專利名稱：顯示裝置及驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種顯示裝置，特別是涉及一種有機電致發(fā)光顯示(OELD)裝置及一種驅(qū)動OELD裝置的方法。
背景技術(shù)：
顯示裝置已經(jīng)采用了陰極射線管(CRT)來顯示圖像。但是，當前正在開發(fā)用于替代CRT的各種類型的平板顯示器，諸如液晶顯示(LCD)裝置，等離子體顯示板(PDP)裝置，場發(fā)射顯示(FED)裝置以及電致發(fā)光顯示(ELD)裝置。在這些各種類型的平板顯示器中，LCD裝置具有外形薄和功耗低的優(yōu)點，但是由于其為非發(fā)光顯示裝置而具有使用背光單元的缺點。然而，由于有機電致發(fā)光顯示(OELD)裝置為自發(fā)光顯示裝置，其在低電壓下工作，并具有薄的外形。另外，OELD裝置具有響應(yīng)時間快，亮度高和視角寬的優(yōu)點。
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的OELD裝置的像素連接到柵線S，數(shù)據(jù)線D和電源線VDD。該像素包括開關(guān)薄膜晶體管N1，驅(qū)動薄膜晶體管N2，電容器C和有機發(fā)光二極管OLED。
開關(guān)薄膜晶體管N1的柵極連接到柵線S，開關(guān)薄膜晶體管N1的源極連接到數(shù)據(jù)線D。電容器C的一個電極連接到開關(guān)薄膜晶體管N1的漏極，而電容器C的另一個電極連接到接地端子(GND)。驅(qū)動薄膜晶體管N2的漏極連接到有機發(fā)光二極管OLED的陰極，驅(qū)動薄膜晶體管N2的柵極連接到開關(guān)薄膜晶體管N1的漏極，并且驅(qū)動薄膜晶體管N2的源極連接到接地端子(GND)。
圖2是施加到圖1的像素上的柵信號、數(shù)據(jù)信號和電源信號的波形圖。具有高電平或低電平即VGH或VGL的柵信號通過柵線S施加到開關(guān)薄膜晶體管N1。當施加高電平VGH時，開關(guān)薄膜晶體管N1導通。當開關(guān)薄膜晶體管N1導通時，數(shù)據(jù)信號存儲到電容器C并且驅(qū)動薄膜晶體管N2導通。因此，在驅(qū)動薄膜晶體管N2上有電流流動，且有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光。存儲的數(shù)據(jù)信號決定了在驅(qū)動薄膜晶體管N2上流動的電流的大小，并且該電流的大小決定了有機發(fā)光二極管OLED的光強。
當將現(xiàn)有技術(shù)的OELD裝置用作高分辨率顯示裝置時，所需要的信號線和驅(qū)動IC的數(shù)量增加。當將OELD裝置用作高分辨率和小尺寸的顯示裝置時，所需要的元件的安裝空間可能不夠。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了一種顯示裝置，其包括數(shù)據(jù)線；第一和第二柵線；包括第一開關(guān)元件的第一像素，該第一開關(guān)元件連接到該數(shù)據(jù)線和該第一柵線；以及包括第二開關(guān)元件的第二像素，該第二開關(guān)元件連接到該數(shù)據(jù)線和該第一和第二柵線。
在另一方面，一種驅(qū)動顯示裝置的方法包括在水平時間間隔的第一和第二時間內(nèi)導通第一像素的第一開關(guān)元件，并在該第一時間內(nèi)導通第二像素的第二開關(guān)元件；以及，分別在該第一和第二時間內(nèi)將第一和第二數(shù)據(jù)信號提供給連接到該第一和第二像素的數(shù)據(jù)線。
在又一方面，一種驅(qū)動顯示裝置的方法包括分別在水平時間間隔的第一和第二時間內(nèi)提供第一和第二數(shù)據(jù)信號；并在該第一和第二時間內(nèi)分別將該第一和第二數(shù)據(jù)信號存儲到第一像素，并且在該第一時間內(nèi)將該第一數(shù)據(jù)信號存儲到第二像素。


圖1是按照現(xiàn)有技術(shù)的OELD裝置的電路圖；圖2是施加到圖1的像素上的柵信號、數(shù)據(jù)信號和電源信號的波形圖；圖3是按照本發(fā)明一示范性實施例的OELD裝置的電路圖；圖4是描繪驅(qū)動按照該示范性實施例的OELD裝置的方法的電路圖；圖5是用于驅(qū)動圖4的OELD裝置的柵信號的波形圖；圖6是按照本發(fā)明另一示范性實施例的OELD裝置的電路圖；以及圖7是用于驅(qū)動圖6的OELD裝置的柵信號的波形圖。
具體實施例方式
參考附圖可以更好地理解示范性的實施例，但是這些實施例并不用于作為限制。在相同或不同的圖中編號相同的元件起等效的作用。當描述與一個實施例相關(guān)的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性時，應(yīng)當理解，無論此處是否明確地聲明，本領(lǐng)域技術(shù)人員都可以在其他實施例中實現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或特性。
