專利名稱：雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及藍(lán)寶石單晶生產(chǎn)領(lǐng)域，特別是一種用于藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)爐的雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置。
背景技術(shù)：
[0002]在傳統(tǒng)藍(lán)寶石單晶生產(chǎn)工藝中，通常可將整個(gè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程分為四個(gè)控制階段， 即引晶、放肩、等徑、退火及冷卻階段。在晶體不斷生長(zhǎng)過(guò)程中，除了晶頭需拉升外，其余只需控制溫度的變化，控制冷卻速率來(lái)使單晶從上方逐漸往下凝固，最后凝固成一整個(gè)單晶晶,定。[0003]當(dāng)引晶時(shí)，如果生長(zhǎng)速率過(guò)快，表示溫度下降過(guò)低，必須調(diào)高溫度；若晶體生長(zhǎng)速度太慢，或晶種有熔化現(xiàn)象，表示溫度過(guò)高，必須調(diào)降溫度?？烤w生長(zhǎng)速度來(lái)調(diào)整溫度，使晶體獲得最佳的生長(zhǎng)溫度。[0004]當(dāng)溫度調(diào)整到最適合化時(shí)，開(kāi)始等徑生長(zhǎng)階段。籽晶停止提拉，只需要以自動(dòng)方式調(diào)降電壓值，使溫度慢慢下降，熔液就在坩堝內(nèi)從籽晶所延伸出來(lái)的單晶界面上，從上往下慢慢凝固成一整個(gè)單晶晶錠。等徑過(guò)程是整個(gè)工藝流程中耗時(shí)最長(zhǎng)，最容易影響成晶品質(zhì)的一個(gè)環(huán)節(jié)，但是根據(jù)目前工藝方法，在保證晶體質(zhì)量的前提下，無(wú)法獲得生長(zhǎng)速率的最大最快值。[0005]當(dāng)晶體生長(zhǎng)結(jié)束，啟動(dòng)晶體脫離坩堝程序時(shí)，無(wú)法從目測(cè)中判斷晶體是否黏到坩堝內(nèi)壁。直接提拉晶體會(huì)連帶坩堝，可能造成坩堝脫落，產(chǎn)生不必要的損失。實(shí)用新型內(nèi)容[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，生長(zhǎng)速率的最大化，并且避免坩堝與晶體粘連直接提拉脫位的雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置。[0007]本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置，包括旋轉(zhuǎn)裝置；稱重儀，所述稱重儀設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)裝置上。[0008]所述旋轉(zhuǎn)裝置包括支撐架；分別與所述支撐架連接、同軸設(shè)置的籽晶旋轉(zhuǎn)伺服、 軸承座及籽晶桿；所述籽晶旋轉(zhuǎn)伺服、所述軸承座及所述籽晶桿垂直于所述支撐架所在平面；所述稱重儀設(shè)置在所述支撐架上。所述雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置還進(jìn)一步包括一對(duì)中平臺(tái)，所述對(duì)中平臺(tái)設(shè)置在所述支撐架上。[0009]本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置能精確調(diào)整輸出功率，控制熱場(chǎng)區(qū)內(nèi)的長(zhǎng)晶溫度，是獲得高品質(zhì)晶體的前提。然后根據(jù)晶體生長(zhǎng)的正常重量變化值，盡可能的得到最快的生長(zhǎng)速率，降低長(zhǎng)晶成本，提高生產(chǎn)效率。當(dāng)需要晶體脫離坩堝時(shí)，通過(guò)從稱重儀的數(shù)據(jù)變化，即可判斷出晶體是否粘連到坩堝內(nèi)壁。


[0010]圖1為本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置結(jié)構(gòu)示意圖。[0011]本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置附圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明[0012]1-籽晶旋轉(zhuǎn)伺服2-軸承座 3-稱重儀[0013]4-對(duì)中平臺(tái) 5-支撐架 6-籽晶桿具體實(shí)施方式
[0014]
