專利名稱：一種多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置。
背景技術(shù)：
目前，多晶硅生產(chǎn)廠在后處理破碎硅棒過程中，多使用平臺(tái)破碎平臺(tái)，但存在許多缺陷。如體積大、硅塊污染嚴(yán)重、室內(nèi)粉塵多、影響工人健康等。此外，硅棒破碎時(shí)小型硅塊飛濺，也造成浪費(fèi)。現(xiàn)有的多晶硅破碎缺少防護(hù)裝置，而且排出的氣體由于帶有雜質(zhì)，容易污染環(huán)境。
發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有的多晶硅破碎平臺(tái)容易造成小型硅塊飛濺，易造成空氣污染，本實(shí)用新型提供ー種多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置。其中，所述裝置包括破碎臺(tái)面、過濾筒、漏斗集料器、脈沖反吹裝置和集料抽屜，所述破碎臺(tái)面用于承載待加工的多晶硅，在所述破碎臺(tái)面的下部依次設(shè)有漏斗集料器、過濾筒和集料抽屜，破碎之后的多晶硅碎渣及粉塵經(jīng)過漏斗集料器下落，經(jīng)過濾筒浄化后，并由過濾筒下部的集料抽屜進(jìn)行收集，所述脈沖反吹裝置提供壓縮空氣，對(duì)下落到過濾筒內(nèi)并沾附在過濾筒表面的破碎多晶硅進(jìn)行凈化。優(yōu)選地,所述破碎臺(tái)面由PP材料或不銹鋼材料制成，更優(yōu)選地，者破碎臺(tái)面上采用2Crl3不銹鋼滲鍍碳化鎢涂層。優(yōu)選地，所述裝置還包括一框架，所述框架將破碎臺(tái)面的側(cè)部和頂部進(jìn)行密封。優(yōu)選地，所述框架上安裝有觀察窗和照明燈。優(yōu)選地，所述平臺(tái)裝置后面或側(cè)面設(shè)有百葉窗，百葉窗引導(dǎo)含塵氣流移動(dòng)。優(yōu)選地，所述裝置還包括通風(fēng)機(jī)，所述通風(fēng)機(jī)安裝在破碎臺(tái)面的側(cè)部。優(yōu)選地，所述通風(fēng)機(jī)的下部安裝有減震器。優(yōu)選地，所述脈沖反吹裝置包括脈沖閥、空氣噴嘴、壓縮空氣罐和連接管道，所述空氣噴嘴通過連接管道與壓縮空氣罐連接，所述脈沖閥用于控制空氣噴嘴的開閉。上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型對(duì)多晶硅破碎產(chǎn)生的含塵氣體有效引導(dǎo)，采用脈沖反吹裝置浄化之后進(jìn)行收集，具有節(jié)能環(huán)保、安裝方便、保證多晶硅的潔凈度、減少損耗、自動(dòng)清潔過濾材料、防瀑功能齊全的優(yōu)點(diǎn)。配套專用防瀑通風(fēng)機(jī)，除塵凈化效果可達(dá)到99. 99%，浄化效果達(dá)到國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。凈化以后的氣體可以在室內(nèi)排放，不影響空氣的溫度、濕度，可節(jié)約空調(diào)能源。

圖I是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的主視圖；圖2是圖I的側(cè)視圖。其中，I :破碎臺(tái)面；2 :漏斗集料器；3 :過濾筒；4 :集料抽屆；5 :脈沖閥；6 :框架；7 :通風(fēng)機(jī)；8 :照明燈；9 :觀察窗；10 :破碎柵板；11 :出料ロ ；12 :壓縮空氣罐；13 :通風(fēng)箱；14 :電控箱;15 :百葉窗。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。如圖I和2所示，是本實(shí)用新型一種實(shí)施例，該裝置包括破碎臺(tái)面I、漏斗集料器2、過濾筒3、脈沖反吹裝置和集料抽屜4，該破碎臺(tái)面I用于承載待加工的多晶硅，在破碎臺(tái)面I上還設(shè)有破碎柵板10。在破碎臺(tái)面I的下部依次設(shè)有漏斗集料器2、過濾筒3和集料抽屜4，破碎之后的多晶硅經(jīng)過漏斗集料器2下落到過濾筒3，并由過濾筒3下部的集料抽屜4進(jìn)行收集，該脈沖反吹裝置提供壓縮空氣，對(duì)下落到過濾筒3之前的破碎多晶硅進(jìn)行凈化。在裝置的一側(cè)設(shè)有出料ロ 11。本實(shí)用新型將破碎產(chǎn)生的多晶硅粉塵經(jīng)過脈沖反吹裝置浄化之后進(jìn)行收集，達(dá)到硅材料在生產(chǎn)過程中的潔凈度要求，同時(shí)解決粉塵污染，保證室內(nèi) 的空氣達(dá)到十萬(wàn)級(jí)的潔凈度。本實(shí)用新型的破碎臺(tái)面可以采用各種適合的材質(zhì)，優(yōu)選地由PP材料制成。為了保持多晶硅的潔凈度，平臺(tái)所有與硅塊接觸的表面均選用PP板，或使用2Crl3不銹鋼滲鍍碳化鎢涂層。為了防止多晶硅在破碎時(shí)有碎片飛濺，在破碎臺(tái)面的外部設(shè)有ー框架6，框架6將破碎臺(tái)面I的側(cè)部和頂部進(jìn)行密封。優(yōu)選地，框架6為不銹鋼材質(zhì)。在框架上安裝有觀察窗9和照明燈8，觀察窗用于從外部觀察破碎臺(tái)面上的操作情況，照明燈8用于提供照明，優(yōu)選地為防爆照明燈。為了將框架內(nèi)的灰塵除掉，在框架上還設(shè)有百葉窗15，可以選用各種適合的窗體結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地為百葉窗，引導(dǎo)含塵氣體的組織流動(dòng)。