本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種搭配負(fù)性液晶使用的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示面板。
背景技術(shù):
FFS(fringe field switching,邊緣場轉(zhuǎn)換技術(shù))顯示技術(shù)中,像素電極和公共電極形成在同一個基板(即陣列基板)上。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種像素結(jié)構(gòu)100的示意圖。如圖1所示,像素電極由連接在一起的多個電極條110形成,相鄰的電極條110之間形成狹縫120。FFS顯示技術(shù)通常使用正性液晶,因為正性液晶具有響應(yīng)電壓低等諸多優(yōu)點。在使用正性液晶的場合,為了增大穿透率,在像素電極的末端設(shè)置有橫向電極140,在每個電極條110的末端增設(shè)有拐角130,利用橫向電極140將各個電極條110末端的拐角130連接起來,使電場和液晶分子存在一個夾角,液晶分子可以一定程度上轉(zhuǎn)動,減少暗區(qū)。
隨著技術(shù)的進(jìn)步,負(fù)性液晶的性能得到顯著提高,其應(yīng)用也越發(fā)廣泛。而像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計仍沿用舊有的方案。像素電極110末端設(shè)置的橫向電極140和拐角130,限制了穿透率的進(jìn)一步提高,卻沒有技術(shù)人員質(zhì)疑在使用負(fù)性液晶的場合橫向電極140和拐角130存在的必要性。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是提供一種搭配負(fù)性液晶使用的像素結(jié)構(gòu),相對于現(xiàn)有技術(shù),該像素結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步提高穿透率。
本發(fā)明的實施例提供的解決其技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:
一種搭配負(fù)性液晶使用的像素結(jié)構(gòu),包括:多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線;多個像素單元,由多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成;其中,多個像素單元中的每個像素單元包括:薄膜晶體管;像素電極,像素電極包括與薄膜晶體管電性連接的第一端和與第一端相對設(shè)置且遠(yuǎn)離薄膜晶體管的第二端,像素電極還包括多個電極條,相鄰兩電極條之間形成狹縫;其中,在像素電極的第二端,多個電極條以直線延伸至相鄰像素單元中的薄膜晶體管的位置處,且相鄰兩電極條之間的狹縫的端部為敞開設(shè)置。
本發(fā)明較佳實施例中,在像素電極的第一端,還設(shè)置一橫向電極,多個電極條通過橫向電極連接在一起。
本發(fā)明較佳實施例中,在像素電極的第一端,每一狹縫具有一個拐角區(qū),且拐角區(qū)被橫向電極封閉。
本發(fā)明較佳實施例中,像素電極的多個電極條分別與數(shù)據(jù)線平行。
本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板,包括上述搭配負(fù)性液晶使用的像素結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明較佳實施例中,像素單元還包括公共電極。
本發(fā)明較佳實施例中,公共電極位于像素電極的上方或下方。
本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板,包括陣列基板、與陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層,液晶層由負(fù)性液晶分子形成,陣列基板為上述陣列基板。
本實施例提供的搭配負(fù)性液晶使用的像素結(jié)構(gòu),去掉了現(xiàn)有技術(shù)中像素電極一端的橫向電極和拐角,并延展了像素電極狹縫的長度,使得整個像素單元的穿透率極大的提高,通過實驗數(shù)據(jù)可以驗證這種效果。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2為本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3為圖2中像素電極的示意圖。
圖4為圖1和圖2中像素結(jié)構(gòu)在未遮BM時的穿透效果的比較示意圖。
圖5為圖1和圖2中像素結(jié)構(gòu)在遮BM時的穿透效果的比較示意圖。
圖6為圖1和圖2中像素結(jié)構(gòu)的穿透率的對比圖。
圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)方式及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實施例,對本發(fā)明的具體實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。
首先需要說明的是,由于響應(yīng)電壓低等諸多優(yōu)于負(fù)性液晶的特點,正性液晶的使用要早于負(fù)性液晶。后來,隨著技術(shù)的進(jìn)步,負(fù)性液晶的性能得到顯著改善,其應(yīng)用也愈發(fā)廣泛。正性液晶與負(fù)性液晶之間有很多共同點,他們之間的差異較少有技術(shù)人員關(guān)注。所以,在使用負(fù)性液晶的產(chǎn)品中,技術(shù)人員直接采用使用正性液晶的產(chǎn)品的像素結(jié)構(gòu)。
換言之,本領(lǐng)域技術(shù)人員普遍認(rèn)為使用負(fù)性液晶的產(chǎn)品和使用正性液晶的產(chǎn)品應(yīng)該采用相同的像素結(jié)構(gòu)。然而,對使用正性液晶的產(chǎn)品和使用負(fù)性液晶的產(chǎn)品之間的差異進(jìn)行研究,從而研究出更加適合于使用負(fù)性液晶的產(chǎn)品的像素結(jié)構(gòu)是有意義的。
本發(fā)明提出了一種與負(fù)性液晶搭配使用的像素結(jié)構(gòu),通過改進(jìn)原有使用正性液晶的像素結(jié)構(gòu),從而增大了穿透率,并通過實驗檢驗了這種效果。
圖2為本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖2所示,本發(fā)明實施例提供一種像素結(jié)構(gòu)200,該像素結(jié)構(gòu)200應(yīng)用于使用負(fù)性液晶的產(chǎn)品,該像素結(jié)構(gòu)200包括:多條數(shù)據(jù)線20和多條掃描線30;多條數(shù)據(jù)線20和多條掃描線30交叉形成的多個像素單元10,其中,一個像素單元10由相鄰的兩條數(shù)據(jù)線20和相鄰的兩條掃描線30交叉限定形成;其中,多個像素單元10中的每個像素單元10包括:像素電極40和薄膜晶體管50,其中,像素電極40的一端與薄膜晶體管50電性連接。
圖3為圖2中像素電極的示意圖。請結(jié)合圖3,像素電極40具有與薄膜晶體管50電性連接的第一端40a和與該第一端相對設(shè)置且遠(yuǎn)離薄膜晶體管50的第二端40b。像素電極40包括多個電極條41,相鄰電極條41之間形成狹縫42。在像素電極40的第一端40a,該多個電極條41通過橫向電極43連接在一起,即在像素電極40的第一端40a,相鄰電極條41之間的狹縫42的端部是封閉的;在像素電極40的第二端40b,該多個電極條41以直線延伸至相鄰像素單元中的薄膜晶體管60位置處,而且在像素電極40的第二端40b,相鄰電極條41之間的狹縫42的端部是敞開的(即非封閉),換言之,在像素電極40的第二端40b,該多個電極條41沒有通過橫向電極連接在一起。
需要說明的是,該多個電極條41以直線延伸至相鄰像素單元中的薄膜晶體管60位置處,而非如現(xiàn)有技術(shù)那樣在電極條41末端設(shè)置拐角,是因為在實驗中發(fā)現(xiàn),在電極條41末端設(shè)置拐角使得電場線偏轉(zhuǎn),該區(qū)域?qū)?yīng)的負(fù)性液晶亦隨之偏轉(zhuǎn),穿透率降低。而該多個電極條41以直線延伸至相鄰像素單元中的薄膜晶體管60位置處,則不會有該問題。
請同時參照圖1,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實施例取消了像素電極的第二端上的橫向電極140,使電極條41之間的狹縫42可以拉長并延伸至原來橫向電極140所占據(jù)的區(qū)域。由于在像素電極40的第二端40b,相鄰電極條41之間的狹縫42所占據(jù)的空間更大,從而穿透率可以提高。在使用負(fù)性液晶的產(chǎn)品上,這種結(jié)構(gòu)設(shè)計可以提高像素單元10的穿透率,這一點可在下面實驗中得到驗證。
圖1中較大的虛線框150和較小的虛線框160分別表示現(xiàn)有技術(shù)中像素單元的中心透光區(qū)和較暗的邊緣透光區(qū),圖2中較大的虛線框70和較小的虛線框80分別表示本發(fā)明實施例中像素單元的中心透光區(qū)和較暗的邊緣透光區(qū)。通過比較可以發(fā)現(xiàn),本發(fā)明實施例中的中心透光區(qū)較現(xiàn)有技術(shù)中的中心透光區(qū)大,而本發(fā)明實施例中較暗的邊緣透光區(qū)比現(xiàn)有技術(shù)中較暗的邊緣透光區(qū)小。請參圖4和圖5,圖4為圖1和圖2中像素結(jié)構(gòu)的在未遮BM時穿透效果的比較示意圖,其中左圖為圖1(即現(xiàn)有技術(shù))中像素結(jié)構(gòu)的穿透效果示意圖,其中右圖為圖2(即本發(fā)明實施例)中像素結(jié)構(gòu)的穿透效果示意圖;圖5為圖1和圖2中像素結(jié)構(gòu)的在遮BM時穿透效果的比較示意圖,其中左圖為圖1(即現(xiàn)有技術(shù))中像素結(jié)構(gòu)的穿透效果示意圖,其中右圖為圖2(即本發(fā)明實施例)中像素結(jié)構(gòu)的穿透效果示意圖。通過比較可見,本發(fā)明實施例較現(xiàn)有技術(shù)有效減小了暗區(qū)的面積,改善了像素結(jié)構(gòu)的光穿透率。
