雙銀低輻射鍍膜玻璃的制作方法
【專利摘要】一種雙銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片及形成于玻璃基片上的膜層，所述膜層包括電介質(zhì)層、形成于電介質(zhì)層上的第一銀層、形成于第一銀層上的第一阻擋層、形成于第一阻擋層之上的第二銀層、以及形成于第二銀層之上的第二阻擋層，所述第一阻擋層、第二阻擋層為還原性大于銀的金屬或部分氧化的金屬，利用阻擋層的高還原性在鋼化過程中保護(hù)第一、第二銀層不受損壞，維持鍍膜玻璃的高反射性能，在生產(chǎn)中可以采用大板原片進(jìn)行鍍膜然后鋼化、切割，可大大提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)能耗，降低生產(chǎn)成本，增加生產(chǎn)量，縮短交貨期，補(bǔ)片也更及時(shí)。
【專利說明】雙銀低輻射鍍膜玻璃
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及玻璃，尤其涉及一種雙銀低輻射鍍膜玻璃。
【背景技術(shù)】
[0002]雙銀低輻射(Low-Emissivity)鍍膜玻璃是在玻璃表面上沉積多層膜材，在多層膜材中沉積兩層以上的純銀基材的玻璃產(chǎn)品，具有高可將光透射率、極高的遠(yuǎn)紅外線反射率，可將98%以上的遠(yuǎn)紅外熱輻射反射回去，是建材中使用最為廣泛的材料之一，通常被用來制作玻璃幕墻、門窗、車窗等。
[0003]現(xiàn)有的雙銀低輻射玻璃制造工藝一般是:裁片一磨邊一鋼化一鍍膜一中空，也就是說先根據(jù)客戶需要的尺寸進(jìn)行裁切、鋼化處理，然后再鍍膜，避免在鋼化的過程中膜層中的銀(Ag)原子受熱遷移、凝聚、氧化，導(dǎo)致電阻升高、輻射率下降，嚴(yán)重時(shí)甚至導(dǎo)致Ag膜失效。然而，先切割鋼化處理然后再鍍膜會(huì)使得鍍膜設(shè)備的生產(chǎn)效率低下，而且若出現(xiàn)破片后進(jìn)行補(bǔ)片的時(shí)間也會(huì)延長(zhǎng)，嚴(yán)重影響生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，提供一種生產(chǎn)效率較高的雙銀低輻射鍍膜玻璃。
[0005]一種雙銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片及形成于玻璃基片上的膜層，所述膜層包括電介質(zhì)層、形成于電介質(zhì)層上的第一銀層、形成于第一銀層上的第一阻擋層、形成于第一阻擋層之上的第二銀層、以及形成于第二銀層之上的第二阻擋層，所述第一阻擋層、第二阻擋層為還原性大于銀的金屬或部分氧化的金屬。
[0006]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型雙銀低輻射鍍膜玻璃在其第一銀層、第二銀層之上分別形成第一、第二阻擋層，利用第一、第二阻擋層的高還原性在鋼化過程中保護(hù)第一、第二銀層不受損壞，維持鍍膜玻璃的高反射性能，在生產(chǎn)中可以采用大板原片進(jìn)行鍍膜然后鋼化、切割，可大大提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)能耗，降低生產(chǎn)成本，增加生產(chǎn)量，縮短交貨期，補(bǔ)片也更及時(shí)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型雙銀低輻射鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]以下將結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0009]如圖1所示，本實(shí)用新型雙銀低輻射鍍膜玻璃為多層鍍膜結(jié)構(gòu)，包括玻璃基片10、以及形成于玻璃基片10上的膜層30，具體地，所述膜層30包括順序形成于玻璃基片10上的第一電介質(zhì)層31、第二電介質(zhì)層32、第一銀層33、第一阻擋層330、第三電介質(zhì)層34、第四電介質(zhì)層35、第二銀層36、第二阻擋層360、第五電介質(zhì)層37、以及第六電介質(zhì)層38。
[0010]其中，所述第一電介質(zhì)層31直接形成于玻璃基片10的表面上,為金屬氧化物或金屬氮化物，如由ZrO2和/或SiNx組成，厚度為10-30nm。ZrO2和SiNx層可有效阻擋鋼化或熱彎時(shí)，玻璃基片10擴(kuò)散出的Na離子。所述第二電介質(zhì)層32形成于第一電介質(zhì)層31之上，為金屬氧化物層，如AZO或ZnO，其厚度為5-20nm，優(yōu)選地為10_15nm。AZO和ZnO層有利于后續(xù)銀層的擇優(yōu)取向生長(zhǎng)，降低銀層面電阻，降低膜層30的輻射率。所述第一、第二電介質(zhì)層31、32形成ZrO2AZO或Zr02/Zn0的復(fù)合結(jié)構(gòu)，有利于降低膜層30的反射率，調(diào)節(jié)玻面顏色。
