專利名稱：等離子體顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板，更具體地，涉及在黑層與電極彼此分開的結(jié)構(gòu)中的電極間距離，以及在黑層與電極彼此分開的結(jié)構(gòu)中的障壁的寬度。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(下文中稱為PDP)是一種用來通過執(zhí)行放電并利用在氣體放電時所產(chǎn)生的等離子體激發(fā)熒光體來顯示包括字符和圖形的圖像的設(shè)備，其中放電是通過向設(shè)置在放電空間中的電極施加預定電壓來進行的。等離子體顯示面板具有以下優(yōu)點有利于大尺寸、輕重量和平而薄的外形，可以提供到上下左右的寬視角，并且可以實現(xiàn)全色和高亮度。
等離子體顯示面板包括前基板和后基板。在前基板上設(shè)置有透明電極和包括形成在透明電極上的匯流電極的多個維持電極。在后基板上設(shè)置有多個放電空間，即用于形成單元的障壁，并且設(shè)置有與維持電極相交叉的多個第三電極。
維持電極分為匯流電極和透明電極。對于匯流電極，單元中的匯流電極間距離被設(shè)置為最大值。這樣，匯流電極變得與分隔物相鄰。此時，匯流電極和障壁充當電容器，而面板電容由于電壓積累而增加。此外，存在由于面板電容的增加而使無功電流的消耗增加的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是至少解決背景技術(shù)中的問題和缺點。
本發(fā)明的目的是將匯流電極和黑層相互分開，以建立電極之間的距離比，以便減小前基板和后基板之間的面板電容，以建立障壁和黑層的最佳寬度和比。
根據(jù)本發(fā)明的一方面的等離子體顯示設(shè)備包括前基板，在其中第一電極與第二電極平行而形成；后基板，在其中第三電極與第一電極和第二電極交叉而形成；以及在前基板和后基板之間通過相互交叉而形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中第二障壁與第一電極和第二電極平行而形成，其中第一電極和第二電極各沿著從第二障壁的上部的邊緣到放電單元中心的方向單獨設(shè)置，而第一電極和第二電極之間的最長距離是第二障壁的上部的邊緣之間的距離的0.5倍到1倍之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面的等離子體顯示設(shè)備包括前基板，在其中第一電極與第二電極平行而形成；后基板，在其中第三電極與第一電極和第二電極交叉而形成；以及在前基板和后基板之間通過相互交叉而形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中第二障壁與第一電極和第二電極平行而形成，其中第一電極和第二電極各沿著從第二障壁的上部的邊緣到放電單元中心的方向單獨設(shè)置，而第二障壁的上部的寬度在40μm到100μm之間。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面的等離子體顯示設(shè)備包括前基板，在其中第一電極與第二電極平行而形成；后基板，在其中第三電極與第一電極和第二電極交叉而形成；以及在前基板和后基板之間通過相互交叉而形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中第二障壁與第一電極和第二電極平行而形成，其中黑層形成在第二障壁上，其中第一電極和第二電極各沿著從第二障壁的上部的邊緣到放電單元中心的方向單獨設(shè)置，而第一黑層的寬度是第二障壁的上部的寬度的0.8倍到2.55倍之間。


所包括的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步的理解，被并入本說明書并構(gòu)成本說明書的一部分，圖示了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1為圖示了等離子體顯示設(shè)備的電極設(shè)置實施例的示圖。
圖2為圖示了通過將一幀劃分成多個子場的分時驅(qū)動方法的實施例的時序圖。
圖3為圖示了在一個所劃分的子場中，用于驅(qū)動等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動信號的實施例的時序圖。
