專利名稱：顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其驅(qū)動方法。更特別地，本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
最近，由于個人計算機和電視機被設(shè)計成很輕薄，所以對于輕薄顯示裝置的要求與日俱增。響應于此要求，傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)顯示器正在被平板顯示裝置所替代。
這種平板顯示裝置包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器、等離子顯示面板(PDP)等。
通常，主動矩陣式的平板顯示裝置包括呈矩陣排列的大量像素，并且根據(jù)給定的亮度信息來控制每個像素的光強度，以顯示圖像。在這些顯示器當中，OLED顯示裝置通過自發(fā)光有機磷光體的電激勵以及發(fā)散來顯示圖像。相比于其它的平板顯示器，OLED顯示器展示了低功耗、寬視角、和高像素響應速度，使其更加容易地顯示高質(zhì)量的運動圖像。
OLED顯示器包括用于驅(qū)動OLED的有機發(fā)光二極管(OLED)和薄膜晶體管(TFT)。例如，根據(jù)有源層的類型將TFT分為多晶硅(polysilicon)TFT或非晶硅(a-Si)TFT。盡管使用多晶硅TFT的多種優(yōu)點使OLED顯示器被廣泛應用，但是多晶硅TFT的制造處理很復雜并且很昂貴。另外，通過這種OLED顯示器，很難獲得大屏幕。
相比于多晶硅TFT，制造a-Si TFT需要較少的步驟，并且通?？梢愿菀椎刂圃齑笃聊坏腛LED顯示器。然而，隨著繼續(xù)將雙極性DC電壓施加至a-Si TFT控制端，a-Si TFT的閾電壓傾向于偏移。即使將相同的控制電壓施加至TFT，該閾電壓偏移也導致了流入OLED中的電流不一致，從而導致了OLED顯示器中圖像質(zhì)量的降低，并且縮短了OLED的壽命。
至今，已經(jīng)提出了多種像素電路來補償閾電壓偏移，從而防止圖像質(zhì)量降低。然而，這些像素電路中有很多都需要多個TFT、電容器、以及布線，從而導致像素具有低的孔徑比。
因此，需要一種采用簡化的像素電路的顯示裝置，使相應的驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)最小化，并且防止a-Si TFT的閾電壓的偏移，從而防止圖像質(zhì)量降低。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，本發(fā)明的實施例提供了一種顯示裝置，其包括發(fā)光元件；以及驅(qū)動晶體管，用于將驅(qū)動電流提供至發(fā)光元件，其中，將數(shù)據(jù)電壓或反向偏壓中的一個以交替的方式施加至驅(qū)動晶體管，并且反向偏壓是AC電壓。
顯示裝置的實施例可以包括第一開關(guān)晶體管，連接至驅(qū)動晶體管，并且被配置為響應于掃描信號傳送數(shù)據(jù)電壓；以及第二開關(guān)晶體管，連接至驅(qū)動晶體管，并且被配置為響應于開關(guān)信號傳送AC反向偏壓。
反向偏壓的頻率可以在大約10Hz至大約10,000Hz的范圍內(nèi)。反向偏壓的占空比可以在大約10％至大約90％的范圍內(nèi)。反向偏壓的最大值與最小值的平均值可以小于大約0V。反向偏壓的最小值可以小于大約0V。反向偏壓的最大值可以等于大約0V，或大于大約0V。
第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管可以交替導通，即，以交替的方式導通。第一開關(guān)晶體管的導通時間可以長于第二開關(guān)晶體管的導通時間。第一開關(guān)晶體管的導通時間與第二開關(guān)晶體管的導通時間之比可以在大約4∶1至大約16∶1的范圍內(nèi)。反向偏壓的施加時間可以是顯示裝置的導通時間的大約1/8。
顯示裝置的示例性實施例可以進一步包括電容器，被配置為充入對應于數(shù)據(jù)信號的電壓。當顯示裝置處于開啟狀態(tài)時，可以將數(shù)據(jù)電壓施加至驅(qū)動晶體管，并且當顯示裝置處于關(guān)閉狀態(tài)時，可以將反向偏壓施加至驅(qū)動晶體管。顯示裝置可以進一步包括時鐘定時器，被配置為測量顯示裝置的開啟時間。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置，其包括第一像素行組；第一像素行組開關(guān)晶體管；第一像素行組驅(qū)動晶體管，連接至第一像素行組開關(guān)晶體管；第二像素行組；第二像素行組開關(guān)晶體管；以及第二像素行組驅(qū)動晶體管，連接至第二像素行組開關(guān)晶體管。第一像素行組和第二像素行組中的每一組均包括由多個像素形成的至少一個像素行。每個像素均包括發(fā)光元件，連接至第一像素行組驅(qū)動晶體管或第二像素行組驅(qū)動晶體管中相應的一個；第一柵極驅(qū)動器，連接至第一像素行組開關(guān)晶體管，并且被配置為傳送第一掃描信號；以及第二柵極驅(qū)動器，連接至第二像素行組開關(guān)晶體管，并且被配置為傳送第二掃描信號。此外，將數(shù)據(jù)電壓施加至第一像素行組驅(qū)動晶體管，以及將AC反向偏壓施加至第二像素行組驅(qū)動晶體管。
將第一掃描信號施加至第一像素行組的方向可以與將第二掃描信號施加至第二像素行組的方向相反。在將數(shù)據(jù)電壓施加至第一像素行組驅(qū)動晶體管之后，可以施加AC反向偏壓，以及在將交流電反向偏壓施加至第二像素行組驅(qū)動晶體管之后，可以施加數(shù)據(jù)電壓。
將一個幀劃分為具有第一顯示間隔和第一消隱間隔的第一間隔以及具有第二顯示間隔和第二消隱間隔的第二間隔。在第一顯示間隔期間，將數(shù)據(jù)電壓施加至第一像素行組驅(qū)動晶體管，并且在第一消隱間隔期間，將AC反向偏壓施加至第二像素行組驅(qū)動晶體管。在第二顯示間隔期間，將數(shù)據(jù)電壓施加至第二像素行組驅(qū)動晶體管，并且在第二消隱間隔期間，將AC反向偏壓施加至第一像素行組驅(qū)動晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置具有發(fā)光元件以及用于將電流提供至發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管，該顯示裝置的驅(qū)動方法包括將數(shù)據(jù)電壓施加至驅(qū)動晶體管，并且將反向偏壓施加至驅(qū)動晶體管，其中，反向偏壓是AC電壓，即，AC反向偏壓。當顯示裝置處于開啟狀態(tài)時，可以使數(shù)據(jù)電壓導通，并且當顯示裝置處于關(guān)閉狀態(tài)時，可以施加AC反向偏壓。