內(nèi)時，玻璃基板的剝離性優(yōu)良。
[0258] 另一方面，在有機硅樹脂層的彈性模量過低的比較例1及過高的比較例2中，玻璃 基板的剝離性差。
[0259] 〈實施例 10>
[0260] 本例中，使用實施例1中得到的玻璃層疊體A制造0LED。
[0261] 首先，在玻璃層疊體A中的玻璃基板的第2主面上通過等離子體CVD法依次將氮 化硅、氧化硅、非晶硅成膜。接著，通過離子摻雜裝置在非晶硅層中注入低濃度的硼，并在氮 氣氣氛下在450°C加熱處理60分鐘而進行脫氫處理。接著，通過激光退火裝置進行非晶硅 層的結(jié)晶化處理。接著，由使用光刻法的蝕刻和離子摻雜裝置向非晶硅層注入低濃度的磷， 形成N型和P型的TFT區(qū)域。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，通過等離子體CVD法將氧化 硅膜成膜而形成柵絕緣膜，然后通過濺射法將鉬成膜，并通過使用光刻法的蝕刻形成柵極。 接著，通過光刻法和離子摻雜裝置，向N型、P型各自所期望的區(qū)域注入高濃度的硼和磷，形 成源區(qū)域和漏區(qū)域。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)龋瑢νㄟ^基于等離子體CVD法的氧化硅 的成膜而形成的層間絕緣膜通過濺射法進行鋁的成膜以及通過使用光刻法的蝕刻而形成 TFT電極。接著，在氫氣氣氛下在450°C加熱處理60分鐘而進行氫化處理，然后通過基于等 離子體CVD法的氮化硅的成膜而形成鈍化層。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)韧坎甲贤饩€ 固化性樹脂，并通過光刻法形成平坦化層和接觸孔。接著，通過濺射法將氧化銦錫成膜，并 通過使用光刻法的蝕刻形成像素電極。
[0262] 接著，通過蒸鍍法，在玻璃基板的第2主面?zhèn)纫来螌?, 4'，4"-三（3-甲基苯基 氨基）三苯基胺成膜作為空穴注入層，將雙[(N-萘基）-N-苯基]聯(lián)苯胺成膜作為空穴傳 輸層，將在8-羥基喹啉鋁絡合物（Alq3)中混合40體積％的2, 6-雙[4-[N_(4-甲氧基苯 基）-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二甲腈（BSN-BCN)而得到的混合物成膜作為發(fā)光 層，將Alq3成膜作為電子傳輸層。接著，通過濺射法將鋁成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成 對置電極。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冉?jīng)由紫外線固化型膠粘層貼合另一張玻璃基板 并密封。根據(jù)上述步驟，在玻璃基板上形成有機EL結(jié)構(gòu)體。在玻璃基板上具有有機EL結(jié) 構(gòu)體的玻璃層疊體A(以下，稱為面板A)為本發(fā)明的帶電子器件用構(gòu)件的層疊體（帶支撐 基材的顯示裝置用面板）。
[0263] 接著，使面板A的密封體側(cè)真空吸附在平臺上，然后在面板A的角部的玻璃基板與 有機娃樹脂層的界面插入厚度0.1 mm的不鎊鋼制刀具，從而在玻璃基板與有機娃樹脂層的 界面產(chǎn)生剝離的開端。然后，用真空吸附墊吸附面板A的支撐基材表面，然后使吸附墊升 高。此處在從離子發(fā)生器（基恩士公司制）向該界面噴吹除電性流體的同時進行刀具的插 入。接著，從離子發(fā)生器向形成的空隙持續(xù)噴吹除電性流體的同時拉起真空吸附墊。其結(jié) 果是，在平臺上僅殘留形成有有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃基板，可以剝離帶有機硅樹脂層的支撐 基材。
