本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示裝置通常包括：液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過(guò)通電與否來(lái)控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫(huà)面。

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是目前最常用的主流液晶顯示器，其通過(guò)一薄膜晶體管開(kāi)關(guān)來(lái)控制數(shù)據(jù)信號(hào)的輸入，進(jìn)而控制畫(huà)面顯示，具有亮度好、對(duì)比度高、層次感強(qiáng)、顏色鮮艷、輕薄的特點(diǎn)，已經(jīng)在手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、電視等顯示產(chǎn)品獲得大量應(yīng)用。

TFT-LCD中采用薄膜晶體管按照其有源層材料的不同通?？煞殖煞蔷Ч?a-Si)與多晶硅(poly-Si)兩種。與高缺陷密度及高度無(wú)序的非晶硅相比，多晶硅是由多個(gè)有序晶粒構(gòu)成，具有較高的電子遷移率。

在采用多晶硅(poly-Si)作為有源層的薄膜晶體管時(shí)，需要對(duì)制得的多晶硅進(jìn)行晶界蝕刻試驗(yàn)來(lái)確定多晶硅的原子排列狀況是否合格，目前在多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)時(shí)，需要先將試驗(yàn)樣品裂片成長(zhǎng)條狀，再由試驗(yàn)人員用手或用夾持工具夾住該試驗(yàn)樣品的一端將試驗(yàn)樣品的另一端浸沒(méi)到試驗(yàn)溶液中來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)，這種試驗(yàn)方法一次只能進(jìn)行一個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)，試驗(yàn)效率低，且要求試驗(yàn)樣品的形狀為長(zhǎng)條狀，在后續(xù)掃描電鏡(SEM)試驗(yàn)時(shí)還需再次裂片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，能夠同時(shí)進(jìn)行多個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)，提升試驗(yàn)效率，節(jié)約試驗(yàn)時(shí)間。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，包括：可拆卸扣合的下蓋板和上蓋板；

所述下蓋板靠近所述上蓋板的一側(cè)設(shè)有數(shù)個(gè)下卡槽，所述上蓋板靠近所述下蓋板的一側(cè)設(shè)有與數(shù)個(gè)下卡槽一一對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)上卡槽，所述數(shù)個(gè)下卡槽和數(shù)個(gè)上卡槽配合形成數(shù)個(gè)用于放置試驗(yàn)樣品的樣品容置空間；

每一個(gè)上卡槽和下卡槽的中央均設(shè)有一鏤空區(qū)，所述鏤空區(qū)的尺寸小于待測(cè)試的試驗(yàn)樣品的尺寸；

試驗(yàn)時(shí)，先將數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品分別放置于數(shù)個(gè)樣品容置空間中，再將試驗(yàn)治具整體浸沒(méi)到試驗(yàn)溶液中同時(shí)對(duì)數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。

還包括：設(shè)于每一個(gè)上卡槽的邊緣的數(shù)個(gè)上氣路槽、以及設(shè)于每一個(gè)下卡槽的邊緣的與所述數(shù)個(gè)上氣路槽一一對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)下氣路槽；

所述數(shù)個(gè)上氣路槽與數(shù)個(gè)下氣路槽分別對(duì)應(yīng)扣合形成數(shù)個(gè)從試驗(yàn)治具的側(cè)面延伸至樣品容置空間內(nèi)的氣路孔；

試驗(yàn)完成后，通過(guò)所述氣路孔向樣品容置空間的樣品吹氣，以吹干試驗(yàn)樣品。

所述下蓋板與所述上蓋板的材料為耐氫氟酸材料。

所述下蓋板與所述上蓋板的材料為聚四氟乙烯、或聚丙烯。

所述數(shù)個(gè)上卡槽和數(shù)個(gè)下卡槽均陣列排布。

所述下蓋板和上蓋板的形狀、所述數(shù)個(gè)上卡槽和數(shù)個(gè)下卡槽的形狀、以及鏤空區(qū)的形狀均為矩形。

所述樣品容置空間的高度大于待試驗(yàn)的試驗(yàn)樣品的厚度。

所述下蓋板和上蓋板通過(guò)螺紋連接進(jìn)行扣合。

所述下蓋板和上蓋板的四角均設(shè)有螺紋孔，通過(guò)在所述螺紋孔中擰入螺栓實(shí)現(xiàn)下蓋板和上蓋板之間的螺紋連接。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，該試驗(yàn)治具形成有數(shù)個(gè)具有鏤空區(qū)的樣品容置空間，試驗(yàn)時(shí)，先將數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品放置于樣品容置空間中，再將放有數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)治具整體浸沒(méi)在試驗(yàn)溶液中，能夠同時(shí)完成數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)，能夠提升試驗(yàn)效率，節(jié)約試驗(yàn)時(shí)間，并可根據(jù)試驗(yàn)樣品的最小尺寸來(lái)設(shè)計(jì)樣品容置空間的大小，無(wú)需將試驗(yàn)樣品的形狀限定為長(zhǎng)條形，試驗(yàn)后的樣品可直接用于后續(xù)的SEM測(cè)試，無(wú)需再次裂片，從而減少后續(xù)SEM測(cè)試的測(cè)試時(shí)間。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具分離狀態(tài)下的示意圖；

圖2為本發(fā)明的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具組合狀態(tài)下的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1并結(jié)合圖2，本發(fā)明提供一種多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，包括：可拆卸扣合的下蓋板1和上蓋板2；