[0011]所述第一銀層33、第二銀層36的厚度均為5_20nm,優(yōu)選地為10_15nm,用于形成遠(yuǎn)紅外反射，是整個(gè)雙銀低輻射鍍膜玻璃形成遠(yuǎn)紅外熱輻射反射的根本。所述的第一阻擋層330、第二阻擋層360分別形成于第一銀層33、第二銀層36之上，其材料為還原性強(qiáng)于銀的金屬或部分氧化的金屬材料，如NiCr、NiCrOx、或Ti，其厚度為0.5_5nm。第一、第二阻擋層330、360在鋼化或熱彎過程中，通過其高還原性保護(hù)第一、第二銀層33、36，防止第一、第二銀層33、36氧化，維持鍍膜玻璃的高反射性能，在制作本實(shí)用新型雙銀低輻射鍍膜玻璃時(shí)可以將玻璃原片先進(jìn)行鍍膜，然后鋼化，最后再根據(jù)需要進(jìn)行切割，可以在生產(chǎn)中采用大板原片進(jìn)行鍍膜然后鋼化、切割，相較于切割后分別對(duì)每塊玻璃基片10進(jìn)行鍍膜，可大大提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)能耗，降低生產(chǎn)成本，增加生產(chǎn)量，縮短交貨期,補(bǔ)片也更及時(shí)。
[0012]所述第一阻擋層330與第二銀層36之間還形成有第三、第四電介質(zhì)層35，其中，第三電介質(zhì)層34形成于第一阻擋層330之上，通常為Ti02/ZnSn0x/Ti02復(fù)合結(jié)構(gòu)，厚度約為20-50nm，優(yōu)選地為30_40nm，用于增加可見光透過率，通過調(diào)整所述第三電介質(zhì)層34的厚度可調(diào)節(jié)透過顏色和反射顏色。所述第四電介質(zhì)層35為金屬氧化層，類似于第二電介質(zhì)層32，可以為AZO或ZnO，其厚度為5_20nm，優(yōu)選地為10_15nm。
[0013]在第二阻擋層360之外，還形成有第五、第六電介質(zhì)層38，其中第五介質(zhì)層為ZnSnOx或SnO2，其厚度為10_30nm，優(yōu)選地為10_20nm，通過調(diào)節(jié)第五介質(zhì)層的厚度可調(diào)節(jié)鍍膜玻璃的顏色和透過率。所述第六介質(zhì)層為SiNx，其厚度為10-30nm，優(yōu)選地為10_20nm，用以保護(hù)整個(gè)膜層30，防止劃傷缺陷的產(chǎn)生。
[0014]例如，本實(shí)用新型雙銀低輻射鍍膜玻璃的一具體實(shí)施例，其膜層30為形成于玻璃基片 10 上的 Si3N4-Zn0-Ag-NiCr0x-Ti02/ZnSn0x/Ti02-Zn0_Ag-NiCr0x-Sn02-Si3N4，其中:
[0015]玻璃基片10為6mm厚的建筑級(jí)透明浮法玻璃原片；
[0016]第一電介質(zhì)層31為Si3N4，厚度為15nm，采用中頻交流電源加雙旋轉(zhuǎn)陰極在氬氣和氮?dú)鈿夥障聻R射沉積形成，真空磁控濺射設(shè)備功率為30-50kW，中頻電源頻率為40kHz ；
[0017]第二電介質(zhì)層32為ZnO，厚度為10nm，采用中頻交流電壓加雙旋轉(zhuǎn)陰極在氬氣和氧氣氣氛下沉積形成，真空磁控濺射設(shè)備功率為20-40kW，中頻電源頻率為40kHz ；
[0018]第一銀層33的厚度為I lnm，采用直流電源加平面陰極在氬氣氣氛下沉積的，真空磁控濺射設(shè)備功率為2-10kW，中頻電源頻率為40kHz ；
[0019]第一阻擋層330為NiCrOx，厚度為1.5nm，采用直流電源加平面陰極在氬氣和氧氣氣氛下沉積的，真空磁控濺射設(shè)備功率為2-10kW，中頻電源頻率為40kHz ；
[0020]第三電介質(zhì)層34為Ti02/ZnSn0x/Ti02，厚度為30nm，其中TiO2層是采用中頻交流電源加旋轉(zhuǎn)陰極在氬氣和氧氣氣氛下沉積的，真空磁控濺射設(shè)備功率為10-20kW，中頻電源頻率為40kHz，ZnSnOx層是采用中頻交流電壓加雙旋轉(zhuǎn)陰極在氬氣和氧氣氣氛下沉積的，真空磁控濺射設(shè)備功率為30-50kW，中頻電源頻率為40kHz ；[0021]第四電介質(zhì)層35為ZnO,厚度為IOnm,其形成方法與第二介電層相同；
[0022]第二銀層36的厚度為12.5nm，其形成方法與第一銀層33相同；
[0023]第二阻擋層360為NiCrOx，厚度為2nm，其形成方法與第一阻擋層330相同；
[0024]第五電介質(zhì)層37為SnO2，厚度為15nm，采用中頻交流電壓加雙旋轉(zhuǎn)陰極在氬氣和氧氣氣氛下沉積的，真空磁控濺射設(shè)備功率為20-50kW，中頻電源頻率為40kHz ；
