專利名稱：用于確定工藝變化的影響的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要地涉及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化。更具體而言，本發(fā)明涉及用于確定工藝變化
的影響的方法和裝置。
背景技術(shù)：
計(jì)算技術(shù)的迅速發(fā)展已經(jīng)使得對(duì)有時(shí)多達(dá)百萬(wàn)兆字節(jié)的數(shù)據(jù)集進(jìn)行每秒數(shù)以萬(wàn) 億計(jì)的計(jì)算操作成為可能。這些發(fā)展可以歸功于使得有可能將數(shù)以千萬(wàn)計(jì)的器件集成到單 個(gè)芯片上的半導(dǎo)體制造技術(shù)的巨大改進(jìn)。 半導(dǎo)體制造技術(shù)的工藝變化可能造成實(shí)際集成電路的特性不同于所需特性。如果 這一差異過(guò)大，則它可能導(dǎo)致制造問(wèn)題，這些問(wèn)題可能減少產(chǎn)量和/或降低集成電路的性 能。 因此，希望確定工藝變化對(duì)特征的關(guān)鍵尺度的影B向，從而可以確定可以容許的變 化量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種確定工藝變化的影響的系統(tǒng)。該系統(tǒng)創(chuàng)建布局，該 布局包含圖案的多個(gè)實(shí)例。接著，該系統(tǒng)通過(guò)使用如下光刻工藝模型來(lái)校正圖案的不同實(shí) 例，這些光刻工藝模型使用不同工藝條件來(lái)校準(zhǔn)。具體而言，可以使用不同曝光和聚焦條件 來(lái)校準(zhǔn)光刻工藝模型。 然后在標(biāo)稱工藝條件之下對(duì)校正的布局進(jìn)行光刻工藝。接著，該系統(tǒng)使用晶片上 的印刷特征以確定工藝變化的影響。 在一個(gè)實(shí)施例中，布局圖案用于可電測(cè)試的結(jié)構(gòu)、即可以對(duì)印刷的圖案進(jìn)行開(kāi)路/ 短路或者參數(shù)測(cè)試。電子測(cè)試的結(jié)果可以用來(lái)估計(jì)工藝窗或者估計(jì)由于曝光和聚焦漂移所 致的產(chǎn)量損失。 在另一實(shí)施例中，以物理(例如使用掃描電子顯微鏡)或者電方式測(cè)量晶片上的
特征的關(guān)鍵尺度。該系統(tǒng)然后可以使用關(guān)鍵尺度測(cè)量來(lái)生成曝光-聚焦矩陣。 注意，如在晶片上印刷的不同圖案實(shí)例的關(guān)鍵尺度模擬不同工藝條件的效果，這
是因?yàn)橐咽褂貌煌に嚄l件校準(zhǔn)的光刻工藝模型校正該圖案實(shí)例。以這一方式，本發(fā)明的
實(shí)施例使用戶能夠確定在不同工藝條件之下的特征的關(guān)鍵尺度，而無(wú)需實(shí)際地多次印刷布
局，并且在這樣做時(shí)可以減少為了確定工藝變化的影響而需要的時(shí)間和資源數(shù)量。


圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在設(shè)計(jì)和制作集成電路時(shí)的各種階段。
圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的典型光學(xué)系統(tǒng)。
圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的曝光-聚焦矩陣。 圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的如何通過(guò)使用不同工藝模型校正圖案的多
5個(gè)實(shí)例來(lái)確定工藝變化的影響。 圖5呈現(xiàn)了對(duì)根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于確定工藝變化的影響的過(guò)程進(jìn)行圖 示的流程圖。 圖6圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的可以用來(lái)確定曝光-聚焦矩陣的計(jì)算機(jī)系 統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
呈現(xiàn)以下描述以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)和利用本發(fā)明，并且在特定應(yīng)用及其 要求的背景下提供該描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易清楚對(duì)公開(kāi)的實(shí)施例的各種修改，并且 這里限定的一般原理可以適用于其它實(shí)施例和應(yīng)用而不脫離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)和范圍。因 此，本發(fā)明不限于所示實(shí)施例而是將被賦予以與這里公開(kāi)的原理和特征一致的最廣范圍。
誠(chéng)電路(IC) i殳i備罕 圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在設(shè)計(jì)和制作集成電路時(shí)的各種階段。
該過(guò)程通常從使用EDA工藝(步驟110)來(lái)實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品想法(步驟100)開(kāi)始。一 旦設(shè)計(jì)定稿，通常交付(tep-out)(事件140)該設(shè)計(jì)，并且該設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)制作工藝(步驟150) 以及封裝和組裝工藝(步驟160)以產(chǎn)生成品芯片(結(jié)果170)。 EDA工藝(步驟IIO)包括下文僅出于示例目的而描述的而且并非用來(lái)限制本發(fā)明 的步驟112-130。例如，實(shí)際集成電路設(shè)計(jì)可能要求設(shè)計(jì)者在與下述序列不同的序列中進(jìn)行 設(shè)計(jì)步驟。 系統(tǒng)設(shè)計(jì)(步驟112):在這一步驟中，設(shè)計(jì)者描述他們想要實(shí)施的功能。他們 也可以進(jìn)行假設(shè)(what-if)規(guī)劃以精化功能、檢驗(yàn)成本等。硬件-軟件架構(gòu)劃分可以出 現(xiàn)在這一階段?？梢栽谶@一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括
