1.一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其步驟包括：配置膠液——上膠——疊合、熱壓，其特征在于：所述膠液成分包括：采用雙馬來酰亞胺樹脂作為主體樹脂，加入環(huán)氧樹脂、聚醚醚酮樹脂、低分子量聚酰亞胺樹脂，再加入活性稀釋劑、固化劑、固化促進劑及無機填料；用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮中的一種或多種作為溶劑配制；
上膠：選取介電常數為4.0～4.5的NE-玻纖布作為增強材料，浸以上述制得的膠液，經立式上膠機烘干制得半固化片；
疊合、熱壓：將上好膠的半固化片整齊疊合，雙面覆以銅箔，經真空熱壓機熱壓成型。
2.根據權利要求1所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：所述膠液中各成分的重量份為：
雙馬來酰亞胺樹脂 55～73
環(huán)氧樹脂 30～45
聚醚醚酮樹脂 25～30
低分子量聚酰亞胺 22～26
活性稀釋劑 12～14
氮系阻燃劑 20～35
固化劑 13～16
固化劑促進劑 3～5
無機填料 15～22
溶劑 160～200。
3.根據權利要求2所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：所述環(huán)氧樹脂是雙酚A型環(huán)氧樹脂、酚醛型環(huán)氧樹脂或阻燃型環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
4.根據權利要求3所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：所述聚酰亞胺的分子量≤1500g/mol。
5.根據權利要求4所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：所述活性稀釋劑為二烯丙基雙酚A、雙酚A二烯丙基醚或二乙烯基苯中的一種或多種。
6.根據權利要求4所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：所述氮系阻燃劑包括三嗪類化合物，為三聚氰胺及其鹽。
7.根據權利要求4所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：所述固化劑為胺類Dicy固化劑。
8.根據權利要求4所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：所述固化劑促進劑為2-乙基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑或2-苯基咪唑中的一種或多種。
9.根據權利要求4所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：所述無機填料為微米級超細氫氧化鋁和/或二氧化硅，其粒徑D50為1.6-3.2um。
10.根據權利要求1所述的一種高Tg、低Dk及低Df覆銅板的制作方法，其特征在于：
上膠步驟中，所述立式上膠機的運行速度為12～18m/min，所述半固化片的凝膠時間為200～300S，樹脂含量為40～45％，流動度20～30％；
疊合、熱壓步驟中，壓制參數控制為：真空度為0～0.01Mpa，壓力為0.4～3.6Mpa，熱盤溫度為120～210℃，升溫速率為2～3℃/min；壓制時間為120～160min。