[0025]第六電介質(zhì)層38為Si3N4,厚度為15nm,其形成方式與第一電介質(zhì)層31相同。
[0026]由于本實(shí)用新型雙銀低輻射鍍膜玻璃在第一、第二銀層33、36上形成有第一、第二阻擋層330、360，所以在制造過程中是先將玻璃原片鍍膜，然后鋼化處理，最后根據(jù)預(yù)定大小切割，因此生產(chǎn)效率高，大幅提升產(chǎn)能，其所形成的雙銀低輻射鍍膜玻璃性能優(yōu)良，如本實(shí)施例的雙銀低輻射鍍膜玻璃的輻射率e ( 0.05，中空產(chǎn)品(結(jié)構(gòu)為6mm雙銀低輻射鍍膜玻璃+12mm空氣層+6mm普通白玻)的傳熱系數(shù)U值1.55ff/m2K,遮陽系數(shù)0.3。透過顏色a*=-2"~l,b*=-:T0,反射顏色a*=-:T0,b*=-3"~2,性能優(yōu)異,可以作為玻璃幕墻、玻璃門窗、車窗廣泛應(yīng)用。
[0027]需要說明的是，本實(shí)用新型并不局限于上述實(shí)施方式，根據(jù)本實(shí)用新型的創(chuàng)造精神，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以做出其他變化，這些依據(jù)本實(shí)用新型的創(chuàng)造精神所做的變化，都應(yīng)包含在本實(shí)用新型所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片及形成于玻璃基片上的膜層，其特征在于，所述膜層包括電介質(zhì)層、形成于電介質(zhì)層上的第一銀層、形成于第一銀層上的第一阻擋層、形成于第一阻擋層之上的第二銀層、以及形成于第二銀層之上的第二阻擋層，所述第一阻擋層、第二阻擋層為還原性大于銀的金屬或部分氧化的金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述的第一阻擋層為NiCr、NiCrOx 或 Ti，厚度為 0.5_5nm。
3.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述的第二阻擋層為NiCr、NiCrOx 或 Ti，厚度為 0.5_5nm。
4.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一銀層和第二銀層的厚度均為5-20nm。
5.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述電介質(zhì)層包括直接形成于玻璃基片上的第一電介質(zhì)層，由ZrO2和/或SiNx組成，厚度為10-30nm。
6.如權(quán)利要求5所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述電介質(zhì)層還包括形成于第一電介質(zhì)層之上的第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層為AZO或ZnO,厚度為5-20nm。
7.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，還包括形成于第一阻擋層與第二銀層之間的第三電介質(zhì)層，所述第三電介質(zhì)層為Ti02/ZnSn0x/Ti02復(fù)合結(jié)構(gòu)，其厚度為 20_50nm。
8.如權(quán)利要求7所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，還包括形成于第三電介質(zhì)層與第二銀層之間的第四電介質(zhì)層，所述的第四電介質(zhì)層為AZO或ZnO，厚度為5-20nm。
9.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，還包括形成于第二銀層上的第五電介質(zhì)層，所述的第五電介質(zhì)層為SnO2或ZnSnOx,厚度為10_30nm。
10.如權(quán)利要求9所述的雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，還包括形成于第五電介質(zhì)層上的第六電介質(zhì)層，所述的第六電介質(zhì)層為Si3N4，厚度為10-30nm。
【文檔編號(hào)】C03C17/36GK203567281SQ201320544533
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2013年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月2日
【發(fā)明者】董清世, 葉茵, 萬軍鵬, 黃石娟 申請(qǐng)人:信義玻璃（營(yíng)口）有限公司