請同時參閱下表,下表是在給像素電極和公共電極之間施加的電壓取不同值時,本發(fā)明實施例的穿透率和現(xiàn)有技術(shù)的穿透率。
從上表可以看出,在施加于像素電極和公共電極之間的電壓超過一定值之前,本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)的穿透率與現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)的穿透率基本相同;在電壓超過一定值之后,本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)的穿透率較現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)的穿透率高,電壓值越大,差異越明顯。
請同時參照圖6,圖6為圖1的現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)與圖2的本發(fā)明實施例中的像素結(jié)構(gòu)的穿透率對比圖。通過上表及圖6可以發(fā)現(xiàn),相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明實施例較現(xiàn)有技術(shù)改善了像素結(jié)構(gòu)的光穿透率。例如,由上表可以發(fā)現(xiàn),在像素電極和公共電極之間施加的電壓為5.6V時,相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的穿透率提高了3.14%。
作為優(yōu)選的實例,像素電極40的多個電極條41分別與數(shù)據(jù)線20平行。
本實施例中,在像素電極40與薄膜晶體管50連接的第一端40a設(shè)置有橫向電極43將各個電極條41連接起來。在該第一端40a,每一狹縫42具有一個拐角區(qū)44,且該拐角區(qū)44的末端被橫向電極43封閉。拐角區(qū)44可以增大像素結(jié)構(gòu)的穿透率。
圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。請再參考圖7,本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板400,包括襯底基板410和形成在該襯底基板410上的像素結(jié)構(gòu)200,該像素結(jié)構(gòu)200為上述像素結(jié)構(gòu)200。優(yōu)選地,該陣列基板400中的像素單元10還包括公共電極(圖未示),用于驅(qū)動負(fù)性液晶的像素電極40和公共電極(圖未示)均形成在陣列基板400上,像素電極40和公共電極(圖未示)之間絕緣隔離。公共電極(圖未示)可以位于像素電極40的上方或下方,本實施例中,公共電極(圖未示)位于像素電極40的上方。
如圖8所示,本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板500,包括陣列基板400、與陣列基板400相對設(shè)置的彩膜基板510以及位于陣列基板400和彩膜基板510之間的液晶層520,液晶層520由負(fù)性液晶分子521形成。所述陣列基板400為上述陣列基板400。該顯示面板500,在陣列基板400上同時形成有像素電極40和公共電極(圖未示),形成為FFS模式的顯示架構(gòu)。
本實施例提供一種與負(fù)性液晶搭配使用的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示面板,通過改進(jìn)原有使用正性液晶的像素結(jié)構(gòu),取消了現(xiàn)有技術(shù)中像素電極第二端上的橫向電極,使像素電極的電極條之間的狹縫可以拉長并延伸至原來橫向電極所占據(jù)的區(qū)域,使得電極條之間的狹縫所占據(jù)的空間更大,在搭配負(fù)性液晶使用時,提高了整個像素單元的穿透率。
在本文中,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,除了包含所列的那些要素,而且還可包含沒有明確列出的其他要素。
在本文中,所涉及的前、后、上、下等方位詞是以附圖中零部件位于圖中以及零部件相互之間的位置來定義的,只是為了表達(dá)技術(shù)方案的清楚及方便。應(yīng)當(dāng)理解,所述方位詞的使用不應(yīng)限制本申請請求保護(hù)的范圍。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。