專利名稱：一種氮化物材料外延裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別指為了高質(zhì)量
的氮化物材料而設(shè)計(jì)的 一 種結(jié)合HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy, 氧化物氣相夕卜延)禾口 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 金屬有機(jī)源化 學(xué)氣相沉積)、生長(zhǎng)效率高、生長(zhǎng)成本低的氮化物材料 外延裝置。
背景技術(shù)：
氮化物多元系材料的光譜從0 . 7 eV到6 . 2 eV ， 可以用于帶間發(fā)光，顏色覆蓋從紅外到紫外波長(zhǎng)，在 光電子應(yīng)用方面，如藍(lán)光、綠光、紫外光發(fā)光二極管 (LED)、短波長(zhǎng)激光二極管(LD)，紫外探測(cè)器、布拉 格反射波導(dǎo)等方面獲得了重要的應(yīng)用和發(fā)展。另外氮 化鎵(GaN)材料作為第三代半導(dǎo)體材料代表之一，具 有直接帶隙、寬禁帶、高飽和電子漂移速度、高擊穿 電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的物理化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)異性能， 在微電子應(yīng)用方面也得到了廣泛的關(guān)注，可以制作高 溫、高頻和大功率器件，如高電子遷移率晶體管
(HEMT)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等。由于氮化物 材料在某些波段的發(fā)光基本不受材料缺陷的影響，近 些年來(lái)氮化物基的發(fā)光二極管照明迅猛發(fā)展，LED大量
應(yīng)用于顯不器、照明、指示燈、廣告牌、交通燈等，
在農(nóng)業(yè)中作為加速光合成光源，在醫(yī)療中作為診斷和
治療的工具
但是由于氮化物材料的特殊性質(zhì)，采用傳統(tǒng)的單
曰 曰曰生長(zhǎng)方法很難生長(zhǎng)出體單晶；使用異質(zhì)襯底，如藍(lán)
寶石、碳化娃等存在著由于晶格失配和熱失配帶來(lái)的
外延材料缺陷密度大等的問(wèn)題，這 一 結(jié)果極大的影響
了GaN系材料在微電子領(lǐng)域、激光器領(lǐng)域和紫外LED
領(lǐng)域等的實(shí)用化進(jìn)展。在常規(guī)iii-v族化合物半導(dǎo)體
中降低外延層缺陷密度效果非常明顯的緩沖層在GaN
系材料的生長(zhǎng)中效果并不明顯，生長(zhǎng)2- 3微米緩沖層
并不能夠顯著降低缺陷密度，最近HVPE生長(zhǎng)厚:膜:GaN
的實(shí)驗(yàn)表明，生長(zhǎng)2 0微米以上的GaN可以顯著降低
缺陷密度，而且隨著厚度的增加，缺陷密度還將逐步
下降。常規(guī)的MBE和M0CVD等氮化物外延手段由于其
生長(zhǎng)速率低很難應(yīng)用于生長(zhǎng)非常厚的外延層，而利用
氫化物氣相外延的高生長(zhǎng)速率和較高結(jié)晶質(zhì)量可以實(shí)現(xiàn)氮化物材料的厚膜生長(zhǎng)。目前有不少研究機(jī)構(gòu)、大
學(xué)和公司等都在利用氫化物氣相外延方法制備氮化物
白支撐襯底，但是該方法也存在著很大的問(wèn)題比如設(shè)
備不成熟，工藝尚需突破等。
本發(fā)明以前有關(guān)氮化物材料外延裝置存在常規(guī)
的MBE和M0CVD等氮化物外延手段具備生長(zhǎng)很好的氮
化物微結(jié)構(gòu)材料的能力，但是很難通過(guò)生長(zhǎng)超過(guò)2 0
微米厚的緩沖層來(lái)達(dá)到降低氮化物材料的缺陷密度，
從而限制了氮化物材料在很多領(lǐng)域的應(yīng)用。而普通的
氫化物氣相外延由于其金屬源置于反應(yīng)管內(nèi)部，導(dǎo)致
整個(gè)反應(yīng)爐的設(shè)計(jì)復(fù)雜，使用復(fù)雜，難于精確控制，
而且生長(zhǎng)處理的氮化物外延膜往往需要進(jìn)一步的處理
才能進(jìn)行二次外延生長(zhǎng)氮化物結(jié)構(gòu)材料，增加了生產(chǎn)
成本，降低了生產(chǎn)效率，使得氫化物氣相外延在氮化
物器件的應(yīng)用上受到很大的限制，同時(shí)這種結(jié)構(gòu)的氫
化物氣相外延裝置很難同M0CVD直接結(jié)合來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。本發(fā)明是在獨(dú)立金屬鹵化物供應(yīng)氫化物氣相外延裝置
上進(jìn)步結(jié)合M0CVD的成熟設(shè)備來(lái)提供一種有效解決