該實(shí)施例的裝置還包括通風(fēng)機(jī)7，通風(fēng)機(jī)7安裝在破碎臺(tái)面的側(cè)部，用于給裝置進(jìn)行通風(fēng)，通風(fēng)箱13由通風(fēng)機(jī)7提供風(fēng)力，并由電控箱14來(lái)控制。為了使得通風(fēng)機(jī)7工作穩(wěn)定，減少振動(dòng)，在通風(fēng)機(jī)7的下部安裝有減震器。該實(shí)施例的通風(fēng)機(jī)可以采用防爆結(jié)構(gòu)，應(yīng)用“三元流”設(shè)計(jì)理論，采用平板葉片，仿蝸形機(jī)売，產(chǎn)品強(qiáng)度高、噪聲低。且運(yùn)行阻力低，可節(jié)約能源。另外，該裝置采用無(wú)基礎(chǔ)安裝，給用戶實(shí)用提供了便利條件。本實(shí)用新型的脈沖反吹裝置用于提供壓縮空氣，可以采取各種適合的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，其包括脈沖閥5、空氣噴嘴、壓縮空氣罐12和連接管道，空氣噴嘴通過連接管道與壓縮空氣罐12連接，脈沖閥5用于控制空氣噴嘴的開閉。由以上實(shí)施例可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)多晶硅破碎過程采用脈沖反吹裝置浄化之后進(jìn)行收集，達(dá)到硅材料在生產(chǎn)過程中的潔凈度要求。過濾浄化裝置裝在平臺(tái)內(nèi)部，也可分體安裝。設(shè)備具有除塵、浄化、自動(dòng)清潔過濾筒的功能，保證多晶硅在破碎過程中的潔凈度。設(shè)備運(yùn)行安全可靠、防爆；自動(dòng)清潔過濾材料。經(jīng)凈化以后的氣體達(dá)到國(guó)家排放標(biāo)準(zhǔn)，可以在室內(nèi)排放，不影響空氣的溫度、濕度，可節(jié)約能源。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種多晶硅破碎浄化平臺(tái)裝置，其特征在于，所述裝置包括破碎臺(tái)面、過濾筒、漏斗集料器、脈沖反吹裝置和集料抽屜，所述破碎臺(tái)面用于承載待加工的多晶硅，在所述破碎臺(tái)面的下部依次設(shè)有漏斗集料器、過濾筒和集料抽屜，破碎產(chǎn)生的多晶硅碎渣及粉塵經(jīng)過漏斗集料器下落，經(jīng)過濾筒浄化，由過濾筒下部的集料抽屜進(jìn)行收集，所述脈沖反吹裝置提供壓縮空氣，對(duì)沾附在過濾筒表面的多晶硅粉塵進(jìn)行浄化。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置，其特征在于，所述破碎臺(tái)面由PP材料或不銹鋼板制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置，其特征在于，所述裝置還包括ー框架，所述框架將破碎臺(tái)面的側(cè)部和頂部進(jìn)行密封。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置，其特征在于，所述框架上安裝有觀察窗和照明燈。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置，其特征在于，所述平臺(tái)裝置的后面或側(cè)面設(shè)有百葉窗，百葉窗引導(dǎo)含塵氣流移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置，其特征在于，所述裝置還包括通風(fēng)機(jī)，所述通風(fēng)機(jī)安裝在破碎臺(tái)面的側(cè)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置，其特征在干，所述通風(fēng)機(jī)的下部安裝有減震器。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置，其特征在于，所述脈沖反吹裝置包括脈沖閥、空氣噴嘴、壓縮空氣罐和連接管道，所述空氣噴嘴通過連接管道與壓縮空氣罐連接，所述脈沖閥用于控制空氣噴嘴的開閉。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅破碎凈化平臺(tái)裝置，所述裝置包括破碎臺(tái)面、過濾筒、漏斗集料器、脈沖反吹裝置和集料抽屜，所述破碎臺(tái)面用于承載待加工的多晶硅，在所述破碎臺(tái)面的下部依次設(shè)有漏斗集料器、過濾筒和集料抽屜，破碎之后的多晶硅碎渣及粉塵經(jīng)過漏斗集料器下落，經(jīng)過濾筒凈化后，并由過濾筒下部的集料抽屜進(jìn)行收集，所述脈沖反吹裝置提供壓縮空氣，對(duì)沾附在過濾筒表面的多晶硅粉塵進(jìn)行凈化。本實(shí)用新型對(duì)多晶硅破碎之后采用脈沖反吹裝置凈化之后進(jìn)行收集，具有節(jié)能環(huán)保、安裝方便、保證多晶硅的潔凈度、自動(dòng)清潔過濾材料、防爆功能齊全的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)B02C23/00GK202410799SQ20112050128
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2011年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月5日
發(fā)明者吳友泉, 李毅光 申請(qǐng)人:北京德高潔清潔設(shè)備有限公司