專利名稱:有源矩陣器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及在顯示設(shè)備、電子發(fā)射設(shè)備、發(fā)光設(shè)備及類(lèi)似設(shè)備中所包括的有源矩陣器件。
背景技術(shù):
具有像素矩陣的有源矩陣顯示器件,其中每個(gè)像素包括一個(gè)顯示單元和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路,通常被用在液晶顯示設(shè)備、電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備及類(lèi)似設(shè)備中。
為有源矩陣顯示器件的像素所提供的驅(qū)動(dòng)電路(也稱為“像素電路”)具有維持按照顯示信號(hào)經(jīng)由信號(hào)線提供的電流或電壓的功能和提供電流或電壓到顯示單元的功能。在日本專利公開(kāi)號(hào)No.2004-151166中所公開(kāi)的EL顯示設(shè)備中的像素電路除了設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流和提供驅(qū)動(dòng)電流到EL單元的功能以外,還具有通過(guò)檢測(cè)流過(guò)它的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的電流值而檢查它們各自操作的功能。這三個(gè)功能通過(guò)使用橫向布置的兩條控制線被切換。
在美國(guó)專利No.6509690中公開(kāi)的有機(jī)EL顯示設(shè)備中的像素電路除了獲取和維持顯示信號(hào)的功能和提供對(duì)應(yīng)于顯示信號(hào)的電壓或電流到EL單元的功能以外,還具有通過(guò)使用阻擋連接到EL單元上的電流路徑的開(kāi)關(guān)而控制EL單元的發(fā)射時(shí)間的功能。這些功能也可以通過(guò)使用兩條控制線進(jìn)行切換。日本專利公開(kāi)號(hào)No.2004-325940還公開(kāi)了能夠控制發(fā)射時(shí)間的EL驅(qū)動(dòng)電路。
上述的像素電路具有獲取和維持信號(hào)、提供對(duì)應(yīng)于信號(hào)的電流或電壓到顯示單元、檢查像素電路的操作、和控制顯示單元的發(fā)射時(shí)間這四個(gè)功能中的三個(gè)功能。所有的這四個(gè)功能是對(duì)于像素電路需要的,因?yàn)樗械墓δ芏际怯糜陲@示設(shè)備的重要功能,并且作為在制造過(guò)程期間的測(cè)試技術(shù)是重要的。
另一方面,被用于切換這些功能的控制線的數(shù)目需要最小化。通常,顯示設(shè)備的像素的數(shù)目需要增加,以提供較高的分辨率,具體地,需要增加小顯示設(shè)備的行數(shù)。為此,需要減小像素的面積,此外,需要使控制線數(shù)目最小化。由于像素電路包括諸如TFT和電容的電路部件以及連接被布置在基片上的這些電路部件的連接線,像素電路的面積主要按照電路設(shè)計(jì)法則來(lái)確定??刂凭€是在每行中橫向延伸的連線,用于選擇行和切換行中像素電路的功能。控制線不中斷地延伸,而不考慮電平的差別,并且為了將電阻減小到預(yù)定的水平,控制線具有某個(gè)有限的寬度??刂凭€數(shù)目的增加可能會(huì)導(dǎo)致像素間隔加大,這對(duì)于高清晰度顯示設(shè)備可能是不適用的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種包括一個(gè)矩陣的顯示器件,所述矩陣包括多行和多列像素,每個(gè)像素包括一個(gè)顯示單元和一個(gè)被設(shè)置用來(lái)驅(qū)動(dòng)所述顯示單元的驅(qū)動(dòng)電路;多對(duì)控制線,每對(duì)控制線與所述像素的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)行相關(guān)聯(lián),并包括一個(gè)第一控制線和一條第二控制線;以及多條數(shù)據(jù)線,每條數(shù)據(jù)線與所述像素的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)列相關(guān)聯(lián)。每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管,該驅(qū)動(dòng)晶體管至少包括第一和第二主電極和一個(gè)控制電極;可操作用來(lái)把一條相應(yīng)的數(shù)據(jù)線以可切換的方式連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極的至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān),可操作用來(lái)把驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極以可切換的方式連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極的至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān),以及可操作用來(lái)把驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極以可切換的方式連接到驅(qū)動(dòng)電路的顯示單元的至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)。與像素行相關(guān)聯(lián)的第一和第二控制線被設(shè)置用來(lái)控制所述開(kāi)關(guān),以使得所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)與所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)中的至少一部分同時(shí)打開(kāi)或閉合,并且使得所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)中的至少一部分與所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)中的至少一部分同時(shí)打開(kāi)或閉合。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面,開(kāi)關(guān)可以通過(guò)使用兩條控制線進(jìn)行控制,而獲取與保持顯示信號(hào)、把對(duì)應(yīng)于顯示信號(hào)的電壓或電流提供到顯示單元、檢查像素電路的操作、和控制顯示單元的發(fā)射時(shí)間這四個(gè)功能可以通過(guò)使用兩條控制線被切換。這樣,用于切換功能的控制線的數(shù)目可被調(diào)整為兩條,因此可以實(shí)現(xiàn)具有更高清晰度的顯示器件。此外,由于只需要兩條控制線,在數(shù)據(jù)線與控制線之間的交叉部分處只生成小的寄生電容。
通過(guò)參考附圖,從以下的示例性實(shí)施例的說(shuō)明將明白本發(fā)明的其它特性。
圖1A示出了在按照本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示器件中的像素電路和該電路附近的電路,而圖1B示出了其中的一個(gè)像素電路。
圖2是顯示按照本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的顯示器件的整個(gè)結(jié)構(gòu)的框圖。
