、有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)（OLED，Organic Light Emitting Diode)等，但新材 料和新技術(shù)的制程條件苛刻且良率較低。
[0003] 圖IA至圖IF是現(xiàn)有的一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的六道光罩制程 的制作流程局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。薄膜晶體管陣列基板包括設(shè)置于基板210上的多條掃描 線和多條數(shù)據(jù)線，且多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線相互交叉限定出多個像素區(qū)域。在每條掃描 線和數(shù)據(jù)線的交叉位置設(shè)置有薄膜晶體管。圖IA至圖IF為薄膜晶體管陣列基板的一個像 素區(qū)域及對應(yīng)的薄膜晶體管位置的局部剖面結(jié)構(gòu)。
[0004] 首先，如圖IA所示，利用第一道光罩制程，在基板210形成柵極211，柵極211與 對應(yīng)的掃描線電連接。其次，如圖IB所示，在基板210上形成柵極絕緣層212并覆蓋柵極 211，利用第二道光罩制程，在柵極絕緣層212上形成半導(dǎo)體層213,且半導(dǎo)體層213的位置 位于柵極211的正上方。之后，如圖IC所示，在形成半導(dǎo)體層213后，利用第三道光罩制 程，再在柵極絕緣層212上形成像素電極214。再來，如圖ID所示，在像素電極214形成之 后，利用第四道光罩制程，在半導(dǎo)體層213上形成源極215a和漏極215b，源極215a與漏極 215b彼此不相接觸，源極215a與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線電連接，漏極215b與像素電極214接觸并實 現(xiàn)電連接。然后，如圖IE所示，形成厚度為5 0 0 0Λ的絕緣保護(hù)層216并覆蓋源極215a、漏 極215b以及像素電極214,并利用第五道光罩制程，在絕緣保護(hù)層216形成第二通孔（圖 未繪示），第二通孔形成在薄膜晶體管陣列基板的顯示區(qū)域外圍，用于制作周邊連線。再之 后，如圖IF所示，利用第六道光罩制程，在絕緣保護(hù)層216上形成公共電極217。
[0005] 但是，利用現(xiàn)有技術(shù)的六道光罩制程制作的薄膜晶體管陣列基板，絕緣保護(hù)層216 的厚度為5 0 0 OA,使得像素電極214與公共電極217之間的距離較大，不僅導(dǎo)致使像素電 極214和公共電極217之間所產(chǎn)生的電場的強(qiáng)度小，而且使采用此薄膜晶體管陣列基板的 液晶顯示裝置的響應(yīng)時間慢，穿透率低。此外，數(shù)據(jù)線與公共電極217之間只隔著厚度為 5000Λ的絕緣保護(hù)層216,使得數(shù)據(jù)線產(chǎn)生的寄生電容較大，從而增大了負(fù)載，導(dǎo)致功耗 較大。
[0006] 圖2A至圖2G是現(xiàn)有的一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的七道光罩制程 的制作流程局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。首先，如圖2A所示，利用第一道光罩制程，在基板10形 成柵極11。其次，如圖2B所示，在基板10上形成柵極絕緣層12并覆蓋柵極11，利用第二 道光罩制程，在柵極絕緣層12上形成半導(dǎo)體層13,且半導(dǎo)體層13的位置位于柵極11的正 上方。然后，如圖2C所示，在半導(dǎo)體層13形成之后，利用第三道光罩制程，在柵極絕緣層12 和半導(dǎo)體層13上形成源極14a和漏極14b，源極14a和漏極14b彼此分隔并分別與半導(dǎo)體 層13直接接觸并覆蓋部分的半導(dǎo)體層13。之后，如圖2D所示，在源極14a和漏極14b之 后，形成厚度為5 0 (RU第一絕緣保護(hù)層15,并覆蓋源極14a、漏極14b和從源極14a和漏極 14b之間暴露出來的半導(dǎo)體層13,并利用第四道光罩制程，在第一絕緣保護(hù)層15形成第一 通孔15a以露出部分的漏極14b。接著，如圖2E所示，利用第五道光罩制程，在第一絕緣保 護(hù)層15上形成像素電極16,像素電極16填入第一通孔15a中與漏極14b接觸。再來，如圖 2F所示，形成厚度為2 0 0 0Λ第二絕緣保護(hù)層17,并利用第六道光罩制程，在第二絕緣保護(hù) 層17形成第二通孔（圖未繪示），第二通孔形成在薄膜晶體管陣列基板的顯示區(qū)域外圍，用 于制作周邊連線。再之后，如圖2G所示，利用第七道光罩制程，在第二絕緣保護(hù)層17上形 成公共電極18。