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，為顯示裝置提供了一種顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，該顯示裝置包括第一像素行組；第一像素行組開關(guān)晶體管；第一像素行組驅(qū)動晶體管，連接至第一像素行組開關(guān)晶體管；第二像素行組；第二像素行組開關(guān)晶體管；以及第二像素行組驅(qū)動晶體管，連接至第二像素行組開關(guān)晶體管，其中，第一像素行組和第二像素行組中的每一組均包括由多個像素形成的至少一個像素行，并且每個像素均包括發(fā)光元件，連接至第一像素行組驅(qū)動晶體管或第二像素行組驅(qū)動晶體管中相應的一個；第一柵極驅(qū)動器，連接至第一像素行組開關(guān)晶體管，并且被配置為傳送第一次掃描信號；以及第二柵極驅(qū)動器，連接至第二像素行組開關(guān)晶體管，并且被配置為傳送第二掃描信號，該顯示裝置的驅(qū)動方法包括將數(shù)據(jù)電壓施加至第一像素行組；將AC反向偏壓施加至第二像素行組；將數(shù)據(jù)電壓施加至第二像素行組；以及將AC反向偏壓施加至第一像素行組。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的OLED顯示器的框圖；圖2是根據(jù)圖1的OLED顯示器的一個像素的等效電路圖；圖3是示出圖2中所示的OLED顯示器的一個像素的驅(qū)動晶體管和OLED的橫截面的一個實例的橫截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的OLED顯示器的OLED的示意圖；
圖5是示出施加至根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的OLED顯示器的驅(qū)動晶體管的電壓的波形圖；圖6是示出施加至根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施例的OLED顯示器的驅(qū)動晶體管的電壓的波形圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明所述的OLED顯示器的閾電壓相對于經(jīng)過時間的變化的曲線圖；圖8是示出OLED顯示器的閾電壓相對于經(jīng)過時間的變化以及根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的對照組的曲線圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的OLED顯示器的框圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的OLED顯示器的驅(qū)動信號的波形圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的OLED顯示器的框圖；以及圖12是示出施加至根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的OLED顯示器的驅(qū)動晶體管的電壓的波形圖。
具體實施例方式
下文中將參照附圖來更加全面地描述本發(fā)明，附圖中示出并描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應該意識到所描述的實施例可以更改為多種不同的形式，所有這些修改均不背離本發(fā)明的主旨或范圍。
在附圖中，為了清楚起見，擴大了層、膜、面板、以及區(qū)域的厚度。在通篇說明書中，相同的標號表示相同的元件。應當理解，當提到諸如層、膜、區(qū)域、或面板的元件“位于”另一個元件上時，是指其可直接位于另一個元件上，或者也可能存在介于其間的元件。相反，當提到某個元件“直接位于”另一個元件上時，不存在介于其間的元件。
下面，將參照附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示裝置及其驅(qū)動方法。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的OLED顯示器的框圖，以及圖2是根據(jù)圖1的OLED顯示器的一個像素的等效電路圖。如圖1中所示，OLED顯示器包括顯示面板300；掃描驅(qū)動器400；數(shù)據(jù)驅(qū)動器500，連接至顯示面板300；開關(guān)驅(qū)動器700；反向偏壓發(fā)生器800；以及信號控制器600，用于控制掃描驅(qū)動器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動器500、開關(guān)控制器700、以及反向偏壓發(fā)生器800。
在等效電路圖中，顯示面板300包括多條顯示信號線G1-Gn和D1-Dm；多條驅(qū)動電壓線(未示出)；以及多個像素PX，基本上呈矩陣結(jié)構(gòu)排列，并且連接至顯示信號線G1-Gn和D1-Dm、以及驅(qū)動電壓線。顯示信號線G1-Gn和D1-Dm包括傳送掃描信號的多條掃描信號線G1-Gn以及傳送數(shù)據(jù)信號的多條數(shù)據(jù)線D1-Dm。掃描信號線G1-Gn基本上沿行方向延伸，彼此分開且基本上彼此平行。數(shù)據(jù)線D1-Dm基本上沿列方向延伸，彼此分開且基本上彼此平行。數(shù)據(jù)電壓線將驅(qū)動電壓Vdd傳送至每個像素。
如圖2中所示，每個像素(例如，像素PX)連接至掃描信號線Gi和數(shù)據(jù)線Dj，并且包括OLED LD、驅(qū)動晶體管Qd、電容器Cst、第一開關(guān)晶體管Qs1、以及第二開關(guān)晶體管Qs2。驅(qū)動晶體管Qd具有三個端子控制端，連接至開關(guān)晶體管Qs和電容器Cst；輸入端，連接至被施加有驅(qū)動電壓Vdd的驅(qū)動電壓線Ld；以及輸出端，連接至OLED LD。第一開關(guān)晶體管Qs1同樣是三端子元件，其具有控制端，連接至掃描信號線Gi；輸入端，連接至數(shù)據(jù)線Dj；以及輸出端，連接至電容器Cst和驅(qū)動晶體管Qd。第二開關(guān)晶體管Qs2同樣具有三個端子控制端，連接至開關(guān)控制線Ck；輸入端，連接至反向偏壓線Lg，向該端子施加反向偏壓Vneg；以及輸出端，連接至驅(qū)動晶體管Qd的控制端。電容器Cst連接在開關(guān)晶體管Qs與驅(qū)動電壓Vdd之間，充有來自第一開關(guān)晶體管Qs1的數(shù)據(jù)電壓，并將該數(shù)據(jù)電壓維持預定時間。
OLED LD的陽極連接至驅(qū)動晶體管Qd，而其陰極連接至公共電壓Vss。為了顯示圖像，OLED LD發(fā)出強度對應于由驅(qū)動晶體管Qd提供的電流ILD大小的光。電流ILD的大小對應于驅(qū)動晶體管Qd的控制端與輸出端電壓之間電壓Vgs的大小。
通常，開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動晶體管Qd中的每一個均是n溝道場效應晶體管(FET)，其可以由例如a-Si或多晶硅制成?？蛇x地，晶體管Qs和Qd可以是互補p溝道FET，在該情況下，p溝道FET的工作、電壓、和電流與n溝道FET的工作、電壓、和電流是相反的。
下面，將參照圖3和圖4詳細描述圖2中所示的OLED顯示器的OLED LD和驅(qū)動晶體管Qd的結(jié)構(gòu)。圖3是示出圖2中所示的OLED顯示器的一個像素的驅(qū)動晶體管和OLED的橫截面的一個實例的橫截面圖，以及圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實例性實施例的OLED顯示器的OLED的示意圖?？刂贫穗姌O124形成于導電材料的絕緣基板110上，導電材料包括但不限于基于鋁(Al)的金屬，例如，Al和Al合金；基于銀(Ag)的金屬，例如，Ag和Ag合金；基于銅(Cu)的金屬，例如，Cu和Cu合金；基于鉬(Mo)的金屬，例如，Mo和Mo合金；以及諸如鉻(Cr)、鈦(Ti)、和鉭(Ta)的金屬。