圖3是顯示圖1A所示的像素電路的操作的時(shí)序圖。
圖4是顯示圖1A所示的像素電路的其它操作的時(shí)序圖。
圖5示出了在按照本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的顯示器件中的像素電路的修改方案。
圖6示出了在按照本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的顯示器件中的像素電路的另一個(gè)修改方案。
圖7是顯示在按照本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的顯示器件中使用的TFT的示意性截面圖。
圖8示出了在按照本發(fā)明的一個(gè)例子的顯示器件中使用的像素電路和電流檢測(cè)電路。
具體實(shí)施例方式
第一示例性實(shí)施例有源矩陣顯示器件首先,參照?qǐng)D1A至圖2描述包括作為顯示單元的發(fā)光單元的有源矩陣顯示器件。發(fā)光單元利用電致發(fā)光而發(fā)射光線。
圖2示出了按照本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有源矩陣顯示器件的結(jié)構(gòu),以及圖1A示出了諸如圖2所示的有源矩陣顯示器件的像素電路10。在圖2中,像素矩陣1被布置在顯示區(qū)域2中,每個(gè)像素包括一個(gè)發(fā)光單元EL和一個(gè)用來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元EL的像素電路10(圖1B)(被布置在與圖2中的相應(yīng)像素1相同的位置)。數(shù)據(jù)信號(hào)線(此后稱為數(shù)據(jù)線)4沿縱向延伸(在圖中自上至下的方向),成對(duì)的第一和第二控制信號(hào)線(此后稱為控制線)P1和P4在顯示區(qū)域2中沿橫向延伸(在圖中自左至右的方向),以連接到像素電路10。各對(duì)控制線P1和P4被布置在每行中,而各對(duì)數(shù)據(jù)線4被布置在各個(gè)列中??刂凭€P1和P4用作為掃描線,在一行中的像素電路10使用經(jīng)由相應(yīng)的一對(duì)控制線P1和P4提供的行選擇信號(hào)被選擇。數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由數(shù)據(jù)線4被提供到在所選擇的行中的像素電路10。當(dāng)行變?yōu)椴槐贿x擇時(shí),對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電流從像素電路10被施加到發(fā)光單元EL上,以使得發(fā)光單元EL以按照驅(qū)動(dòng)電流的亮度水平發(fā)光。在像素中的發(fā)光單元在相應(yīng)的像素電路中分層排列,從而在顯示區(qū)域2中形成二維矩陣。發(fā)光單元可以被排列成所謂的帶條圖案,其功能單元排列成直線;或排列成所謂的三角形圖案,其中相鄰的行中像素的位置移位半個(gè)像素長(zhǎng)度,或類(lèi)似圖案。
為了產(chǎn)生彩色圖像,可以使用由具有RGB顯示單元的三個(gè)像素電路10構(gòu)成的組。
控制線P1和P4接收來(lái)自被布置在顯示區(qū)域2的一側(cè)或兩側(cè)的相應(yīng)的行控制電路62的信號(hào)。行控制電路62包括行寄存器61,每個(gè)具有一個(gè)寄存器塊,其中行寄存器61的數(shù)目對(duì)應(yīng)于行數(shù),并分別接收行時(shí)鐘KR與開(kāi)始行掃描信號(hào)SPR1和SPR2。被布置在圖2中的顯示區(qū)域2的左側(cè)的、并把信號(hào)施加到控制線P4的行控制電路62接收控制信號(hào)CONT,用于調(diào)節(jié)整個(gè)屏幕的亮度。
提供到數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)信號(hào)在列驅(qū)動(dòng)電路3處生成。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中,三個(gè)列驅(qū)動(dòng)電路3被編組到一起,以對(duì)應(yīng)于按每三列被安排的RGB顯示單元。每個(gè)列驅(qū)動(dòng)電路3接收?qǐng)D像信號(hào)VIDEO和采樣信號(hào)SP,以生成用于數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)信號(hào)按照在線水平控制信號(hào)8的供應(yīng)時(shí)序被提供到數(shù)據(jù)線4。控制電路9響應(yīng)于水平同步信號(hào)SC的輸入生成在線水平控制信號(hào)8。列寄存器5也響應(yīng)于在線水平控制信號(hào)8’的輸入被復(fù)位,并通過(guò)使用列時(shí)鐘KC和開(kāi)始采樣信號(hào)SPC連續(xù)生成采樣信號(hào)SP。
像素電路圖1A示出了按照本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的有源矩陣顯示器件中的四個(gè)像素電路10(其中的一個(gè)像素電路用虛線包圍)和它們附近的電路。
像素電路10,每個(gè)包括一個(gè)EL發(fā)光單元EL(或EL單元EL),EL單元EL的一端被連接到用作為參考電壓源的公共電極CGND。這里,作為例子,公共電極CGND的電位相當(dāng)于地電平。用于發(fā)送顯示信號(hào)的數(shù)據(jù)線4沿縱向(在圖1A中自左至右的方向)延伸。電容器C1接收來(lái)自數(shù)據(jù)線4的顯示數(shù)據(jù),并保持對(duì)應(yīng)于該數(shù)據(jù)的電荷。驅(qū)動(dòng)晶體管M提供驅(qū)動(dòng)電流到EL單元EL。晶體管源極,每個(gè)源極是每個(gè)晶體管的兩個(gè)主電極之一,被連接到參考電壓源Vcc;以及晶體管漏極,每個(gè)漏極是每個(gè)晶體管的兩個(gè)主電極中的另一個(gè)電極,經(jīng)由選擇開(kāi)關(guān)(第一開(kāi)關(guān))S1被選擇性地連接到相應(yīng)的數(shù)據(jù)線4。第一開(kāi)關(guān)S1的操作由相應(yīng)的第一控制線P1控制。柵極,作為驅(qū)動(dòng)晶體管M的控制電極,經(jīng)由相應(yīng)的電容器C1被連接到參考電壓源Vcc。
驅(qū)動(dòng)晶體管M的漏極還經(jīng)由包括開(kāi)關(guān)晶體管S2a和S2b的第二開(kāi)關(guān)S2被連接到同一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管M的柵極。第二開(kāi)關(guān)S2是這樣的電路,其中每個(gè)電路包括被串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)晶體管S2a和開(kāi)關(guān)晶體管S2b,開(kāi)關(guān)晶體管S2a和S2b分別通過(guò)相應(yīng)的第一控制線P1和相應(yīng)的第二控制線P4被控制。當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)S2被接通時(shí),各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管M的漏極和柵極互相連接。