圖4為圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備結(jié)構(gòu)的實施例的透視圖。
圖5a到圖5b為圖示了根據(jù)本發(fā)明的面板結(jié)構(gòu)的實施例的橫截面圖，其中該面板包括分開型黑矩陣(BM)。
圖6為根據(jù)本發(fā)明的面板的橫截面圖。
圖7a為圖示了面板電容根據(jù)障壁之間的距離和電極之間的距離的比而變化的曲線圖。
圖7b為圖示了亮度根據(jù)障壁之間的距離和電極之間的距離的比而變化的曲線圖。
圖8為圖示了面板的實施例的示圖，其中面板中形成有根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的第一障壁和第二障壁。
圖9a為圖示了面板電容根據(jù)第二障壁的上部的寬度而變化的曲線圖。
圖9b為圖示了亮度根據(jù)第二障壁的上部的寬度而變化的曲線圖。
圖10a、圖10b為圖示了面板沿著與根據(jù)本發(fā)明一實施例的維持電極交叉的方向所切割的橫截面的示圖。
圖11a到圖11c為圖示了根據(jù)本發(fā)明一實施例的等離子體顯示設(shè)備的第三電極的結(jié)構(gòu)的示圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將具體參考本發(fā)明的實施例，其例子在附圖中示出。
在下文中，將參考圖1到圖10b來具體描述本發(fā)明的實施例。圖1為圖示了等離子體顯示設(shè)備的電極設(shè)置實施例的示圖。優(yōu)選地，如圖1中所示，等離子體顯示設(shè)備所包括的多個單元設(shè)置成矩陣型。
在第一電極行Y1到Y(jié)m、第二電極行Z1到Zm、以及第三電極行X1到Xn的交叉部準備了多個放電單元。第一電極行Y1到Y(jié)m可以被依次驅(qū)動或者可以被同時驅(qū)動，而第二電極行Z1到Zm可以被同時驅(qū)動?？梢詫⒌谌姌O行X1到Xn分成偶數(shù)行和奇數(shù)行來驅(qū)動，或者可以同時驅(qū)動。
在上面，第一電極可以被稱為掃描電極，而第二電極可以被稱為維持電極。第三電極可以被稱為尋址電極。
圖1中所示的電極設(shè)置只是根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的電極設(shè)置的一個實施例。因此，本發(fā)明并不局限于圖1中所示的等離子體顯示面板的電極設(shè)置和驅(qū)動方法。例如，對第一電極行Y1到Y(jié)m中的兩個第一電極行同時進行掃描的雙掃描模式是可用的。此外，在面板的中心區(qū)域，可以將第三電極行X1到Xn分成上部和下部來驅(qū)動。此時，優(yōu)選地，被分成上部和下部的第三電極之間的距離在70到200μm的范圍內(nèi)形成，以便防止由于將電極行分成上部和下部而在屏幕中產(chǎn)生微小階梯高度的問題。
圖2為圖示了通過將一幀劃分成多個子場的分時驅(qū)動方法的實施例的時序圖。參考圖2，單位幀可以被劃分成預定個數(shù)的子場，例如8個子場SF1，...，SF8，以便實現(xiàn)分時灰度級(time divided grayscale)。而且，每個子場SF1，...，SF8被劃分成重置時段(未示出)、尋址時段A1，...，A8，以及維持時段S1，...，S8。
這里，根據(jù)本發(fā)明的實施例，在多個子場的至少一個子場中，重置時段可以被省略。例如，重置時段可以僅存在于第一子場中，或者存在于第一子場和最后子場之間的中間子場中。
在每個尋址時段A1，...，A8，向第三電極X施加尋址信號，而向一個或兩個第一電極行依次施加對應(yīng)于每個第一電極Y的掃描信號。
在每個維持時段S1，...，S8，向第一電極Y和第二電極Z交替施加維持信號，使得在放電單元內(nèi)產(chǎn)生維持放電，其中在放電單元內(nèi)，壁電荷在尋址時段A1，...，A8形成。而且，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以省略多個維持時段中的至少一個，并且可以僅向第一電極Y和第二電極Z之一施加維持信號。這樣，如果省略了維持時段或者僅向一個電極施加維持信號，則可以增加灰度級。優(yōu)選地，將這樣的實施應(yīng)用于第一維持時段S1到第三維持時段S3。
