專利名稱：顯示器件及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，尤其涉及一種液晶顯示器件及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
通常，顯示器件使用陰極射線管(CRT)。目前，已經(jīng)致力于研究和開發(fā)諸如液晶顯示(LCD)器件、等離子顯示板(PDP)、場發(fā)射顯示器(FED)以及電致發(fā)光顯示器(ELD)的各種類型平板顯示器件以代替CRT。具體地說，這些類型的平板顯示器采用有源矩陣型顯示而被驅(qū)動(dòng)，其中多個(gè)像素以矩陣形式設(shè)置并且采用其中的薄膜晶體管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在這種有源矩陣型平板顯示器中，LCD器件和ELD器件由于其高分辨率、色彩顯示能力和顯示移動(dòng)圖像的優(yōu)越性而被廣泛的用于筆記本計(jì)算機(jī)和臺式計(jì)算機(jī)的顯示器，通常，LCD器件包括彼此分開并且彼此相對的兩個(gè)基板，以及夾在兩個(gè)基板之間的液晶材料。所述兩個(gè)基板包括彼此相對的電極，從而使得在兩電極之間施加的電壓產(chǎn)生跨越液晶材料的電場。液晶材料中液晶分子的排列按照產(chǎn)生電場方向上的電場強(qiáng)度而改變，從而改變LCD器件的光透射比。這樣，LCD器件通過改變產(chǎn)生的電場強(qiáng)度而顯示圖像。
近來，采用一種垂直對準(zhǔn)(VA)模式LCD器件以獲得寬的視角。
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中VA模式LCD器件的電路圖，而圖2所示為施加在圖1所示的LCD器件像素上的公共電壓和存儲電壓的波形示意圖。
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)LCD器件包括多條沿著第一方向延伸的柵線G(n-1)至G(n+1)，以及多條沿著第二方向延伸數(shù)據(jù)線D(m-1)至D(m+1)。
多個(gè)像素排列成矩陣形式。各像素連接到相應(yīng)的柵線G(n-1)至G(n+1)和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線D(m-1)至D(m+1)。各像素包括薄膜晶體管TFT、液晶電容Clc和存儲電容Cst。液晶電容Clc的一個(gè)電極連接到薄膜晶體管TFT，液晶電容Clc的另一電極施加有公共電壓Vcom。存儲電容Cst的一個(gè)電極連接到薄膜晶體管TFT，而存儲電容Cst的另一電極施加有存儲電壓Vst。存儲電壓Vst決定存儲在像素中的電壓量。
現(xiàn)有技術(shù)中LCD器件的驅(qū)動(dòng)方法是如圖1中的虛線框所示，沿著數(shù)據(jù)線D(m-1)到D(m+1)相鄰設(shè)置并且連接到相同柵線G(n-1)到G(n-1)的兩個(gè)像素施加有相同的數(shù)據(jù)電壓。該施加有相同數(shù)據(jù)電壓的兩個(gè)像素構(gòu)成像素單元PXL。
參照圖2，直流(DC)公共電壓Vcom和交流(AC)存儲電壓Vst施加在像素上。存儲電壓Vst有特定頻率并且按照公共電壓Vcom波動(dòng)。施加在像素單元PXL的一個(gè)像素的存儲電壓Vst的波形于施加在像素單元PXL的另一像素的存儲電壓Vst的波形相反。
由于施加在像素單元PXL中兩個(gè)像素的存儲電壓Vst具有不同的相位，所以這兩個(gè)像素存儲有不同的電壓。從而，在這兩個(gè)施加有相同電壓的像素中會(huì)產(chǎn)生液晶分子旋轉(zhuǎn)角度的差別。由于這個(gè)差別，LCD器件的視角得到改善。
然而現(xiàn)有技術(shù)LCD器件存在一些問題。用于傳輸存儲電壓并且在與形成數(shù)據(jù)線或柵線相同的步驟中形成的存儲線具有電阻負(fù)載和電容負(fù)載。這些存儲線的負(fù)載引起存儲電壓沿著存儲線路徑下降。具體的說，由于存儲電壓具有交流波形，該存儲電壓的下降表現(xiàn)的很明顯。這樣，隨著像素更接近存儲線的末端，理想的存儲電壓不能施加到像素上。因此，視角的改善減弱并且顯示質(zhì)量下降。

發(fā)明內(nèi)容
僅作為介紹，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種液晶顯示器件，其包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；連接到多條數(shù)據(jù)線之一和多條柵線之一的第一像素，該第一像素施加有公共電壓和第一存儲電壓；連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一的第二像素，該第二像素施加有公共電壓和第二存儲電壓。其中，該第一和第二像素設(shè)置在相對于所述多條數(shù)據(jù)線之一的相對側(cè)以及相對于所述多條柵線之一的相對側(cè)。
在本發(fā)明的另一方面，一種液晶顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法，包括向多條柵線順序施加導(dǎo)通柵電壓；向多條數(shù)據(jù)線分別施加多個(gè)數(shù)據(jù)電壓；并且分別向第一和第二像素施加第一和第二存儲電壓，以及向該第一和第二像素施加公共電壓，該第一和第二存儲電壓為直流電壓，其中第一像素連接到多條數(shù)據(jù)線之一和多條柵線之一，并且第二像素連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一。