[0264] 接著，清潔通過與實施例1同樣的方法分離的玻璃基板的剝離面，使用激光切割 機或劃線-折斷法將分離的玻璃基板切斷，分割為多個單元后，將形成有有機EL結(jié)構(gòu)體的 玻璃基板與對置基板組裝，實施模塊形成工序而制作OLED。這樣得到的OLED在特性上不會 產(chǎn)生問題。
[0265] 〈實施例 11>
[0266] 本例中，使用實施例1中得到的玻璃層疊體A制造 IXD。
[0267] 首先，準備2片玻璃層疊體A，在一個玻璃層疊體Al中的玻璃基板的第2主面上， 通過等離子體CVD法依次將氮化硅、氧化硅、非晶硅成膜。接著，通過離子摻雜裝置向非晶 硅層注入低濃度的硼，在氮氣氣氛下在450°C加熱處理60分鐘而進行脫氫處理。接著，利用 激光退火裝置進行非晶硅層的結(jié)晶化處理。接著，由使用光刻法的蝕刻及離子摻雜裝置向 非晶硅層注入低濃度的磷，形成N型和P型的TFT區(qū)域。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)龋?通過等離子體CVD法將氧化硅膜成膜而形成柵絕緣膜，然后通過濺射法將鉬成膜，通過使 用光刻法的蝕刻而形成柵極。接著，通過光刻法和離子摻雜裝置，向N型、P型各自所期望 的區(qū)域注入高濃度的硼和磷，形成源區(qū)域和漏區(qū)域。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，對?過基于等離子體CVD法的氧化硅的成膜形成的層間絕緣膜通過濺射法進行鋁的成膜以及 通過使用光刻法的蝕刻而形成TFT電極。接著，在氫氣氣氛下在450°C加熱處理60分鐘而 進行氫化處理，然后通過基于等離子體CVD法的氮化硅的成膜，形成鈍化層。接著，在玻璃 基板的第2主面?zhèn)?，涂布紫外線固化性樹脂，通過光刻法形成平坦化層和接觸孔。接著，通 過濺射法將氧化銦錫成膜，并通過使用光刻法的蝕刻形成像素電極。
[0268] 接著，在大氣氣氛下在450°C對另一個玻璃層疊體A2加熱處理60分鐘。接著，在 玻璃層疊體A中的玻璃基板的第2主面上，通過濺射法將鉻成膜，并通過使用光刻法的蝕刻 形成遮光層。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)龋ㄟ^口模式涂布法涂布彩色光阻劑，通過光 刻法和熱固化形成彩色濾光片層。接著，通過濺射法將氧化銦錫成膜，形成對置電極。接 著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)龋ㄟ^口模式涂布法涂布紫外線固化樹脂液，通過光刻法和熱 固化形成柱狀間隔物。接著，通過輥涂法涂布聚酰亞胺樹脂液，通過熱固化形成取向?qū)?，?進行摩擦。
[0269] 接著，通過滴注液晶法將密封用樹脂液描繪為框狀，在框內(nèi)通過滴注液晶法滴入 液晶，然后使用上述形成有像素電極的玻璃層疊體A1，使2片玻璃層疊體A的玻璃基板的第 2主面?zhèn)缺舜速N合，通過紫外線固化和熱固化而得到LCD面板。
[0270] 接著，使玻璃層疊體Al的第2主面真空吸附于平臺，在玻璃層疊體A2的角部的玻 璃基板與有機硅樹脂層的界面插入厚度〇. Imm的不銹鋼制刀具，產(chǎn)生玻璃基板的第1主面 與有機硅樹脂層的可剝離表面的剝離的開端。此處在從離子發(fā)生器（基恩士公司制）向該 界面噴吹除電性流體的同時進行刀具的插入。接著，在從離子發(fā)生器向形成的空隙持續(xù)噴 吹除電性流體的同時拉起真空吸附墊。然后，利用真空吸附墊吸附玻璃層疊體A2的支撐基 材的第2主面，然后使吸附墊升高。其結(jié)果是，在平臺上僅殘留帶有玻璃層疊體Al的支撐 基材的LCD的空盒，可以剝離帶有機硅樹脂層的支撐基材。