圖3示出了在第一實例中的有機發(fā)光二極管(OLED)裝置的局部電路圖。兩個像素OP和EP按列設(shè)置在數(shù)據(jù)線D的相對側(cè)，并且每個均連接到相同的數(shù)據(jù)線D。在數(shù)據(jù)線D左側(cè)的像素OP稱作奇像素OP，而在數(shù)據(jù)線D右側(cè)的像素EP稱作偶像素。由此，奇像素和偶像素即OP和EP共享相同的數(shù)據(jù)線D，并且對奇像素和偶像素OP和EP施加相同的數(shù)據(jù)信號。通過電源線VDD為奇像素和偶像素OP和EP提供電源。
盡管奇像素和偶像素OP和EP連接到相同的數(shù)據(jù)線D，但是奇像素和偶像素OP和EP連接到不同的柵線S(n)和S(n+1)。奇像素OP連接到第n條柵線S(n)，而偶像素EP同時連接到第(n+1)條和第n條柵線S(n)和S(n+1)。
由此，奇像素OP包括奇開關(guān)元件，奇驅(qū)動元件，奇電容器C_O和奇有機發(fā)光二極管OLED_O。奇開關(guān)元件包括串聯(lián)的第一開關(guān)薄膜晶體管SW_O1和第二奇開關(guān)薄膜晶體管SW_O2。第一和第二奇開關(guān)薄膜晶體管SW_O1和SW_O2連接到第n條柵線S(n)。第一奇開關(guān)薄膜晶體管SW_O1也連接到數(shù)據(jù)線D。
奇驅(qū)動元件包括奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O。該奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O的柵極連接到第二奇開關(guān)薄膜晶體管SW_O2的漏極。
奇電容器C_O連接到奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O的柵極和源極。奇發(fā)光二極管OLED_O連接到電源線VDD和奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O的漏極。
由于第一和第二奇開關(guān)薄膜晶體管SW_O1和SW_O2連接到相同的第n條柵線S(n)，因此奇開關(guān)元件根據(jù)施加到第n條柵線S(n)上的柵信號是ON或OFF(高電平或低電平)而導通或關(guān)斷。
當奇開關(guān)元件導通時，數(shù)據(jù)線D上的數(shù)據(jù)信號通過奇開關(guān)元件。然后，該數(shù)據(jù)信號被存儲到奇電容器C_O上并被施加到該奇驅(qū)動元件。當對奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O提供該數(shù)據(jù)信號時，奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O導通。當奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O導通時，電流在奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O上流動，并且奇有機發(fā)光二極管OLED_O發(fā)光。存儲在奇電容器C_O上的該數(shù)據(jù)信號決定了在奇驅(qū)動薄膜晶體管D_O上流動的電流的大小，并且該電流的大小決定了從奇有機發(fā)光二極管OLED_O發(fā)射的光強。
偶像素EP包括偶開關(guān)元件，偶驅(qū)動元件，偶電容器C_E和偶有機發(fā)光二極管OLED_E。該偶開關(guān)元件包括串聯(lián)的第一和第二偶開關(guān)薄膜晶體管SW_E1和SW_E2。該第一和第二偶開關(guān)薄膜晶體管SW_E1和SW_E2分別連接到第(n+1)條和第n條柵線S(n+1)和S(n)。該第一偶開關(guān)薄膜晶體管SW_E1連接到數(shù)據(jù)線D。第一和第二偶開關(guān)薄膜晶體管SW_E1和SW_E2可以分別連接到第n條和第(n+1)條柵線S(n)和S(n+1)。
偶驅(qū)動元件包括偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E。偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E的柵極連接到第二偶開關(guān)薄膜晶體管SW_E2的漏極。
偶電容器C_E連接到偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E的柵極和源極。偶有機發(fā)光二極管OLED_E連接到電源線VDD和偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E的漏極。
當同時在第(n+1)條和第n條柵線S(n+1)和S(n)上施加ON柵信號時，偶開關(guān)元件導通，否則，偶開關(guān)元件關(guān)斷。這是由于第一和第二偶開關(guān)薄膜晶體管SW_E1和SW_E2連接到不同的柵線S(n+1)和S(n)。