在本發(fā)明的再一方面，一種液晶顯示器件，其包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；連接到多條數(shù)據(jù)線之一和多條柵線之一的第一像素，該第一像素施加有公共電壓和第一存儲電壓；連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一的第二像素，該第二像素施加有公共電壓和第二存儲電壓。其中公共電壓以及第一和第二存儲電壓為直流電壓。
很顯然，上面的一般性描述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，其目的在于對本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。


本申請所包含的附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，其與說明書相結(jié)合并構(gòu)成說明書的一部分，所述附圖表示本發(fā)明的實(shí)施例并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的VA模式LCD器件的電路圖；圖2所示為施加在圖1所示的LCD器件一個(gè)像素上的公共電壓和存儲電壓的波形圖；圖3所示為根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的VA模式LCD器件的電路圖；圖4所示為施加在圖3所示的LCD器件一個(gè)像素上的公共電壓和存儲電壓的波形圖；圖5所示為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式施加在VA模式LCD器件的柵線的柵電壓波形圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照附圖具體描述本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的VA模式LCD器件的電路圖，圖4是施加在圖3所示的LCD器件一個(gè)像素上的公共電壓和存儲電壓的波形示意圖。
如圖3所示，LCD器件包括沿第一方向延伸的多條柵線G(n-1)至G(n+1)以及沿第二方向延伸的多條數(shù)據(jù)線D(m)至D(m+1)。多條柵線G(n-1)至G(n+1)和多條數(shù)據(jù)線D(m)至D(m+1)限定多個(gè)像素區(qū)域。雖然圖中未示出，該LCD器件包括第一和第二基板以及液晶層，并且多條柵線G(n-1)至G(n+1)和多條數(shù)據(jù)線D(m)至D(m+1)設(shè)置在第一基板上。
多個(gè)像素以矩陣形式排列。各像素連接到相應(yīng)的柵線G(n-1)至G(n+1)和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線D(m)至D(m+1)。更具體的說，設(shè)置在一條數(shù)據(jù)線兩側(cè)，即，設(shè)置在相對于所述一條數(shù)據(jù)線的相鄰兩列處的像素連接到該條數(shù)據(jù)線。而且，在共享該條數(shù)據(jù)線并且設(shè)置在相同行上的兩個(gè)像素中，在兩相鄰列中的一列上的一個(gè)像素連接到一條柵線，而在兩相鄰列中另一列上的另一像素連接到緊接所述柵線的一條柵線。換句話說，共享同一數(shù)據(jù)線和同一柵線的兩個(gè)像素沿著對角線方向設(shè)置。因此，這兩個(gè)沿對角線設(shè)置的像素施加有相同的數(shù)據(jù)電壓并且構(gòu)成像素單元D-PXL。在圖3中，由于兩個(gè)像素構(gòu)成像素單元D-PXL，故假設(shè)將設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線右側(cè)和所述柵線上側(cè)的像素稱為第一像素s-PXL1，而將設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線左側(cè)和所述柵線下側(cè)的像素稱為第二像素s-PXL2。
如上所述，位于一條數(shù)據(jù)線兩端的像素共享這條數(shù)據(jù)線。因此，與現(xiàn)有技術(shù)中LCD器件的數(shù)據(jù)線數(shù)目相比，其數(shù)據(jù)線數(shù)目可以減少到一半?？梢詼p少孔徑比和生產(chǎn)成本。
各像素包括薄膜晶體管TFT、液晶電容Clc和存儲電容Cst。液晶電容Clc的一個(gè)電極(像素電極)連接到薄膜晶體管TFT，液晶電容Clc的另一電極(公共電極)施加有公共電壓Vcom。雖然圖中未示出，像素電極設(shè)置在第一基板上的各像素中，并且公共電極設(shè)置在整個(gè)第二基板上。像素電極、公共電極以及像素電極和公共電極之間的液晶層構(gòu)成液晶電容Clc。
存儲電容Cst1或者Cst2的一個(gè)電極連接到薄膜晶體管TFT，而存儲電容Cst1或者Cst2的另一個(gè)電極連接到分別提供第一或第二存儲電壓Vst1或Vst2的第一或第二存儲線(未示出)。例如，奇數(shù)行中的像素可以被施加第一存儲電壓Vst1，而偶數(shù)行中的像素可以被施加第二存儲電壓Vst2。在圖3中，第一像素s-PXL1的存儲電容Cst1被施加第一存儲電壓Vst1，而第二像素s-PXL2的存儲電容Cst2被施加第二存儲電壓Vst2。雖然圖中未示出，第一和第二存儲線設(shè)置在第一基板上。