控制端電極124可以形成為單導電層。然而，控制端電極124還可以形成為多層結(jié)構(gòu)，其包括至少兩個導電層(未示出)，每個均具有不同的物理性質(zhì)。例如，為了減小信號延遲或電壓降，一個導電層可以由低電阻率的金屬制成，該金屬包括但不限于基于Al的金屬、基于Ag的金屬、或基于Cu的金屬。在雙層結(jié)構(gòu)中，另一個導電層可以由展現(xiàn)出與其它材料(包括ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅))具有良好的物理、化學、以及電接觸特性的金屬制成，示例性導電層材料包括例如基于Mo的金屬、或諸如Cr、Ti、或Ta的金屬。合適的示例性多層結(jié)構(gòu)可以包括具有Cr下部層以及Al或Al合金的上部層的結(jié)構(gòu)；以及具有Al或Al合金的下部層以及Mo或Mo合金的上部層的結(jié)構(gòu)。有利地，控制端電極124相對于基板110的表面傾斜，傾斜角在大約30°至大約80°的范圍內(nèi)。
由氮化硅(SiNx)制成的絕緣層140形成于控制端電極124上。由氫化a-Si或多晶硅制成的半導體154形成于絕緣層140上。一對歐姆接觸部163和165形成于半導體154上，并且可以由硅化物、或重摻雜有n型雜質(zhì)的n+氫化a-Si制成。半導體154以及歐姆接觸部163和165的側(cè)面相對于基板的表面傾斜，各自的傾斜角在大約30°至大約80°的范圍內(nèi)。
輸入端電極173形成于歐姆接觸部163和絕緣層140上。類似地，輸出端電極175形成于歐姆接觸部165和絕緣層140上。輸入端電極173和輸出端電極175由基于Cr的金屬和基于Mo的金屬、或諸如Ta和Ti的難熔金屬制成，并且可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括其上設(shè)置有低電阻率材料的上部層的難熔金屬下部層(未示出)。示例性兩層結(jié)構(gòu)包括由Cr、Cr合金、Mo、或Mo合金形成的下部層以及由Mo、Mo合金、Al、或Al合金形成的上部層。示例性三層結(jié)構(gòu)包括每一個均由Mo或Mo合金形成的上部層和下部層、以及具有由Al或Al合金形成的中間層。與控制端電極124類似，輸入端電極173的側(cè)面與輸出端電極175的側(cè)面是傾斜的，各自的傾斜角在大約30°至大約80°的范圍內(nèi)。
輸入端電極173和輸出端電極175彼此分離地設(shè)置于控制端電極124的兩側(cè)。溝道形成于在輸入端電極173與輸出端電極175之間的半導體154上。控制端電極124、輸入端電極173、以及輸出端電極175，連同半導體154上的溝道一起限定了驅(qū)動晶體管Qd。為了減小其間的接觸電阻，將歐姆接觸部163插入在下面的半導體154與上覆的輸入端電極173之間，同樣將歐姆接觸部165插入在半導體154與輸出端電極175之間。半導體154的露出部分未被輸入端電極173或輸出端電極175覆蓋。
鈍化層180形成于輸入端電極173、輸出端電極175、半導體154的露出部分、以及絕緣層140上。鈍化層180可以由諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的無機絕緣材料、有機絕緣材料、或低介電絕緣材料制成。優(yōu)選地，低介電有機材料的介電常數(shù)低于大約4.0，示例性材料包括但不限于由等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O或a-Si:O:F。鈍化層180可以是感光有機絕緣材料。鈍化層180的表面可以是平坦的。此外，鈍化層180可以形成為包括無機下部層和有機上部層的雙層結(jié)構(gòu)，該有機上部層用于保護半導體154的露出部分。鈍化層180具有露出輸出端電極175的接觸孔185。
像素電極191形成于鈍化層180上。像素電極191通過接觸孔185物理和電連接至輸出端電極175。像素電極191可以由諸如IZO或ITO的透明導電材料、或諸如Al合金或Ag合金的反射金屬制成。分隔件361形成于鈍化層180上，以圍繞像堤(bank)一樣的像素電極191，來限定開口。分隔件361可以由有機絕緣材料、或無機絕緣材料制成。
如圖4中所示，有機發(fā)光件370形成于像素電極191上，并且設(shè)置于由分隔件361限定的開口中。有機發(fā)光件370可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括發(fā)光層EML，可選地包括改進發(fā)光層的發(fā)光效率的輔助層。輔助層包括用于保持電子與空穴之間平衡的電子轉(zhuǎn)移層ETL和空穴轉(zhuǎn)移層HTL以及用于增強電子和空穴注入的電子注入層EIL和空穴注入層HIL。
公共電極270形成于分隔件361和有機發(fā)光件370上，其采用反射金屬或透明導電金屬。示例性反射金屬包括但不限于鈣(Ca)、鋇(Ba)、Al、或Ag，以及示例性透明導電材料包括諸如ITO或IZO。優(yōu)選地，向公共電極提供公共電壓Vss。
透明公共電極270和不透明的像素電極191適合與朝顯示面板300的向上方向顯示圖像的頂部發(fā)光型OLED顯示器一起使用。相反地，透明的像素電極191和不透明的公共電極270適合與朝顯示面板300的向下方向顯示圖像的底部發(fā)光型顯示器一起使用。
如圖2中所示，像素電極191、有機發(fā)光件370、以及公共電極270形成有機發(fā)光二極管LD，其中像素電極191起陽極的作用并且公共電極270起陰極的作用。可選地，像素電極191可以起陰極的作用并且公共電極270起陽極的作用。由OLED LD產(chǎn)生的原色對應于用于形成有機發(fā)光件370的材料。原色包括紅色、綠色、和藍色，通過三個原色的空間總和來顯示其它期望的顏色。
參照圖1，掃描驅(qū)動器400連接至掃描信號線G1-Gn，并且將包括用于使第一開關(guān)晶體管Qs1導通的高電壓Von與用于使第一開關(guān)晶體管Qs1截止的低電壓Voff的組合的信號施加至掃描信號線G1-Gn。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500連接至數(shù)據(jù)線D1-Dm并將數(shù)據(jù)電壓施加至該數(shù)據(jù)線。開關(guān)驅(qū)動器700連接至開關(guān)控制線Ck并將開關(guān)信號施加至該開關(guān)控制線。該開關(guān)信號可以是用于使第二開關(guān)晶體管Qs2導通的高電壓Vson，也可以是用于使該晶體管截止的低電壓Vsoff。反向偏壓發(fā)生器800連接至反向偏壓線Lg，并且將反向偏壓Vneg施加至每個像素。