ModelArchitect、Saber⑧、System studio和Design Ware⑧。 邏輯設(shè)計(jì)和功能驗(yàn)證(步驟114):在這一階段，編寫用于系統(tǒng)中的模塊的VHDL 或者Verilog代碼，并且檢驗(yàn)該設(shè)計(jì)的功能準(zhǔn)確性。更具體而言，檢驗(yàn)該設(shè)計(jì)以保證它 產(chǎn)生正確輸出。可以在這一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括
VCS 、 Vera 、DesignWare⑧、Magel lan 、 Formality 、 esp和Leda⑧。 合成和測(cè)試設(shè)計(jì)(步驟116) :VHDL/Veri log可以在這一階段中轉(zhuǎn)譯成網(wǎng) 表?？梢葬槍?duì)目標(biāo)技術(shù)優(yōu)化該網(wǎng)表，并且可以設(shè)計(jì)和實(shí)施測(cè)試以檢驗(yàn)成品芯片?？梢?在這一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括Design Compiler 、 Physical Complier⑧、Test Compi 1 er、 Power Compi 1 erTM、 FPGA Compiler、
TetraMAX⑧和DesignWare⑧。 網(wǎng)表驗(yàn)證(步驟118):在這一步驟中，檢驗(yàn)網(wǎng)表與時(shí)序約束的相符性和與VHDL/ Verilog源代碼的對(duì)應(yīng)性?？梢栽谶@一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品
包括Formality⑧、PrimeTime⑧和VCS⑧。 設(shè)計(jì)規(guī)劃(步驟120):這里構(gòu)造和分析用于芯片的整個(gè)平面圖以便進(jìn)行定時(shí)和頂 級(jí)布線?？梢栽谶@一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括Astro 和IC Compiler產(chǎn)品。
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物理實(shí)施(步驟122):在這一步驟出現(xiàn)布置(對(duì)電路元件的定位)和布線(對(duì) 電路元件的連接)。可以在這一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括 Astr。TM和IC Compiler產(chǎn)品。 分析和提取(步驟124):在這一階段，在晶體管級(jí)驗(yàn)證電路功能；這又允許假設(shè)的 精化?？梢栽谶@一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括Astr0RailTM、 PrimeRail、PrimeTime⑧和Star-RCXT 。 物理驗(yàn)證(步驟126):在這一步驟中，檢驗(yàn)設(shè)計(jì)以保證制造、電問(wèn)題、光刻問(wèn)題 和電路的正確性?？梢栽谶@一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括 Hercules 產(chǎn)品。 分辨率增強(qiáng)(步驟128):這一步驟涉及到對(duì)布局的幾何形狀操控以提高設(shè)計(jì)的 可制造性?？梢栽谶@一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括Proteus/ Progen、 ProteusAF禾口 PSMGen。 掩膜數(shù)據(jù)預(yù)備(步驟130):這一步驟提供用于產(chǎn)生掩膜以產(chǎn)生成品芯片的"交付" 數(shù)據(jù)?？梢栽谶@一步驟使用的來(lái)自Synopsys公司的示例EDA軟件產(chǎn)品包括CATS⑧系列
A 口 工藝窗 可能由于各種原因而出現(xiàn)工藝變化。例如在光刻中，主軸的旋轉(zhuǎn)速度的變化可能 造成抗蝕劑厚度變化，這可能造成反射率的變化，從而又可能造成對(duì)圖案圖像的不希望的 改變。類似地，掃描器的曝光劑量可能偏離它的標(biāo)稱設(shè)定值，這可能造成關(guān)鍵尺度(CD)的 變化藝。 工藝變化可能造成實(shí)際集成電路的特性不同于所需特性。如果這一差異過(guò)大，則
它可能導(dǎo)致制造問(wèn)題，這些問(wèn)題可能減少產(chǎn)量和/或降低集成電路的性能。 具體而言，晶片上的特征的關(guān)鍵尺度必須在給定容差內(nèi)，以保證集成電路的正常
工作。半導(dǎo)體制造工藝的工藝窗是在不造成晶片上的特征的關(guān)鍵尺度超出可接受的值范圍
的情況下可以容許的工藝變化量。 工藝模型 工藝模型對(duì)通常涉及到復(fù)雜物理和化學(xué)互作用的一個(gè)或者多個(gè)半導(dǎo)體制造工藝 的行為進(jìn)行建模。可以通過(guò)將內(nèi)核系數(shù)與經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合或者校準(zhǔn)來(lái)確定工藝模型。通常通 過(guò)將正在建模的半導(dǎo)體制造工藝應(yīng)用于一個(gè)或者多個(gè)測(cè)試布局來(lái)生成經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)。例如，光 刻工藝可以用來(lái)在晶片上印刷測(cè)試布局。接著，可以通過(guò)測(cè)量特征的關(guān)鍵尺度(CD)來(lái)獲得 經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)。未校正的工藝模型然后可以與經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合，以獲得對(duì)光刻工藝進(jìn)行建模的校 準(zhǔn)的工藝模型。 —旦確定工藝模型，它可以在設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體芯片期間使用于諸多應(yīng)用中。例 如，工藝模型通常用來(lái)支持光學(xué)鄰近校正(0PC)和分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)。這些模型可以在 交付流程期間在合理期限內(nèi)允許全芯片數(shù)據(jù)庫(kù)操控。 未校準(zhǔn)的工藝模型通常包括與參數(shù)和/或系數(shù)關(guān)聯(lián)的分量。在校準(zhǔn)期間，參數(shù)和 /或系數(shù)可以令人滿意地與經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合以獲得最終工藝模型。工藝模型中的分量通常是
