專利名稱：顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，更具體地，涉及簡化配置以及改善顯示器的開口率。
背景技術(shù)：
'液晶顯示器(LCD)面板具有形成在顯示裝置的顯示區(qū)域中的多個(gè)薄膜 晶體管、像素電極、柵極線和數(shù)據(jù)線等。如同各種其它電路和薄膜布線等， 與柵極線、數(shù)據(jù)線等連接的集成驅(qū)動(dòng)電路芯片可以安裝在顯示裝置的非顯示 區(qū)域中或與之集成地形成。在常規(guī)顯示裝置中，這些部件的存在限制了減小 非顯示區(qū)域的尺寸的能力。另外，許多集成電路驅(qū)動(dòng)芯片相對(duì)較貴。同樣，在常規(guī)顯示裝置中，不透明的數(shù)據(jù)線和柵極線延伸以圍繞像素電 極，因而降低了開口率。發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中， 一種顯示裝置包括多個(gè)薄膜晶體管，包 括柵電極、源電極和漏電極；多個(gè)像素電極，分別連接至薄膜晶體管的漏電 極；多條柵極線，并分別設(shè)置到沿像素電極長度方向的像素電極的相對(duì)的邊 緣部分，并連接到薄膜晶體管的柵電極；以及多條數(shù)據(jù)線，分別設(shè)置到沿像 素電極寬度方向的像素電極的單個(gè)邊緣部分，并連接至薄膜晶體管的源電 極， 一對(duì)像素電極彼此相鄰以使單條數(shù)據(jù)線介于其間，且分別連接至一對(duì)像 素電極的 一對(duì)薄膜晶體管與同 一單條數(shù)據(jù)線連接。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，連接至單條數(shù)據(jù)線的一對(duì)薄膜晶體管與不 同的柵極線連接。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，柵極線成對(duì)地設(shè)置在布置在寬度方向上的 像素電極之間，數(shù)據(jù)線交替地設(shè)置在布置在長度方向上的像素電極之間。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，以不同的方向?qū)Ψ謩e設(shè)置在像素電極之間 的 一對(duì)柵極線施加?xùn)艠O信號(hào)，且顯示裝置還包括與數(shù)據(jù)線連接的集成驅(qū)動(dòng)電路芯片、和分別與柵極線和集成驅(qū)動(dòng)電路芯片連接的移位寄存器。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)彼此面對(duì)以在兩者之間夾有單條數(shù)據(jù)線的 一對(duì)像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，而對(duì)一對(duì)像素電極施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性不同于在數(shù)據(jù)線的長度方向上相鄰的另 一對(duì)像素電極。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，從單條數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每兩個(gè)像素電極改變。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)彼此面對(duì)以在兩者之間夾有單條數(shù)據(jù)線 的 一對(duì)像素電極施加具有相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，且在數(shù)據(jù)線的長度方向上具 有不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)交替地施加到每三個(gè)像素電極。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，從單條數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每六 個(gè)像素電極改變。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)彼此面對(duì)以在兩者之間夾有單條數(shù)據(jù)線 的 一對(duì)像素電極施加具有相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，且對(duì)與單條數(shù)據(jù)線連接的所 有像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)彼此面對(duì)以在兩者之間夾有單條數(shù)據(jù)線 的 一對(duì)像素電極施加不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)像素電極施加的數(shù)據(jù)信號(hào)極性不同于在 數(shù)椐線的長度方向上相鄰的其它像素電極，且從單條數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)信號(hào) 的極性從第二個(gè)像素電極開始每兩個(gè)像素電極變化。