信號控制器600控制掃描驅(qū)動器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動器500、開關(guān)控制器700、以及反向偏壓發(fā)生器800的操作。信號控制器600被提供有輸入圖像信號R、G、和B、以及用于控制輸入圖像顯示的輸入控制信號，該輸入控制信號包括來自外部圖形控制器(未示出)的垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、主時鐘MCLK、以及數(shù)據(jù)使能信號DE?；谳斎雸D像信號R、G、和B并且基于輸入控制信號，信號控制器600處理圖像信號R、G、和B，以將它們補償為適于顯示面板300的操作，并且生成掃描控制信號CONT1、數(shù)據(jù)控制信號CONT2、開關(guān)控制信號CONT3、以及反向偏壓控制信號CONT4。
信號控制器600將掃描控制信號CONT1傳送至掃描驅(qū)動器400，將數(shù)據(jù)控制信號CONT2和經(jīng)過處理的圖像信號DAT傳送至數(shù)據(jù)驅(qū)動器500，將開關(guān)控制信號CONT3傳送至開關(guān)控制器700，以及將反向偏壓控制信號CONT4傳送至反向偏壓發(fā)生器800。
掃描控制信號CONT1包括垂直同步起始信號STV，用于開始掃描高電壓Von；以及至少一個時鐘信號，用于控制高電壓Von的輸出。此外，掃描控制信號CONT1可以包括輸出使能信號，用于限定高電壓Von的持續(xù)時間。數(shù)據(jù)控制信號CONT2包括水平同步起始信號STH，用于指示像素行的數(shù)據(jù)傳送開始；加載信號LOAD，用于將相應的數(shù)據(jù)電壓施加至數(shù)據(jù)線D1-Dm；以及數(shù)據(jù)時鐘信號HCLK。開關(guān)控制信號CONT3包括垂直同步起始信號STV，用于開始掃描高電壓Vson；以及至少一個時鐘信號，用于控制高電壓Vson的輸出。此外，開關(guān)控制信號CONT3可以包括輸出使能信號，用于限定高電壓Vson的持續(xù)時間。
驅(qū)動器400、500、600、700、和800中的每一個可以是直接安裝在LC面板組件300上、或安裝在柔性印刷電路膜(未示出)上的至少一個集成電路(IC)芯片，并且可以以帶載封裝件(TCP)的形式附著至LC面板組件300，或可附著至安裝在單獨的印刷電路板(未示出)上的LC面板組件300。可選地，驅(qū)動器400、500、600、700、和800可以直接集成到LC面板組件300上。此外，驅(qū)動器400、500、600、700、和800中的一個或多個可以集成到單個芯片中，而未集成在單個芯片中的那些驅(qū)動器400、500、600、700、和800可以位于該單個芯片的外部。
圖5至圖8提供了示例性O(shè)LED顯示器的操作的詳細描述。圖5是示例性O(shè)LED顯示器的信號的波形圖，其示出了信號控制器600將一個幀分成兩個間隔NT和RT，用于顯示圖像。在第一間隔NT中，響應于來自信號控制器600的數(shù)據(jù)控制信號CONT2，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500順序地接收一行像素的圖像數(shù)據(jù)DAT，并將每個圖像數(shù)據(jù)DAT轉(zhuǎn)換成相應的標準電壓Vdat，然后將每個圖像數(shù)據(jù)DAT施加至相應的數(shù)據(jù)線D1-Dm。
為了使連接至掃描信號線G1-Gn的第一開關(guān)晶體管Qs1導通，響應于來自信號控制器600的掃描控制信號CONT1，掃描驅(qū)動器400將掃描信號施加至掃描信號線G1-Gn。因此，將施加至數(shù)據(jù)線D1-Dm的標準電壓Vdat通過相應導通的第一開關(guān)晶體管Qs1施加至相應的驅(qū)動晶體管Qd的控制端。
將施加至驅(qū)動晶體管Qd的數(shù)據(jù)電壓Vdat充入電容器Cst，當?shù)谝婚_關(guān)晶體管Qs1截止時保持該充電電壓。當施加數(shù)據(jù)電壓Vdat時，驅(qū)動晶體管Qd導通，以輸出對應于電壓Vdat的電流ILD。隨著電流ILD流過OLED LD，圖像被顯示在相應的像素PX上。
水平周期1H由數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和掃描驅(qū)動器400對一個水平的像素行進行操作所需的時間組成。在一個水平周期1H之后，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和掃描驅(qū)動器400對下一行像素PX重復相同的操作。如此，在第一間隔NT中將掃描信號順序地施加至所有的掃描信號線G1-Gn，從而將數(shù)據(jù)電壓Vdat施加至所有的像素PX。在將數(shù)據(jù)電壓Vdat施加至所有的像素PX之后，第二間隔RT開始。響應于來自信號控制器600的反向偏壓控制信號CONT4，反向偏壓發(fā)生器800將反向偏壓Vneg施加至相應的反向偏壓線Ln。響應于來自信號控制器600的開關(guān)控制信號CONT3，開關(guān)驅(qū)動器700將開關(guān)信號施加至開關(guān)信號線Ck，以使第二開關(guān)晶體管Qs2導通。因此，通過相應導通的開關(guān)晶體管將施加至反向偏壓線Lg的反向偏壓Vneg施加至相應的驅(qū)動晶體管Qd的控制端。
反向偏壓Vneg是對其周期性地施加最大值和最小值的AC電壓。例如，如圖5中所示，將具有最大值為0V和最小值為-20V的AC電壓作為反向偏壓Vneg施加。可選地，如圖6中所示，反向偏壓Vneg可以是具有最大值為10V和最小值為-20V的AC電壓。AC電壓形式的反向偏壓被稱為AC反向偏壓?？梢愿鶕?jù)包括但不限于數(shù)據(jù)電壓Vdat的范圍以及OLED LD類型或特性的因素來選擇反向偏壓Vneg的幅度。優(yōu)選地，電壓的最大值與最小值的平均值小于大約0V。該AC反向偏壓的頻率在大約10Hz至大約10,000Hz的范圍內(nèi)，并且其占空比在大約10％至大約90％的范圍內(nèi)。在通常的幀中，第一間隔NT的時間與第二間隔RT的時間之比在大約4∶1至大約16∶1的范圍內(nèi)。
將施加至驅(qū)動晶體管Qd的AC反向偏壓Vneg充入電容器Cst中，當?shù)诙_關(guān)晶體管Qs2截止時保持該充電電壓。當施加反向電壓Vneg時驅(qū)動晶體管Qd截止。因此，當沒有電流流過相應的OLEDLD且OLED LD不發(fā)光時，在OLED顯示器的屏幕上顯示黑色。
在一個水平周期(1H)之后，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500、掃描驅(qū)動器400、開關(guān)驅(qū)動器700、以及反向偏壓發(fā)生器800對下一行像素PX重復相同的操作。如此，在后半幀中，將開關(guān)控制信號順序地施加至所有的開關(guān)控制線Ck，并且將反向偏壓Vneg施加至所有像素PX。當將反向偏壓Vneg施加至所有的像素PX時，第二間隔RT終止，通過重復相同的操作來開始下一幀。