氮化物外延生長(zhǎng)問(wèn)題的全新方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供 一 種氮化物材料外延裝
置，解決現(xiàn)有M0CVD和HVPE生長(zhǎng)氮化物外延材料存在 的問(wèn)題，比如MOCVD有無(wú)法方便得到高質(zhì)量(AlGaln) N緩沖層，從而影響氮化物器件性能的缺點(diǎn)，而氫化物 氣相外延爐有生長(zhǎng)速度太快，直接成核困難，生長(zhǎng)薄 層結(jié)構(gòu)材料困難的缺點(diǎn)。如何解決這種矛盾，人們提 出了 MOCVD和HVPE結(jié)合的氮化物外延裝置，但是由于 HVPE外延設(shè)備的不成熟，前人的方案尚不能夠完全滿
足高質(zhì)量氮化物生產(chǎn)的需求。針對(duì)氮化物在微電子、
光電子等各個(gè)領(lǐng)域的長(zhǎng)足進(jìn)展， 一種能夠?qū)崿F(xiàn)高效率
次外延高質(zhì)量氮化物結(jié)構(gòu)材料的設(shè)備是巨.、'* 目U生產(chǎn)單
位最迫切的需求
本發(fā)明提供種氮化物材料外延裝置，苴 z 、特征在
于包括-
金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，該系統(tǒng)員有獨(dú)
的金屬有機(jī)源管路和氣體源管路；
一金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源，該金屬鹵化物獨(dú)供
應(yīng)源通過(guò)閥門和管路與金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
的金屬有機(jī)源管路直接相連。
其中金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源包括
金屬鹵化物反應(yīng)爐，其內(nèi)部反應(yīng)物為金屬源；
鹵化氫或者鹵素氣體入口， 通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)和閥門連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐上；
載氣入，通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)和閥門連接到金屬
鹵化物反應(yīng)爐上
氣體出，通過(guò)閥門連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐，
同時(shí)還通過(guò)閥門直接和金屬源連通。
其中金屬源是In、Al、 Ga的一種或者幾種或及其
混合物
金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源包括
金屬鹵化物鼓泡瓶，其內(nèi)部物質(zhì)為金屬鹵化物
源
載氣入通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)和閥門連接到金嵐
鹵化物鼓泡瓶上
氣體出□，通過(guò)閥門連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐
上，同時(shí)還通過(guò)閥門直接和金屬鹵化物源連通。
中金屬鹵化物源是InCl3、 A1C13、 GaCl3的 一 種
或幾種或及其混合物。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所采取的技術(shù)措施主要為現(xiàn)有的
M0CVD設(shè)備提供獨(dú)立的金屬鹵化物供應(yīng)源，從而可以在 現(xiàn)有成熟MOCVD設(shè)備上實(shí)現(xiàn)HVPE生長(zhǎng)方式，其優(yōu)點(diǎn)在 于MOCVD可以有效的為HVPE提供成核層，為HVPE形 成高質(zhì)量(AlGaIn) N緩沖層提供條件；HVPE方法解 決了常規(guī)MOCVD方法難以高效率得到(AlGaIn) N緩沖 層的缺點(diǎn)，為生長(zhǎng)高質(zhì)量氮化物結(jié)構(gòu)材料提供更厚、
更好的緩沖層；在此高質(zhì)量緩沖層上M0CVD可以生長(zhǎng) 出高質(zhì)量的氮化物結(jié)構(gòu)材料。同時(shí)，M0CVD和HVPE的 結(jié)合也為(AlGaln)N厚膜的生長(zhǎng)提供了更多的釋放應(yīng) 力，消除裂紋的選擇。
本發(fā)明提供的 一 種氮化物材料外延裝置，包括 MOCVD設(shè)備和在其上的獨(dú)立金屬鹵化物供應(yīng)源(反應(yīng)爐 或者鼓泡瓶)。其中MOCVD為金屬鹵化物的HVPE生長(zhǎng) 提供高質(zhì)量成核層，獨(dú)立金屬鹵化物供應(yīng)源可以用于 外延得到高質(zhì)量的(AlGaln) N緩沖層，常規(guī)的MOCVD 用于在該緩沖層上生長(zhǎng)所需的氮化物器件結(jié)構(gòu)，從而 實(shí)現(xiàn)高性能氮化物外延材料的 一 次性、高效率外延。