所述下蓋板1靠近所述上蓋板2的一側(cè)設(shè)有數(shù)個(gè)下卡槽11，所述上蓋板2靠近所述下蓋板1的一側(cè)設(shè)有與數(shù)個(gè)下卡槽11一一對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)上卡槽21，所述數(shù)個(gè)下卡槽11和數(shù)個(gè)上卡槽21配合形成數(shù)個(gè)用于放置試驗(yàn)樣品的樣品容置空間3；

每一個(gè)上卡槽21和下卡槽11的中央均設(shè)有一鏤空區(qū)4，所述鏤空區(qū)4的尺寸小于待試驗(yàn)的試驗(yàn)樣品的尺寸。

具體體，為了便于試驗(yàn)后試驗(yàn)樣品的吹干，所述多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具還包括：設(shè)于每一個(gè)上卡槽21的邊緣的數(shù)個(gè)上氣路槽22、以及設(shè)于每一個(gè)下卡槽11的邊緣的與所述數(shù)個(gè)上氣路槽22一一對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)下氣路槽12；

所述數(shù)個(gè)上氣路槽22與數(shù)個(gè)下氣路槽12分別對(duì)應(yīng)扣合形成數(shù)個(gè)從試驗(yàn)治具的側(cè)面延伸至樣品容置空間3內(nèi)的氣路孔5。

具體地，為了防止下蓋板1與所述上蓋板2被試驗(yàn)溶液腐蝕，所述下蓋板1與所述上蓋板2的材料為耐氫氟酸材料。優(yōu)選地，所述下蓋板1與所述上蓋板2的材料為聚四氟乙烯、或聚丙烯。

優(yōu)選地，所述數(shù)個(gè)上卡槽21和數(shù)個(gè)下卡槽11均陣列排布，相應(yīng)地，由數(shù)個(gè)上卡槽21和數(shù)個(gè)下卡槽11扣合形成的數(shù)個(gè)樣品容置空間3也陣列排布，具體的數(shù)量可以根據(jù)試驗(yàn)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。

優(yōu)選地，所述下蓋板1和上蓋板2的形狀、所述數(shù)個(gè)上卡槽21和數(shù)個(gè)下卡槽11的形狀、以及鏤空區(qū)4的形狀均為矩形。

具體地，所述樣品容置空間3的高度大于待試驗(yàn)的試驗(yàn)樣品的厚度，以保證試驗(yàn)溶液可通過(guò)鏤空區(qū)4順利的流到試驗(yàn)樣品上，與試驗(yàn)樣品的表面完全接觸。

優(yōu)選地，所述下蓋板1和上蓋板2通過(guò)螺紋連接進(jìn)行扣合，具體為：所述下蓋板1和上蓋板2的四角均設(shè)有螺紋孔6，通過(guò)在所述螺紋孔6中擰入螺栓實(shí)現(xiàn)下蓋板1和上蓋板2之間的螺紋連接。

具體地，采用本發(fā)明的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具進(jìn)行多晶硅多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)的過(guò)程為：先將試驗(yàn)樣品裂片到與樣品容置空間3對(duì)應(yīng)的大小，再將裂片后的數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品分別放置到數(shù)個(gè)下卡槽11或數(shù)個(gè)上卡槽21中，然后將上蓋板1與下蓋板2扣合固定到一起，擰緊螺栓，使得數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品分別容置于數(shù)個(gè)樣品容置空間3中，接著將容置有數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)治具整體浸沒(méi)在1％的氫氟酸(HF)溶液中浸泡一分鐘，隨后將容置有數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)治具整體浸沒(méi)在氫氟酸和重鉻酸鉀(KCrO₇)的混合溶液中浸泡5分鐘，接著在用清水對(duì)容置有數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)治具進(jìn)行清洗，最后通過(guò)向氣路孔5吹起吹干試驗(yàn)樣品，完成試驗(yàn)。通過(guò)采用本發(fā)明的多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具能夠一次完成數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)，從而提升試驗(yàn)效率，節(jié)約試驗(yàn)時(shí)間，并可根據(jù)試驗(yàn)樣品的最小尺寸來(lái)設(shè)計(jì)樣品容置空間的大小，無(wú)需將試驗(yàn)樣品的形狀限定為長(zhǎng)條形，試驗(yàn)后的樣品可直接用于后續(xù)的SEM測(cè)試，無(wú)需再次裂片，進(jìn)而減少后續(xù)SEM測(cè)試的測(cè)試時(shí)間。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種多晶硅晶界蝕刻試驗(yàn)治具，該試驗(yàn)治具形成有數(shù)個(gè)具有鏤空區(qū)的樣品容置空間，試驗(yàn)時(shí)，先將數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品放置于樣品容置空間中，再將放有數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)治具整體浸沒(méi)在試驗(yàn)溶液中，能夠同時(shí)完成數(shù)個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)，能夠提升試驗(yàn)效率，節(jié)約試驗(yàn)時(shí)間，并可根據(jù)試驗(yàn)樣品的最小尺寸來(lái)設(shè)計(jì)樣品容置空間的大小，無(wú)需將試驗(yàn)樣品的形狀限定為長(zhǎng)條形，試驗(yàn)后的樣品可直接用于后續(xù)的SEM測(cè)試，無(wú)需再次裂片，從而減少后續(xù)SEM測(cè)試的測(cè)試時(shí)間。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。