通常，當在長的周期中將正的DC電壓施加至驅(qū)動晶體管Qd控制端時，驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓偏移，從而降低圖像的質(zhì)量。通過將反向偏壓Vneg施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端，消除了由典型正數(shù)據(jù)電壓Vdat引起的應力(stress)，并且可以防止驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓偏移。
盡管上面關(guān)于將AC反向偏壓施加至連接至反向偏壓線的單獨的第二開關(guān)晶體管Qs2的實施例進行了描述，但是本發(fā)明不限于此，并且可以使用多種方式將AC反向偏壓施加至驅(qū)動晶體管Qd。例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動器可以生成標準數(shù)據(jù)電壓和反向偏壓，并且選擇性地施加兩種電壓之一。此外，可以通過利用單獨的裝置生成AC電壓來施加反向偏壓。
現(xiàn)在，將參照圖7和圖8來描述根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器的效果。圖7和圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的隨著時間變化的OLED顯示器的閾電壓偏移的示例性曲線圖。圖7示出了實驗獲得的隨著時間變化而產(chǎn)生的驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓偏移，其與在施加和不施加AC反向偏壓Vneg情況下施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端的電壓相對應。每個實驗執(zhí)行兩次。
圖7示出了當將正(+)極性的DC電壓(7VDC)施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端但是不施加反向偏壓Vneg時，產(chǎn)生的驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓偏移。特別地，實驗觀察到，如果將數(shù)據(jù)電壓Vdat連續(xù)地施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端，但是不施加反向偏壓Vneg，則閾電壓逐漸地增加，在經(jīng)過大約600小時后接近大約3V。然而，當以預選AC電壓的形式來施加預選頻率的AC反向偏壓Vneg時，可以最小化或防止驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓偏移。
為了獲得圖7中表示的其它實驗結(jié)果，將DC電壓連續(xù)地提供至驅(qū)動晶體管Qd的控制端達大約100小時，之后施加預選的AC反向偏壓達大約一天(大約24小時)。如前所述，將正(+)極性的DC電壓(大約7VDC)施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端，隨后施加預選的反向偏壓。一個預選的反向偏壓Vneg采用在大約0V至大約-20V之間變化的10Hz頻率的第一預選AC電壓(DC7V；AC+0V/-20V@10Hz)。另一個預選的反向偏壓Vneg采用在大約0V至大約-20V之間變化的250Hz頻率的第二預選AC電壓(DC7V；AC+0V/-20V@250Hz)。
特別地，實驗觀察到，如果將具有預定頻率和預選AC電壓值的AC反向偏壓Vneg施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端，則閾電壓增加接近大約1V，隨后下落至某一電平，然后恢復，相同的過程以接近100小時的周期重復。所以，即使在大約800小時的下落之后，仍舊存在閾電壓的最小偏移。在圖7中，預選頻率被選擇為大約10Hz或大約250Hz，并且反向偏壓Vneg的預選AC電壓大小被選擇為周期性地在大約0V至大約-20V之間變化。
圖8示出了實驗獲得的隨著時間變化而產(chǎn)生的驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓偏移，其與作為典型的現(xiàn)有技術(shù)的在施加和不施加DC反向偏壓Vneg情況下施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端的電壓相對應。每個實驗執(zhí)行兩次。圖8示出了當將正(+)極性的DC電壓(7VDC)施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端但是不施加反向偏壓Vneg時，產(chǎn)生的驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓偏移。如果將正(+)極性的數(shù)據(jù)電壓Vdat連續(xù)地施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端但是不施加反向偏壓Vneg，則閾電壓逐漸地增加，在經(jīng)過大約300小時后超過大約2V。此外，圖8示出了當將負(-)極性DC電壓(-20VDC)施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端但是不施加反向偏壓Vneg時，產(chǎn)生的驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓偏移。如果不施加反向偏壓Vneg而連續(xù)地將負(-)極性的數(shù)據(jù)電壓Vdat施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端，則在經(jīng)過大約300小時之后，閾電壓減小至超過大約-3V(大小)的負值。
此外，圖8示出了如果在預定時間周期中將大約-20V的恒定DC電壓作為反向偏壓Vneg施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端，驅(qū)動晶體管Qd的閾電壓略微增加達到大約50小時，隨后閾電壓減小，從而恢復經(jīng)過50小時之后的閾電壓偏移。然而，在開始恢復之后，閾電壓增加了遠大于開始的50小時期間獲得的量，但是恢復量沒有達到閾電壓偏移增加的量。因此，當隨著時間變化重復閾電壓的偏移和恢復時，恢復量仍舊不能達到閾電壓偏移增加的量。所以，在經(jīng)過大約250小時之后，逐漸形成了相當大的閾電壓偏移，從而降低了現(xiàn)有的OLED顯示器的圖像質(zhì)量。由此，在本實施例中，通過將AC反向偏壓Vneg施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制電極，例如，相比于之前將DC電壓用作反向偏壓Vneg的結(jié)果，可以極大地減小閾電壓偏移。
現(xiàn)在，將參照圖9詳細描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的OLED顯示器。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的OLED顯示器的框圖。如圖9中所示，示例性O(shè)LED顯示器包括顯示面板310、與其連接的掃描驅(qū)動器410U和410D、數(shù)據(jù)驅(qū)動器500、開關(guān)驅(qū)動器700、反向偏壓發(fā)生器800、以及用于控制掃描驅(qū)動器410U和410D、數(shù)據(jù)驅(qū)動器500、開關(guān)驅(qū)動器700、和反向偏壓發(fā)生器800的信號控制器600。