此外,驅(qū)動(dòng)晶體管M的漏極經(jīng)由包括開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b的第三開(kāi)關(guān)S3被連接到相應(yīng)的發(fā)光單元EL。第三開(kāi)關(guān)S3是這樣的電路,其中每個(gè)電路包括被串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)晶體管S3a和開(kāi)關(guān)晶體管S3b,開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b分別通過(guò)相應(yīng)的第一控制線P1和相應(yīng)的第二控制線P4被控制。
由控制線P1和P4控制的開(kāi)關(guān)S1到S3切換像素電路10的功能,并同時(shí)起到行選擇線、即掃描線的作用,用于選擇在一行中的像素電路。也就是說(shuō),在一行中的像素電路10的功能通過(guò)接通或關(guān)斷開(kāi)關(guān)S1到S3進(jìn)行選擇,然后接著在另一行中的開(kāi)關(guān)S1到S3被接通或關(guān)斷。通過(guò)這種方式,功能選擇隨后逐行地連續(xù)執(zhí)行。
圖3是表示圖1A所示的像素電路10的操作的時(shí)序圖。下面描述在一行(這里是第N行)中的像素電路10的操作。為每行所提供的控制線P1和P4被表示為P1(N),P4(N)等等,以便區(qū)分控制線P1和P4所屬的行,其中N是行號(hào)。在時(shí)間t1,第一控制線P1(N)的電壓從低(L)電平上升到高(H)電平,而第二控制線P4(N)的電壓保持在高(H)電平。這樣,第一開(kāi)關(guān)S1和開(kāi)關(guān)晶體管S2a和S2b被接通,而開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b被關(guān)斷。結(jié)果,被提供到數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)信號(hào)電流在驅(qū)動(dòng)晶體管M的源極與漏極之間通過(guò),并在電容器C1上生成對(duì)應(yīng)于該電流的電壓。
在時(shí)間t2,第二控制線P4(N)的電壓從H電平下降到L電平。這將關(guān)斷開(kāi)關(guān)晶體管S2b,以及在驅(qū)動(dòng)晶體管M的柵極與漏極之間的連接被切斷。結(jié)果,數(shù)據(jù)信號(hào)電流被轉(zhuǎn)換成電壓,并通過(guò)存儲(chǔ)在電容器C1中的電荷保持在該電平。通過(guò)這種方式,驅(qū)動(dòng)晶體管M變?yōu)闇?zhǔn)備提供對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)電流的電流(驅(qū)動(dòng)電流)。從數(shù)據(jù)線獲取顯示數(shù)據(jù)并保持該數(shù)據(jù)的這些操作被稱為“電流編程”。開(kāi)關(guān)晶體管S3b在時(shí)間t2與時(shí)間t3之間的時(shí)間間隔內(nèi)被接通。然而,驅(qū)動(dòng)電流不提供到發(fā)光單元EL,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)晶體管S3a保持在關(guān)斷狀態(tài)。
在時(shí)間t3,第一控制線P1(N)的電壓從H電平下降到L電平。這樣,開(kāi)關(guān)晶體管S2a被關(guān)斷,而開(kāi)關(guān)晶體管S3a被接通。結(jié)果,驅(qū)動(dòng)電流從驅(qū)動(dòng)晶體管M被提供到發(fā)光單元EL。這將驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元EL以按照電流的亮度水平發(fā)光。
在時(shí)間t3,在下一行中的第一控制線P1(N+1)的電壓從L電平上升到H電平,在第(N+1)行中的像素電路開(kāi)始電流編程操作。
在時(shí)間t4,在自從第N行中的發(fā)光單元EL在時(shí)間t3開(kāi)始發(fā)光以來(lái)經(jīng)過(guò)所希望的發(fā)射時(shí)間之后,第二控制線P4(N)的電壓從L電平上升到H電平。結(jié)果,開(kāi)關(guān)晶體管S3b被關(guān)斷,并停止從驅(qū)動(dòng)晶體管M到發(fā)光單元EL的電流供給。這樣,發(fā)光單元EL被切換到非發(fā)光狀態(tài)。因此,第N行中的發(fā)光單元EL發(fā)光,而包括發(fā)光單元EL的像素在時(shí)間t3與時(shí)間t4之間的時(shí)間間隔內(nèi)發(fā)光,但這樣的光發(fā)射在時(shí)間t4結(jié)束。
通過(guò)這種方式,電流信號(hào)的獲取(編程)、光發(fā)射(驅(qū)動(dòng)電流的供給)、和非光發(fā)射(驅(qū)動(dòng)電流的切斷)在例如圖3所示的時(shí)間,以按時(shí)間順序的方式按行的次序重復(fù)進(jìn)行。
第二控制線P4的電壓被設(shè)置為L(zhǎng)電平的時(shí)間間隔按行來(lái)說(shuō)是相同的,從而使每行的發(fā)射時(shí)間間隔是恒定的。發(fā)光單元EL的亮度通過(guò)使用發(fā)射時(shí)間間隔和在該時(shí)間間隔期間通過(guò)的電流來(lái)控制。發(fā)射時(shí)間間隔的長(zhǎng)度由外部控制信號(hào)(圖2所示的CONT)給定。確定由控制信號(hào)CONT給出的發(fā)射時(shí)間間隔的長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)被保持在行控制電路62中的寄存器(未示出)內(nèi)。參照該數(shù)據(jù),行控制電路62確定被提供到第二控制線P4的信號(hào)的產(chǎn)生時(shí)序。
如圖2所示,被提供到第一控制線P1的行選擇信號(hào)和被提供到第二控制線P4的行選擇信號(hào)在成對(duì)的、被布置在顯示區(qū)域的任一側(cè)的彼此相對(duì)的行寄存器61處生成。如上所述,除了像素電路的電流測(cè)試功能以外(在下面描述),第一控制線P1在顯示數(shù)據(jù)獲取與光發(fā)射這兩個(gè)狀態(tài)之間切換,第二控制線P4在光發(fā)射與非光發(fā)射這兩個(gè)狀態(tài)之間切換。通過(guò)使用橫向延伸的第二控制線P4而得到的在光發(fā)射與非光發(fā)射之間的切換允許與通過(guò)使用經(jīng)由數(shù)據(jù)線4提供的數(shù)據(jù)信號(hào)實(shí)現(xiàn)的灰度控制無(wú)關(guān)地控制整個(gè)顯示屏幕的亮度。圖2所示的控制信號(hào)CONT調(diào)節(jié)整個(gè)顯示屏幕的亮度。
在能夠提供256級(jí)灰度的顯示設(shè)備的情況下,256級(jí)數(shù)據(jù)電流被提供到數(shù)據(jù)線。另一方面,整個(gè)屏幕的亮度按照與視頻信號(hào)無(wú)關(guān)的控制信號(hào)CONT被確定。顯示屏幕的亮度可以通過(guò)改變時(shí)間t3(光發(fā)射時(shí)間)和時(shí)間t4(非光發(fā)射時(shí)間)而被控制,在上述時(shí)間分別被提供到控制線P1和P4的行選擇信號(hào)的電平按照控制信號(hào)CONT進(jìn)行切換,以規(guī)定亮度。
理想地,在時(shí)間t2和時(shí)間t3之間的時(shí)間間隔可以忽略。然而,這個(gè)時(shí)間間隔可以可靠地防止當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管S2a,S2b,S3a和S3b同時(shí)被接通時(shí)使得驅(qū)動(dòng)晶體管M的柵極與漏極和發(fā)光單元EL連接。這樣,通過(guò)存儲(chǔ)在柵極電容C1上的電荷,編程電壓可以可靠地保持在對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的電平。