當偶開關(guān)元件導通時，數(shù)據(jù)線D上的數(shù)據(jù)信號通過偶開關(guān)元件。然后，該數(shù)據(jù)信號被存儲到偶電容器C_E上并被施加到該偶驅(qū)動元件。當對偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E提供該數(shù)據(jù)信號時，偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E導通。當偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E導通時，電流在偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E上流動并且偶有機發(fā)光二極管OLED_E發(fā)光。存儲在偶電容器C_E上的該數(shù)據(jù)信號決定了在偶驅(qū)動薄膜晶體管D_E上流動的電流的大小，并且該電流的大小決定了從偶有機發(fā)光二極管OLED_E發(fā)射的光強。
圖4是描繪了驅(qū)動OELD裝置的方法的電路圖，圖5是用于驅(qū)動圖4中的OELD裝置的柵信號的波形圖。
在圖4中，左邊兩個像素(P1，P3)對應(yīng)于圖3中的奇像素，右邊兩個像素(P2，P4)對應(yīng)于圖3中的偶像素。在每個像素內(nèi)對應(yīng)的元件具有相同的附圖標記。第一至第四像素P1至P4中的每一個包括第一和第二開關(guān)薄膜晶體管SW1和SW2、驅(qū)動薄膜晶體管DR、電容器C和有機發(fā)光二極管OLED。
將具有ON和OFF(高和低)電平的柵信號依次提供給第n條至第(n+2)條柵線S(n)至S(n+2)。以一個水平時間間隔H的延遲，柵信號被依次提供到第n條至第(n+2)條柵線S(n)至S(n+2)。水平時間間隔H是將數(shù)據(jù)信號提供到一個行線內(nèi)的像素上的時間。柵信號具有兩個ON電平。也就是說，柵信號在水平時間間隔的第一半(H/2)時間里持續(xù)具有第一ON電平，在水平時間間隔的第二半時間里持續(xù)具有OFF電平，以及在下一水平時間間隔里持續(xù)具有第二ON電平。因此，相鄰的柵線在半個水平時間間隔(H/2)的時間里同時持續(xù)具有ON電平。在水平時間間隔H的第二半可以具有第一ON電平，而水平時間間隔H的第一半可以具有OFF電平。
在第一個水平時間間隔H_1的第一半，為第n條和第(n+1)條柵線S(n)和S(n+1)提供ON柵信號，并將第一數(shù)據(jù)信號提供到數(shù)據(jù)線D。第一和第二像素P1和P2的第一和第二開關(guān)薄膜晶體管SW_1和SW_2導通。將該第一數(shù)據(jù)信號同時施加到該第一和第二像素P1和P2，并存儲到該第一和第二像素P1和P2的電容器C內(nèi)。
在該第一水平時間間隔H_1的第二半內(nèi)，仍然對該第n條柵線S(n)提供ON柵信號，而對該第(n+1)條柵線S(n+1)提供OFF柵信號，并將第二數(shù)據(jù)信號提供到數(shù)據(jù)線D。第二像素P2的第一開關(guān)薄膜晶體管SW_1關(guān)斷，并且該第二像素P2存儲該第一數(shù)據(jù)信號。該第一像素P1的第一和第二開關(guān)薄膜晶體管SW_1和SW_2仍然導通，并且第一像素P1存儲該第二數(shù)據(jù)信號而不是該第一數(shù)據(jù)信號。
如上所解釋的，第n條柵線S(n)在第一水平時間間隔H_1內(nèi)具有ON柵信號，并且第(n+1)條柵線S(n+1)在第一水平時間間隔H_1的第一半內(nèi)持續(xù)具有ON柵信號。在第一水平時間間隔H_1的第一半內(nèi)持續(xù)提供第一數(shù)據(jù)信號，而在第一水平時間間隔H_1的第二半內(nèi)持續(xù)提供第二數(shù)據(jù)信號。第一像素P1的開關(guān)元件在第一水平時間間隔內(nèi)持續(xù)導通，并因此該第一像素P1在該第一半的時間內(nèi)存儲該第一數(shù)據(jù)信號，并且最終取代該第一數(shù)據(jù)信號在該第二半的時間內(nèi)存儲該第二數(shù)據(jù)信號。第二像素P2的開關(guān)元件在該第一半的時間內(nèi)持續(xù)導通，及在該第二半時間內(nèi)關(guān)斷，并由此第二像素P2存儲該第一數(shù)據(jù)信號。
在第二水平時間間隔H_2的第一半時間內(nèi)，對第(n+1)條和第(n+2)條柵線S(n+1)和S(n+2)提供ON柵信號，并將該第三數(shù)據(jù)信號提供到該數(shù)據(jù)線D。該第三和第四像素P3和P4的第一和第二開關(guān)薄膜晶體管SW_1和SW_2導通。對該第三和第四像素P3和P4都施加第三數(shù)據(jù)信號，并將其存儲到該第三和第四像素P3和P4的電容器C內(nèi)。第三像素P3先前在第一水平時間間隔H_1的第一半時間內(nèi)存儲該第一數(shù)據(jù)信號，但在該第二水平時間間隔H_2的該第一半時間內(nèi)，該第三像素P3存儲該第三數(shù)據(jù)信號，而不是該第一數(shù)據(jù)信號。