顯示面板310被分為上部塊BLU和下部塊BLD兩部分。在等效電路圖中，顯示面板310包括多條掃描信號線GU1-GUp和GD1-GDp；多條數(shù)據(jù)線D1-Dm；多條驅(qū)動電壓線(未示出)；以及基本上呈矩陣結(jié)構(gòu)排列并且連接至掃描信號線GU1-GUp和GD1-GDp、數(shù)據(jù)線D1-Dm、以及驅(qū)動電壓線的多個像素PX。
掃描信號線GU1-GUp傳送掃描信號VU1-VUp，并且被設(shè)置于上部塊BLU上。掃描信號線GD1-GDp傳送掃描信號VD1-VDp并且被設(shè)置于下部塊BLD上。掃描信號線GU1-GUp和GD1-GDp基本上沿行方向延伸，彼此分離且基本上平行。數(shù)據(jù)線D1-Dm傳送數(shù)據(jù)電壓Vout，并且基本上沿列方向穿過上部塊BLU和下部塊BLD延伸，彼此分離且基本上平行。顯示面板310的其它結(jié)構(gòu)類似于圖1中所示的顯示面板的其它結(jié)構(gòu)，特別地，顯示面板310的像素結(jié)構(gòu)與圖2中所示的像素結(jié)構(gòu)基本上相同。
掃描驅(qū)動器410U和410D分別連接至掃描信號線GU1-GUp和GD1-GDp。響應于來自信號控制器600的掃描控制信號CONT3，掃描驅(qū)動器410U和410D將掃描信號VU1-VUp和VD1-VDp施加至掃描信號線GU1-GUp和GD1-GDp。掃描信號VU1-VUp和VD1-VDp可以包括高電壓Von與低電壓Voff的組合。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和信號控制器600與圖1和圖5中所示的數(shù)據(jù)驅(qū)動器和信號控制器基本上相同，并且圖1至圖7所示的OLED顯示器實施例的相關(guān)特性同樣適用于圖10的OLED顯示器。
現(xiàn)在，將參照圖10詳細描述OLED顯示器的操作。圖10示出了施加至根據(jù)本發(fā)明另一實施例的示例性O(shè)LED顯示器的驅(qū)動信號的波形圖。參照圖10，為了顯示圖像，信號控制器600將一個幀分成兩個間隔T1和T2。分別將間隔T1分成第一顯示間隔NT1和第二顯示間隔NT2。同樣，分別將第二間隔T2分成第一消隱間隔BT1和第二消隱間隔BT2。
在第一顯示間隔NT1中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器600將數(shù)據(jù)電壓Vdat施加至相應的數(shù)據(jù)線D1-Dm，并且上部塊掃描驅(qū)動器410U順序地將掃描信號VU1-VUp施加至上部塊BLU的掃描信號線GU1-GUp。如圖9的箭頭所示，將上部塊BLU的掃描方向定向為從最上方的掃描信號線GU1朝向最下方的掃描信號線GUp。第一開關(guān)晶體管Qs1連接至掃描信號線GU1-GUp。因此，將施加至數(shù)據(jù)線D1-Dm的電壓Vdat通過相應導通的第一開關(guān)晶體管Qs1施加至相應的驅(qū)動晶體管Qd的控制端。將施加至驅(qū)動晶體管Qd的數(shù)據(jù)電壓Vdat充入電容器Cst，當?shù)谝痪w管Qs1截止時保持該充電電壓。在施加數(shù)據(jù)電壓Vdat時，驅(qū)動晶體管Qd導通以輸出對應于電壓Vdat的電流ILD。當電流ILD流過OLED LD時，圖像被顯示在相應的像素PX上。在一個水平周期1H期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和掃描驅(qū)動器400對一行像素PX進行操作。在每個水平周期1H結(jié)束之后，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和掃描驅(qū)動器400對之后行的像素PX重復相同的操作。如此，在第一顯示間隔NT1期間，順序地將掃描信號VU1-VUp施加至上部掃描信號線GU1-GUp，并且將數(shù)據(jù)電壓Vdat順序地施加至上半部(BLU)的像素PX。
在隨后的第一消隱間隔BT1期間，響應于來自信號控制600的反向偏壓控制信號CONT4，反向偏壓發(fā)生器800將反向偏壓Vneg施加至連接至下部塊BLD的像素PX的反向偏壓線Ln。響應于來自信號控制器600的開關(guān)控制信號CONT3，開關(guān)驅(qū)動器700將開關(guān)控制信號施加至開關(guān)信號線CK，從而使第二開關(guān)晶體管Qs2導通。因此，將施加至反向偏壓線Lg的反向偏壓Vneg通過相應導通的開關(guān)晶體管施加至相應的驅(qū)動晶體管Qd的控制端。優(yōu)選地，反向偏壓Vneg是如圖5和圖6所示的AC電壓，且參照圖5所描述的反向偏壓Vneg的前述特性同樣是適用的。
在隨后的第二顯示間隔NT2期間，將數(shù)據(jù)電壓Vdat施加至相應的數(shù)據(jù)線D1-Dm，并且下部掃描驅(qū)動器410D順序地將掃描信號VD1-VDq施加至下部塊BLD的掃描信號線GD1-GDq。與第一顯示間隔NT1不同，在該間隔期間，將掃描方向定向為從底部到頂部，如圖9中的箭頭所示。即，下部塊BLD中進行的掃描從最下方的掃描信號線GDq向最上方的掃描信號線GUp進行。在第二顯示間隔NT2期間執(zhí)行的操作與第一顯示間隔NT1期間執(zhí)行的操作基本上相同，并且之前的描述同樣可以適用于間隔NT2。
在第二消隱間隔BT2期間，響應于來自信號控制器600的反向偏壓控制信號CONT4，反向偏壓發(fā)生器800基本上連續(xù)地將反向偏壓Vneg施加至連接至上部塊BLU的反向偏壓線Ln。在第二顯示間隔BT2期間執(zhí)行的操作與第一顯示間隔BT1期間執(zhí)行的操作基本上相同，并且之前的描述同樣可以適用于間隔BT2。
如上所述，在將數(shù)據(jù)電壓Vdat施加至上部塊BLU的像素PX的同時，將反向偏壓Vneg施加至下部塊BLD的像素。相反地，在將數(shù)據(jù)電壓Vdat施加至下部塊BLD的像素PX的同時，將反向偏壓Vneg施加至上部塊BLU的像素。因此，在上部塊的像素顯示圖像的同時，下部塊BLD的像素顯示黑色，反之亦然。在提供數(shù)據(jù)電壓Vdat之后，像素PX發(fā)光，直到施加了反向偏壓Vneg。在施加反向偏壓Vneg之后，像素PX不發(fā)光，直到在下個幀期間提供數(shù)據(jù)電壓Vdat。因此，通過在一幀1FT的部分期間內(nèi)不發(fā)光，可以防止產(chǎn)生圖像不清楚和模糊的混亂現(xiàn)象(blurring phenomenon)，并同時防止閾電壓的偏移。
盡管參照將顯示面板和掃描驅(qū)動器分成兩個單元以及將顯示操作的一個幀分成兩個間隔的實施例對本發(fā)明進行了描述，但是本發(fā)明不限于此。有利地，可以將顯示面板和掃描驅(qū)動器中的一個或兩個分成三個或更多的單元，并且可以將顯示操作的幀分成三個或更多間隔。