等離子體顯示面板的亮度與單位幀的維持放電時段S1，...，S8中的維持放電脈沖的數(shù)目成比例。如果形成一個圖像的一個幀用8個子場和256個灰度級來表示，則可以將具有不同數(shù)目的維持信號按1、2、4、8、16、32、64、128的比率分配給每個子場。為了獲得133灰度級的亮度，在子場1時段、子場3時段和子場8時段期間對單元進行尋址以進行維持放電。
根據(jù)依賴于APC(自動功率控制)步驟的子場的經(jīng)加權(quán)的值，分配給每個子場的維持放電數(shù)目可以可變地確定。即，在圖3中，例如一幀被劃分成8個子場。但是，本發(fā)明并不局限于這種情況，而是形成一幀的子場的數(shù)目可以根據(jù)設(shè)計類型可變地變化。例如，幀可以被劃分成8個子場或者更多個子場，如12個子場或16個子場，以便驅(qū)動等離子體顯示面板。
圖3為圖示了在一個所劃分的子場中，用于驅(qū)動等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動信號的實施例的時序圖。
該子場包括預重置時段，用于在第一電極Y上形成正壁電荷，并在第二電極Z上形成負壁電荷；重置時段，用于通過使用預重置時段所形成的壁電荷分布對整個屏幕的放電單元進行初始化；尋址時段，用于選擇放電單元；以及維持時段，用于保持所選放電單元的放電。
重置時段包括設(shè)置上(setup)時段和設(shè)置下(setdown)時段。在設(shè)置上時段，同時向所有的第一電極施加斜升波形，以在所有的放電單元中產(chǎn)生微放電。因此產(chǎn)生了壁電荷。在設(shè)置下時段，向所有的第一電極Y施加從比斜升波形的峰值電壓低的正極性電壓開始下降的斜降波形，以在所有的放電單元中產(chǎn)生擦除放電。因此，通過設(shè)置上放電產(chǎn)生的壁電荷以及空間放電中的不需要的電荷被擦除。
此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，在多個子場的至少一個中省略施加斜升波形的設(shè)置上時段，使得僅可存在施加斜降波形的設(shè)置下時段。這樣，雖然在至少一個子場中省略了設(shè)置上時段且僅存在設(shè)置下時段，但是放電單元的初始化還是可能的。另外，驅(qū)動時間裕度增加，使得有利于驅(qū)動，特別是單掃描驅(qū)動。
在尋址時段，將具有負極性掃描電壓Vsc的掃描信號410依次施加到第一電極，而將具有正極性尋址電壓Va的尋址信號400施加到第三電極X，以便與掃描信號重疊。由于掃描信號410和尋址信號400的電壓的寬度，產(chǎn)生了尋址放電，從而選擇了單元。同時，在設(shè)置下時段和尋址時段期間，向第二電極施加保持維持電壓的信號。
在維持時段，向第一電極和第二電極交替施加維持信號，維持放電在第一電極和第二電極之間作為表面放電而產(chǎn)生。
圖3中所示的驅(qū)動波形是用于驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的信號的第一實施例。本發(fā)明并不局限于圖3中所示的波形。例如，如果有必要，可以省略預重置時段，且可以改變圖3中所示的驅(qū)動信號的極性和電壓電平。而且，在維持放電完成之后，可以向第二電極施加用于擦除壁電荷的擦除信號。
此外，在單維持驅(qū)動模式中，僅向第一電極Y和維持電極Z之一施加維持信號來產(chǎn)生維持放電。被供給這樣的驅(qū)動波形的面板如圖4中所示而形成。
圖4為圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備結(jié)構(gòu)的實施例的透視圖。
如圖4中所示，該等離子體顯示設(shè)備包括第一電極11和第二電極12，它們是形成在前基板10中的維持電極對；以及形成在后基板20中的第三電極22。
通常，維持電極對11、12包括由氧化銦錫(ITO)形成的透明電極11a、12a，以及匯流電極11b、12b。匯流電極11b、12b可以由諸如銀(Ag)、鉻(Cr)或鉻/銅/鉻(Cr/Cu/Cr)的金屬堆疊或者鉻/鋁/鉻(Cr/Al/Cr)的堆疊形成。匯流電極11b、12b形成在透明電極11a、12a上且用于減小具有高電阻的透明電極11a、12a所造成的電壓降。此時，在第一電極放電和第二電極放電期間，優(yōu)選地，用于使放電效率最大的透明電極11a、12a之間的距離的范圍是從90μm到150μm。