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)布置在數(shù)據(jù)線的長度方向的像素電極施 加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，且從單條數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每個(gè)像素電 極改變。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，該顯示裝 置包括多個(gè)像素電極、設(shè)置到與像素電極的長度方向交叉的單個(gè)邊緣部分的 多條數(shù)據(jù)線，以及分別設(shè)置到與像素電極的長度方向平行的相對(duì)的邊緣部分的多條才冊(cè)+及線，該驅(qū)動(dòng)方法包括4艮據(jù)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法(inversion driving method) 通過數(shù)據(jù)線施加驅(qū)動(dòng)電壓到像素電極。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)彼此面對(duì)以在兩者之間夾有單條數(shù)據(jù)線 的 一對(duì)像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)一對(duì)像素電極施加的數(shù)據(jù)信號(hào)極性不同 于在數(shù)據(jù)線的長度方向上相鄰的另 一對(duì)像素電極。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過單條數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每 兩個(gè)像素電極改變。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在數(shù)據(jù)線的長度方向上，不同極性的數(shù)據(jù) 信號(hào)交替地施加到每三個(gè)像素電極。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)與單條數(shù)據(jù)線連接的所有像素電極施加 具有相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)彼此面對(duì)以在兩者之間夾有單條數(shù)據(jù)線 的 一對(duì)像素電極施加不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)像素電極施加的數(shù)據(jù)信號(hào)極性不同于在 數(shù)據(jù)線的長度方向上相鄰的其它像素電極，且通過單條數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)信 號(hào)的極性從第二個(gè)像素電極開始每兩個(gè)像素電極改變。


本發(fā)明的上述和/或其它方面將從下面結(jié)合附圖的示例性實(shí)施例的描述變得清晰和更容易理解，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的顯示裝置的等效電路圖；圖2示出施加到圖1中的顯示裝置的數(shù)據(jù)信號(hào)；圖3是示出圖1中的顯示裝置在第一顯示基板中央的部分的布置圖；圖4是示出沿線IV-IV剖取的包括圖1中的第一顯示基板的顯示裝置的 截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的顯示裝置的等效電路圖；圖6示出施加到圖5中的顯示裝置的數(shù)據(jù)信號(hào)；圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的顯示裝置的等效電路圖；圖8示出施加到圖7中的顯示裝置的數(shù)據(jù)信號(hào)；圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的顯示裝置的等效電路圖；圖IO示出施加到圖9中的顯示裝置的數(shù)據(jù)信號(hào)；圖11是根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例的顯示裝置的等效電路圖；以及圖12示出施加到圖11中的顯示裝置的數(shù)據(jù)信號(hào)。
具體實(shí)施方式