為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容，以下結(jié)合具體實(shí)施 例及附圖對(duì)本發(fā)明作 一 詳細(xì)的描述，其中
圖1是本發(fā)明的設(shè)備裝置圖2是獨(dú)立的金屬卣化物反應(yīng)爐；
圖3是獨(dú)立的金屬鹵化物鼓泡瓶。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1 、圖2及圖3 ，本發(fā)明 一 種氮化物材
料外延裝置，包括(圖1所示)
一金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)10 ，該系統(tǒng)具 有獨(dú)立的金屬有機(jī)源管路10 1和氣體源管路i o 2 ;
—金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源1 1， 該金屬鹵化物獨(dú)
立供應(yīng)源通過(guò)閥門1 1 1和管路11 2與金屬有機(jī)源
化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)l0的金屬有機(jī)源管路101直接相連。
請(qǐng)參閱圖2，以上所述的金屬鹵化物獨(dú)供應(yīng)源
1 1包括
金屬鹵化物反應(yīng)爐2 0 ，其內(nèi)部反應(yīng)物為金屬
源2 01 ;該金屬源2 0 1是In、Al 、 Ga的種或者
幾種或其混合物
一鹵化氫或者鹵素氣體入口 21 ，通過(guò)質(zhì)量流量
計(jì)2 11和閥門2 1 2連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐20
上；
一載氣入□2 2 ，通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)2 21和閥門
2 0 2連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐20上；
氣體出□2 3 ， 通過(guò)閥門20 3連接到金屬鹵
化物反應(yīng)爐20，同時(shí)還通過(guò)閥門2 2 2直接和金屬
源2 01連通
1、主 l冃參閱圖3，是本發(fā)明的該金屬鹵化物獨(dú)、,:供應(yīng)源ll的另一技術(shù)方案，包括
一金屬鹵化物鼓泡瓶30 ，其內(nèi)部物質(zhì)為金屬鹵
化物源3 0 1;該金屬鹵化物源3 0 l是 InCl 3 、
A1C13、 GaCl3的 一 種或幾種或其混合物；
一載氣入口3 1，通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)3 1 1和閥門
30 2連接到金屬鹵化物鼓泡瓶3 0上；
一氣體出口3 2，通過(guò)閥門3 0 3連接到金屬鹵
化物反應(yīng)爐3 0上，同時(shí)還通過(guò)閥門3 1 2直接和金
屬鹵化物源3 0 1連通。
本發(fā)明的實(shí)施首先在于設(shè)計(jì)和制造一種獨(dú)、,:的金
屬鹵化物供應(yīng)源，可以通過(guò)獨(dú)立的金屬鹵化物反應(yīng)爐
提供，金屬鹵化物反應(yīng)源可以單獨(dú)作為一個(gè)源爐進(jìn)行
反應(yīng)，通過(guò)高純的鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al等不
同金屬源和鹵族氫化物包括HC1、 HBr或者HI等或者
鹵族元素如Cl2、 12等反應(yīng)生成相應(yīng)的金屬鹵化物提供
給M0CVD的外延裝置以便進(jìn)行氫化物氣相外延如圖
2是獨(dú)立的金屬鹵化物反應(yīng)爐，金屬鹵化物反應(yīng)爐2
0，其內(nèi)部反應(yīng)物為金屬源2 0 1，可以是In、 Al、 Ga等的一種或者幾種，也可以是其混合物；鹵化氫或 者鹵素氣體入口21，通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)21l和閥門 2 1 2連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐2 0上；載氣入口2 2 ，通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)2 2 1和閥門2 0 2連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐2 0上；氣體出口23，通過(guò)閥門20