[0271] 接著，使在第1主面形成有彩色濾光片的玻璃基板的第2主面真空吸附于平臺，在 玻璃層疊體Al的角部的玻璃基板與有機硅樹脂層的界面插入厚度0.1 mm的不銹鋼制刀具， 產(chǎn)生玻璃基板的第1主面與有機硅樹脂層的可剝離表面的剝離的開端。然后，用真空吸附 墊吸附玻璃層疊體Al的支撐基材的第2主面，然后使吸附墊升高。其結(jié)果是，在平臺上僅 殘留LCD盒，可以剝離固定有有機硅樹脂層的支撐基材。這樣得到由厚度0.1 mm的玻璃基 板構(gòu)成的多個LCD的盒。
[0272] 接著，通過切斷工序，分割為多個LCD的盒。實施向完成的各LCD盒粘貼偏振板的 工序，接著實施模塊形成工序而得到LCD。這樣得到的LCD在特性上不會產(chǎn)生問題。
[0273] 〈實施例 12>
[0274] 本例中，使用實施例1中得到的玻璃層疊體A制造 OLED。
[0275] 首先，在玻璃層疊體A中的玻璃基板的第2主面上，通過濺射法將鉬成膜，并通過 使用光刻法的蝕刻形成柵極。接著，通過等離子體CVD法，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冗M一步 將氮化硅成膜而形成柵絕緣膜，接著通過濺射法將氧化銦鎵鋅成膜并通過使用光刻法的蝕 刻形成氧化物半導體層。接著，通過等離子體CVD法，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冗M一步將氮 化硅成膜而形成溝槽保護層，接著通過濺射法將鉬成膜并通過使用光刻法的蝕刻形成源極 和漏極。接著，在大氣中在450°C進行60分鐘加熱處理。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冗M 一步通過等離子體CVD法將氮化硅成膜而形成鈍化層，接著通過濺射法將氧化銦錫成膜并 通過使用光刻法的蝕刻形成像素電極。
[0276] 接著，通過蒸鍍法，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，依次?, 4'，4" -三（3-甲基苯基 氨基）三苯基胺成膜作為空穴注入層，將雙[(N-萘基）-N-苯基]聯(lián)苯胺成膜作為空穴傳 輸層，將在8-羥基喹啉鋁絡合物（Alq3)中混合40體積％的2, 6-雙[4-[N_(4-甲氧基苯 基）-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二甲腈（BSN-BCN)而得到的混合物成膜作為發(fā)光 層，將Alq3成膜作為電子傳輸層。接著，通過濺射法將鋁成膜，并通過使用光刻法的蝕刻形 成對電極。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，?jīng)由紫外線固化型膠粘層貼合另一片玻璃基板 并密封。根據(jù)上述步驟，在玻璃基板上形成有機EL結(jié)構(gòu)體。在玻璃基板上具有有機EL結(jié) 構(gòu)體的玻璃層疊體A(以下，稱為面板A。）為本發(fā)明的帶電子器件用構(gòu)件的層疊體（帶支 撐基材的顯示裝置用面板）。
[0277] 接著，使面板A的密封體側(cè)真空吸附于平臺，然后在面板A的角部的玻璃基板與有 機硅樹脂層的界面插入厚度0.1 mm的不銹鋼制刀具，產(chǎn)生玻璃基板與有機硅樹脂層的界面 剝離的開端。然后，用真空吸附墊吸附面板A的支撐基材表面，然后使吸附墊升高。此處在 從離子發(fā)生器（基恩士公司制）向該界面噴吹除電性流體的同時進行刀具的插入。接著， 在從離子發(fā)生器向形成的空隙持續(xù)噴吹除電性流體的同時拉起真空吸附墊。其結(jié)果是，在 平臺上僅殘留形成有有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃基板，可以剝離帶有機硅樹脂層的支撐基材。
