接；形成第一絕緣保護(hù)層，并覆蓋該第一金屬層和該 多條掃描線，并在該第一絕緣保護(hù)層上形成半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層位于該第一金屬層上方； 在該第一絕緣保護(hù)層上形成像素電極；在該半導(dǎo)體層上形成第二金屬層和多條數(shù)據(jù)線，該 多條掃描線和該多條數(shù)據(jù)線相互交叉限定出多個像素區(qū)域，該像素電極位于各該像素區(qū)域 內(nèi)；該第二金屬層包括源極和漏極，該源極與對應(yīng)的該數(shù)據(jù)線連接，該漏極與對應(yīng)的該像素 電極連接；在該第二金屬層上形成第二絕緣保護(hù)層，同時該第二絕緣保護(hù)層還覆蓋各該數(shù) 據(jù)線和各該掃描線，各該像素區(qū)域內(nèi)的該像素電極未被該第二絕緣保護(hù)層覆蓋；在該第二 絕緣保護(hù)層上形成第三絕緣保護(hù)層，并覆蓋各該像素區(qū)域內(nèi)的該像素電極；在該第三絕緣 保護(hù)層上形成公共電極。
[0020] 在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，進(jìn)一步包括在該第三絕緣保護(hù)層上形成配向膜并覆蓋 該第三絕緣保護(hù)層和該公共電極，該配向膜采用紫外光進(jìn)行配向。
[0021] 在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，該第三絕緣保護(hù)層的厚度小于該第二絕緣保護(hù)層的厚 度。
[0022] 本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板和具有其的液晶顯示裝置，其第二金屬層、數(shù)據(jù)線 和半導(dǎo)體層上設(shè)有第二絕緣保護(hù)層和第三絕緣保護(hù)層兩層保護(hù)層，公共電極與數(shù)據(jù)線之 間間隔著第二絕緣保護(hù)層和第三絕緣保護(hù)層兩層保護(hù)層，使數(shù)據(jù)線自行產(chǎn)生的寄生電容減 小，從而減小了負(fù)載，降低了功耗，并提高了穿透率。此外，像素電極和公共電極之間只單獨(dú) 具有一層厚度較薄的第三絕緣保護(hù)層，因此像素電極和公共電極之間能產(chǎn)生較大的電場， 從而降低了液晶顯示裝置的響應(yīng)時間，并同時提高了穿透率。而且，第二金屬層的漏極呈折 彎的條狀，增大了薄膜晶體管陣列基板的開口率，并提高了穿透率。
[0023] 上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明。
【附圖說明】
[0024] 圖IA至圖IF是現(xiàn)有的一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的六道光罩制程 的制作流程局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025] 圖2A至圖2G是現(xiàn)有的一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的七道光罩制程 的制作流程局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026] 圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施例的液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的局部平面結(jié) 構(gòu)示意圖。
[0027] 圖4A至圖4G是本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板沿圖3中的IV - IV線的 剖面制作流程示意圖。
[0028] 圖5是本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板沿圖3中的V-V線的剖面結(jié)構(gòu)示 意圖。
[0029] 圖6是本發(fā)明的液晶顯示裝置的數(shù)據(jù)線位置的局部剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖7是具有本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置與現(xiàn)有的 液晶顯示裝置的穿透率-電壓的效果對比圖。
[0031] 圖8是具有本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置與現(xiàn)有的 液晶顯示裝置的穿透率-時間的效果對比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的薄膜晶體管陣列基板以及具有薄膜晶體管陣列基 板的液晶顯示裝置的【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如下。
