本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的不斷提高，人們對(duì)于顯示裝置的要求也在不斷提高，在各種顯示技術(shù)中，TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)技術(shù)因其所具有的低能耗以及成本低廉等優(yōu)點(diǎn)已廣泛地應(yīng)用于各種顯示領(lǐng)域。

如圖1所示，上述顯示器一般包括背光模組01、由陣列基板02、對(duì)盒基板03、液晶層04構(gòu)成的顯示面板10，以及位于顯示面板10兩側(cè)的上偏光片101和下偏光片102，其中，偏光片能夠使得平行于該偏光片透過軸方向的偏振光透過，而垂直于透過軸方向的偏振光被吸收。

以常黑模式為例，當(dāng)在顯示器中的像素電極和公共電極不施加電壓時(shí)，背光模組01發(fā)出的光線在上偏光片101和下偏光片102的作用下無法透過顯示面板10；通過控制施加于像素電極和公共電極上的電壓大小，來改變液晶層04中液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度，以調(diào)整通過下偏光片102后的偏振光的偏振方向，進(jìn)而控制通過上偏光片101的透光量，以實(shí)現(xiàn)不同灰階的顯示。

綜上所述，對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的顯示器而言，通過控制施加于像素電極和公共電極上電壓的大小來控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度，進(jìn)而控制通過透過上偏光片101和下偏光片102的透光量，即像素電極、公共電極、下偏光片102、上偏光片101均為獨(dú)立的結(jié)構(gòu)，在顯示中所起的作用不同，缺一不可。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法，將陣列基板中的像素電極或者公共電極設(shè)置為金屬線柵結(jié)構(gòu)，在具有電極作用的同時(shí)，能夠?qū)饩€具有起偏作用。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例一方面提供一種陣列基板，包括：襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板內(nèi)側(cè)的多條橫縱交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，以及位于所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的亞像素單元中的驅(qū)動(dòng)電極；其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電極為像素電極或公共電極；每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)電極包括由多條平行的金屬線組成的線柵偏振圖案，位于同一所述亞像素單元中的多條金屬線電連接。

進(jìn)一步的，所有所述亞像素單元中的線柵偏振圖案的透過軸方向一致。

進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)電極中具有一條連接線，所述連接線將多條所述金屬線同一側(cè)的端部相連；或者，所述驅(qū)動(dòng)電極中具有兩條連接線，所述兩條連接線分別將多條所述金屬線兩側(cè)的端部相連。

進(jìn)一步的，所述的陣列基板還包括：位于所述亞像素單元中的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連、漏極與所述像素電極相連；在所述驅(qū)動(dòng)電極為所述像素電極的情況下，所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述像素電極同層同材料。

進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極和漏極均由多條電連接的平行的金屬線組成；或者，所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極和漏極為面狀結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述的陣列基板，還包括：設(shè)置在所述襯底基板上的吸光層，所述吸光層位于所述驅(qū)動(dòng)電極的外側(cè)。

進(jìn)一步的，所述吸光層位于所述襯底基板的外側(cè)。

進(jìn)一步的，所述吸光層的材料與黑矩陣材料相同。

本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提供一種顯示裝置，包括顯示面板，所述顯示面板包括：上述的不包括吸光層的陣列基板，與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)盒基板，所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層，以及位于所述對(duì)盒基板上的偏振片；其中，線柵偏振圖案與所述線柵偏振圖案對(duì)應(yīng)位置處所述偏振片的部分，二者的透過軸方向一致或相互垂直。

進(jìn)一步的，所述顯示裝置還包括背光模組。

本發(fā)明實(shí)施例再一方面還提供一種顯示裝置，包括顯示面板，所述顯示面板包括：上述包括吸光層的陣列基板，與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)盒基板，所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層，以及位于所述對(duì)盒基板上的偏振片；其中，線柵偏振圖案與所述線柵偏振圖案對(duì)應(yīng)位置處所述偏振片的部分，二者的透過軸方向一致或相互垂直。