電流測(cè)試操作接著描述用于電流測(cè)試的電路和它的操作。
圖1A所示的電流檢測(cè)電路50按照傳送通過(guò)數(shù)據(jù)線4的電流或數(shù)據(jù)線4的電壓的幅度輸出電流或電壓。在圖1A中,電流檢測(cè)電路50被布置在數(shù)據(jù)線4的末端。然而,電流檢測(cè)電路50可被布置在數(shù)據(jù)線4上的開(kāi)關(guān)51的任何下行位置(例如,在圖2中在列驅(qū)動(dòng)電路3與顯示區(qū)域2之間)。數(shù)據(jù)線4經(jīng)由開(kāi)關(guān)51被連接到列驅(qū)動(dòng)電路3。開(kāi)關(guān)51可被集成到列驅(qū)動(dòng)電路3中(圖1A)。當(dāng)列驅(qū)動(dòng)電路3的輸出端對(duì)應(yīng)于用作開(kāi)關(guān)單元的TFT的漏極端時(shí),輸出阻抗可以通過(guò)關(guān)斷TFT而被設(shè)置為高的數(shù)值。這個(gè)操作對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)51的功能,并且在列驅(qū)動(dòng)電路3之外不需要有開(kāi)關(guān)51,雖然為了方便起見(jiàn),它們?cè)趫D1上被這樣示出。在其它實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)51可以在電路3的外部。
圖4是顯示圖1A所示的像素電路的電流測(cè)試操作的時(shí)序圖。與圖3所示的信號(hào)相同的信號(hào)具有相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)。在圖4中,所有開(kāi)關(guān)51的控制信號(hào)都具有相同的附圖標(biāo)記51。X1,X2,...表示在列的控制線58上的信號(hào)。優(yōu)選地,列的數(shù)目是512。在電流測(cè)試之前,在一行(第N行)中的第一控制線P1和第二控制線P4的電壓在時(shí)間t5被設(shè)置為H電平,從而選擇第N行。同時(shí),開(kāi)關(guān)51被接通(閉合),從而使顯示信號(hào)從列驅(qū)動(dòng)電路3被提供到數(shù)據(jù)線4。該顯示信號(hào)是例如表示“白色”圖像的預(yù)定信號(hào),以便生成不是零的驅(qū)動(dòng)電流。在其它行中所有的控制線P1和P4(P1(N+1),P4(N+1),...等等)的電壓保持在L電平。由于控制線P1(N)和P4(N)的電壓處在H電平,像素電路10的開(kāi)關(guān)S1和S2被接通,而第三開(kāi)關(guān)S3被關(guān)斷。因此,數(shù)據(jù)線4的信號(hào)被輸入到在第N行中的像素電路10。接著,在時(shí)間t6,第二控制線P4(N)的電壓下降到L電平,而第一控制線P1(N)的電壓保持在H電平。同時(shí),被布置在數(shù)據(jù)線4上的開(kāi)關(guān)51被關(guān)斷,從而切斷在列驅(qū)動(dòng)電路3與數(shù)據(jù)線4之間的連接。在其它行中所有的控制線P1和P4(P1(N+1),P4(N+1),...等等)的電壓保持在L電平。這時(shí),在第N行中的像素電路10的第一開(kāi)關(guān)S1被接通,而第二開(kāi)關(guān)S2和第三開(kāi)關(guān)S3被關(guān)斷。因此,驅(qū)動(dòng)晶體管M的漏極端被連接到數(shù)據(jù)線4,在驅(qū)動(dòng)晶體管M的源極與漏極之間傳送的電流經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)S1流出到數(shù)據(jù)線4。這些電流用作至電流檢測(cè)電路50的輸入。獲取流出到數(shù)據(jù)線4的電流作為輸入的電流放大器可被配置為電流檢測(cè)電路50,雖然也可以使用其它類(lèi)型的電流檢測(cè)電路。作為替代,電容器Cx的電壓被輸入到其中的電壓放大電路可被配置為電流檢測(cè)電路50,因?yàn)殡娙萜鰿x被布置在或被寄生地生成在數(shù)據(jù)線4上,并可以由流出到數(shù)據(jù)線4的電流被充電。電流檢測(cè)電路50是通過(guò)使用控制線58的信號(hào)X1,X2,...按列順序地被選擇,并變?yōu)榧せ顮顟B(tài)。這樣,每列的電流值按時(shí)間順序被檢測(cè),相對(duì)于電流值的電壓從相應(yīng)的電流檢測(cè)電路50輸出。在所有的列都被選擇后,在時(shí)間t7選擇第(N+1)行,以執(zhí)行如上所述的數(shù)據(jù)獲取和電流檢測(cè)。相同的操作在第(N+2)行、第(N+3)行...等等連續(xù)地重復(fù)進(jìn)行。通過(guò)這種方式,傳送通過(guò)所有像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管M的電流值被檢測(cè)。
如上所述的電流測(cè)試最好在像素電路被形成在有源矩陣顯示器件的基片上之后和在為像素電路提供EL元件之前被執(zhí)行,以便檢驗(yàn)和去除包括缺陷像素電路的基片。這可導(dǎo)致EL單元的較高的生產(chǎn)效率,因?yàn)镋L單元只能形成在正常工作的基片上。電流測(cè)試可以在形成EL單元后當(dāng)能夠由EL單元進(jìn)行光發(fā)射時(shí)執(zhí)行。這樣,可以容易地確定光發(fā)射故障是由像素電路還是由EL單元造成的。而且,電流測(cè)試可以在顯示設(shè)備完成后在顯示操作之間的間隔進(jìn)行。構(gòu)成像素電路的TFT的特性隨時(shí)間改變。具體地,當(dāng)TFT由有機(jī)半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體形成時(shí),特性的改變被標(biāo)記。亮度的減小可以以像素為單位,根據(jù)得到的電流值通過(guò)增加被施加到由于特性的改變而造成亮度減小的像素電路上的電流或電壓而被補(bǔ)償。在顯示操作之間的間隔可以是在時(shí)間t2與時(shí)間t3之間的時(shí)間間隔或垂直消隱間隔(在幀之間)。作為替代,電流測(cè)試可以緊接在顯示設(shè)備接通電源之后或緊接在關(guān)斷電源之前執(zhí)行。
像素電路的功能和控制表1顯示參照?qǐng)D3和4描述的像素電路在第一控制線P1和第二控制線P4的電壓電平方面的功能。
表1
如上所述,四個(gè)功能,即其中獲取和保持顯示信號(hào)的編程、其中對(duì)應(yīng)于顯示信號(hào)的電流或電壓被提供到顯示單元的光發(fā)射、用于檢查像素電路的操作的電流測(cè)試、以及其中EL單元的光發(fā)射時(shí)間被控制的非光發(fā)射,可以通過(guò)使用兩條控制線被切換。由于對(duì)于切換這些功能只需要兩條控制線,可以實(shí)現(xiàn)具有更高的分辨率的顯示設(shè)備。而且,在數(shù)據(jù)線與控制線之間的交叉部分處只生成小的寄生電容。