圖11以框圖的形式示出了另一個示例性O(shè)LED顯示器的實施例。參照圖11，圖11中示出的OLED顯示器包括顯示面板300；掃描驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500，它們連接至顯示面板300；開關(guān)驅(qū)動器700；反向偏壓發(fā)生器800；信號控制器610，用于控制掃描驅(qū)動器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動器500、開關(guān)驅(qū)動器700、和反向偏壓發(fā)生器800；以及時鐘定時器900。時鐘定時器900用于確定是否開啟OLED顯示器的電源，測量開啟時間，并且將這些信息INF傳送至信號控制器610。信號控制器610控制柵極驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500的操作，并且接收來自時鐘定時器900的開啟時間信息INF，以控制開關(guān)驅(qū)動器700和反向偏壓發(fā)生器800的操作。柵極驅(qū)動器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動器500、開關(guān)驅(qū)動器700、以及反向偏壓發(fā)生器800與圖1中所示的基本上相同，并且參照圖1至圖4所述的OLED顯示器的上述特性同樣可以用于圖11的OLED顯示器。
圖12示出了根據(jù)本發(fā)明再一個實施例的OLED顯示器。圖12示出了描述施加至OLED顯示器實施例的驅(qū)動晶體管的電壓的波形圖。參照圖12，將根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的OLED顯示器的操作周期分成開啟間隔OT以及關(guān)閉間隔，在開啟間隔期間顯示器的電源開啟(即，OLED顯示器處于開啟狀態(tài))，在關(guān)閉間隔期間顯示器的電源關(guān)閉(即，OLED顯示器處于關(guān)閉狀態(tài))。
在開啟間隔OT中，OLED顯示器以與圖5的第一間隔NT中相同的方式運行。即，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500將數(shù)據(jù)電壓Vdat施加至相應的數(shù)據(jù)線D1-Dm，并且掃描驅(qū)動器400順序地將掃描信號施加至連接至相應的第一開關(guān)晶體管Qs1的掃描信號線。因此，當?shù)谝婚_關(guān)晶體管Qs1導通時，將施加至數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓Vdat通過相應導通的第一開關(guān)晶體管Qs1施加至相應的驅(qū)動晶體管Qd的控制端。將施加至驅(qū)動晶體管Qd的數(shù)據(jù)電壓Vdat充入電容器Cst，當?shù)谝婚_關(guān)晶體管Qs1截止時保持該充電電壓。當施加數(shù)據(jù)電壓Vdat時，使驅(qū)動晶體管Qd導通，從而驅(qū)動對應于電壓Vdat的輸出電流ILD。隨著電流ILD流過OLED LD，圖像被顯示在相應的像素PX上。
如上所述，當OLED顯示器處于開啟狀態(tài)時，執(zhí)行顯示操作。如果OLED顯示器被關(guān)閉了而未經(jīng)使用，并且響應于來自信號控制器600的反向偏壓控制信號CONT4，反向偏壓發(fā)生器800將反向偏壓Vneg施加至連接至像素PX的反向偏壓線Ln。響應于來自信號控制器600的開關(guān)控制信號CONT3，開關(guān)驅(qū)動器700將開關(guān)信號施加至開關(guān)信號線Ck，從而使連接有開關(guān)信號線Ck的第二開關(guān)晶體管Qs2導通。因此，通過反向偏壓線Lg，經(jīng)由相應導通的開關(guān)晶體管將反向偏壓Vneg施加至相應的驅(qū)動晶體管Qd的控制端。
在該時間期間，時鐘定時器900計算OLED顯示器處于開啟狀態(tài)的時間，并且將該信息INF傳送至信號控制器600。相應地，信號控制器600根據(jù)預定標準設(shè)置用于將反向偏壓Vneg施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端的時間。所以，由此確定的是分別要被傳送至開關(guān)驅(qū)動器700和反向偏壓發(fā)生器800的控制信號CONT3和CONT4。即，在OLED顯示器的驅(qū)動晶體管Qd的顯示操作期間，信號控制器600測量數(shù)據(jù)電壓Vdat的施加時間，并且計算用于施加反向偏壓的近似的小時數(shù)，該小時數(shù)通常與數(shù)據(jù)電壓Vdat的施加時間成比例。
有利地，如果OLED顯示器的開啟時間大約為y小時，則可以施加反向偏壓Vneg達大約x小時，其中x≤y。例如，在所選實施例中，當相應的OLED的開啟時間(即，數(shù)據(jù)電壓Vdat的施加時間)大約為8小時時，施加反向偏壓Vneg的期望值可以是大約1個小時。換句話說，期望提供的反向偏壓的施加時間是顯示裝置的開啟時間的大約1/8。
如上所述，如果利用在不使用OLED顯示器期間的時間施加反向偏壓Vneg，則可以更加有效地利用OLED顯示器，同時防止了閾電壓的偏移。根據(jù)本發(fā)明，可以防止非晶硅TFT的閾電壓偏移，從而防止圖像質(zhì)量的降低。
雖然參照當前考慮要被實施的示例性實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應當理解，本發(fā)明不限于所公開的實施例，相反，本發(fā)明旨在覆蓋在所附權(quán)利要求的主旨和范圍內(nèi)的多種改變和等同布置。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括發(fā)光元件；以及驅(qū)動晶體管，用于將驅(qū)動電流提供至所述發(fā)光元件，其中，數(shù)據(jù)電壓或反向偏壓中的一個以交替的方式被施加至所述驅(qū)動晶體管，并且，所述反向偏壓是包括AC電壓的AC反向偏壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，包括第一開關(guān)晶體管，連接至所述驅(qū)動晶體管，并被配置為響應于掃描信號傳送所述數(shù)據(jù)電壓；以及第二開關(guān)晶體管，連接至所述驅(qū)動晶體管，并被配置為響應于開關(guān)信號傳送所述反向偏壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述AC反向偏壓的頻率在大約10Hz至大約10,000Hz的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述AC反向偏壓的占空比在大約10％至大約90％的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述AC反向偏壓的最大值與最小值的平均值小于大約0V。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述AC反向偏壓的所述最小值小于大約0V。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述AC反向偏壓的所述最大值大約為0V。