本發(fā)明實(shí)施例又一方面還提供一種陣列基板的制造方法，包括：在襯底基板上形成金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用壓印模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行壓印，脫模后形成光刻膠圖案；對(duì)形成有所述光刻膠圖案的襯底基板進(jìn)行刻蝕，以將所述金屬薄膜構(gòu)圖形成與所述光刻膠圖案形狀相同的金屬圖案，所述金屬圖案包括：多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極，所述驅(qū)動(dòng)電極包括：由多條平行的金屬線組成的線柵偏振圖案，以及將多條所述金屬線相連的連接線；將剩余的光刻膠圖案剝離。

本發(fā)明實(shí)施例的又一方面還提供一種上述包括吸光層的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，包括：在透射式顯示階段，打開背光模組，并向顯示面板輸入第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以使得所述顯示裝置顯示圖像；在反射式顯示階段，關(guān)閉背光模組，并向所述顯示面板輸入第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以使得所述顯示裝置顯示圖像。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法，該陣列基板包括：襯底基板，設(shè)置在襯底基板內(nèi)側(cè)的多條橫縱交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，以及位于柵線和數(shù)據(jù)線限定的亞像素單元中的驅(qū)動(dòng)電極，該驅(qū)動(dòng)電極為像素電極或公共電極，且每個(gè)驅(qū)動(dòng)電極包括由多條平行的金屬線組成的線柵偏振圖案，位于同一亞像素單元中的多條金屬線電連接。由于該陣列基板中像素電極或公共電極直接采用多條電連接的平行的金屬線組成，從而使得該像素電極或公共電極自身為線柵偏振圖案，這樣一來，該線柵偏振圖案的像素電極或公共電極，在具有電極作用的同時(shí)，能夠?qū)饩€具有一定的起偏作用，進(jìn)而使得該陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時(shí)，能夠省去下偏光片。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2d為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種驅(qū)動(dòng)電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種驅(qū)動(dòng)電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種透反型顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8b為圖8a的透反型顯示裝置在透射階段的顯示原理示意圖；

圖8c為圖8a的透反型顯示裝置在反射階段的顯示原理示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種反射顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種包括吸光層的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種包括吸光層的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法流程圖；

圖12a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制造陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖12b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制造陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖12c為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制造陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖12d為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制造陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一。

附圖標(biāo)記：

01-背光模組；02-陣列基板；03-對(duì)盒基板；04-液晶層；10-顯示面板；20-驅(qū)動(dòng)電極；201-金屬線；202-連接線；21-金屬薄膜；22-光刻膠；23-壓印模板；30-薄膜晶體管；301-源極；302-漏極；101-上偏光片；102-下偏光片；110-襯底基板；111-柵線；112-數(shù)據(jù)線；120-偏振片；200-像素電極；300-公共電極；400-吸光層；A-亞像素單元；B-線柵偏振圖案。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本文中，“內(nèi)側(cè)”、“外側(cè)”的方位術(shù)語是指朝向液晶層的一側(cè)和背離液晶層的一側(cè)，例如，襯底基板的內(nèi)側(cè)是指襯底基板朝向液晶層的一層。另外本文中，“上”、“下”、“左”以及“右”等方位術(shù)語是相對(duì)于附圖中顯示器件示意置放的方位來定義的。應(yīng)當(dāng)理解到，上述方向性術(shù)語是相對(duì)的概念，它們用于相對(duì)于的描述和澄清，其可以根據(jù)顯示器件所放置的方位的變化而相應(yīng)地發(fā)生變化。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板02，如圖2a和2b所示，該陣列基板02包括：襯底基板110，設(shè)置在襯底基板110內(nèi)側(cè)的多條橫縱交叉設(shè)置的柵線111和數(shù)據(jù)線112，以及位于柵線111和數(shù)據(jù)線112限定的亞像素單元A中的驅(qū)動(dòng)電極20，驅(qū)動(dòng)電極20為像素電極或公共電極。如圖3a所示，每個(gè)驅(qū)動(dòng)電極20包括由多條平行的金屬線201組成的線柵偏振圖案B，位于同一亞像素單元A中的多條金屬線201電連接。

其中，圖2a和2b僅是以陣列基板02為ADS(Advanced-Super Dimensional Switching，高級(jí)超維場開關(guān))型陣列基板為例，該陣列基板包括像素電極200和公共電極300，驅(qū)動(dòng)電極20為像素電極，公共電極300位于像素電極200的上方，且包括多個(gè)條狀子電極構(gòu)成進(jìn)行舉例說明的，當(dāng)然，針對(duì)ADS型陣列基板，還可以如圖2c所示，像素電極200位于公共電極300的上方，且像素電極200包括多個(gè)條狀子電極時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電極20為公共電極。