[0278] 接著，清潔通過與實施例1同樣的方法分離的玻璃基板的剝離面，使用激光切割 機或劃線-折斷法將分離的玻璃基板切斷，分割為多個單元后，將形成有有機EL結(jié)構(gòu)體的 玻璃基板和對置基板組裝，實施模塊形成工序而制作OLED。這樣得到的OLED在特性上不會 產(chǎn)生問題。
[0279] 本申請基于2012年12月28日申請的日本專利申請2012-286768,其內(nèi)容作為參 照并入本文中。
[0280] 附圖標記
[0281] 10玻璃層疊體
[0282] 12支撐基材
[0283] 14有機硅樹脂層
[0284] 14a有機硅樹脂層的第1主面
[0285] 16玻璃基板
[0286] 16a玻璃基板的第1主面
[0287] 16b玻璃基板的第2主面
[0288] 18帶有機硅樹脂層的支撐基材
[0289] 20電子器件用構(gòu)件
[0290] 22帶電子器件用構(gòu)件的層疊體
[0291] 24帶構(gòu)件的玻璃基板
【主權(quán)項】
1. 一種玻璃層疊體，其依次具備支撐基材、有機硅樹脂層和玻璃基板，所述支撐基材與 所述有機硅樹脂層的界面的剝離強度大于所述有機硅樹脂層與所述玻璃基板的界面的剝 離強度，其中， 所述有機硅樹脂層的有機硅樹脂為可交聯(lián)有機聚硅氧烷的交聯(lián)物，并且 通過納米壓痕法測定的所述有機硅樹脂層的彈性模量為0. 5~2. 5MPa。2. 如權(quán)利要求1所述的玻璃層疊體，其中，所述可交聯(lián)有機聚硅氧烷的交聯(lián)物是使具 有條基的有機聚硅氧烷與具有氛甲娃烷基的有機聚硅氧烷反應而得到的交聯(lián)物。3. 如權(quán)利要求2所述的玻璃層疊體，其中，所述烯基與所述氫甲硅烷基的混合摩爾比 (烯基的摩爾數(shù)/氫甲硅烷基的摩爾數(shù)）為1/1~1/0. 8。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項所述的玻璃層疊體，其中，所述有機硅樹脂層還含有硅 油。5. 如權(quán)利要求1~4中任一項所述的玻璃層疊體，其中，所述有機硅樹脂層的厚度為 2 ~100um〇6. 如權(quán)利要求1~5中任一項所述的玻璃層疊體，其中，所述支撐基材為玻璃板。7. -種制造權(quán)利要求1~6中任一項所述的玻璃層疊體的方法，其中，在支撐基材的單 面形成含有可交聯(lián)有機聚硅氧烷的層，在所述支撐基材面上使所述可交聯(lián)有機聚硅氧烷交 聯(lián)而形成有機硅樹脂層，然后在所述有機硅樹脂層的表面層疊玻璃基板。8. -種帶有機硅樹脂層的支撐基材，其具有支撐基材和設置在所述支撐基材面上的有 機硅樹脂層，其中， 所述有機硅樹脂層的有機硅樹脂為可交聯(lián)有機聚硅氧烷的交聯(lián)物，并且 通過納米壓痕法測定的所述有機硅樹脂層的彈性模量為0. 5~2. 5MPa。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種玻璃層疊體，其依次具備支撐基材、有機硅樹脂層和玻璃基板，支撐基材與有機硅樹脂層的界面的剝離強度高于有機硅樹脂層與玻璃基板的界面的剝離強度，其中，有機硅樹脂層的有機硅樹脂為可交聯(lián)有機聚硅氧烷的交聯(lián)物，并且通過納米壓痕法測定的有機硅樹脂層的彈性模量為0.5～2.5MPa。
【IPC分類】B32B17/10, C03C27/10, B32B27/00
【公開號】CN104903095
【申請?zhí)枴緾N201380068732
【發(fā)明人】宮古強臣, 照井弘敏, 內(nèi)田大輔, 山內(nèi)優(yōu)
【申請人】旭硝子株式會社
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2013年12月9日
【公告號】WO2014103678A1