同時，根據(jù)本發(fā)明的實施例，維持電極對11、12可以僅包括匯流電極11b、12b而沒有透明電極11a、12a，以及其中透明電極11a、12a和匯流電極11b、12b被層壓的結(jié)構(gòu)。因為不使用透明電極11a、12a，這種結(jié)構(gòu)具有可降低面板制造成本的優(yōu)點。除了上述材料，包括光阻劑材料的各種材料可用于這種結(jié)構(gòu)的匯流電極11b、12b。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，在前基板10上形成有改善對比度并且吸收外部光以減少反射的黑層。其可以包括第一黑層15，形成在與障壁21相重疊的位置；以及第二黑層11c、12c，形成在透明電極11a、12a與匯流電極11b、12b之間。這里，第一黑層15和第二黑層11c、12c是分開的，使得在物理上不連接。在這種情況下，第一黑層15和第二黑層11c、12c可以用不同的材料形成。在并排形成有第一電極11和第二電極12的前基板10上，層壓有前電介質(zhì)層13和保護層14。在前電介質(zhì)層13上，積累了通過放電產(chǎn)生的帶電粒子。前電介質(zhì)層13可以用于保護維持電極對11、12。保護層14保護前電介質(zhì)層13免于在氣體放電期間產(chǎn)生的帶電粒子的濺射和發(fā)射二次電子，以便提高放電效率。
而且，第三電極22沿與第一電極11和第二電極12交叉的方向形成。在形成有第三電極22的后基板20上，形成有后電介質(zhì)層24和障壁21。熒光體層23形成在障壁21和后電介質(zhì)層24的表面。
包括第一障壁21a和第二障壁21b的障壁21在物理上分隔放電單元。第二障壁21b沿前基板10的維持電極11、12延伸的方向形成，而第一障壁21a沿與第二障壁21b的方向不同的方向形成，以便與第二障壁21b交叉。
參考圖4，優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的實施例的等離子體顯示面板的前面形成有濾光器25，而在濾光器25中可以包括外部光阻擋層、抗反射(AR)層、近紅外(NIR)屏蔽層或電磁干擾(EMI)屏蔽層。
在本發(fā)明的實施例中，可以使用具有各種形狀的障壁21的結(jié)構(gòu)，以及圖4中所示的障壁21的結(jié)構(gòu)。例如，可以使用差異型障壁結(jié)構(gòu)，其中第一障壁21a的高度不同于第二障壁21b；通道型障壁結(jié)構(gòu)，其中，在第一障壁21a和第二障壁21b中的至少一個中，可以形成用作通風通路的通道；以及槽型障壁結(jié)構(gòu)，其中在第一障壁21a和第二障壁21b中的至少一個中建立有凹陷(hollow)。
這里，在差異型障壁結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選地，第一障壁21a的高度高于第二障壁21b，而在通道型障壁結(jié)構(gòu)或槽型障壁結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選地，通道或凹陷形成在第二障壁21b中。
同時，在本發(fā)明的實施例中，說明了將R、G和B放電單元設(shè)置在同一直線上的情況。但是，可以使用其它設(shè)置。例如，可以使用Δ型設(shè)置，其中R、G和B放電單元按三角形的形式進行設(shè)置。此外，對于放電單元的形狀，可以使用各種多邊形形狀，包括五邊形、六邊形以及正方形形狀。
熒光體層23通過在氣體放電期間產(chǎn)生的紫外線來發(fā)光，以產(chǎn)生紅R、綠G和藍R之一的可見光。這里，包括He+Xe、Ne+Xe和He+Ne+Xe的用于放電的惰性混合氣體被注入到在前/后基板10、20和障壁21中所準備的放電空間中。
關(guān)于具有這種結(jié)構(gòu)的等離子體顯示設(shè)備，將參考圖5A和圖5B來具體描述圖4中所圖示的黑層。
圖5a到圖5b為圖示了根據(jù)本發(fā)明的面板結(jié)構(gòu)的實施例的橫截面圖，其中面板包括分開型BM。