另外，上述陣列基板02還可以為如圖2d所示的TN(Twist Nematic，扭曲向列)型陣列基板，在此情況下，像素電極200位于該陣列基板02中，而公共電極位于與該陣列基板02相對(duì)設(shè)置的對(duì)盒基板03上(圖中未示出)，此時(shí)驅(qū)動(dòng)電極20為像素電極。

當(dāng)然上述陣列基板02也可以為VA(Vertical Alignment，垂直配向)型陣列基板，本發(fā)明對(duì)此不作限定。只要該陣列基板02包括面狀的電極，將該面狀的電極設(shè)置為多條電連接的平行的金屬線201組成的線柵偏振圖案B構(gòu)成即可。以下實(shí)施例均是以ADS型陣列基板，且驅(qū)動(dòng)電極20為像素電極為例，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

還需要說明的是，本發(fā)明中上述陣列基板02中不同亞像素單元A中構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電極20的線柵偏振圖案B的透過軸可以相同也可以不同。例如，可以如圖2a所示，前兩列亞像素單元A中，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電極20的線柵偏振圖案B的透過軸方向(即與金屬線201垂直的方向)為水平方向，而第三列亞像素單元A中，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電極20的線柵偏振圖案B的透過軸方向?yàn)樨Q直方向。又例如，可以如圖4所示，所有亞像素單元A中的線柵偏振圖案B的透過軸方向一致。當(dāng)然為了使上述陣列基板02適用于大多數(shù)顯示裝置，本發(fā)明優(yōu)選的，采用圖4中所有亞像素單元A中的線柵偏振圖案B的透過軸方向一致的方案。

在此基礎(chǔ)上，上述位于同一亞像素單元A中的多條金屬線201電連接是指，可以如圖3a所示，驅(qū)動(dòng)電極20中具有一條連接線202，該連接線將多條金屬線201同一側(cè)的端部相連；還可以如圖3b所示，驅(qū)動(dòng)電極20中具有兩條連接線202，兩條連接線202分別將多條金屬線201兩側(cè)的端部相連。當(dāng)然為了避免通過一條連接線202連接多條金屬線201同一側(cè)的端部，在該連接線202出現(xiàn)斷裂時(shí)，導(dǎo)致對(duì)該驅(qū)動(dòng)電極20上施加的信號(hào)產(chǎn)生不良影響，本發(fā)明優(yōu)選的，采用圖3b中通過兩條連接線202分別將多條金屬線201兩側(cè)的端部相連。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括：襯底基板，設(shè)置在襯底基板內(nèi)側(cè)的多條橫縱交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，以及位于柵線和數(shù)據(jù)線限定的亞像素單元中的驅(qū)動(dòng)電極，該驅(qū)動(dòng)電極為像素電極或公共電極，且每個(gè)驅(qū)動(dòng)電極包括由多條平行的金屬線組成的線柵偏振圖案，位于同一亞像素單元中的多條金屬線電連接。由于該陣列基板中像素電極或公共電極直接采用多條電連接的平行的金屬線組成，從而使得該像素電極或公共電極自身為線柵偏振圖案，這樣一來，該線柵偏振圖案的像素電極或公共電極，在具有電極作用的同時(shí)，能夠?qū)饩€具有一定的起偏作用，進(jìn)而使得該陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時(shí)，能夠省去下偏光片。

進(jìn)一步的，如圖2a所示，該陣列基板02還包括位于亞像素單元A中的薄膜晶體管30，如圖2b所示，該薄膜晶體管30的源極301與數(shù)據(jù)線112相連、漏極302與像素電極200相連。

當(dāng)驅(qū)動(dòng)電極20為像素電極的情況下，上述薄膜晶體管30的源極301與數(shù)據(jù)線112相連、漏極302與像素電極200相連，可以如圖2b所示，數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302與像素電極200同層同材料；也可以如圖5所示，數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302與像素電極200異層設(shè)置，像素電極200通過過孔與漏極302相連接。當(dāng)然，本發(fā)明優(yōu)選的通過一次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302與像素電極200，即數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302與像素電極200同層同材料設(shè)置，從而能夠達(dá)到簡化工藝，降低制作成本的目的。