[0033] 有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí) 施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過【具體實(shí)施方式】的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目 的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說 明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0034] 圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施例的液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的局部平面結(jié) 構(gòu)示意圖。圖4A至圖4G是本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板沿圖3中的IV - IV線 的剖面制作流程示意圖。請一并參閱圖3和圖4A至圖4G，需要說明的是，薄膜晶體管陣列 基板100包括大致沿著水平方向設(shè)置的多條掃描線101和大致沿著豎直方向設(shè)置在多條掃 描線101上方的多條數(shù)據(jù)線102,且多條掃描線101和多條數(shù)據(jù)線102相互交叉限定出多 個像素區(qū)域P，掃描線101和數(shù)據(jù)線102交叉位置處設(shè)置有薄膜晶體管，掃描線101和數(shù)據(jù) 線102的結(jié)構(gòu)和形成步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知技術(shù)，在此不再贅述。為了圖示簡潔，圖 3和圖4A至圖4G僅繪示對應(yīng)薄膜晶體管陣列基板100的一個像素區(qū)域P的局部結(jié)構(gòu)示意 圖，以下將對本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板100的制作方法做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0035] 步驟Sl :請參照圖3和4A，利用第一道光罩制程在基板110上形成第一金屬層 111，第一金屬層111與對應(yīng)的掃描線電連接。在本實(shí)施例中，基板110例如是透明基板110， 第一金屬層111例如是柵極。
[0036] 步驟S2 :請參照圖4B，在基板110上形成第一絕緣保護(hù)層112,并覆蓋第一金屬層 111。值得一提的是，第一絕緣保護(hù)層112也同時覆蓋掃描線101，第一絕緣保護(hù)層112例如 是柵極絕緣層。利用第二道光罩制程在第一絕緣保護(hù)層112上形成半導(dǎo)體層113,并位于 第一金屬層111的上方。半導(dǎo)體層113例如是非晶硅（a-Si)半導(dǎo)體層113,但并不以此為 限。
[0037] 步驟S3 :請參照圖4C，利用第三道光罩制程在第一絕緣保護(hù)層112上形成像素電 極114,像素電極114位于各像素區(qū)域P內(nèi)。在本實(shí)施例中，像素電極114例如是由氧化銦 錫（ITO, Indium Tin Oxide)等透明導(dǎo)電材料制成，但并不以此為限。像素電極114位于未 覆蓋半導(dǎo)體層113的第一絕緣保護(hù)層112上并與半導(dǎo)體層113間隔設(shè)置，也就是說，像素電 極114于基板110的正投影與第一金屬層111和半導(dǎo)體層113于基板110的正投影不重疊， 也即像素電極114于基板110的正投影位于第一金屬層111和半導(dǎo)體層113于基板110的 正投影區(qū)域之外。
[0038] 步驟S4 :請參照圖4D，利用第四道光罩制程在半導(dǎo)體層113上形成第二金屬層 115,并使第二金屬層115與像素電極114連接。第二金屬層115例如是源漏極金屬層，第二 金屬層115包括源極115a和漏極115b。源極115a和漏極115b彼此分隔并分別與半導(dǎo)體 層113直接接觸且覆蓋部分的半導(dǎo)體層113。換句話說，一部分半導(dǎo)體層113從源極115a 和漏極115b之間暴露出來。本實(shí)施例中，源極115a與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線102連接，漏極115b 呈折彎的條狀并延伸至相鄰兩條數(shù)據(jù)線102之間的像素區(qū)域P與像素電極114電性連接， 即漏極115b的一端與半導(dǎo)體層113電連接，另一端與像素電極114電連接。
[0039] 步驟S5:請參照圖4E，在第二金屬層115形成之后，利用第五道光罩制程形成第二 絕緣保護(hù)層116,并覆蓋源極115a、漏極115b、從源極115a和漏極115b之間露出部分的半 導(dǎo)體層113以及數(shù)據(jù)線102和掃描線101。也就是說，第二絕緣保護(hù)層116除了沒有覆蓋 各相鄰兩條數(shù)據(jù)線102之間和各相鄰兩條掃描線101之間所限定出的像素區(qū)域P的像素電 極114和第一絕緣層112之外，其他的部分均覆蓋。在本實(shí)施例中，第二絕緣保護(hù)層116例 如是由氮化娃（SiNx)形成的鈍化層（PV，Passivation)，且第二絕緣保護(hù)層116的厚度為 200 ~ 1 0000 A,優(yōu)選的，在本實(shí)施例中第二絕緣保護(hù)層116的厚度例如為5 000A。
[0040] 步驟S6 :請參照圖4F，在第二絕緣保護(hù)層116上形成厚度小于第二絕緣保護(hù)層 116的第三絕緣保護(hù)層117,且第三絕緣保護(hù)層117覆蓋第二絕緣保護(hù)層116以