設(shè)計(jì)成對(duì)特定物理效果進(jìn)行建模的數(shù)學(xué) 達(dá)式。例如，可以將工藝模型表示為;"'^，其中 ki是分量或者內(nèi)核，而Ci是與b關(guān)聯(lián)的系數(shù)。經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以包括所需性質(zhì)如CD在布局中的不同位置的值。 一旦工藝模型與經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合，它然后可以用來(lái)預(yù)測(cè)所需性質(zhì)用于其它 布局的值。 可能無(wú)法校準(zhǔn)系數(shù)值使得預(yù)測(cè)的數(shù)據(jù)與經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)準(zhǔn)確地匹配。即使可利用精確擬
合，但是可能并不期望使用它，因?yàn)樗霉に嚹Ｐ涂赡軟](méi)有恰當(dāng)?shù)貎?nèi)插和/或外插。通常，
統(tǒng)計(jì)擬合技術(shù)用來(lái)確定參數(shù)和/或系數(shù)，從而使經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)與預(yù)測(cè)的數(shù)據(jù)之間的誤差最小。
在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)可以使用最小平方擬合技術(shù)以確定參數(shù)和/或系數(shù)值。 如果工藝模型適當(dāng)?shù)貎?nèi)插和外插、S卩如果工藝模型在它應(yīng)用于與在擬合過(guò)程期間
使用的布局不同的布局時(shí)生成準(zhǔn)確結(jié)果，則認(rèn)為它是穩(wěn)健的。 一般而言，工藝模型使用的建
模函數(shù)或者內(nèi)核越少，它就越穩(wěn)健。然而，使用更少內(nèi)核可能降低工藝模型的準(zhǔn)確性。因此，
通常存在在工藝模型的穩(wěn)健性與準(zhǔn)確性之間的權(quán)衡。 錢工対飾 光刻工藝模型中的光學(xué)模型通?；趯?duì)部分相干光學(xué)系統(tǒng)的性能進(jìn)行建模的霍 普金斯(Hopkins)模型。 圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的典型光學(xué)系統(tǒng)。 來(lái)自源202的輻射可以由聚光器204準(zhǔn)直。準(zhǔn)直光然后通過(guò)掩膜206、孔208、透
鏡體210并且在晶片212上形成圖像。 可以使用以下表達(dá)式來(lái)描述霍普金斯模型 /(x，力=j]" j"pX乂, y'; x", y') >>; ;c',;/) ￡ (;c, x",辦'血"d;/' 其中I(x，y)是在晶片上的點(diǎn)(x，y)的光學(xué)密度，L(x， y ;x' ，y')是光源和掩膜 的集總模型，C是L的復(fù)共軛，而J(x' ，y' ;x〃 ，y〃 )對(duì)光在掩膜上的兩點(diǎn)之間的相干性 進(jìn)行建模。集總模型(L)實(shí)質(zhì)上將掩膜視為光源陣列。具體而言，L(x， y ;x' ， y')對(duì)掩 膜上作為點(diǎn)源的點(diǎn)(x' ，y')進(jìn)行建模，而J(x' ，y' ;x〃，y〃 )對(duì)從掩膜上的點(diǎn)(x'， y')和(x〃 ，y〃 )發(fā)散的光之間的相干性進(jìn)行建模。可以將集總模型(L)表示為掩膜與 源之間的巻積。例如，可以使用掩膜模型和源模型將集總模型表示如下
丄"'7;:', / ) = , / ) 《O， y;工'，力， 其中M(x' ，y')對(duì)掩膜進(jìn)行建模，而K(x， y ;x' ， y')對(duì)源進(jìn)行建模。
霍普金斯模型可以用來(lái)確定對(duì)光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行建模的稱為傳輸交叉系數(shù)(TCC)矩 陣的4D(四維)矩陣。然后可以使用成組正交2D(二維)內(nèi)核來(lái)表示TCC矩陣?？梢允?用TCC矩陣的本征函數(shù)來(lái)確定成組正交內(nèi)核?？梢酝ㄟ^(guò)將成組2D內(nèi)核與掩膜巻積來(lái)確定 晶片上的特征。可以在Alfred Kwok-Kit Wong于2005年在SPIE-InternationalSociety for Optical Engine發(fā)表的Optical Imaging in Pro jectionMicrolithogr即hy禾口 Grant R. Fowles于1989年由Dover出版社出版的Introduction to Modern Optics第2版中找 到關(guān)于光刻和工藝建模的主要信息。 在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)使用稱為澤爾尼克(Zernike)多項(xiàng)式的成組正交函數(shù)來(lái)表 示光學(xué)系統(tǒng)。澤爾尼克多項(xiàng)式由形式與在光學(xué)系統(tǒng)中經(jīng)常觀測(cè)到的像差(aberration)類 型相同的項(xiàng)組成。例如，一個(gè)澤爾尼克多項(xiàng)式可以與散焦關(guān)聯(lián)，而另一澤爾尼克多項(xiàng)式可以
與傾斜關(guān)聯(lián)，等等?？梢允褂帽磉_(dá)式;"'A)來(lái)表示光學(xué)系統(tǒng)，其中Zi是澤爾尼克多項(xiàng)式， 而q是與Zi關(guān)聯(lián)的光學(xué)系數(shù)。
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僅出于示例和描述的目的已經(jīng)呈現(xiàn)對(duì)光刻工藝模型的前文描述。本意并非讓它們 窮舉本發(fā)明或者使本發(fā)明限于公開(kāi)的形式。因而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚許多修改和變型。
