1.一種多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，包括：可拆卸扣合的下蓋板(1)和上蓋板(2)；
所述下蓋板(1)靠近所述上蓋板(2)的一側(cè)設(shè)有數(shù)個(gè)下卡槽(11)，所述上蓋板(2)靠近所述下蓋板(1)的一側(cè)設(shè)有與數(shù)個(gè)下卡槽(11)一一對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)上卡槽(21)，所述數(shù)個(gè)下卡槽(11)和數(shù)個(gè)上卡槽(21)配合形成數(shù)個(gè)用于放置試驗(yàn)樣品的樣品容置空間(3)；
每一個(gè)上卡槽(21)和下卡槽(11)的中央均設(shè)有一鏤空區(qū)(4)，所述鏤空區(qū)(4)的尺寸小于待試驗(yàn)的試驗(yàn)樣品的尺寸；
試驗(yàn)時(shí)，先將數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品分別放置于數(shù)個(gè)樣品容置空間(3)中，再將試驗(yàn)治具整體浸沒到試驗(yàn)溶液中同時(shí)對(duì)數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，還包括：設(shè)于每一個(gè)上卡槽(21)的邊緣的數(shù)個(gè)上氣路槽(22)、以及設(shè)于每一個(gè)下卡槽(11)的邊緣的與所述數(shù)個(gè)上氣路槽(22)一一對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)下氣路槽(12)；
所述數(shù)個(gè)上氣路槽(22)與數(shù)個(gè)下氣路槽(12)分別對(duì)應(yīng)扣合形成數(shù)個(gè)從試驗(yàn)治具的側(cè)面延伸至樣品容置空間(3)內(nèi)的氣路孔(5)；
試驗(yàn)完成后，通過所述氣路孔(5)向樣品容置空間(3)內(nèi)的樣品吹氣，以吹干試驗(yàn)樣品。
3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，所述下蓋板(1)與所述上蓋板(2)的材料為耐氫氟酸材料。
4.如權(quán)利要求3所述的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，所述下蓋板(1)與所述上蓋板(2)的材料為聚四氟乙烯或聚丙烯。
5.如權(quán)利要求1所述的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，所述數(shù)個(gè)上卡槽(21)和數(shù)個(gè)下卡槽(11)均陣列排布。
6.如權(quán)利要求1所述的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，所述下蓋板(1)和上蓋板(2)的形狀、所述數(shù)個(gè)上卡槽(21)和數(shù)個(gè)下卡槽(11)的形狀、以及鏤空區(qū)(4)的形狀均為矩形。
7.如權(quán)利要求1所述的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，所述樣品容置空間(3)的高度大于待試驗(yàn)的試驗(yàn)樣品的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，所述下蓋板(1)和上蓋板(2)通過螺紋連接進(jìn)行扣合。
9.如權(quán)利要求8所述的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，其特征在于，所述下蓋板(1)和上蓋板(2)的四角均設(shè)有螺紋孔(6)，通過在所述螺紋孔(6)中擰入螺栓實(shí)現(xiàn)下蓋板(1)和上蓋板(2)之間的螺紋連接。