按照本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,由于第二開(kāi)關(guān)S2和第三開(kāi)關(guān)S3分別具有兩個(gè)互相串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)晶體管,控制線的數(shù)目可被調(diào)整為兩條。第一開(kāi)關(guān)S1和第二開(kāi)關(guān)S2在編程期間被接通,并在發(fā)光期間被關(guān)斷。這些功能可以只通過(guò)使用第一控制線P1被切換。當(dāng)開(kāi)關(guān)S1和S2被接通時(shí),第三開(kāi)關(guān)S3被關(guān)斷,以及當(dāng)開(kāi)關(guān)S1和S2被關(guān)斷時(shí),第三開(kāi)關(guān)S3被接通。因此,第三開(kāi)關(guān)S3可以與開(kāi)關(guān)S1和S2同步地互補(bǔ)地被控制。更具體地,第一開(kāi)關(guān)S1和第三開(kāi)關(guān)S3最好由彼此極性相反的晶體管形成。這樣,這兩個(gè)開(kāi)關(guān)可以通過(guò)使用在第一控制線P1上的正和負(fù)的邏輯被互補(bǔ)地控制。此外,(可以以相同的方式打開(kāi)或閉合的)開(kāi)關(guān)S1和S2最好由具有相同極性的晶體管形成。正如這里提到的,晶體管的“極性”是指在半導(dǎo)體中多數(shù)電荷載流子的極性。PNP雙極性晶體管的極性與NPN雙極性晶體管的極性是彼此相反的。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的P溝道和N溝道的極性也是彼此相反的。為了在光發(fā)射與非光發(fā)射狀態(tài)之間切換,需要控制第三開(kāi)關(guān)S3,而開(kāi)關(guān)S1和S2被關(guān)斷。為此,每個(gè)第三開(kāi)關(guān)S3被配置成具有互相串聯(lián)連接的兩個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b,這樣,與第一開(kāi)關(guān)S1同步地互補(bǔ)地被控制的開(kāi)關(guān)晶體管(這里是S3a)通過(guò)使用第一控制線P1被控制,而另一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管(S3b)通過(guò)使用第二控制線P4被控制。另一方面,第二開(kāi)關(guān)S2需要被接通或關(guān)斷,用于在編程與電流測(cè)試功能之間切換,而同時(shí)第一開(kāi)關(guān)S1被接通。然而,在編程期間和在電流測(cè)試期間,第一開(kāi)關(guān)S1都被接通,而分別包括互相串聯(lián)連接的兩個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b的第三開(kāi)關(guān)S3被關(guān)斷,因?yàn)橛傻谝豢刂凭€P1控制的開(kāi)關(guān)晶體管S3a被關(guān)斷。因此,由第二控制線P4控制的開(kāi)關(guān)晶體管S3b可以被接通或者關(guān)斷。因此,第二控制線P4可用來(lái)在這些間隔期間控制第二開(kāi)關(guān)S2。為了通過(guò)使用第二控制線P4在編程與電流測(cè)試功能之間切換,每個(gè)第二開(kāi)關(guān)S2最好被配置成具有互相串聯(lián)連接的兩個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管,從而使與第一開(kāi)關(guān)S1同步地被控制的開(kāi)關(guān)晶體管(這里是S2a)通過(guò)使用第一控制線P1被控制,而另一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管(S2b)通過(guò)使用第二控制線P4被控制。被串聯(lián)連接的每個(gè)第二開(kāi)關(guān)S2的開(kāi)關(guān)晶體管在編程期間需要接通,而一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管在電流測(cè)試期間需要關(guān)斷。然而,如上所述,在這些操作期間不需要通過(guò)使用第二控制線P4來(lái)控制第三開(kāi)關(guān)S3。因此,第二控制線P4可用來(lái)控制第二開(kāi)關(guān)S2。相反,第三開(kāi)關(guān)S3通過(guò)使用第二控制線P4被接通或關(guān)斷,以便在光發(fā)射與非光發(fā)射狀態(tài)之間進(jìn)行切換。由于第二開(kāi)關(guān)S2在光發(fā)射期間與非光發(fā)射期間都通過(guò)使用第一控制線P1被關(guān)斷,第二開(kāi)關(guān)S2不需要通過(guò)使用第二控制線P4被控制。因此,第二控制線P4可用來(lái)控制第三開(kāi)關(guān)S3。通過(guò)這種方式,分別包括兩個(gè)互相串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)晶體管的開(kāi)關(guān)S2和S3可以分別通過(guò)使用第二控制線在編程與電流測(cè)試之間以及在光發(fā)射與非光發(fā)射之間切換,因此不需要第三控制線。
第一修改方案圖5示出了按照本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的、圖1A所示的像素電路的修改方案。圖5的像素電路與圖1A所示的像素電路的不同之處僅僅在于,通過(guò)使用第二控制線P4被控制的開(kāi)關(guān)晶體管S2b和S3b是具有相同極性的N溝道TFT。正如參照?qǐng)D1A所示的電路所描述的,開(kāi)關(guān)晶體管S2b和S3b可以被切換,而不考慮相互的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。所以,TFT的溝道極性可以是相同的,從而使開(kāi)關(guān)晶體管以相同的方式被打開(kāi)或閉合,或者TFT的溝道極性可以是彼此相反的,如圖1A所示,從而使開(kāi)關(guān)晶體管互補(bǔ)地被控制。表2示出了在控制線上的電壓與四個(gè)操作之間的關(guān)系。
表2
當(dāng)?shù)诙刂凭€P4的電壓處在H電平時(shí)進(jìn)行光發(fā)射,當(dāng)該電壓處在L電平時(shí)執(zhí)行非光發(fā)射,而不像圖1A所示的電路那樣。圖5所示的電路最好包括N溝道TFT,當(dāng)?shù)谌_(kāi)關(guān)S3的開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b都被關(guān)斷時(shí),它們具有較小的電流泄漏,從而比起圖1A所示的電路更可靠地阻擋電流。
第二修改方案圖6示出了按照本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的、圖1A所示的像素電路的另一個(gè)修改方案。圖6的像素電路與圖1A所示的像素電路的不同之處僅僅在于,通過(guò)使用第二控制線P4被控制的開(kāi)關(guān)晶體管S2b和S3b是具有相同的極性的P溝道TFT。表3示出了在控制線上的電壓與四個(gè)操作之間的關(guān)系。
表3
當(dāng)?shù)诙刂凭€P4的電壓處在H電平時(shí)進(jìn)行電流測(cè)試,當(dāng)線P4的電壓處在L電平時(shí)執(zhí)行編程,而不像圖1A所示的電路那樣。
TFT的結(jié)構(gòu)構(gòu)成圖1A所示的電路的驅(qū)動(dòng)晶體管M與開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b最好是由非單晶硅構(gòu)成的P溝道絕緣柵TFT。另一方面,第一開(kāi)關(guān)S1和開(kāi)關(guān)晶體管S2a與S2b最好是由非單晶硅構(gòu)成的N溝道絕緣柵TFT。