具體而言，光刻工藝模型的復(fù)雜性可以依賴于將要在其中使用該工藝模型的應(yīng) 用。例如，如果想要對(duì)包含復(fù)雜幾何形狀的布局進(jìn)行全面(full-blown) OPC，則可能需要一 種對(duì)光刻工藝準(zhǔn)確地進(jìn)行建模的精細(xì)工藝模型。另一方面，如果只是想要對(duì)曝光和聚焦變 化對(duì)1D(—維)特征的影響進(jìn)行建模，則工藝模型可以與基于曝光和聚焦值來(lái)返回關(guān)鍵尺 度的線性或者二次函數(shù)一樣簡(jiǎn)單。
HmiH柳車 在常規(guī)技術(shù)中使用曝光-聚焦矩陣來(lái)確定光刻工藝的工藝窗。在這一技術(shù)中，在 不同工藝條件之下使用光刻工藝來(lái)印刷布局。測(cè)量關(guān)鍵尺度并且將關(guān)鍵尺度與不同工藝條 件關(guān)聯(lián)以獲得曝光_聚焦矩陣。 圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的曝光-聚焦矩陣。 曝光-聚焦矩陣300中的各矩陣元代表使用具體曝光和聚焦來(lái)印刷的特征的關(guān)鍵 尺度。例如，各行可以與特定曝光對(duì)應(yīng)，而各列可以與特定聚焦對(duì)應(yīng)。 矩陣中的矩陣元之一針對(duì)標(biāo)稱工藝條件而言通常與特征的關(guān)鍵尺度對(duì)應(yīng)。例如， 中心矩陣元、即矩陣元302可以是在標(biāo)稱曝光和聚焦條件下通過(guò)光刻工藝印刷的特征的關(guān) 鍵尺度。 矩陣中的其它矩陣元可以與在不同于標(biāo)稱工藝條件的工藝條件之下的特征關(guān)鍵 尺度對(duì)應(yīng)。例如，矩陣元304可以是與比標(biāo)稱曝光更大的曝光和以標(biāo)稱聚焦為參照正偏置 的聚焦(即正散焦)對(duì)應(yīng)的特征關(guān)鍵尺度。 曝光-聚焦矩陣300可以用來(lái)確定工藝窗。注意隨著從矩陣的中心移開(kāi)，期望關(guān) 鍵尺度值變得與在中心矩陣元的關(guān)鍵尺度值越來(lái)越不同。具體而言，在中心矩陣元周圍的 區(qū)域?qū)莶顑?nèi)的關(guān)鍵尺度值。這一區(qū)域的邊界代表用于光刻工藝的工藝窗。
例如，令矩陣元306、308、310和312代表矩陣中的如下區(qū)域314的邊界，該區(qū)域包 含在容差內(nèi)的關(guān)鍵尺度值。落在這一區(qū)域以外的矩陣元具有不在關(guān)鍵尺度的可接受范圍內(nèi) 的關(guān)鍵尺度值。例如，矩陣元314中的關(guān)鍵尺度值與在矩陣元302的關(guān)鍵尺度值(與標(biāo)稱 工藝條件對(duì)應(yīng))之差大于可以容許的關(guān)鍵尺度值最大變化。與矩陣元306、308、310和312 對(duì)應(yīng)的曝光和聚焦值代表用于光刻工藝的工藝窗。 在常規(guī)技術(shù)中，需要在不同工藝條件之下多次印刷布局。例如，為了獲得曝光聚焦 矩陣300，將需要印刷布局49次，這是曝光_聚焦矩陣300中的矩陣元數(shù)目。僅一次印刷布 局本身也是繁重的任務(wù)，更何況多次印刷布局。因而用于確定曝光-聚焦矩陣的常規(guī)技術(shù) 通常需要大量時(shí)間和資源。因此希望減少為了確定工藝變化的影響而需要的時(shí)間和資源數(shù) 確定工，/變化的影響 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供用于確定工藝變化的影響而不耗費(fèi)大量時(shí)間和資源的 系統(tǒng)和技術(shù)。具體而言，與需要在不同工藝條件之下多次印刷布局的常規(guī)技術(shù)對(duì)照，本發(fā)明 的實(shí)施例使用戶能夠通過(guò)僅一次印刷布局來(lái)確定工藝變化的影響(例如通過(guò)確定曝光-聚 焦矩陣)。 本發(fā)明的實(shí)施例基于以下理解如果具有布局中的圖案的多個(gè)實(shí)例，并且如果修
9改圖案以模擬曝光和聚焦變化的影響，則可以通過(guò)僅一次印刷布局來(lái)確定工藝變化的影 響。具體而言，可以使用在與標(biāo)稱工藝條件不同的工藝條件校準(zhǔn)的工藝模型來(lái)校正圖案的 不同實(shí)例。 注意這一理解有悖直覺(jué)，因?yàn)樗褂貌煌に嚹Ｐ鸵孕Ｕ嗤季稚系牟煌瑘D 案。常規(guī)技術(shù)使用(在標(biāo)稱工藝條件校準(zhǔn)的)相同工藝模型以校正布局中的所有圖案，因 為常規(guī)技術(shù)想要準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)在標(biāo)稱工藝條件下印刷布局時(shí)晶片上的特征形狀。如果常規(guī)技 術(shù)使用在與標(biāo)稱工藝條件不同的工藝條件校準(zhǔn)的工藝模型來(lái)校正圖案，則圖案將不會(huì)如希 望的那樣印刷，并且常規(guī)技術(shù)將生成不準(zhǔn)確結(jié)果。因此，常規(guī)技術(shù)要求使用相同工藝模型以 校正布局中的所有圖案。對(duì)照而言，本發(fā)明的實(shí)施例使用不同工藝模型以校正布局中的不 同圖案。 圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的如何通過(guò)使用不同工藝模型校正圖案的多 個(gè)實(shí)例來(lái)確定工藝變化的影響。 布局402包括圖案的多個(gè)實(shí)例，比如圖案實(shí)例404和406。注意布局將通常包括 圖案的更多的實(shí)例。例如，為了確定7X7曝光-聚焦矩陣，布局將包括圖案的至少49個(gè)實(shí) 例。然而為求簡(jiǎn)潔，在圖4中圖示了圖案的僅兩個(gè)實(shí)例。 可以使用如下工藝模型來(lái)校正圖案實(shí)例404，該工藝模型是使用比標(biāo)稱曝光更大 的曝光和相對(duì)于標(biāo)稱聚焦正偏置的聚焦來(lái)校準(zhǔn)的。另一方面，可以使用如下工藝模型來(lái)校 準(zhǔn)圖案實(shí)例406，該工藝模型是使用比標(biāo)稱曝光更少的曝光和相對(duì)于標(biāo)稱聚焦負(fù)偏置的聚 焦來(lái)校準(zhǔn)的。 在校正的布局408中圖示了校正的圖案實(shí)例。 一旦印刷校正的布局以獲得晶片 410，可以對(duì)印刷的結(jié)構(gòu)進(jìn)行電測(cè)試以確定工藝變化的影響。 取而代之，可以使用掃描電子顯微鏡來(lái)測(cè)量晶片410上的特征的關(guān)鍵尺度。這些 關(guān)鍵尺度測(cè)量然后可以用來(lái)確定曝光-聚焦矩陣。例如，晶片410上的特征的關(guān)鍵尺度可以 用來(lái)創(chuàng)建曝光_聚焦矩陣412。曝光-聚焦矩陣412中的矩陣元414包含圖案實(shí)例404的 CD測(cè)量，曝光-聚焦矩陣412中的矩陣元416包含圖案實(shí)例406的CD測(cè)量，而矩陣元418 涉及在標(biāo)稱曝光和聚焦條件下對(duì)又一圖案實(shí)例(圖4中未示出)的CD測(cè)量。