如在附圖中所示，示例性地描述了使用非晶硅(a-Si)薄膜晶體管(TFT ) 的顯示裝置，所述非晶硅(a-Si)薄膜晶體管(TFT)由五次掩模工藝形成。 作為替換，本發(fā)明可以應(yīng)用到各種類型的顯示裝置。如圖1所示，顯示裝置901包括第一顯示基板IOO、靠近第一顯示基板 100的第二顯示基板200、以及布置在第一顯示基板100和第二顯示基板200 之間的圖4所示的液晶層300。第二顯示基板200具有小于第一顯示基板100 的面積。因此，第一顯示基板100的一個(gè)邊緣沒有被第二顯示基板200覆蓋， 而第一顯示基板100的其它邊緣被第二顯示基板200覆蓋。另外，顯示裝置 901分為形成有像素的顯示區(qū)域D、和圍繞顯示區(qū)域D的非顯示區(qū)域N。這 里，像素指的是顯示圖像的最小單元。顯示區(qū)域D形成在第一顯示基板100和第二顯示基板200彼此覆蓋的一 個(gè)區(qū)域，而非顯示區(qū)域N分為第一區(qū)域N1和第二區(qū)域N2，第一區(qū)域N1中 顯示基板100和第二顯示基板200彼此覆蓋，第二區(qū)域N2中只設(shè)有第一顯 示基板100。另外，顯示裝置901還包括安裝在第二區(qū)域N2上的集成驅(qū)動(dòng)電路芯片 500，第二區(qū)域N2中只設(shè)有第一顯示基板100。也就是，第一顯示基板IOO 和第二顯示基板200在第二區(qū)域N2中不彼此重疊。第一顯示基板100包括形成到顯示區(qū)域D的多個(gè)薄膜晶體管(TFT) 101、多個(gè)像素電極180、多條柵極線121、多條數(shù)據(jù)線161等。另外，第 一顯示基板100還包括形成到非顯示區(qū)域N的薄膜布線421 、 移位寄存器410和其它電路單元。薄膜布線421將集成驅(qū)動(dòng)電路芯片500和 移位寄存器410相互連接。移位寄存器410與第一顯示基板100安裝有集成 驅(qū)動(dòng)電路芯片500的邊緣交叉，分別形成到第一顯示基板IOO的相對(duì)的邊緣。 移位寄存器410將從集成驅(qū)動(dòng)電路芯片500接收的柵極信號(hào)依次提供到多條 柵才及線121。數(shù)據(jù)線161和柵極線121從顯示區(qū)域D延伸到非顯示區(qū)域N以分別連 接集成驅(qū)動(dòng)電路芯片500和移位寄存器410。第二顯示基板200包括形成到顯示區(qū)域D的圖4所示的光阻擋構(gòu)件220、 圖4所示的濾色器230、和圖4所示的公共電極280等。這里，濾色器230 設(shè)置為對(duì)應(yīng)于像素電極180。濾色器230包括紅、綠、和藍(lán)三基色，在像素電極的長度方向(x軸方向)和寬度方向(y軸方向)中至少一個(gè)方向上交 替布置。同樣，光阻擋構(gòu)件220、公共電極280等一起形成到非顯示區(qū)域N。薄膜晶體管101包括圖3所示的柵電極124，圖3所示的源電極165和 圖3所示的漏電極166。像素電極180連接到薄膜晶體管101的漏電極166。 柵極線121分別設(shè)置到沿像素電極180的長度方向(x軸方向)的像素電極 180的相對(duì)的邊緣，且與薄膜晶體管101的柵電極124連接。數(shù)據(jù)線161分 別設(shè)置到沿像素電極180的寬度方向(y軸方向)的像素電極180的僅一個(gè) 邊緣，并與薄膜晶體管101的源電極165連接。也就是， 一對(duì)柵極線121設(shè) 置在于寬度方向(y軸方向)上相鄰的像素電極180之間。在長度方向(x 軸方向)上相鄰的一對(duì)像素電極180設(shè)置在相鄰的數(shù)據(jù)線161之間。這里， 像素電極180在長度方向上的長度大于其在寬度方向上的長度。這里，設(shè)置在像素電極180之間的兩條柵極線121以不同的方向分別傳 輸柵極信號(hào)。也就是，設(shè)置在像素電極180之間的兩條柵極線121中的一條 與形成到第一顯示基板100的第一邊緣的移位寄存器410連接。另外，設(shè)置 在像素電極之間的兩條柵極線121中的另 一條與形成到第 一顯示基板100的 與第一邊緣相對(duì)的第二邊緣的移位寄存器410連接。另外， 一對(duì)相鄰的像素電極180之間夾有單條數(shù)據(jù)線161。這里，分別 連接至該對(duì)像素電極180的一對(duì)薄膜晶體管101與同一單條數(shù)據(jù)線161連接。 另外，連接至單條數(shù)據(jù)線161的一對(duì)薄膜晶體管101與不同的柵極線121連 接。根據(jù)這種配置，可以減少數(shù)據(jù)線161的總數(shù)而不降低顯示裝置901的分 辨率。因此，顯示裝置901可以簡化其配置、使其外觀變小，并改善開口率。也就是，與像素電極180相比，顯示裝置901能顯著減少數(shù)據(jù)線161的 總數(shù)。詳細(xì)地，因?yàn)閿?shù)據(jù)線161在像素電極180的長度方向上設(shè)置，所以與 數(shù)據(jù)線161在像素電極180的寬度方向上設(shè)置的情況相比可以減少數(shù)據(jù)線 161的總數(shù)。另外，數(shù)據(jù)線161在布置在長度方向(x軸方向)上的像素電 極180之間交替地設(shè)置。因此，與數(shù)據(jù)線161沒有省略地設(shè)置在像素電極180 之間的情況相比，數(shù)據(jù)線161的總數(shù)可以減少一半。另一方面，因?yàn)闁艠O線121在像素電極180的寬度方向上布置，所以與 柵極線121在像素電極180的長度方向上布置的情況相比，柵極線121的數(shù) 量相對(duì)增加。然而，與通過數(shù)據(jù)線161傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)相比，通過柵極線121傳輸?shù)臇艠O信號(hào)相對(duì)簡單。因此，可以減少通過數(shù)據(jù)線161和柵極線121提供數(shù)據(jù) 信號(hào)和柵極信號(hào)所必須的集成驅(qū)動(dòng)電路芯片500的總數(shù)。