在第二水平時間間隔H_2的第二半時間內(nèi)，仍然對第(n+1)條柵線S(n+1)提供ON柵信號，而對該第(n+2)條柵線S(n+2)提供OFF柵信號，并且將第四數(shù)據(jù)信號提供到數(shù)據(jù)線D。第四像素P4的第一開關(guān)薄膜晶體管SW_1關(guān)斷，并且第四像素P4存儲該第三數(shù)據(jù)信號。第三像素P3的該第一和第二薄膜晶體管SW_1和SW_2仍然導通，并且該第三像素P3存儲該第四數(shù)據(jù)信號，而不是該第三數(shù)據(jù)信號。
如上所解釋的，第(n+1)條柵線S(n+1)具有持續(xù)第二水平時間間隔H_2的ON柵信號，而第(n+2)條柵線S(n+2)具有持續(xù)該第二水平時間間隔H_2的第一半的ON柵信號。在第二水平時間間隔H_2的第一半時間內(nèi)持續(xù)提供第三數(shù)據(jù)信號，并在第二水平時間間隔H_2的第二半時間內(nèi)持續(xù)提供第四數(shù)據(jù)信號。第三像素P3的開關(guān)元件在第一水平時間間隔內(nèi)持續(xù)導通，并由此該第三像素P3在該第一半時間內(nèi)持續(xù)存儲該第三數(shù)據(jù)信號，并且取代該第三數(shù)據(jù)信號在該第二半時間內(nèi)持續(xù)存儲該第四數(shù)據(jù)信號。第四像素P4的開關(guān)元件在該第一半時間內(nèi)持續(xù)導通并在該第二半內(nèi)時間關(guān)斷，并由此第四像素P4存儲該第三數(shù)據(jù)信號。
結(jié)果，該第一至第四像素P1至P4具有所需要的數(shù)據(jù)信號。該第一至第四像素P1至P4的驅(qū)動薄膜晶體管根據(jù)存儲的數(shù)據(jù)信號被導通，并且第一至第四像素P1至P4的發(fā)光二極管OLED相應(yīng)于該存儲的數(shù)據(jù)信號發(fā)光。
圖6是按照本發(fā)明另一實施例的OELD裝置的電路圖，并且圖7是用于驅(qū)動圖6中的OELD裝置的柵信號的波形圖。
圖6中的奇像素和偶像素OP和EP除了開關(guān)和驅(qū)動薄膜晶體管之外，類似于圖3中的奇像素和偶像素。圖3中的開關(guān)和驅(qū)動薄膜晶體管是n型薄膜晶體管，但是圖6中用于開關(guān)和驅(qū)動薄膜晶體管SW_O1、SW_O2、SW_E1、SW_E2、D_O和D_E的是p型薄膜晶體管。由于將p型薄膜晶體管用于像素OP和EP，因此電容器C_O、C_E和發(fā)光二極管OLED_O、OLED_E的位置與圖3中的不同。電容器C_O和C_E與電源線VDD和驅(qū)動薄膜晶體管D_O和D_E的柵極相連接。發(fā)光二極管OLED_O和OLED_E連接到接地端子GND和驅(qū)動薄膜晶體管D_O和D_E。
由于使用p型薄膜晶體管，因此薄膜晶體管以低電平柵信號作為ON柵信號導通。因此，圖7的柵信號波形與圖5中的相反。
除了薄膜晶體管的類型之外，圖6中的OELD裝置類似于圖3中的OLED裝置，因此，圖6中的OELD裝置以與驅(qū)動圖3中的OELD裝置類似的方式驅(qū)動。因此，省略對驅(qū)動圖6中的OELD裝置的方法的解釋。
在上述實施例中，與數(shù)據(jù)線的兩側(cè)相鄰的列內(nèi)的像素共享相同的數(shù)據(jù)線。共享該相同的數(shù)據(jù)線的同一行上的兩個像素之一連接到柵線，而另一個連接到該柵線和下一柵線。對于一個水平時間間隔，兩個不同的數(shù)據(jù)信號被提供到該數(shù)據(jù)線，并由此一個像素具有一個數(shù)據(jù)信號，而另一個像素具有另一個數(shù)據(jù)信號。在這方面，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，像素的奇和偶的配置可以相互交換，并且通過變更數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線上的順序，可以改變存儲在每一像素內(nèi)的數(shù)據(jù)信號。
因此，與現(xiàn)有技術(shù)中的數(shù)據(jù)線的數(shù)量相比，可以將數(shù)據(jù)線的數(shù)量減少一半，并且驅(qū)動IC的數(shù)量也減少了。
該設(shè)備和方法也可以用于驅(qū)動其他顯示裝置，諸如液晶顯示器(LCD)或等離子體顯示板(PDP)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當清楚，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對本發(fā)明進行各種改進和改變。