[0007] 但是，利用現(xiàn)有技術(shù)的七道光罩制程制作的薄膜晶體管陣列基板的像素區(qū)域內(nèi)的 漏極14b需要設(shè)計成較大的面積，然后在對應(yīng)漏極14b上方的第一絕緣保護(hù)層15形成第一 通孔15a與像素電極16接觸，而漏極14b的材料是不透光材料，遮擋住了薄膜晶體管陣列 基板中的像素區(qū)域內(nèi)的部分透光區(qū)域，使得薄膜晶體管陣列基板的像素區(qū)域內(nèi)的開口面積 較小，導(dǎo)致液晶顯示裝置的開口率和穿透率依然低。
[0008] 因此，提尚液晶顯不裝置的開口率和穿透率，同時提升響應(yīng)速度，降低功耗成為當(dāng) 下極待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，能夠增加開口率，提高穿透率， 并能減小負(fù)載，降低功耗。
[0010] 本發(fā)明的另一目的在于提供一種液晶顯示裝置，能夠增加開口率，提高穿透率，并 能減小負(fù)載，降低功耗。
[0011] 本發(fā)明解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。
[0012] 一種薄膜晶體管陣列基板，其包括基板、設(shè)置在該基板上的多條掃描線和設(shè)置在 該多條掃描線上方的多條數(shù)據(jù)線，該多條掃描線和該多條數(shù)據(jù)線相互交叉限定出多個像素 區(qū)域。該薄膜晶體管陣列基板還包括第一金屬層、第一絕緣保護(hù)層、半導(dǎo)體層、像素電極、第 二金屬層、第二絕緣保護(hù)層、第三絕緣保護(hù)層和公共電極。該第一金屬層形成在該基板上， 并與對應(yīng)的該掃描線連接；該第一絕緣保護(hù)層形成在該基板上并覆蓋該第一金屬層和該多 條掃描線；該半導(dǎo)體層形成在該第一絕緣保護(hù)層上并位于該第一金屬層上方；該像素電極 形成在該第一絕緣保護(hù)層上并位于各該像素區(qū)域內(nèi)；該第二金屬層形成在該半導(dǎo)體層上， 該第二金屬層包括源極和漏極，該源極與對應(yīng)的該數(shù)據(jù)線連接，該漏極與對應(yīng)的該像素電 極連接；該第二絕緣保護(hù)層形成在該第二金屬層上，同時該第二絕緣保護(hù)層還覆蓋各該數(shù) 據(jù)線和各該掃描線，各該像素區(qū)域內(nèi)的該像素電極未被該第二絕緣保護(hù)層覆蓋；該第三絕 緣保護(hù)層形成在該第二絕緣保護(hù)層上，并覆蓋各該像素區(qū)域內(nèi)的該像素電極；該公共電極 形成在該第三絕緣保護(hù)層上。
[0013] 在本發(fā)明的較佳實施例中，該漏極呈折彎的條狀，該漏極的一端與該半導(dǎo)體層連 接，該漏極的另一端直接與該像素電極連接。
[0014] 在本發(fā)明的較佳實施例中，該第三絕緣保護(hù)層的厚度小于該第二絕緣保護(hù)層的厚 度。
[0015] 在本發(fā)明的較佳實施例中，該第二絕緣保護(hù)層的厚度為2 00 ~ 1 0000Λ,該第 三絕緣保護(hù)層的厚度為2 0 0 ~ 5 0 0 0八。
[0016] 在本發(fā)明的較佳實施例中，該第二絕緣保護(hù)層還進(jìn)一步地覆蓋該源極、該漏極和 從該源極和該漏極之間露出的該半導(dǎo)體層。
[0017] -種液晶顯示裝置，其包括上述的薄膜晶體管陣列基板。
[0018] 在本發(fā)明的較佳實施例中，該液晶顯示裝置包括該薄膜晶體管陣列基板、與該薄 膜晶體管陣列基板相對設(shè)置的彩色濾光片基板、設(shè)置在薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片 基板之間的液晶層。
[0019] 一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其包括在基板形成第一金屬層和多條掃描 線，該第一金屬層與對應(yīng)的該掃描線連