需要說明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨、納米壓印等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。

進(jìn)一步的，以下對(duì)數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302與像素電極200同層同材料的具體設(shè)置方式做進(jìn)一步說明。

例如，可以如圖6所示，數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302均由多條電連接的平行的金屬線201組成。

又例如，可以如圖2b所示，像素電極200由多條電連接的平行的金屬線201組成，數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302為面狀結(jié)構(gòu)。

由于將數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302設(shè)置為多條電連接的平行的金屬線201時(shí)，會(huì)使得施加于數(shù)據(jù)線112、源極301和漏極302的信號(hào)以及相關(guān)技術(shù)參數(shù)不穩(wěn)定，從而產(chǎn)生負(fù)面影響，因此本發(fā)明優(yōu)選的，如圖2b所示，僅像素電極200為多條電連接的平行的金屬線201組成，而數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301和漏極302均為面狀結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例另一方面提供一種顯示裝置，如圖7所示，該顯示裝置，包括顯示面板10，顯示面板10包括上述任一種陣列基板02，與陣列基板02相對(duì)設(shè)置的對(duì)盒基板03，陣列基板02與對(duì)盒基板03之間的液晶層04，以及位于對(duì)盒基板03上的偏振片120；其中，線柵偏振圖案B與線柵偏振圖案B對(duì)應(yīng)位置處偏振片120的部分，二者的透過軸方向一致或相互垂直。

此處需要說明的是，上述顯示裝置中線柵偏振圖案B與線柵偏振圖案B對(duì)應(yīng)位置處偏振片120的部分，二者的透過軸方向一致或相互垂直，具體的，例如，當(dāng)整個(gè)偏振片120的透過軸方向一致的情況下，在整個(gè)顯示面板10中，可以是偏振片120的透過軸方向與部分對(duì)應(yīng)位置處的柵偏振圖案B的透過軸方向一致，與部分對(duì)應(yīng)位置處的柵偏振圖案B的透過軸方向垂直；也可以偏振片120的透過軸方向與所有線柵偏振圖案B的透過軸一致或相互垂直。本發(fā)明對(duì)此不做限定，在實(shí)際的應(yīng)用中可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇。以下實(shí)施例均是以偏振片120的透過軸方向與所有線柵偏振圖案B的透過軸方向一致或相互垂直為例，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

由于該顯示裝置，包括如上所述的陣列基板，具有與前述實(shí)施例提供的陣列基板相同的結(jié)構(gòu)和有益效果。由于前述實(shí)施例已經(jīng)對(duì)陣列基板的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。

上述陣列基板02可以應(yīng)用于反射型顯示裝置，也可應(yīng)用于透射型顯示裝置，還可以應(yīng)用于透反型顯示裝置。以下對(duì)通過具體實(shí)施例對(duì)上述陣列基板02在顯示裝置中的具體應(yīng)用類型做進(jìn)一步的說明。

實(shí)施例一

陣列基板02應(yīng)用于透反型顯示裝置，如圖8a所示，該透射型顯示裝置包括發(fā)光源，即背光模組01。在外界光線不佳的情況下，打開背光模組01，通過將背光模組01發(fā)出的光線(圖8a中實(shí)線箭頭所示)透過顯示裝置，以進(jìn)行畫面顯示，即透射階段。在光線較好的室外或者室內(nèi)，可以關(guān)閉背光模組01，將外界的光線(圖8a中虛線箭頭所示)經(jīng)顯示裝置內(nèi)部發(fā)生反射，以進(jìn)行畫面顯示，即反射階段，能夠在增加戶外可讀性能的同時(shí)，降低功耗。

以下以偏振片120的透過軸方向與陣列基板02中驅(qū)動(dòng)電極20(像素電極200)的線柵偏振圖案B的透過軸方向垂直為例，對(duì)上述透射階段和反射階段的顯示原理分別進(jìn)行解釋說明。