圖7是用于按照本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的開(kāi)關(guān)的TFT的示意性截面圖。
TFT包括由具有絕緣表面的玻璃等構(gòu)成的基片88、絕緣層89、和源極或漏極90,例如被連接到驅(qū)動(dòng)晶體管M的漏極(圖7中未示出)。諸如多晶硅的薄膜半導(dǎo)體的小島包括由P+型半導(dǎo)體構(gòu)成的源極或漏極92,93和94,以及由N型半導(dǎo)體構(gòu)成的溝道區(qū)域95和96。TFT還包括柵極電極97和98,以及被連接到發(fā)光單元EL的陽(yáng)極(圖7中未示出)的源極或漏極電極99。
開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b可以共享P+型半導(dǎo)體區(qū)域93作為公共連接節(jié)點(diǎn)。即,開(kāi)關(guān)晶體管S3a和S3b可以形成為非單晶硅薄膜半導(dǎo)體的公共小島。由于具有相同的導(dǎo)電類(lèi)型的兩個(gè)晶體管可以形成為公共小島,可以省略被連接到源極或漏極電極的接觸區(qū)域。
同樣地,開(kāi)關(guān)晶體管S2a和S2b可以共享一個(gè)N型半導(dǎo)體區(qū)域作為公共連接節(jié)點(diǎn)。即,開(kāi)關(guān)晶體管S2a和S2b可以形成為非單晶硅薄膜半導(dǎo)體的公共小島。這樣,圖7所示的半導(dǎo)體區(qū)域的導(dǎo)電類(lèi)型被反向。
按照本發(fā)明的示例性實(shí)施例,晶體管可以是輕微摻雜的漏極(LDD)結(jié)構(gòu),包括具有與柵極電極相鄰的摻雜區(qū)域和具有其摻雜密度高于該摻雜區(qū)域的密度的高度摻雜區(qū)域的漏極,盡管也可以使用其它類(lèi)型的適當(dāng)結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明的示例性實(shí)施例,顯示單元例如可包括有機(jī)EL單元、無(wú)機(jī)EL單元、電子發(fā)射單元、包括電子發(fā)射單元與熒光部件的組合的那些單元、以及諸如發(fā)光二極管的光電單元,盡管也可以使用其它類(lèi)型的顯示單元。
此外,按照本發(fā)明的示例性實(shí)施例,晶體管例如包括具有由諸如非結(jié)晶硅、多晶硅、和微晶硅那樣的非單晶硅半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層的TFT,盡管在其它實(shí)施例中也可以使用其它適當(dāng)類(lèi)型的晶體管。另外,本發(fā)明可被應(yīng)用到例如在使用不同于硅的化合物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、或有機(jī)化合物半導(dǎo)體的有源矩陣器件中的像素電路,或者在其它矩陣器件中的像素電路。
舉例圖1A所示的電流檢測(cè)電路50可以接收經(jīng)由數(shù)據(jù)線4提供的電流或電壓,并可以按照所提供的電流或電壓值輸出電流或電壓。圖8示出了包括按照本發(fā)明的一個(gè)例子的、圖1A的示例性電流檢測(cè)電路50和像素電路的顯示設(shè)備(為了方便起見(jiàn),只顯示每個(gè)這樣的電路中的一個(gè))。圖8所示的電流檢測(cè)電路50包括由N溝道晶體管形成的開(kāi)關(guān)52和53、CMOS倒相器54、和P溝道晶體管55。這些元件被布置在與像素電路10相同的基片上。電流檢測(cè)電路50的輸出部分被共同連接到布置在顯示面板外面的負(fù)荷電阻56和測(cè)量電路57。負(fù)荷電阻56和測(cè)量電路57被布置在其上形成顯示器件的基片的外部。電路50的開(kāi)關(guān)52通過(guò)使用圖1A所示的相應(yīng)控制線58(圖8中未示出)按列(逐列地)連續(xù)被選中,從而把各個(gè)電流檢測(cè)電路50驅(qū)動(dòng)到測(cè)量狀態(tài)。當(dāng)在一列中的電流檢測(cè)電路50處在工作狀態(tài)時(shí),在其它列中的其它電流檢測(cè)電路50的輸出阻抗處于高阻值。因此,工作電流檢測(cè)電路50的輸出通過(guò)使用對(duì)于所有的列是共用的、或者為每一列所提供的負(fù)荷電阻56和測(cè)量電路57進(jìn)行測(cè)量,其結(jié)果被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器(未示出)中。當(dāng)?shù)贜行被選中以及在像素電路10中的驅(qū)動(dòng)晶體管M的漏極被連接到數(shù)據(jù)線4時(shí),在一列中的開(kāi)關(guān)52被接通。用于接通開(kāi)關(guān)52的柵極控制信號(hào)按逐列的順序連續(xù)地被施加。接著,相應(yīng)的開(kāi)關(guān)53被瞬時(shí)接通,從而把相應(yīng)的數(shù)據(jù)線4的電位復(fù)位到地電平,然后被關(guān)斷。這個(gè)操作可以在所有的列上執(zhí)行,因?yàn)樵谄渌兄械拈_(kāi)關(guān)52被關(guān)斷,不影響其它數(shù)據(jù)線的電位。在開(kāi)關(guān)53被關(guān)斷后,由于電流從所選擇的第N行中的像素電路10中的驅(qū)動(dòng)晶體管M被提供到數(shù)據(jù)線4上的寄生電容Cx,因此數(shù)據(jù)線4的電位增加。當(dāng)數(shù)據(jù)線4的電位超過(guò)CMOS倒相器54的反向閾值電平時(shí),CMOS倒相器54的輸出從H電平翻轉(zhuǎn)到L電平。當(dāng)CMOS倒相器54的輸出被翻轉(zhuǎn)時(shí),P溝道晶體管55提供電流到負(fù)荷電阻56。這樣,在負(fù)荷電阻56的兩端的電壓變?yōu)楦唠娖健y(cè)量電路57包括計(jì)數(shù)器(未示出),它計(jì)數(shù)自從電流檢測(cè)電路50的開(kāi)關(guān)被瞬時(shí)接通以來(lái)經(jīng)過(guò)的時(shí)間。當(dāng)施加到測(cè)量電路57的輸入電壓超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)計(jì)數(shù)器停止計(jì)數(shù),并根據(jù)該數(shù)值確定自從開(kāi)關(guān)53被關(guān)斷以后直至負(fù)荷電阻56的電壓達(dá)到H電平為止的時(shí)間T。當(dāng)CMOS倒相器54的閾值電壓被規(guī)定為Vth時(shí),測(cè)得的時(shí)間T和流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管M的電流I具有以下的關(guān)系I=Cx·Vth/T當(dāng)時(shí)間T小于一個(gè)預(yù)定的數(shù)值時(shí),確定過(guò)大的電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管M。當(dāng)時(shí)間T大于預(yù)定的數(shù)值時(shí),確定流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管M的電流是不夠的。通過(guò)這種方式,可以根據(jù)測(cè)量時(shí)間T確定是否有預(yù)定的電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管M。在這個(gè)測(cè)量期間內(nèi),在其它列中的電流檢測(cè)電路50的電位通過(guò)開(kāi)關(guān)53的瞬時(shí)接通被保持在地電平,因?yàn)槠渌兄械拈_(kāi)關(guān)52是打開(kāi)的。CMOS倒相器54的輸出不被反向,P溝道晶體管55的輸出阻抗保持為高阻抗,即,P溝道晶體管55保持為關(guān)斷。因此,僅僅來(lái)自所選中的列中的電流檢測(cè)電路50的輸出被提供到對(duì)于所有的電流檢測(cè)電路共用的輸出線,并由測(cè)量電路57測(cè)量。