另外，可以通過減 少相對(duì)較貴的集成驅(qū)動(dòng)電路芯片500的使用改善顯示裝置901的生產(chǎn)率。另外，因?yàn)闁艠O線121從分別形成到第一顯示基板100的相對(duì)的邊緣的 移位寄存器410接收柵極信號(hào)，所以可以顯著減少用于提供柵極信號(hào)的集成 驅(qū)動(dòng)電路芯片500的使用。因此，在顯示裝置卯l中，可以減小非顯示區(qū)域N與顯示區(qū)域D相比 的比率。因此，顯示裝置901可以進(jìn)一步變窄。另夕卜，由于數(shù)據(jù)線161的數(shù)量減少，可以加寬像素電極180占據(jù)的面積， 由此改善開口率。在下文，將集中于數(shù)據(jù)信號(hào)方面來描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例 的顯示裝置901的驅(qū)動(dòng)方法。如圖1所示，對(duì)其間具有單條數(shù)據(jù)線161的彼此相鄰的一對(duì)像素電極180 提供來自同一數(shù)據(jù)線的不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。另外，對(duì)像素電極180施加的 數(shù)據(jù)信號(hào)極性不同于在數(shù)據(jù)線161的長度方向上相鄰的另一個(gè)像素電極 180。這里，數(shù)據(jù)信號(hào)包括通過薄膜晶體管101施加到像素電極180的驅(qū)動(dòng) 電壓。圖2示出通過數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。S001指通過第一數(shù)據(jù)線161 施加的數(shù)據(jù)信號(hào)，而S002指通過第二數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。如圖2所示，從單條數(shù)據(jù)線161施加到第一像素電極180和第二像素電 極180的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性彼此改變。另外，該極性從第二像素電極180開始 每兩個(gè)像素電極180改變。因此，圖1所示的顯示裝置901看起來由一種1 點(diǎn)反轉(zhuǎn)(ldot inversion)驅(qū)動(dòng)方法來驅(qū)動(dòng)，但實(shí)質(zhì)上，如同2點(diǎn)反轉(zhuǎn)(2dot inversion )馬區(qū)動(dòng)方'^:——才羊馬區(qū)動(dòng)。用這種驅(qū)動(dòng)方法，顯示裝置901可以顯示具有相同分辨率的圖像，而將 數(shù)據(jù)線161的數(shù)量基本上減少一半。在下文，通過參照?qǐng)D3和4來詳細(xì)描述顯示裝置901的配置。圖3是示 出顯示裝置901在第一顯示基板100中央的部分的配置圖。圖4是示出包括 圖3的第一顯示基板100的顯示裝置901沿線IV-IV剖取的截面圖。首先，將詳細(xì)描述第一顯示基板100。第一基板構(gòu)件110包括諸如玻璃、石英、陶瓷、塑料之類的材料，且形 成為透明的。柵極布線包括多條柵極線121，從柵極線121分支的多個(gè)柵電極124形 成在第一基板構(gòu)件110上。柵極布線可以還包括多條第一存儲(chǔ)電極線(未示出)。柵極布線121和124由諸如Al、 Ag、 Cr、 Ti、 Ta、 Mo之類的金屬或包 括上述金屬的合金形成。如圖3所示，作為單層提供柵極布線121和124。 替代地，柵極布線121和124可以形成為多層，該多層包括具有優(yōu)越的物理 化學(xué)特性的Cr、 Mo、 Ti、 Ta,或包括上述金屬的合金的金屬層，以及具有 小的電阻率的Al系列或Ag系列的金屬層。替代地，柵極布線121和124 可以由各種金屬或電導(dǎo)體形成，并可以優(yōu)選但不必要地設(shè)置為能夠在相同的 蝕刻條件下被圖案化的多層。柵極絕緣層130由氮化硅(SiNx)等形成在柵極布線121和124上。數(shù)據(jù)布線形成在柵極絕緣層130上，該數(shù)據(jù)布線包括與柵極線121交叉 的多條數(shù)據(jù)線161、多個(gè)源電極165和多個(gè)漏電極166,該多個(gè)源電極165 從數(shù)據(jù)線161分支使得至少其部分可以與柵電極124重疊，該多個(gè)漏電極166 與源電極165遠(yuǎn)離使得至少其部分能與柵電極124重疊。另外，數(shù)據(jù)配線可 以還包括多條第二存儲(chǔ)電極線(未示出)。數(shù)據(jù)布線161、 165和166由諸如鉻、鉬、鋁或包括上述金屬的合金的 導(dǎo)電材料形成，并可以如柵極布線121和124—樣設(shè)置為單層或多層。半導(dǎo)體層140形成到 一 區(qū)域，該區(qū)域覆蓋從柵電極124之上的源電極165 的上部到源電極165和漏電極166的下部。這里，采用柵電極124、源電極 165和漏電極166用于薄膜晶體管101三個(gè)電極。采用源電極165和漏電極 166之間的半導(dǎo)體層140用于薄膜晶體管101的溝道區(qū)域。