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置，包括旋轉(zhuǎn)裝置以及稱重儀設(shè)置在支撐架5上的稱重儀3。[0016]旋轉(zhuǎn)裝置包括支撐架5 ；分別與支撐架5連接、且相互之間同軸設(shè)置的籽晶旋轉(zhuǎn)伺服1、軸承座2及籽晶桿6 ；籽晶旋轉(zhuǎn)伺服1、軸承座2及籽晶桿6垂直于支撐架5所在平面。本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置還進(jìn)一步包括一設(shè)置在支撐架5上的對(duì)中平臺(tái) 4。[0017]本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置能精確調(diào)整輸出功率，控制熱場(chǎng)區(qū)內(nèi)的長(zhǎng)晶溫度，是獲得高品質(zhì)晶體的前提。然后根據(jù)晶體生長(zhǎng)的正常重量變化值，盡可能的得到最快的生長(zhǎng)速率，降低長(zhǎng)晶成本，提高生產(chǎn)效率。當(dāng)需要晶體脫離坩堝時(shí)，通過(guò)從稱重儀的數(shù)據(jù)變化，即可判斷出晶體是否粘連到坩堝內(nèi)壁。[0018]本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置在控制晶體升降機(jī)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加了稱重儀輔助功能，精確調(diào)整輸出功率，控制熱場(chǎng)區(qū)內(nèi)的長(zhǎng)晶溫度，是獲得高品質(zhì)晶體的前提。 然后根據(jù)晶體生長(zhǎng)的正常重量變化值，盡可能的得到最快的生長(zhǎng)速率，降低長(zhǎng)晶成本，提高生產(chǎn)效率。當(dāng)需要晶體脫離坩堝時(shí)，通過(guò)從稱重儀的數(shù)據(jù)變化，即可判斷出晶體是否粘連到坩堝內(nèi)壁。[0019]以上已對(duì)本實(shí)用新型創(chuàng)造的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說(shuō)明，但本實(shí)用新型創(chuàng)造并不限于實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，包括 旋轉(zhuǎn)裝置；稱重儀，所述稱重儀設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)裝置上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)裝置包括支撐架；分別與所述支撐架連接、同軸設(shè)置的籽晶旋轉(zhuǎn)伺服、軸承座及籽晶桿；所述籽晶旋轉(zhuǎn)伺服、所述軸承座及所述籽晶桿垂直于所述支撐架所在平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述稱重儀設(shè)置在所述支撐架上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置還進(jìn)一步包括一對(duì)中平臺(tái)，所述對(duì)中平臺(tái)設(shè)置在所述支撐架上。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置，包括旋轉(zhuǎn)裝置；稱重儀，所述稱重儀設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)裝置上。所述旋轉(zhuǎn)裝置包括支撐架；分別與所述支撐架連接、同軸設(shè)置的籽晶旋轉(zhuǎn)伺服、軸承座及籽晶桿；所述稱重儀設(shè)置在所述支撐架上。所述雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置還進(jìn)一步包括一對(duì)中平臺(tái)，所述對(duì)中平臺(tái)設(shè)置在所述支撐架上。本實(shí)用新型雙稱重儀輔助晶體生長(zhǎng)裝置能精確調(diào)整輸出功率，控制熱場(chǎng)區(qū)內(nèi)的長(zhǎng)晶溫度，是獲得高品質(zhì)晶體的前提。然后根據(jù)晶體生長(zhǎng)的正常重量變化值，盡可能的得到最快的生長(zhǎng)速率，降低長(zhǎng)晶成本，提高生產(chǎn)效率。當(dāng)需要晶體脫離坩堝時(shí)，通過(guò)從稱重儀的數(shù)據(jù)變化，即可判斷出晶體是否粘連到坩堝內(nèi)壁。
文檔編號(hào)C30B15/20GK202247000SQ201120314399
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月26日
發(fā)明者呂立強(qiáng) 申請(qǐng)人:上海朗兆機(jī)電設(shè)備有限公司