對于分開型BM，通過放電產(chǎn)生的光可以在第一、第二黑層15、11c、12c之間輻射到面板的外部，以便增加亮度。此時，當放電單元中產(chǎn)生的光被更多地發(fā)射到外部時，面板的亮度增加，而放電單元中的電極之間的距離與光發(fā)射的量成比例。這樣，當電極之間的距離增加時，面板的亮度增加。
這里，可以使所形成的第一黑層15的寬度比第二黑層11c、12c的寬度寬。
在本發(fā)明的實施例中，因為匯流電極11b、12b位于放電空間中，減小了匯流電極11b、12b與障壁21之間的面板電容。即，障壁21與匯流電極11b、12b充當電容器而產(chǎn)生面板電容。如果匯流電極11b、12b位于與障壁21重疊的區(qū)域，則面板電容增加。即，當匯流電極11b、12b與第二障壁21b重疊的區(qū)域增加時，面板電容趨于增加。當面板電容增加時，面板中無功功率的消耗增加，使得面板的效率降低。因此，在本發(fā)明的實施例中，將參考圖6、圖7a和圖7b來描述第二障壁21b和匯流電極11b、12b之間的關(guān)系，以便減少無功功率的消耗，并提高面板的效率。
圖6為根據(jù)本發(fā)明的面板的橫截面圖。
在圖6中，參考符號“a”表示放電單元中相鄰的匯流電極11b、12b之間的最長距離，而參考符合“b”表示兩個第二障壁21b的內(nèi)側(cè)的上角50之間的距離。
此時，第二障壁21b的內(nèi)側(cè)的上角50被確定為在第二障壁21b的內(nèi)側(cè)的最上部、與匯流電極11b、12b的外側(cè)最接近的區(qū)域。即，根據(jù)本發(fā)明的實施例，匯流電極11b、12b位于第二障壁21b之間的放電空間內(nèi)，而它并不與第二障壁21b的內(nèi)側(cè)的上角50相重疊。所以，根據(jù)本發(fā)明的實施例，匯流電極11b、12b可以與除了第二障壁21b內(nèi)側(cè)的上角50之外的其它區(qū)域相重疊，例如，第二障壁21b的底部或中部。
此時，如上所述，既然本發(fā)明控制匯流電極11b、12b與第二障壁21b之間的距離來減小面板電容，所以第二障壁21b的內(nèi)側(cè)的上角50被確定為與匯流電極11b、12b的外側(cè)最接近的區(qū)域。
同時，透明電極11a、12a的至少部分或全部被設(shè)置在放電單元內(nèi)且可以與第一黑層11c、12c相重疊，圖6中未示出。
圖7a為圖示了面板電容根據(jù)障壁之間的距離和電極之間的距離的比而變化的曲線圖，而圖7b為圖示了亮度根據(jù)障壁之間的距離和電極之間的距離的比而變化的曲線圖。
如圖7a中所示，面板電容在匯流電極11b、12b的距離對于第二障壁21b的距離的比a/b處于1.0到0.8之間時突然下降。而且，如圖7b中所示，當匯流電極11b、12b的距離對于第二障壁21b的距離的比增加時，亮度增加，而它在比率a/b為0.5或以上時迅速增加。
這樣，通過關(guān)于面板電容和亮度的曲線圖，如果匯流電極11b、12b的距離對于第二障壁21b的距離的比為0.5＜a/b＜1，則亮度減小不多，而面板電容減小很多，從而提高了面板的效率。根據(jù)本發(fā)明的實施例，優(yōu)選地，參考圖7a和圖7b說明了如果值a/b的范圍是從0.6到0.8，則面板的效率被提高得更多。
圖8為圖示了面板的實施例的示圖，該面板中形成有根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的第一障壁和第二障壁。
如圖8中所示，放電單元被第二障壁21b和第一障壁21a所包圍。障壁21的上部的寬度指的是第二障壁21b的上部的寬度c和第一障壁21a的上部的寬度d。
此時，提出了用于提高相鄰單元的放電效率并減少干擾的第二障壁21b的上部寬度c的適當值。
圖9a為圖示了面板電容根據(jù)第二障壁的上部的寬度而變化的曲線圖。圖9b為圖示了亮度根據(jù)第二障壁的上部的寬度而變化的曲線圖。
如圖9a中所示，面板電容在第二障壁21b的上部的寬度c為100μm或者以上時迅速增加，而在第二障壁21b的上部的寬度c為100μm或者以下時降低。此外，如圖9b中所示，亮度在第二障壁21b的上部的寬度c為120μm或者以下時迅速增加，而在100μm以下時是穩(wěn)定的。