這里，如圖l所示， 一對(duì)像素電極180相面對(duì)以在其間夾有單條數(shù)據(jù)線 161。這里， 一對(duì)薄膜晶體管101與該同一單條數(shù)據(jù)線161連接，該對(duì)薄膜 晶體管101的漏電極166分別連接到該對(duì)像素電極180。另外，該對(duì)薄膜晶 體管101的柵電極124與不同的柵極線121連接，該對(duì)薄膜晶體管101的源 電極165連接至該單條數(shù)據(jù)線161。還有，歐姆接觸155和156形成在半導(dǎo)體層140和源電極165之間，以 及半導(dǎo)體層140和漏電極165之間，以分別減少接觸電阻。歐姆接觸155和156由硅化物或用高濃度n型雜質(zhì)之類摻雜的非晶硅形成。在數(shù)據(jù)布線161、 165和166上，通過等離子體增強(qiáng)氣相淀積(PECVD)形成低介電常數(shù)絕緣材料的鈍化層170，該低介電常數(shù)絕緣材料諸如a-Si:C:O， a-Si:O:F或諸如氮化硅、氧化硅之類的無機(jī)絕緣材料。多個(gè)像素電極180形成在鈍化層170上。像素電極180包括透明導(dǎo)電材料，諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等。還有，根據(jù)顯示面板比如鋁等。還有，鈍化層170包括露出漏電極166的部分的多個(gè)接觸孔171。像素 電極180和漏電極166通過接觸孔171電連接。 '在下文，將詳細(xì)描述第二顯示基板200。第二基板構(gòu)件210包括諸如玻璃、石英、陶瓷、塑料之類的材料，以如 第一基板構(gòu)件110 —樣是透明的。光阻擋構(gòu)件220形成在第二基板構(gòu)件210上。光阻擋構(gòu)件220包括面對(duì) 第一顯示基板100的像素電極180的開口部分，并阻止相鄰像素之間的光泄 漏。光阻擋構(gòu)件220形成到對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管101的位置，以阻擋外部光進(jìn) 入薄膜晶體管101的半導(dǎo)體層140。光阻擋構(gòu)件220可以由添加黑色素的光 阻有機(jī)材料形成。這里，黑色素可以采用碳黑、鈦氧化物等。另外，光阻擋 構(gòu)件220可以由金屬材料形成。具有三基色的濾色器230依次設(shè)置在形成有光阻擋構(gòu)件220的第二基板 構(gòu)件210上。這里，濾色器230可以具有至少一種不同色彩而不是三基色。 每個(gè)濾色器230的邊界超過光阻擋構(gòu)件220布置。替代地，相鄰的濾色器230 的邊緣部分可以重疊，以獲得如光阻擋構(gòu)件220 —樣阻擋泄漏光的功能。這 里，光阻擋構(gòu)件220可以;故省略。偏振膜240形成在光阻擋構(gòu)件220和濾色器230之上。偏振膜240可以 被省略。公共電極280形成在偏振膜之上，以與像素電極180—起形成電場。公 共電極280由透明導(dǎo)電材料形成，比如ITO、 IZO等。利用這種配置，可以相對(duì)減少數(shù)據(jù)線161的總數(shù)，并保持顯示裝置901 的分辨率。因此，可以簡化顯示裝置901的配置，其外觀能變窄，并能改善 其開口率。在下文，將通過參考圖5和6，集中于數(shù)據(jù)信號(hào)方面描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的顯示裝置902的驅(qū)動(dòng)方法。如圖5所示，從同一數(shù)據(jù)線161向兩者間夾有單條數(shù)據(jù)線161的彼此相 鄰的一對(duì)像素電極180施加具有相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。該對(duì)像素電極180施 加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性不同于在數(shù)據(jù)線161的長度方向上相鄰的另一對(duì)像素電 極180。圖6示出通過數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。S001指通過第一數(shù)據(jù)線161 施加的數(shù)據(jù)信號(hào)，而S002指通過第二數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。如圖6所示，從單條數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每兩個(gè)像素電極 180改變。也就是，顯示裝置902由2點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)。利用這種驅(qū)動(dòng)方法，顯示裝置902可以顯示具有相同分辨率的圖像，且 數(shù)據(jù)線161的數(shù)量基本減少一半。在下文，將通過參照?qǐng)D7和8集中在數(shù)據(jù)信號(hào)方面描述本發(fā)明的第三示 例性實(shí)施例的顯示裝置903的驅(qū)動(dòng)方法。如圖7所示，從同一數(shù)據(jù)線161向兩者間夾有單條數(shù)據(jù)線161的彼此相 鄰的一對(duì)像素電極180施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。