注意，與矩陣中的矩陣元關(guān)聯(lián)的曝光和聚焦條件是工藝模型的校準(zhǔn)所針對(duì)的曝光 和聚焦條件的"相反條件"。例如，使用按照比標(biāo)稱曝光更大的曝光和相對(duì)于標(biāo)稱聚焦正偏 置的聚焦而校準(zhǔn)的工藝模型來(lái)校正圖案實(shí)例404。因此，曝光-聚焦矩陣412中的矩陣元 414(包含圖案實(shí)例404的CD測(cè)量)與比標(biāo)稱曝光更少的曝光和相對(duì)于標(biāo)稱聚焦負(fù)偏置的 聚焦關(guān)聯(lián)。這是因?yàn)橄鄬?duì)于校準(zhǔn)工藝模型時(shí)的工藝點(diǎn)，標(biāo)稱工藝條件具有更低曝光并且具 有負(fù)偏置的聚焦。類似地，曝光_聚焦矩陣412中的矩陣元416 (包含圖案實(shí)例406的CD 測(cè)量)與比標(biāo)稱曝光更大的曝光和相對(duì)于標(biāo)稱聚焦正偏置的聚焦關(guān)聯(lián)。
用于確定工，/變化的影響的過(guò)禾呈 圖5呈現(xiàn)了對(duì)根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于確定工藝變化的影響的過(guò)程進(jìn)行圖 示的流程圖。 該過(guò)程可以通過(guò)接收包括圖案的多個(gè)實(shí)例的布局(步驟502)來(lái)開(kāi)始。在一個(gè)實(shí) 施例中，圖案實(shí)例是可電測(cè)試的結(jié)構(gòu)。例如在標(biāo)稱工藝條件下，圖案實(shí)例可以有望在晶片上 印刷電耦合的特征。然而，如果工藝條件不同于標(biāo)稱工藝條件，則它可能造成特征的關(guān)鍵尺度改變，這可能造成特征不再電耦合。以這一方式，可以通過(guò)對(duì)特征進(jìn)行電開(kāi)路/短路測(cè)試 或者參數(shù)測(cè)試來(lái)確定工藝變化的影響。 接著，系統(tǒng)可以接收在不同曝光和聚焦條件對(duì)光刻工藝進(jìn)行建模的成組光刻工藝 模型(步驟504)。 可以通過(guò)使用工藝數(shù)據(jù)校準(zhǔn)未校準(zhǔn)的工藝模型，來(lái)確定成組光刻工藝模型，該工 藝數(shù)據(jù)是通過(guò)在不同曝光和聚焦條件對(duì)測(cè)試布局進(jìn)行光刻工藝來(lái)生成的。具體而言，系統(tǒng) 可以接收用于校準(zhǔn)未校準(zhǔn)的光刻工藝模型的測(cè)試布局。接著，系統(tǒng)可以通過(guò)在具體曝光和 聚焦條件之下對(duì)測(cè)試布局進(jìn)行光刻工藝，來(lái)在測(cè)試晶片上印刷測(cè)試布局。系統(tǒng)然后可以通 過(guò)測(cè)量測(cè)試晶片上的測(cè)試特征的關(guān)鍵尺度來(lái)生成工藝數(shù)據(jù)。接著，系統(tǒng)可以將未校準(zhǔn)的工 藝模型與工藝數(shù)據(jù)擬合。 系統(tǒng)然后可以對(duì)布局進(jìn)行光學(xué)鄰近校正以獲得校正的布局，其中使用成組光刻工 藝模型中的不同光刻工藝模型來(lái)校正布局中的圖案的各實(shí)例(步驟506)。
接著，系統(tǒng)可以通過(guò)在標(biāo)稱曝光和聚焦條件下對(duì)布局進(jìn)行光刻工藝，來(lái)在晶片上 印刷校正的布局(步驟508)。 系統(tǒng)然后可以使用晶片上的特征來(lái)確定工藝變化的影響。具體而言，系統(tǒng)可以對(duì) 特征進(jìn)行電開(kāi)路/短路或者參數(shù)測(cè)試(步驟510)。 接著，系統(tǒng)可以存儲(chǔ)電測(cè)試的結(jié)果(步驟512)。測(cè)試結(jié)果然后可以用來(lái)確定工藝 變化的影響。 取而代之，系統(tǒng)可以測(cè)量晶片上與圖案的實(shí)例關(guān)聯(lián)的特征關(guān)鍵尺度。接著，系統(tǒng)可 以通過(guò)將晶片上的特征的測(cè)量關(guān)鍵尺度和與成組光刻工藝模型關(guān)聯(lián)的不同曝光和聚焦條 件關(guān)聯(lián)，來(lái)確定用于光刻工藝的曝光_聚焦矩陣。 具體而言，如果使用比標(biāo)稱曝光更少的曝光校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正圖案的實(shí) 例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)可以與比標(biāo)稱曝光更大的曝光關(guān)聯(lián)。另一方面，如果使用比標(biāo)稱曝 光更大的曝光校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正圖案的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與比標(biāo)稱曝光 更少的曝光關(guān)聯(lián)。 類似地，如果使用以標(biāo)稱聚焦為參照正偏置的聚焦進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校 準(zhǔn)圖案的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與以標(biāo)稱聚焦為參照負(fù)偏置的聚焦關(guān)聯(lián)。另一方面，如 果使用以標(biāo)稱聚焦為參照負(fù)偏置的聚焦進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校準(zhǔn)圖案的實(shí)例，則對(duì) 應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與以標(biāo)稱聚焦為參照正偏置的聚焦關(guān)聯(lián)。 一旦已經(jīng)確定曝光-聚焦矩陣， 則系統(tǒng)可以存儲(chǔ)該曝光_聚焦矩陣。 圖6圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例可以用來(lái)確定曝光-聚焦矩陣的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)602包括處理器604(其可以包括一個(gè)或者多個(gè)核)、存儲(chǔ)器606和存 儲(chǔ)設(shè)備608。