公共電壓Vcom決定液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度。第一或第二存儲電壓Vst1或Vst2決定存儲在相應(yīng)像素中的數(shù)據(jù)電壓量。不但公共電壓Vcom而且第一和第二存儲電壓Vst1和Vst2都是直流電壓。通過使用直流第一和第二存儲電壓，可以減少現(xiàn)有技術(shù)中由于交流存儲電壓產(chǎn)生的存儲線負(fù)載。因此，無論像素的位置如何，第一和第二存儲電壓Vst1和Vst2都均勻地施加到全部像素。
第一和第二存儲電壓Vst1和Vst2相對于公共電壓Vcom具有相反的相位。由于施加有相同電壓的像素單元D-PXL的第一和第二像素s-PXL1和s-PXL2被分別施加第一和第二存儲電壓Vst1和Vst2，所以在第一和第二像素s-PXL1和s-PXL2之間會(huì)產(chǎn)生液晶分子旋轉(zhuǎn)角度的差別并且可以改善視角，這與現(xiàn)有技術(shù)LCD器件類似。
參照圖4，公共電壓Vcom均勻的施加到全部像素。第一和第二存儲電壓Vst1和Vst2具有相反的相位。更具體的說，第一存儲電壓Vst1具有比公共電壓Vcom的電平高的電平，而第二存儲電壓Vst2具有比公共電壓Vcom的電平低的電平。公共電壓Vcom和第一和第二存儲電壓Vst1和Vst2可以具有正的極性。例如，公共電壓Vcom可以是大約5V到6V，而第一和第二存儲電壓相比公共電壓Vcom可以具有從幾百mV到幾V的電壓電平差。第一電壓Vst1和第二電壓Vst2的電平可以根據(jù)需要改變。
參照圖3和圖4說明按照本發(fā)明示例性實(shí)施方式的VA模式LCD器件的驅(qū)動(dòng)方法。
將公共電壓Vcom施加到全部像素，而將第一和第二存儲電壓Vst1和Vst2分別施加到相應(yīng)的像素，例如，分別施加到第一和第二像素s-PXL1和s-PXL2。第一和第二存儲電壓Vst1和Vst2具有不同的電壓電平?？梢栽谑┘拥谝缓偷诙鎯﹄妷篤st1和Vst2之前施加公共電壓Vcom。
柵線G(n-1)至G(n+1)被順序施加導(dǎo)通柵電壓。當(dāng)柵線G(n-1)至G(n+1)施加有導(dǎo)通柵電壓時(shí)，連接到施加有導(dǎo)通柵電壓的柵線G(n-1)至G(n+1)的薄膜晶體管TFT導(dǎo)通。例如，當(dāng)?shù)趎條柵線G(n)施加有導(dǎo)通柵電壓時(shí)，像素單元D-PXL的第一和第二像素s-PXL1和s-PXL2的薄膜晶體管TFT導(dǎo)通。當(dāng)薄膜晶體管TFT導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)電壓通過數(shù)據(jù)線D(m)和D(m+1)施加給導(dǎo)通的像素。由于第一和第二像素s-PXL1和s-PXL2連接到相同的柵線和相同的數(shù)據(jù)線，所以該第一和第二像素s-PXL1和s-PXL2施加有相同的數(shù)據(jù)電壓。
圖5所示為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式施加到VA模式LCD器件的柵線上的柵電壓波形圖。
如圖5所示，當(dāng)柵線G(n-1)至G(n+1)被順序掃描，施加到相應(yīng)柵線G(n-1)至G(n+1)的柵電壓的導(dǎo)通柵電壓時(shí)間(高電平時(shí)間)T1到T3增加(T1＜T2＜T3)。由于數(shù)據(jù)線具有電阻負(fù)載和電容負(fù)載，故隨著數(shù)據(jù)線的位置越遠(yuǎn)離施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路，數(shù)據(jù)電壓的電平也隨之下降。導(dǎo)通柵電壓時(shí)間T1到T3根據(jù)像素的位置而增加，使得為像素給定了存儲數(shù)據(jù)電壓的充分時(shí)間，從而該數(shù)據(jù)電壓正常地施加給全部像素。因此，可以最小化由于數(shù)據(jù)線負(fù)載引起的數(shù)據(jù)電壓的損耗以及存儲在像素中的數(shù)據(jù)電壓的損耗。
如上所述，施加有相同數(shù)據(jù)電壓和相同柵電壓的第一和第二像素分別施加有具有不同電平的第一和第二存儲電壓。該第一和第二存儲電壓為直流電壓。從而，可以正常地操作全部像素。因此，可以獲得寬的視角和高的顯示質(zhì)量。
顯然，對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說在不脫離本發(fā)明精神或范圍的情況下，對本發(fā)明的液晶顯示器件和液晶顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法可以有各種修改和變型。