因此，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的改變和變化，只要其落在所附權(quán)利要求及其等效物的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動裝置，包括數(shù)據(jù)線；第一柵線和第二柵線；包括第一開關(guān)元件的第一像素，所述第一開關(guān)元件連接到所述數(shù)據(jù)線和所述第一柵線；以及包括第二開關(guān)元件的第二像素，所述第二開關(guān)元件連接到所述數(shù)據(jù)線和所述第一和第二柵線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一開關(guān)元件包括串聯(lián)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二開關(guān)元件包括串聯(lián)的第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，并且所述第三和第四薄膜晶體管分別連接到所述第一和第二柵線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一像素進一步包括連接到所述第一開關(guān)元件的薄膜晶體管，連接到所述薄膜晶體管的顯示元件，以及連接到所述薄膜晶體管的電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述顯示元件是有機發(fā)光二極管OLED、液晶元件或等離子體顯示元件之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二像素進一步包括連接到所述第二開關(guān)元件的薄膜晶體管，連接到所述薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管，以及連接到所述薄膜晶體管的電容器。
7.一種驅(qū)動顯示裝置的方法，包括在水平時間間隔的第一和第二時間內(nèi)導通第一像素的第一開關(guān)元件，并且在所述第一時間內(nèi)導通第二像素的第二開關(guān)元件；以及在所述第一和第二時間內(nèi)分別將第一數(shù)據(jù)信號和第二數(shù)據(jù)信號提供到連接到所述第一像素和第二像素的數(shù)據(jù)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述導通第一和第二開關(guān)元件包括在所述第一和第二時間內(nèi)，將第一ON柵信號提供到所述第一開關(guān)元件的第一和第二薄膜晶體管和所述第二開關(guān)元件的第三薄膜晶體管；以及在所述第一時間內(nèi)將第二ON柵信號提供到所述第二開關(guān)元件的第四薄膜晶體管，其中，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管串聯(lián)，并且所述第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管串聯(lián)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一時間和所述第二時間是連續(xù)的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一時間和第二時間中的每個是所述水平時間間隔的一半。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一像素包括連接到所述第一開關(guān)元件的第五薄膜晶體管，連接到所述第五薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管，以及連接到所述第五薄膜晶體管的電容器。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二像素包括連接到所述第二開關(guān)元件的第六薄膜晶體管，連接到所述第六薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管，以及連接到所述第六薄膜晶體管的電容器。
13.一種驅(qū)動顯示裝置的方法，包括分別在水平時間間隔的第一和第二時間內(nèi)提供第一和第二數(shù)據(jù)信號；以及分別在所述第一和第二時間內(nèi)將所述第一和第二數(shù)據(jù)信號存儲到第一像素，并且在所述第一時間內(nèi)將所述第一數(shù)據(jù)信號存儲到第二像素。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述存儲所述第一和第二數(shù)據(jù)信號包括通過所述第一像素的第一開關(guān)元件和第二像素的第二開關(guān)元件傳遞所述第一數(shù)據(jù)信號；以及通過所述第一開關(guān)元件而不通過所述第二開關(guān)元件傳遞所述第二數(shù)據(jù)信號。
全文摘要
一種顯示裝置包括數(shù)據(jù)線；第一和第二柵線；包括第一開關(guān)元件的第一像素，該第一開關(guān)元件連接到該數(shù)據(jù)線和該第一柵線；以及包括第二開關(guān)元件的第二像素，該第二開關(guān)元件連接到該數(shù)據(jù)線和該第一和第二柵線。
文檔編號G09G3/20GK1892765SQ20061008717
公開日2007年1月10日 申請日期2006年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者李明鎬, 白星豪, 金仁煥, 卞勝贊 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社