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)602可以與顯示器614、鍵盤610和指示設(shè)備612耦合。存儲(chǔ)設(shè)備 608可以存儲(chǔ)布局616、工藝模型618和測(cè)試數(shù)據(jù)620。在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)602可 以包括多處理器系統(tǒng)。 在操作期間，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)602可以將布局616和工藝模型618加載到存儲(chǔ)器606 中。用戶然后可以使用工藝模型618來(lái)生成校正的布局。接著，可以使用在標(biāo)稱工藝條件 下的光刻工藝來(lái)印刷布局，并且一旦印刷，可以進(jìn)行電測(cè)試或者可以測(cè)量所得特征的關(guān)鍵 尺度。用戶然后可以在存儲(chǔ)設(shè)備608上存儲(chǔ)測(cè)試數(shù)據(jù)620，并且使用測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)確定產(chǎn)量損失或者確定曝光-聚焦矩陣。
結(jié)論 在本具體實(shí)施方式
中描述的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和代碼通常存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上，該介質(zhì)可以是能夠存儲(chǔ)用于由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)使用的代碼和/或數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或者介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)包括但不限于易失性存儲(chǔ)器、非易失性存儲(chǔ)器、磁和光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備(比如盤驅(qū)動(dòng)、磁帶、CD(光盤)、DVD(數(shù)字萬(wàn)用盤或者數(shù)字視頻盤)或者現(xiàn)在已知或者以后開(kāi)發(fā)的能夠存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的其它介質(zhì)。 可以將具體實(shí)施方式
這一節(jié)中描述的方法和過(guò)程實(shí)施為能夠存儲(chǔ)于如上所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的代碼和/或數(shù)據(jù)。當(dāng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取和執(zhí)行計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)的代碼和/或數(shù)據(jù)時(shí)，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)作為數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和代碼來(lái)實(shí)施的并且存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)的方法和過(guò)程。 另外，可以在硬件模塊中包括所述方法和過(guò)程。例如，硬件模塊可以包括但不限于專用集成電路(ASIC)芯片、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)以及現(xiàn)在已知或者將來(lái)開(kāi)發(fā)的其它可編程邏輯器件。當(dāng)激活硬件模塊時(shí)，硬件模塊實(shí)現(xiàn)硬件模塊中包括的方法和過(guò)程。
僅出于示例和描述的目的已經(jīng)呈現(xiàn)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的前文描述。本意并非讓它們窮舉本發(fā)明或者使本發(fā)明限于公開(kāi)的形式。因而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚許多修改和變型。此外，本意并非以上述公開(kāi)內(nèi)容限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。
1權(quán)利要求
一種用于確定工藝變化的影響的方法，所述方法包括接收包括圖案的多個(gè)實(shí)例的布局，其中所述圖案被設(shè)計(jì)成在被印刷時(shí)可電測(cè)試；接收在不同曝光和聚焦條件下對(duì)光刻工藝進(jìn)行建模的成組光刻工藝模型；對(duì)所述布局進(jìn)行光學(xué)鄰近校正以獲得已校正的布局，其中使用所述成組光刻工藝模型中的不同光刻工藝模型來(lái)校正所述布局中的圖案的各實(shí)例；通過(guò)在標(biāo)稱曝光和聚焦條件下對(duì)所述已校正的布局進(jìn)行所述光刻工藝，來(lái)在晶片上印刷所述已校正的布局；對(duì)所述晶片上的特征進(jìn)行電測(cè)試，其中所述特征與所述圖案的實(shí)例關(guān)聯(lián)；以及存儲(chǔ)所述電測(cè)試的結(jié)果。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括 測(cè)量所述特征的關(guān)鍵尺度；以及通過(guò)將所述測(cè)量的所述特征的關(guān)鍵尺度和與所述成組光刻工藝模型關(guān)聯(lián)的所述不同 曝光和聚焦條件進(jìn)行關(guān)聯(lián)，來(lái)確定用于所述光刻工藝的曝光_聚焦矩陣。