在數(shù)據(jù)線161的長度方向 上，具有不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)交替地施加到每三對(duì)像素電極180。圖8示出通過數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。S001指通過第一數(shù)據(jù)線161 施加的數(shù)據(jù)信號(hào)，而S002指通過第二數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。如圖8所示，從單條數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每六個(gè)像素電極 180改變。也就是，顯示裝置903由6點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)。利用這種驅(qū)動(dòng)方法，顯示裝置903可以顯示具有相同分辨率的圖像，且 數(shù)據(jù)線161的數(shù)量基本減少一半。 在下文，將通過參照?qǐng)D9和10集中在數(shù)據(jù)信號(hào)方面描述根據(jù)本發(fā)明的 第四示例性實(shí)施例的顯示裝置904的驅(qū)動(dòng)方法。如圖9所示，從同一數(shù)據(jù)線161向兩者間夾有單條數(shù)據(jù)線161的彼此相 鄰的一對(duì)像素電極180施加不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。另外，布置在數(shù)據(jù)線161 的長度方向上的像素電極180施加有相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。圖IO示出通過數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。S001指通過第一數(shù)據(jù)線16
施加的數(shù)據(jù)信號(hào)，而S002指通過第二數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。如圖10所示，從單條數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每個(gè)像素電極180改變。因此，圖9所示的顯示裝置904看起來由列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)， 但實(shí)質(zhì)上，如同1點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法一樣驅(qū)動(dòng)。利用這種驅(qū)動(dòng)方法，顯示裝置904可以顯示相同分辨率的圖像，且數(shù)據(jù) 線161的數(shù)量基本減少一半。在下文，將通過參照?qǐng)D11和12集中在數(shù)據(jù)信號(hào)方面描述根據(jù)本發(fā)明的 第五示例性實(shí)施例的顯示裝置905的驅(qū)動(dòng)方法。如圖11所示，從同一數(shù)據(jù)線161向兩者間夾有單條數(shù)據(jù)線161的彼此 相鄰的一對(duì)像素電極180施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。在數(shù)據(jù)線161的長度方 向上布置的像素電極180施加有具有相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。圖12示出通過數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。S001指通過第一數(shù)據(jù)線161 施加的數(shù)據(jù)信號(hào)，而S002指通過第二數(shù)據(jù)線161施加的數(shù)據(jù)信號(hào)。如圖12所示，所有與單條數(shù)據(jù)線161連接的像素電極180施加有相同 極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。因此，顯示裝置905由列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)。利用這種驅(qū)動(dòng)方法，顯示裝置905能顯示具有相同分辨率的圖像，且數(shù) 據(jù)線161的數(shù)目基本減少一半。在本發(fā)明的幾個(gè)示例性實(shí)施例中，可以更優(yōu)選地但不必須地從同 一數(shù)據(jù) 線161向其間夾有單條數(shù)據(jù)線161的彼此相鄰的一對(duì)像素電極180施加相同 極性的數(shù)據(jù)信號(hào)而不是不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。如果數(shù)據(jù)信號(hào)的極性反轉(zhuǎn)期間 過短，可能發(fā)生由于信號(hào)延遲導(dǎo)致的弊病。如上所述，本發(fā)明提供相對(duì)減少數(shù)據(jù)線的數(shù)量并保持顯示裝置的分辨率 的顯示裝置。