透射階段：外界光線較暗，打開背光模組01，背光模組01發(fā)出光線，如圖8b所示，在不加電壓(像素電極與公共電極未施加電壓)的情況下，背光模組01發(fā)出的光線入射至陣列基板02中驅(qū)動(dòng)電極20時(shí)，背光模組01發(fā)出的光線經(jīng)由線柵偏振圖案B構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電極20進(jìn)行起偏，只有與驅(qū)動(dòng)電極20透過軸方向一致的偏振光可以透過，并入射至液晶層04，由于在不加電壓的情況下，液晶層04中的液晶分子不會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)，液晶層04并不能改變?nèi)肷涞钠窆獾钠穹较颍瑥亩沟媒?jīng)過液晶層04的偏振光的偏振方向與偏振片120透過軸方向垂直，這樣一來，經(jīng)過液晶層04的偏振光能夠全部被吸收，而不能經(jīng)過偏振片120從顯示裝置的顯示側(cè)透過，此時(shí)該顯示裝置為暗態(tài)。即該顯示裝置在透射階段為常黑模式。

在加電壓的情況下，背光模組01發(fā)出的光線經(jīng)由線柵偏振圖案B構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電極20進(jìn)行起偏，與驅(qū)動(dòng)電極20透過軸方向一致的偏振光可以透過，并入射至液晶層04，由于在施加電壓的情況下，液晶層04中的液晶分子發(fā)生反轉(zhuǎn)，使得液晶層04能夠改變?nèi)肷涞钠窆獾钠穹较颍M(jìn)而使得經(jīng)過液晶層04的偏振光的偏振方向與具有線柵偏振圖案B的驅(qū)動(dòng)電極20的透過軸方向不同，以經(jīng)過液晶層04的偏振光的偏振方向發(fā)生90°的偏轉(zhuǎn)為例，即該經(jīng)過液晶層04的偏振光的偏振方向與偏振片120的透過軸方向一致，從而使得該偏振光能夠經(jīng)偏振片120全部從顯示裝置的顯示側(cè)透過，此時(shí)該顯示裝置為亮態(tài)。

反射階段：外界的光線較亮，關(guān)閉背光模組01，背光模組01無光線發(fā)出，此時(shí)利用外界的光線，例如太陽光。如圖8c所示，在不加電壓時(shí)，太陽光經(jīng)偏振片120進(jìn)行起偏，只有與偏振片120透過軸方向一致的偏振光可以透過，并入射至液晶層04，由于在不加電壓的情況下，液晶層04并不能改變?nèi)肷涞钠窆獾钠穹较?，從而使得?jīng)過液晶層04的偏振光的偏振方向與由線柵偏振圖案B構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電極20的透過軸方向垂直，這樣一來，經(jīng)過液晶層04的偏振光能夠經(jīng)過驅(qū)動(dòng)電極20反射，從顯示裝置的顯示側(cè)透過，此時(shí)該顯示裝置為亮態(tài)，即該顯示裝置在反射階段為常白模式。

在加電壓時(shí)，太陽光經(jīng)偏振片120進(jìn)行起偏，只有與偏振片120透過軸方向一致的偏振光可以透過，并入射至液晶層04，由于在加電壓的情況下，液晶層04并能夠改變?nèi)肷涞钠窆獾钠穹较?，以?jīng)過液晶層04的偏振光的偏振方向發(fā)生90°的偏轉(zhuǎn)為例，即該經(jīng)過液晶層04的偏振光的偏振方向與由線柵偏振圖案B構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電極20的透過軸方向一致，這樣一來，經(jīng)過液晶層04的偏振光能夠透過驅(qū)動(dòng)電極20反射，無光線從顯示裝置的顯示側(cè)透過，此時(shí)該顯示裝置為暗態(tài)。

當(dāng)然無論是透射階段還是反射階段，在顯示過程中，均是通過改變施加電壓的大小調(diào)整液晶的偏轉(zhuǎn)角度，來改變經(jīng)過液晶層04的偏振光的偏振方向與驅(qū)動(dòng)電極20的透過軸方向的夾角，進(jìn)而達(dá)到控制從顯示裝置的顯示側(cè)透過的光分量，以實(shí)現(xiàn)不同灰階的顯示。

此處需要說明的是，以上僅是以包括ADS型陣列基板的顯示裝置(即ADS型顯示裝置)中，偏振片120的透過軸方向與線柵偏振圖案B的透過軸方向垂直的情況下，透射階段為常黑模式，反射階段為常白模式為例說明的；當(dāng)然，在該顯示裝置中也可以是偏振片120的透過軸方向與線柵偏振圖案B的透過軸方向一致，透射階段為常白模式，反射階段為常黑模式。