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中如果使用比所述標(biāo)稱曝光更少的曝光進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正所述圖案 的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與比所述標(biāo)稱曝光更大的曝光關(guān)聯(lián)；其中如果使用比所述標(biāo)稱曝光更大的曝光進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正所述圖案 的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與比所述標(biāo)稱曝光更少的曝光關(guān)聯(lián)；其中如果使用以所述標(biāo)稱聚焦為參照正偏置的聚焦進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正 所述圖案的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與以所述標(biāo)稱聚焦為參照負(fù)偏置的聚焦關(guān)聯(lián)；并且其中如果使用以所述標(biāo)稱聚焦為參照負(fù)偏置的聚焦進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正 所述圖案的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與以所述標(biāo)稱聚焦為參照正偏置的聚焦關(guān)聯(lián)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過(guò)使用如下工藝數(shù)據(jù)校準(zhǔn)未校準(zhǔn)的工藝模型來(lái) 確定所述成組光刻工藝模型，所述工藝數(shù)據(jù)是通過(guò)在不同曝光和聚焦條件下對(duì)測(cè)試布局進(jìn) 行所述光刻工藝來(lái)生成的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中校準(zhǔn)所述未校準(zhǔn)的工藝模型包括 接收用于校準(zhǔn)所述未校準(zhǔn)的光刻工藝模型的測(cè)試布局；通過(guò)在具體曝光和聚焦條件之下對(duì)所述測(cè)試布局進(jìn)行所述光刻工藝，來(lái)在測(cè)試晶片上 印刷所述測(cè)試布局；通過(guò)測(cè)量所述測(cè)試晶片上的測(cè)試特征的關(guān)鍵尺度，來(lái)生成工藝數(shù)據(jù)；以及 將所述未校準(zhǔn)的工藝模型與所述工藝數(shù)據(jù)擬合。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中進(jìn)行所述電測(cè)試包括 進(jìn)行電開(kāi)路/短路測(cè)試；或者進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電測(cè)試的結(jié)果用來(lái)估計(jì)產(chǎn)量損失。
8. —種存儲(chǔ)指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述指令在由計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)使得所述計(jì)算機(jī) 實(shí)現(xiàn)一種用于確定工藝變化的影響的方法，所述方法包括接收包括圖案的多個(gè)實(shí)例的布局，其中所述圖案被設(shè)計(jì)成在被印刷時(shí)可電測(cè)試； 接收在不同曝光和聚焦條件下對(duì)所述光刻工藝進(jìn)行建模的成組光刻工藝模型；對(duì)所述布局進(jìn)行光學(xué)鄰近校正以獲得已校正的布局，其中使用所述成組光刻工藝模型 中的不同光刻工藝模型來(lái)校正所述布局中的圖案的各實(shí)例；通過(guò)在標(biāo)稱曝光和聚焦條件下對(duì)所述已校正的布局進(jìn)行所述光刻工藝，來(lái)在晶片上印 刷所述已校正的布局；對(duì)所述晶片上的特征進(jìn)行電測(cè)試，其中所述特征與所述圖案的實(shí)例關(guān)聯(lián)；以及存儲(chǔ)所述電測(cè)試的結(jié)果。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述方法還包括 測(cè)量所述特征的關(guān)鍵尺度；以及通過(guò)將所述測(cè)量的所述特征的關(guān)鍵尺度和與所述成組光刻工藝模型關(guān)聯(lián)的所述不同 曝光和聚焦條件進(jìn)行關(guān)聯(lián)，來(lái)確定用于所述光刻工藝的曝光_聚焦矩陣。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中如果使用比所述標(biāo)稱曝光更少的曝光進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正所述圖案 的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與比所述標(biāo)稱曝光更大的曝光關(guān)聯(lián)；其中如果使用比所述標(biāo)稱曝光更大的曝光進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正所述圖案 的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與比所述標(biāo)稱曝光更少的曝光關(guān)聯(lián)；其中如果使用以所述標(biāo)稱聚焦為參照正偏置的聚焦進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正 所述圖案的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與以所述標(biāo)稱聚焦為參照負(fù)偏置的聚焦關(guān)聯(lián)；并且其中如果使用以所述標(biāo)稱聚焦為參照負(fù)偏置的聚焦進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正 所述圖案的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與以所述標(biāo)稱聚焦為參照正偏置的聚焦關(guān)聯(lián)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中通過(guò)使用如下工藝數(shù)據(jù)校準(zhǔn)未 校準(zhǔn)的工藝模型來(lái)確定所述成組光刻工藝模型，所述工藝數(shù)據(jù)是通過(guò)在不同曝光和聚焦條 件下對(duì)測(cè)試布局進(jìn)行所述光刻工藝來(lái)生成的。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中校準(zhǔn)所述未校準(zhǔn)的工藝模型包括接收用于校準(zhǔn)所述未校準(zhǔn)的光刻工藝模型的測(cè)試布局；通過(guò)在具體曝光和聚焦條件之下對(duì)所述測(cè)試布局進(jìn)行所述光刻工藝，來(lái)在測(cè)試晶片上 印刷所述測(cè)試布局；通過(guò)測(cè)量所述測(cè)試晶片上的測(cè)試特征的關(guān)鍵尺度，來(lái)生成工藝數(shù)據(jù)；以及 將所述未校準(zhǔn)的工藝模型與所述工藝數(shù)據(jù)擬合。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中進(jìn)行所述電測(cè)試包括 進(jìn)行電開(kāi)路/短路測(cè)試；或者進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述電測(cè)試的結(jié)果用來(lái)估計(jì)產(chǎn) 量損失。