此時，可以知道，當?shù)诙媳?1b的上部的寬度c變窄時，面板電容減小。但是，存在如下問題如果第二障壁21b的上部的寬度c小于40μm，則第二障壁21b的制造在工藝方面變得非常困難，并且維持電極對的對準也變得困難。
即，在本發(fā)明的實施例中，第二障壁21b的上部的寬度c的最佳范圍限于40μm≤c≤100μm，在該范圍中，面板電容減小而亮度增加，但是根據(jù)障壁的制造技術(shù)，以后的第二障壁21b的上部的寬度c可能小于40μm或者以下。即，在本發(fā)明的實施例中，考慮到面板制造的公差或產(chǎn)量，第二障壁21b的上部的寬度c設(shè)置為40μm或者以上。但是，如果考慮到將來的工藝改進，寬度c可以不限于40μm，而可以是40μm或者以下。同時，考慮到面板制造的產(chǎn)量或者公差的可靠性，更優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的實施例的第二障壁21b的上部的寬度c的范圍是從55μm到100μm。
此外，優(yōu)選地，使所形成的第一障壁21a的上部的寬度d比第二障壁21b的上部的寬度c寬，而第一障壁21a的上部的寬度d與第二障壁21b的上部的寬度c的比為1∶1到1∶1.9。此時，第一障壁21a的上部的寬度d與第二障壁21b的上部的寬度c的最佳比近似為1∶1。即，同樣，當?shù)谝徽媳?1a的上部的寬度降低時，面板電容降低，從而提高了面板效率。如上所述，考慮到面板的制造產(chǎn)量或公差的可靠性，第一障壁21a的上部的寬度的最小值可以減小到第二障壁21b的上部的寬度c的最小值。而且，因為維持電極對和第一黑層與第二障壁21b的上部相重疊而形成在前基板上，所以優(yōu)選地，第二障壁21b的上部的寬度c大于第一障壁21a的上部的寬度d，而為了實現(xiàn)包括全HD的超精細屏，它是第一障壁21a的上部的寬度d的1.9倍或以下。
面板電容產(chǎn)生于障壁21和匯流電極11b、12b之間。此時，所產(chǎn)生的面板電容的值根據(jù)第二障壁21b與匯流電極11b、12b之間的距離而變化，其中第二障壁21b沿著與形成匯流電極11b、12b所沿著的第一方向相同的方向形成。
圖10a、圖10b為圖示了面板沿著與根據(jù)本發(fā)明一實施例的維持電極交叉的方向所切割的橫截面的示圖。
如圖10a、圖10b中所示，優(yōu)選地，關(guān)于第二障壁21b，第二障壁的上部的寬度e與第二障壁的下部的寬度f的比為1∶1到1∶3，以便在放電于單元內(nèi)時增加放電效率。此時，下部的寬度指的是與后電介質(zhì)層24接觸的部分的寬度。
第二障壁21b和第一障壁21a以最佳比率形成，使得可以減小由于第二障壁21b的面積而引起的面板電容。
同時，根據(jù)本發(fā)明的實施例，圖4到圖5中所示的第一黑層15a的寬度g的范圍是80μm到140μm。可以看出，如果將寬度g與第二障壁21b的上部的寬度e進行比較，則第二障壁21b的上部的寬度e與第一黑層15a的寬度的比是1∶1.08到1∶2.5。即，第一黑層15a形成在上基板上、與第二障壁21b相重疊的區(qū)域，以防止放電單元中產(chǎn)生的光被發(fā)射到前基板上、與第二障壁21b相重疊的區(qū)域，從而有助于實現(xiàn)清晰的畫面質(zhì)量。因此，第一黑層15a通常并不形成在放電單元內(nèi)，以便不影響從放電單元內(nèi)發(fā)射的光。然而，與從放電單元的中心區(qū)域發(fā)射的光量相比，從邊緣區(qū)域而非從中心區(qū)域發(fā)射的光量很小。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一黑層15a形成在上基板上、與放電單元的邊緣區(qū)域相重疊的位置，使得可以降低亮度的減小，并可以改善亮室對比度。
圖11a到圖11c為圖示了根據(jù)本發(fā)明一實施例的等離子體顯示設(shè)備第三電極的結(jié)構(gòu)的示圖。
參考圖11a，放電單元由第一障壁21a和第二障壁21b分隔。
這里，第三電極22的寬度可以根據(jù)位置而變化。例如，對應(yīng)于放電單元內(nèi)部的第一位置處的第三電極22的寬度W1不同于障壁，即對應(yīng)于第二障壁21b的第二位置處的第三電極22的寬度W2。例如，可以使所形成的第一位置處的第三電極22的寬度W1比第二位置上的第三電極22的寬度W2寬，以便改善放電特性。