另外，對(duì)于包括TN型陣列基板的顯示裝置而言，與上述ADS型顯示裝置不同的是，ADS型顯示裝置在不加電壓的情況下，液晶層04不會(huì)改變偏振光的偏轉(zhuǎn)方向，而TN型顯示裝置中，在不加電壓的情況下，液晶自身成扭曲形態(tài)排列，液晶層04能夠使得偏振光的偏轉(zhuǎn)方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)(一般為90°)，從而使得對(duì)于TN型顯示裝置中，偏振片120的透過軸方向與線柵偏振圖案B的透過軸方向垂直的情況下，透射階段為常白模式，反射階段為常黑模式，即與ADS型顯示裝置相反，具體的顯示原理與上述ADS型顯示原理相近，此處不再贅述。

此處還需要說明的，由于常黑模式相對(duì)于常白模式而言，顯示畫面的對(duì)比度，色彩飽和度相對(duì)較好，因此，本發(fā)明優(yōu)選的采用常黑模式。具體的，對(duì)于上述透反型顯示裝置而言，在實(shí)際的應(yīng)用中可以根據(jù)實(shí)際需要，選擇該透反型顯示裝置為透射階段為常黑模式，反射階段為常白模式；或者，反射階段為常黑模式，透射階段為常白模式。

例如，當(dāng)該透反型顯示裝置大部分在外界光線較好的環(huán)境中使用，可以選擇采用偏振片120的透過軸方向與陣列基板02中驅(qū)動(dòng)電極20的線柵偏振圖案B的透過軸方向一致，即反射階段為常黑模式，透射階段為常白模式。當(dāng)透反型顯示裝置大部分在光線較暗的環(huán)境中使用，可以選擇采用偏振片120的透過軸方向與陣列基板02中驅(qū)動(dòng)電極20的線柵偏振圖案B的透過軸方向垂直，即透射階段為常黑模式，反射階段為常白模式。

綜上所示，上述透反型顯示裝置，在透射階段為透射型顯示裝置，在反射階段為反射型顯示裝置，可以根據(jù)實(shí)際的需要進(jìn)行選擇。以下提供一種上述透反型顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，以實(shí)現(xiàn)不同顯示類型的應(yīng)用，該驅(qū)動(dòng)方法包括：

在透射式顯示階段，打開背光模組，并向顯示面板輸入第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以使得顯示裝置顯示圖像。

在反射式顯示階段，關(guān)閉背光模組，并向顯示面板輸入第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以使得顯示裝置顯示圖像。

另外，針對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的半透半反型顯示裝置，通過在一個(gè)亞像素單元中的，將一半?yún)^(qū)域設(shè)置為透射結(jié)構(gòu)，另一半?yún)^(qū)域設(shè)置為反射結(jié)構(gòu)，這樣一來，在透射階段和反射階段的開口率均約為整個(gè)顯示面板開口率的一半。而本發(fā)明中，采用相同的結(jié)構(gòu)分別實(shí)現(xiàn)透射和反射，即在透射階段和反射階段的開口率均為整個(gè)顯示面板的開口率，從而有利于畫面的顯示。

實(shí)施例二

陣列基板02應(yīng)用于反射型顯示裝置，如圖9所示，與圖8a的透反型顯示裝置相比，該反射型顯示裝置不包括背光模組01，直接利用外界的光線經(jīng)顯示裝置內(nèi)部發(fā)生反射，以進(jìn)行畫面顯示，具體顯示過程與實(shí)施例一中反射階段的具體內(nèi)容相同，此處不再贅述。

但是，針對(duì)于反射型顯示裝置而言，優(yōu)選的，偏振片120的透過軸方向與陣列基板02中驅(qū)動(dòng)電極20的線柵偏振圖案B的透過軸方向一致，以使得該反射型顯示裝置為常黑模式，即在不加電壓的情況下，外界的光線全部透過線柵偏振圖案B，而不存在反射的光線經(jīng)線柵偏振圖案B從顯示裝置的顯示側(cè)透過。