15. —種用于確定用于光刻工藝的曝光-聚焦矩陣的裝置，所述裝置包括 處理器；以及存儲(chǔ)指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述指令在由所述處理器執(zhí)行時(shí)使所述裝置 接收包括圖案的多個(gè)實(shí)例的布局，其中所述圖案被設(shè)計(jì)成在被印刷時(shí)可電測(cè)試； 接收在不同曝光和聚焦條件下對(duì)所述光刻工藝進(jìn)行建模的成組光刻工藝模型；對(duì)所述布局進(jìn)行光學(xué)鄰近校正以獲得已校正的布局，其中使用所述成組光刻工藝模型 中的不同光刻工藝模型來(lái)校正所述布局中的圖案的各實(shí)例；通過(guò)在標(biāo)稱曝光和聚焦條件下對(duì)所述已校正的布局進(jìn)行所述光刻工藝，來(lái)在晶片上印 刷所述已校正的布局；對(duì)所述晶片上的特征進(jìn)行電測(cè)試，其中所述特征與所述圖案的實(shí)例關(guān)聯(lián)；以及存儲(chǔ)所述電測(cè)試的結(jié)果。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)在由所述處理器 執(zhí)行時(shí)使所述裝置進(jìn)行以下操作的指令測(cè)量所述特征的關(guān)鍵尺度；以及通過(guò)將所述測(cè)量的所述特征的關(guān)鍵尺度和與所述成組光刻工藝模型關(guān)聯(lián)的所述不同 曝光和聚焦條件進(jìn)行關(guān)聯(lián)，來(lái)確定用于所述光刻工藝的曝光-聚焦矩陣。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中如果使用比所述標(biāo)稱曝光更少的曝光進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正所述圖案 的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與比所述標(biāo)稱曝光更大的曝光關(guān)聯(lián)；其中如果使用比所述標(biāo)稱曝光更大的曝光進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正所述圖案 的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與比所述標(biāo)稱曝光更少的曝光關(guān)聯(lián)；其中如果使用以所述標(biāo)稱聚焦為參照正偏置的聚焦進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正 所述圖案的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與以所述標(biāo)稱聚焦為參照負(fù)偏置的聚焦關(guān)聯(lián)；并且其中如果使用以所述標(biāo)稱聚焦為參照負(fù)偏置的聚焦進(jìn)行校準(zhǔn)的光刻工藝模型來(lái)校正 所述圖案的實(shí)例，則對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺度數(shù)據(jù)與以所述標(biāo)稱聚焦為參照正偏置的聚焦關(guān)聯(lián)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中通過(guò)使用如下工藝數(shù)據(jù)校準(zhǔn)未校準(zhǔn)的工藝模型 來(lái)確定所述成組光刻工藝模型，所述工藝數(shù)據(jù)是通過(guò)在不同曝光和聚焦條件下對(duì)測(cè)試布局 進(jìn)行所述光刻工藝來(lái)生成的。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中校準(zhǔn)所述未校準(zhǔn)的工藝模型包括 接收用于校準(zhǔn)所述未校準(zhǔn)的光刻工藝模型的測(cè)試布局；通過(guò)在具體曝光和聚焦條件之下對(duì)所述測(cè)試布局進(jìn)行所述光刻工藝，來(lái)在測(cè)試晶片上 印刷所述測(cè)試布局；通過(guò)測(cè)量所述測(cè)試晶片上的測(cè)試特征的關(guān)鍵尺度，來(lái)生成工藝數(shù)據(jù)；以及 將所述未校準(zhǔn)的工藝模型與所述工藝數(shù)據(jù)擬合。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述電測(cè)試的結(jié)果用來(lái)估計(jì)產(chǎn)量損失。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例提供用于確定工藝變化的影響的系統(tǒng)和技術(shù)。在操作期間，該系統(tǒng)可以接收包括圖案的多個(gè)實(shí)例的布局。接著，該系統(tǒng)可以使用在不同曝光和聚焦條件下對(duì)光刻工藝進(jìn)行建模的不同光刻工藝模型來(lái)校正圖案實(shí)例。接著，可以在晶片上印刷已校正的布局。該系統(tǒng)然后可以對(duì)晶片進(jìn)行電測(cè)試，或者它可以測(cè)量晶片上的特征的關(guān)鍵尺度。然后可以通過(guò)使用測(cè)試數(shù)據(jù)或者測(cè)量數(shù)據(jù)來(lái)生成產(chǎn)量損失或者曝光-聚焦矩陣。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101720448SQ200980000243
公開(kāi)日2010年6月2日 申請(qǐng)日期2009年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月8日
發(fā)明者P·J·M·范阿德里切姆, 張?jiān)茝?qiáng) 申請(qǐng)人:新思科技有限公司