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述AC反向偏壓的所述最大值大于大約0V。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第一開關(guān)晶體管和所述第二開關(guān)晶體管交替導通。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述第一開關(guān)晶體管的導通時間大致長于所述第二開關(guān)晶體管的導通時間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述第一開關(guān)晶體管的導通時間與所述第二開關(guān)晶體管的導通時間之比在大約4∶1至大約16∶1的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進一步包括電容器，被配置為充入對應于所述數(shù)據(jù)信號的電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置處于開啟狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)之一，其中，當所述顯示裝置處于所述開啟狀態(tài)時，所述數(shù)據(jù)電壓被施加至所述驅(qū)動晶體管，以及當所述顯示裝置處于所述關(guān)閉狀態(tài)時，所述AC反向偏壓被施加至所述驅(qū)動晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，進一步包括時鐘定時器，被配置為測量所述顯示裝置的所述開啟狀態(tài)的持續(xù)時間。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述AC反向偏壓的施加時間是所述顯示裝置的開啟時間的大約1/8。
16.一種顯示裝置，包括第一像素行組；第一像素行組開關(guān)晶體管，連接至所述第一像素行組；第一像素行組驅(qū)動晶體管，連接至所述第一像素行組開關(guān)晶體管；第二像素行組；第二像素行組開關(guān)晶體管，連接至所述第二像素行組；以及第二像素行組驅(qū)動晶體管，連接至所述第二像素行組開關(guān)晶體管，其中，所述第一像素行組和所述第二像素行組中的每一組均包括由多個像素形成的至少一個像素行，其中，所述每個像素均包括發(fā)光元件，連接至所述第一像素行組驅(qū)動晶體管或所述第二像素行組驅(qū)動晶體管中相應的一個；第一柵極驅(qū)動器，連接至所述第一像素行組開關(guān)晶體管，并被配置為傳送第一掃描信號；以及第二柵極驅(qū)動器，連接至所述第二像素行組開關(guān)晶體管，并被配置為傳送第二掃描信號，以及其中，數(shù)據(jù)電壓被施加至所述第一像素行組驅(qū)動晶體管，以及AC反向偏壓被施加至所述第二像素行組驅(qū)動晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，所述第一掃描信號被施加至所述第一像素行組的方向與所述第二掃描信號被施加至所述第二像素行組的方向相反。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，在所述數(shù)據(jù)電壓被施加至所述第一像素行組驅(qū)動晶體管之后施加所述AC反向偏壓，以及在所述AC反向偏壓被施加至所述第二像素行組驅(qū)動晶體管之后，施加所述數(shù)據(jù)電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，一個幀被分成具有第一顯示間隔和第一消隱間隔的第一間隔以及具有第二顯示間隔和第二消隱間隔的第二間隔，其中，在所述第一顯示間隔期間，所述數(shù)據(jù)電壓被施加至所述第一像素行組驅(qū)動晶體管，并且在所述第一消隱間隔期間，所述AC反向偏壓被施加至所述第二像素行組驅(qū)動晶體管，其中，在所述第二顯示間隔期間，所述數(shù)據(jù)電壓被施加至所述第二像素行組驅(qū)動晶體管，并且在所述第二消隱間隔期間，所述交流電反向偏壓被施加至所述第一像素行組驅(qū)動晶體管。
20.一種顯示裝置的驅(qū)動方法，所述顯示裝置具有發(fā)光元件以及用于將電流提供至所述發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管，所述方法包括將數(shù)據(jù)電壓施加至所述驅(qū)動晶體管；以及將反向偏壓施加至所述驅(qū)動晶體管，其中，所述反向偏壓是AC電壓。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述數(shù)據(jù)電壓的施加時間與所述反向偏壓的施加時間之比在大約4∶1至大約16∶1的范圍內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述AC反向偏壓的頻率在大約10Hz至大約10,000Hz的范圍內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述AC反向偏壓的占空比在大約10％至大約90％的范圍內(nèi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述AC反向偏壓的最大值與最小值的平均值小于大約0V。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，當所述顯示裝置處于開啟狀態(tài)時，將所述數(shù)據(jù)電壓施加至所述驅(qū)動晶體管，以及當所述顯示裝置處于關(guān)閉狀態(tài)時，將所述反向偏壓施加至所述驅(qū)動晶體管。
26.一種顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，所述顯示裝置包括開關(guān)晶體管；驅(qū)動晶體管，連接至所述開關(guān)晶體管；第一像素行組和第二像素行組，每一組均包括由多個像素形成的至少一個像素行，均連接至相應的一個所述開關(guān)晶體管，所述每個像素均具有連接至所述驅(qū)動晶體管的發(fā)光元件，所述顯示裝置的驅(qū)動方法包括將數(shù)據(jù)電壓施加至所述第一像素行組；將AC反向偏壓施加至所述第二像素行組；將所述數(shù)據(jù)電壓施加至所述第二像素行組；以及將所述AC反向偏壓施加至所述第一像素行組。
全文摘要
一種顯示裝置及其驅(qū)動方法，其中，該顯示裝置包括發(fā)光元件以及用于將驅(qū)動電流提供至發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管，其中，以交替的方式將數(shù)據(jù)電壓或反向偏壓中的一個施加至驅(qū)動晶體管，并且反向偏壓是AC電壓。
文檔編號G09G3/20GK101051441SQ20071009035
公開日2007年10月10日 申請日期2007年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月4日
發(fā)明者昆賈爾·帕里克, 丁奎夏, 金南德, 崔凡洛, 高俊哲, 崔埈厚 申請人:三星電子株式會社