因此，能簡化顯示裝置的配置，并能改善其開口率。也就是，該顯示裝置能通過與像素電極相比顯著減少數(shù)據(jù)線的數(shù)量，來 減少集成驅(qū)動(dòng)電路芯片的總數(shù)。因此，通過減少相對(duì)貴的集成驅(qū)動(dòng)電路芯片 的使用可以改善顯示裝置的生產(chǎn)率。另外，通過使用移位寄存器傳輸柵極信號(hào)到柵級(jí)線，可以進(jìn)一步將集成 驅(qū)動(dòng)電路芯片的使用最小化。另外，可以減少非顯示區(qū)域與顯示區(qū)域相比的比率。因此，顯示裝置可 以具有更窄的外觀。另外，隨著數(shù)據(jù)線數(shù)量減少，可以加寬由像素電極占據(jù)的面積。因此， 可以改善顯示裝置的開口率。另外，本發(fā)明提供了該顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的少數(shù)示例性實(shí)施例，應(yīng)該被本領(lǐng)域的技 術(shù)人員理解的是，在不偏離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以在這些示例 性實(shí)施例中進(jìn)行改變。本發(fā)明的原理和精神在所附的權(quán)利要求及它們的等同 特征中限定。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括多個(gè)薄膜晶體管，包括柵電極、源電極和漏電極；多個(gè)像素電極，分別連接至所述薄膜晶體管的所述漏電極；多條柵極線，分別設(shè)置到沿所述像素電極長度方向的所述像素電極的相對(duì)的邊緣部分，并連接至所述薄膜晶體管的所述柵電極；以及多條數(shù)據(jù)線，分別設(shè)置到沿所述像素電極寬度方向的所述像素電極的單個(gè)邊緣部分，并連接到所述薄膜晶體管的所述源電極，一對(duì)像素電極，彼此相鄰以使單條數(shù)據(jù)線介于其間，以及一對(duì)薄膜晶體管，分別連接至與同一所述單條數(shù)據(jù)線連接的所述一對(duì)像素電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中連接至所述單條數(shù)據(jù)線的所述一 對(duì)薄膜晶體管與不同的所述柵極線連接。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述柵極線成對(duì)地設(shè)置于在所述 寬度方向上布置的所述像素電極之間，且所述數(shù)據(jù)線交替地設(shè)置于在所述長度方向上布置的所述像素電極之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中以不同的方向?qū)Ψ謩e設(shè)置在所述 像素電極之間的一對(duì)柵極線施加?xùn)艠O信號(hào)，且其中所述顯示裝置還包括與所述數(shù)據(jù)線連接的集成驅(qū)動(dòng)電路芯片以及 分別與所述柵極線和所述集成驅(qū)動(dòng)電路芯片連接的移位寄存器。
5. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中對(duì)彼此面對(duì)以使所述單條數(shù)據(jù)線 介于其間的所述一對(duì)像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，且對(duì)所述一對(duì)像素電極施加的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的極性不同于在所述數(shù)據(jù)線 的長度方向上相鄰的另 一對(duì)像素電極。
6. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中從所述單條數(shù)據(jù)線施加的所述數(shù) 據(jù)信號(hào)的極性每兩個(gè)像素電極改變。
7. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中對(duì)彼此面對(duì)以使所述單條數(shù)據(jù)線 介于其間的所述一對(duì)像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，且其中在所述數(shù)據(jù)線的長度方向上，不同極性的所述數(shù)據(jù)信號(hào)交替地施加 到每三個(gè)像素電極。
8. 如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中從所述單條數(shù)據(jù)線施加的所述數(shù) 據(jù)信號(hào)的極性每六個(gè)像素電極改變。
9. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中對(duì)彼此面對(duì)以使所述單條數(shù)據(jù)線介于其間的所述一對(duì)像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，且其中對(duì)與所述單條數(shù)據(jù)線連接的所有像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信口 .
10. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中對(duì)彼此面對(duì)以使所述單條數(shù)據(jù)線介于其間的所述一對(duì)像素電極施加不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。
11. 如權(quán)利要求IO所述的顯示裝置，其中所述像素電極施加的所述數(shù)據(jù) 信號(hào)的極性不同于在所述數(shù)據(jù)線的長度方向上相鄰的其它像素電極，且其中從所述單條數(shù)據(jù)線施加的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的極性從第二個(gè)像素電極 開始每兩個(gè)像素電極改變。
12. 如權(quán)利要求IO所述的顯示裝置，其中對(duì)在所述數(shù)據(jù)線的長度方向上 布置的所述像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，且其中從所述單條數(shù)據(jù)線施加的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每一個(gè)像素電極改變
13. —種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，該顯示裝置包括多個(gè)像素電極、設(shè)置到 與所述像素電極的長度方向交叉的單個(gè)邊緣部分的多條數(shù)據(jù)線、以及分別設(shè) 置到平行于所述像素電極的長度方向的相對(duì)邊緣部分的多條柵極線，該驅(qū)動(dòng) 方法包括根據(jù)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法通過所述數(shù)據(jù)線施加驅(qū)動(dòng)電壓到所述像素電極。
14. 如權(quán)利要求13所述的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中對(duì)彼此面對(duì)以使所 述單條數(shù)據(jù)線介于其間的一對(duì)像素電極施加相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。
15. 如權(quán)利要求14所述的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中對(duì)所述一對(duì)像素電 極施加的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的極性不同于在所述數(shù)據(jù)線的長度方向上相鄰的另 一對(duì)像素電極。
16. 如權(quán)利要求15所述的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中通過所述單條數(shù)據(jù) 線施加的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的極性每兩個(gè)像素電極改變。
17. 如權(quán)利要求14所述的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中在所述數(shù)據(jù)線的長 度方向上，不同極性的所述數(shù)據(jù)信號(hào)交替地施加到每三個(gè)像素電極。
18. 如權(quán)利要求14所述的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中對(duì)與所述單條數(shù)據(jù)線連接的所有像素電極施加相同極性的所述數(shù)據(jù)信號(hào)。
19. 如權(quán)利要求13所述的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中對(duì)彼此面對(duì)以使所 述單條數(shù)據(jù)線介于其間的所述一對(duì)像素電極施加不同極性的所述數(shù)據(jù)信號(hào)。
20. 如權(quán)利要求19所述的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述像素電極施加的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的極性不同于在所述數(shù)據(jù)線的長度方向上相鄰的其它像素 電極，且其中通過所述單條數(shù)據(jù)線施加的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的極性從第二個(gè)像素電 極開始每兩個(gè)像素電極改變。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置，該裝置包括多個(gè)薄膜晶體管，包括柵電極、源電極和漏電極；多個(gè)像素電極，分別連接至薄膜晶體管的漏電極；多條柵極線，分別設(shè)置到沿像素電極長度方向的像素電極的相對(duì)的邊緣部分，并連接至薄膜晶體管的柵電極；以及多條數(shù)據(jù)線，分別設(shè)置到沿像素電極寬度方向的像素電極的單個(gè)邊緣部分，并連接到薄膜晶體管的源電極，兩者間夾有單條數(shù)據(jù)線的彼此相鄰的一對(duì)像素電極，以及一對(duì)薄膜晶體管，分別連接至與同一單條數(shù)據(jù)線連接的一對(duì)像素電極。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101256325SQ20081000645
公開日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2008年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月28日
發(fā)明者涉 慎, 李成日, 韓宗憲 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社