上述的測(cè)量逐列地順序執(zhí)行,直至該行的所有列都完成為止,然后在下一行重復(fù)同樣的操作。通過(guò)這種方式,流過(guò)所有像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管M的電流都被檢查。
雖然本發(fā)明是對(duì)于示例性實(shí)施例描述的,但應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明不限于所公開(kāi)的示例性實(shí)施例。以下的權(quán)利要求的范圍最廣泛地合理地理解為包括所有的修改方案、等價(jià)結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件,包括一個(gè)矩陣,該矩陣包括多行和多列像素,每個(gè)像素包括一個(gè)顯示單元和一個(gè)被設(shè)置用來(lái)驅(qū)動(dòng)所述顯示單元的驅(qū)動(dòng)電路;多對(duì)控制線,每對(duì)控制線與所述像素的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)行相關(guān)聯(lián),并包括一條第一控制線和一條第二控制線;以及多條數(shù)據(jù)線,每條數(shù)據(jù)線與所述像素的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)列相關(guān)聯(lián),其中每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管,該驅(qū)動(dòng)晶體管至少包括第一和第二主電極和一個(gè)控制電極,至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān),可操作用來(lái)把相應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線以可切換的方式連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極,至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān),可操作用來(lái)把驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極以可切換的方式連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極,以及至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān),可操作用來(lái)把驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極以可切換的方式連接到驅(qū)動(dòng)電路的顯示單元,其中與像素行相關(guān)聯(lián)的第一和第二控制線被設(shè)置用來(lái)控制所述開(kāi)關(guān),以使得所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)與所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)中的至少一部分同時(shí)打開(kāi)或閉合,并且使得所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)中的至少一部分與所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)中的至少一部分同時(shí)打開(kāi)或閉合。
2.按照權(quán)利要求1的顯示器件,其中所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)與所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)分別包括互相串聯(lián)連接的第一和第二開(kāi)關(guān)單元,所述第一和第二開(kāi)關(guān)單元形成所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)和所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)中的一部分。
3.按照權(quán)利要求2的顯示器件,其中與像素行相關(guān)聯(lián)的第一控制線被連接到所述第一開(kāi)關(guān)、所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)單元和所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)單元。
4.按照權(quán)利要求3的顯示器件,其中與像素行相關(guān)聯(lián)的第二控制線被連接到所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)的第二開(kāi)關(guān)單元和所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)的第二開(kāi)關(guān)單元。
5.按照權(quán)利要求1的顯示器件,其中第一和第二控制線還控制所述開(kāi)關(guān),以閉合所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)和所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)中的至少一部分,以及打開(kāi)所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)的至少一部分,以執(zhí)行電流數(shù)據(jù)編程操作,在該操作中,在與該像素相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)線上提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被提供到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一和第二主電極,并被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中。
6.按照權(quán)利要求5的顯示器件,其中第一和第二控制線還控制所述開(kāi)關(guān),以打開(kāi)所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)和所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān),以及閉合所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān),以使得驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)顯示單元,使它發(fā)光。