在此基礎(chǔ)上，為了避免上述透過線柵偏振圖案B的光線對(duì)顯示裝置的顯示效果，例如對(duì)比度、色彩飽和度等，帶來影響，如圖10a所示，陣列基板02還包括設(shè)置在襯底基板110上的吸光層400，吸光層400位于驅(qū)動(dòng)電極20的外側(cè)，通過該吸光層400可以完全吸收透過驅(qū)動(dòng)電極20的光線。

以下對(duì)上述吸光層400位于驅(qū)動(dòng)電極20的外側(cè)做進(jìn)一步的說明。

例如，可以如圖10a所示，該吸光層400位于襯底基板110與驅(qū)動(dòng)電極20之間。

又例如，可以如圖10b所示，該吸光層400位于襯底基板110的外側(cè)，即襯底基板110的背離驅(qū)動(dòng)電極20的一側(cè)。

當(dāng)然，為了避免吸光層400位于襯底基板110與驅(qū)動(dòng)電極20之間對(duì)陣列基板02內(nèi)部的結(jié)構(gòu)帶來影響，本發(fā)明優(yōu)選的，將吸光層400設(shè)置于襯底基板110的外側(cè)。

另外，優(yōu)選的，上述吸光層400的材料與黑矩陣材料相同，例如，樹脂類黑矩陣材料、金屬類黑矩陣材料等，以有效的對(duì)透過線柵偏振圖案B的光線進(jìn)行吸收。

本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提供一種陣列基板的制造方法，如圖11所示，該制造方法包括：

步驟S101、如圖12a所示，在襯底基板110上形成金屬薄膜21，并在金屬薄膜21上涂覆光刻膠22。

具體的，可以在形成有薄膜晶體管的柵極、柵極絕緣層以及半導(dǎo)體有源層的襯底基板110上，采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)形成金屬薄膜21，在該金屬薄膜21上形成均勻的光刻膠薄膜。

步驟S102、如圖12a所示，采用壓印模板23對(duì)光刻膠22進(jìn)行壓印，如圖12b所示，脫模后形成光刻膠圖案C。

具體的，可以采用納米壓印技術(shù)通過壓印模板23對(duì)光刻膠22進(jìn)行壓印施加均勻的壓力，去除部分區(qū)域的光刻膠22，在脫模后形成如圖12b中的光刻膠圖案C。

此處需要說明的是，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電極20為像素電極的情況下，優(yōu)選的，如圖2b所示，通過一側(cè)壓印形成同層設(shè)置的驅(qū)動(dòng)電極20、數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301與漏極302，且數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管30的源極301與漏極302為面狀結(jié)構(gòu)，具體理由在前述陣列基板02已進(jìn)行詳細(xì)介紹，此處不再贅述。

步驟S103、對(duì)形成有光刻膠圖案C的襯底基板110進(jìn)行刻蝕，如圖12c所示，以將金屬薄膜21構(gòu)圖形成與光刻膠圖案C形狀相同的金屬圖案C’，金屬圖案C’包括：多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極20，其中12c僅示出一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極20，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極20可以參考圖2a，驅(qū)動(dòng)電極20(參考圖3a和3b)包括：由多條平行的金屬線201組成的線柵偏振圖案B，以及將多條金屬線201相連的連接線202。

具體的，通過刻蝕形成驅(qū)動(dòng)電極20的同時(shí)，如圖12c所示，可以形成數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管的源極301和漏極302，并且優(yōu)選的數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管的源極301和漏極302為面狀結(jié)構(gòu)；另外，優(yōu)選的，上述驅(qū)動(dòng)電極20中采用圖3b中通過兩條連接線202分別將多條金屬線201兩側(cè)的端部相連，具體理由同上，此處不再贅述。

步驟S104、如圖12d所示，將剩余的光刻膠圖案C剝離。

在步驟S104之后可以繼續(xù)制作該陣列基板02的其他膜層，其他膜層的制備方法可以采用與現(xiàn)有技術(shù)相同制造方法形成，此處不再贅述。

另外，由于該陣列基板的制造方法是前述實(shí)施例中陣列基板相對(duì)應(yīng)，具有與前述實(shí)施例提供的陣列基板相同的結(jié)構(gòu)和有益效果。由于前述實(shí)施例已經(jīng)對(duì)陣列基板的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。