即，可以將第一電極或第二電極與第三電極22相重疊的區(qū)域加寬，以便可以更精確地產(chǎn)生對向放電。
這樣，當使所形成的對應(yīng)于放電單元內(nèi)部的第一位置處的第三電極22的寬度W1比對應(yīng)于第二障壁21b的第二位置處的第三電極22的寬度W2寬時，在放電單元的邊界，對應(yīng)于放電單元內(nèi)部的第一位置處的第三電極22的寬度W1逐漸變窄，并固定為第二位置處的第三電極22的寬度W2。
如上所述，通過改變第三電極的寬度，可以減小在尋址時段、從施加掃描電壓到產(chǎn)生放電的時間，以便改善抖動特性，從而提高放電效率。
這樣，在本發(fā)明的實施例中，可以將第一電極或第二電極與第三電極22相重疊的區(qū)域加寬，以便適當?shù)禺a(chǎn)生對向放電。如圖11a中所示，在與第一電極和第二電極相重疊的整個區(qū)域，第三電極的寬度W1可以比與障壁相重疊的放電單元的外部的寬度W2寬。
在另一個實施例中，如圖11b中所示，可以使所形成的第三電極的寬度W1在第一電極和第二電極之一與第三電極相重疊的區(qū)域較寬。
在又一實施例中，如圖11c中所示，第三電極22在放電單元的中心部分的寬度逐漸變寬，使得可以形成菱形。
上述的本發(fā)明的實施例可以以各種形式組合而實現(xiàn)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備具有如下效果通過增加亮度和降低面板電容，改善了對比度并且減小了無功電流。此外，其具有如下效果由放電產(chǎn)生的光發(fā)射平穩(wěn)地進行，使得可以增加亮度，并可以使相鄰單元的干擾最小，并且具有如下效果降低了障壁所產(chǎn)生的面板電容，使得無功電流減小。因此，其具有如下效果因為減少了其間施加掃描脈沖的尋址時間，所以可以保證顯示圖像的維持時段相對較長，并且具有如下效果通過在第三電極的寬度不同地變化時改善抖動特性，可以提高放電效率。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，可以對本發(fā)明進行各種修改和變化，而不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等同者范圍內(nèi)的對本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括前基板，其中第一電極與第二電極平行而形成；后基板，其中第三電極與所述第一電極和所述第二電極交叉而形成；以及在所述前基板與所述后基板之間通過彼此交叉而形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中所述第二障壁與所述第一電極和所述第二電極平行而形成，其中所述第一電極和所述第二電極各沿著從所述第二障壁的上部的邊緣到放電單元中心的方向單獨設(shè)置，且所述第一電極和所述第二電極之間的最長距離是相鄰的第二障壁的上部的邊緣之間的距離的0.5倍到1倍之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極之間的所述最長距離是所述相鄰的第二障壁的上部的邊緣之間的所述距離的0.5倍到0.8倍之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，進一步包括第一黑層，其形成在所述前基板上、與所述第二障壁相對應(yīng)的位置，其中所述第一黑層與所述第一電極和所述第二電極是分開的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極分別包括透明電極和匯流電極，并且第二黑層形成在所述透明電極和所述匯流電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一黑層的寬度大于所述第二黑層的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極包括匯流電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第三電極的寬度在所述放電單元的內(nèi)部比在所述放電單元的外部大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中形成在所述放電單元內(nèi)的所述第三電極的寬度在輻射不同顏色的放電單元中不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極中的至少一個形成在與除了所述第二障壁上部邊緣之外的部分相重疊的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一障壁的高度大于所述第二障壁的高度。