7.按照權(quán)利要求6的顯示器件,其中第一和第二控制線還控制所述開(kāi)關(guān),以閉合所述至少一個(gè)第一、第二和第三開(kāi)關(guān),從而使得沒(méi)有驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)顯示單元,并使顯示單元不發(fā)光。
8.按照權(quán)利要求7的顯示器件,其中第一和第二控制線還控制所述開(kāi)關(guān),以閉合所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)和打開(kāi)所述至少第二和第三開(kāi)關(guān),以執(zhí)行像素電流測(cè)試,在該測(cè)試中信號(hào)傳送經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的第一和第二主電極到達(dá)一個(gè)電流測(cè)量設(shè)備。
9.按照權(quán)利要求8的顯示器件,其中所述電流測(cè)量設(shè)備檢測(cè)信號(hào)的電流。
10.按照權(quán)利要求1的顯示器件,其中所述電流測(cè)量設(shè)備被電氣耦合到每條數(shù)據(jù)線,以測(cè)量數(shù)據(jù)線上的電流。
11.按照權(quán)利要求10的顯示器件,其中順序地一次對(duì)至少一列測(cè)量電流。
12.按照權(quán)利要求2的顯示器件,其中所述至少一個(gè)第一、第二和第三開(kāi)關(guān)由薄膜晶體管形成,其中所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)和所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)單元具有相同的溝道極性,以及其中所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)的至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)單元具有與所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)的第一開(kāi)關(guān)單元相反的溝道極性。
13.一種操作被設(shè)置用來(lái)驅(qū)動(dòng)顯示單元的驅(qū)動(dòng)電路的方法,該驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管,其至少包括第一和第二主電極和一個(gè)控制電極;至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān),可操作用來(lái)把對(duì)應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線以可切換的方式連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極;至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān),可操作用來(lái)把驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極以可切換的方式連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極;和至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān),可操作用來(lái)把驅(qū)動(dòng)晶體管的第一主電極以可切換的方式連接到顯示單元,該方法包括閉合所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)和所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)中的至少一部分,以及打開(kāi)所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)中的至少一部分,以執(zhí)行電流數(shù)據(jù)編程操作,在該操作中,在數(shù)據(jù)線上提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被提供到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一和第二主電極,并被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中。
14.按照權(quán)利要求13的方法,還包括打開(kāi)所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)和所述至少一個(gè)第二開(kāi)關(guān)中的至少一部分,以及閉合所述至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)中的至少一部分,以使得驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)顯示單元,使它發(fā)光。
15.按照權(quán)利要求14的方法,還包括閉合所述至少一個(gè)第一、第二和第三開(kāi)關(guān),以使得沒(méi)有驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)顯示單元,并使該顯示單元不發(fā)光。
16.按照權(quán)利要求15的方法,還包括閉合所述至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)和打開(kāi)所述至少一個(gè)第二和第三開(kāi)關(guān),以執(zhí)行像素電流測(cè)試,在該測(cè)試中信號(hào)經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的第一和第二主電極傳送到一個(gè)電流測(cè)量設(shè)備。
17.按照權(quán)利要求16的方法,還包括測(cè)量信號(hào)的電流。
全文摘要
一種顯示器件,包括用于向顯示單元提供驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管;將驅(qū)動(dòng)晶體管連接到一條對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線的第一開(kāi)關(guān);有選擇性地將驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的兩個(gè)主電極中的一個(gè)的第二開(kāi)關(guān);以及將驅(qū)動(dòng)晶體管連接到一個(gè)像素中的顯示單元的第三開(kāi)關(guān)。第一開(kāi)關(guān)由第一控制線控制。第二和第三開(kāi)關(guān)分別包括兩個(gè)串聯(lián)連接、并分別由第一控制線和第二控制線控制的開(kāi)關(guān)單元。將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到像素中、通過(guò)提供電流使顯示單元發(fā)光、顯示單元不發(fā)光、以及檢查像素的操作這四種功能可使用兩條控制線來(lái)切換。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101051438SQ20071008981
公開(kāi)日2007年10月10日 申請(qǐng)日期2007年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者川崎素明, 鄉(xiāng)田達(dá)人 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社