從而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求書及其等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；連接到多條數(shù)據(jù)線之一和多條柵線之一的第一像素，該第一像素施加有公共電壓和第一存儲電壓；和連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一的第二像素，該第二像素施加有所述公共電壓和第二存儲電壓，其中，所述第一和第二像素設(shè)置在相對于所述多條數(shù)據(jù)線之一的相對側(cè)以及相對于所述多條柵線之一的相對側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一和第二像素中的每一個(gè)包括一個(gè)連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一的薄膜晶體管，連接到該薄膜晶體管并施加有公共電壓的液晶電容，以及連接到該薄膜晶體管并施加有所述第一或第二存儲電壓的存儲電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述公共電壓以及第一和第二存儲電壓為直流電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述公共電壓電平位于第一和第二存儲電壓電平之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述液晶顯示器件包括垂直對準(zhǔn)模式液晶顯示器件。
6.一種液晶顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法，包括向多條柵線順序提供導(dǎo)通柵電壓；分別向多條數(shù)據(jù)線提供多個(gè)數(shù)據(jù)電壓，并且分別向第一和第二像素提供第一和第二存儲電壓，并且向該第一和第二像素提供公共電壓，該第一和第二存儲電壓為直流電壓，其中，所述第一像素連接到多條數(shù)據(jù)線之一和多條柵線之一，并且所述第二像素連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一和第二像素中的每一個(gè)包括連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一的薄膜晶體管，連接到該薄膜晶體管并且施加有公共電壓的液晶電容，以及連接到該薄膜晶體管并且施加有第一或第二存儲電壓的存儲電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述公共電壓為直流電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述公共電壓的電平位于所述第一和第二存儲電壓之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述公共電壓和第一第二存儲電壓具有正的極性。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)通柵電壓的時(shí)間根據(jù)多條柵線的順序增加。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述液晶顯示器件包括垂直對準(zhǔn)模式的液晶顯示器件。
13.一種液晶顯示器件，包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；連接到多條數(shù)據(jù)線之一和多條柵線之一的第一像素，該第一像素施加有公共電壓和第一存儲電壓；以及連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一的第二像素，該第二像素施加有公共電壓和第二存儲電壓，其中，所述公共電壓以及第一和第二存儲電壓為直流電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其特征在于，所述第一和第二像素設(shè)置在相對于所述多條數(shù)據(jù)線之一的相對側(cè)以及相對于所述多條柵線之一的相對側(cè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其特征在于，所述第一和第二像素中每一個(gè)包括連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一的薄膜晶體管，連接到該薄膜晶體管并且施加有公共電壓的液晶電容，以及連接到該薄膜晶體管并且施加有所述第一或第二存儲電壓的存儲電容。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其特征在于，所述公共電壓的電平位于所述第一和第二存儲電壓電平之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其特征在于，所述液晶顯示器件包括垂直對準(zhǔn)模式的液晶顯示器件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器件，該器件包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線和多條柵線；連接到多條數(shù)據(jù)線之一和多條柵線之一的第一像素，該第一像素施加有公共電壓和第一存儲電壓；連接到所述多條數(shù)據(jù)線之一和所述多條柵線之一的第二像素，該第二像素施加有公共電壓和第二存儲電壓。其中，所述第一和第二像素設(shè)置在相對于所述多條數(shù)據(jù)線之一的相對側(cè)以及相對于所述多條柵線之一的相對側(cè)。
文檔編號G09G3/20GK1920929SQ20061008716
公開日2007年2月28日 申請日期2006年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者河雨石 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社