11.一種等離子體顯示設(shè)備，包括前基板，其中第一電極與第二電極平行而形成；后基板，其中第三電極與所述第一電極和所述第二電極交叉而形成；以及在所述前基板與所述后基板之間通過彼此交叉而形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中所述第二障壁與所述第一電極和所述第二電極平行而形成，其中所述第一電極和所述第二電極各沿著從所述第二障壁的上部的邊緣到放電單元中心的方向單獨設(shè)置，且所述第二障壁的上部的寬度的范圍是從40μm到100μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，進一步包括第一黑層，其形成在所述前基板上、與所述第二障壁相對應(yīng)的位置，其中所述第一黑層與所述第一電極和所述第二電極是分開的。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極分別包括透明電極和匯流電極，并且第二黑層形成在所述透明電極和所述匯流電極之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極包括匯流電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第二障壁的下部的寬度是所述第二障壁的上部的寬度的1倍到3倍之間。
16.一種等離子體顯示設(shè)備，包括前基板，其中第一電極與第二電極平行而形成；后基板，其中第三電極與所述第一電極和所述第二電極交叉而形成；以及在所述前基板與所述后基板之間通過彼此交叉而形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中所述第二障壁與所述第一電極和所述第二電極平行而形成，其中黑層形成在所述第二障壁上，其中所述第一電極和所述第二電極各沿著從所述第二障壁的上部的邊緣到放電單元中心的方向單獨設(shè)置，且所述第一黑層的寬度是所述第二障壁的上部的寬度的0.8倍到2.55倍之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一黑層與所述第一電極和所述第二電極是分開的。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極分別包括透明電極和匯流電極，且第二黑層形成在所述透明電極和所述匯流電極之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極包括匯流電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第二障壁的下部的寬度是所述第二障壁的上部的寬度的1倍到3倍之間。
全文摘要
一種等離子體顯示設(shè)備，包括前基板，第一電極、第二電極形成在前基板上；后基板，其面對前基板；第三電極，沿與第一電極和第二電極交叉的方向形成在后基板上；其中第一電極和第二電極包括透明電極和匯流電極，形成在前基板上的黑層包括形成在與障壁相重疊的位置上的第一黑層，以及形成在透明電極和匯流電極之間的第二黑層。根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備具有如下效果改善了對比度并且減小了無功電流；由放電產(chǎn)生的光發(fā)射平穩(wěn)地進行，使得可以增加亮度，并可以使相鄰單元的干擾最?。唤档土擞烧媳谒a(chǎn)生的面板電容，使得無功電流減?。灰约耙驗闇p少了其間施加掃描脈沖的尋址時間，所以可以保證顯示圖像的維持時段相對較長。
文檔編號G09G3/28GK101079359SQ20071009008
公開日2007年11月28日 申請日期2007年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月22日
發(fā)明者鄭演珍, 金允基 申請人:Lg電子株式會社