3連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐2 0，同時(shí)也通過(guò)閥門2
22直接和載氣相連。通過(guò)這樣的連接方式，可以得
到GaCl、 A1C13 、Inl 3等以及其混合物，可以用于生
長(zhǎng)GaN、 A1N、 InN等以及摻雜源或者Al InGaN多元化
合物。如果載氣直接通到管路可以用于吹掃管路或者
清洗管路。
本發(fā)明的實(shí)施首先在于設(shè)計(jì)和制造一種獨(dú)一 、,:的金
屬鹵化物供應(yīng)源，也可以通過(guò)相應(yīng)的金屬卣化物鼓泡
瓶提供，其特征在于，鎵、銦、鋁等金屬的鹵化物經(jīng)
過(guò)提純以后利用鼓泡瓶在適當(dāng)溫度的恒溫槽提供給
M0CVD的外延裝置以便進(jìn)行氫化物氣相外延。圖3是獨(dú) 立的金屬鹵化物鼓泡瓶，金屬鹵化物鼓泡瓶3 0，其 內(nèi)部物質(zhì)為金屬鹵化物源3 0 1，可以是 InCl 3 、 A1C13、 GaCl3等的 一 種或者幾種，也可以是其混合物；
載氣入PI 31 ，通過(guò)質(zhì)量流i計(jì)3 11和閥門30 2
連接到金屬鹵化物鼓泡瓶30上;氣體出32， 通
過(guò)閥門3 03連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐30，同時(shí)也
通過(guò)閥門31 2直接和載氣相連。這樣同樣可以使用
MOCVD的生長(zhǎng)室得至lj GaN、 A1N、 InN以及其多元合金。 如果載氣直接通到管路可以用于吹掃管路或者清洗管 路。 使用設(shè)計(jì)的獨(dú)立鹵化物供應(yīng)源，將其連接到常規(guī) 的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的金屬有機(jī)物源管
道，可以用于在藍(lán)寶石、硅、SiC、 LiA102或其它襯底 材料實(shí)現(xiàn)HVPE的生長(zhǎng)方式，利用MOCVD生長(zhǎng)方式實(shí)現(xiàn) 高質(zhì)量的成核，使用HVPE生長(zhǎng)方式生長(zhǎng)GaN基器件結(jié) 構(gòu)的高質(zhì)量(AlGaln).N緩沖層，而常規(guī)的金屬有機(jī)物 化學(xué)氣相沉積則用來(lái)在該緩沖層上生長(zhǎng)需要的GaN基 器件結(jié)構(gòu)材料。圖l是本發(fā)明的設(shè)備裝置圖，金屬有 機(jī)源化學(xué)氣禾目沉積 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱MOCVD)系統(tǒng)1 0 ，該系統(tǒng)具有獨(dú)立 的金屬有機(jī)源管路1 0 1和氣體源如NH 3源管路1 0
2，金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源l1，該金屬鹵化物獨(dú)立 供應(yīng)源通過(guò)閥門1 1 1和管路1 1 2與 MOCVD系統(tǒng)1
O的金屬有機(jī)源管路l 0 l直接相連。這樣就可以實(shí) 現(xiàn)無(wú)縫的MOCVD和HVPE結(jié)合方式。氮化物材料外延裝 置將在常規(guī)的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)內(nèi)加入獨(dú) 立金屬鹵化物供應(yīng)源進(jìn)行氫化物氣相外延，常規(guī)的金 屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積可以為氫化物氣相外延提供更 好的成核層和高質(zhì)量的氮化物薄膜生長(zhǎng)，從而為氫化 物氣相外延生長(zhǎng)高質(zhì)量的緩沖層提供條件。氮化物材 料外延裝置將在常規(guī)的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
內(nèi)加入獨(dú)金屬鹵化物供應(yīng)源進(jìn)行氫化物氣相外延，
常規(guī)的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積可以為氫化物氣相外
延提供應(yīng)力釋放層，從而為氫化物氣相外延生長(zhǎng)低應(yīng)
力甚至無(wú)應(yīng)力的厚膜氮化物層提供條件。氮化物材料
外延裝置將在常規(guī)的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)內(nèi)
加入獨(dú)金屬鹵化物供應(yīng)源進(jìn)行氫化物氣相外延，氫
化物氣相外延高速生長(zhǎng)可以更好的用于進(jìn)行氮化物在
圖形襯底上的橫向生長(zhǎng)，為進(jìn)一步提高氮化物質(zhì)量和
緩解氮化物厚膜的應(yīng)力提供條件。
獨(dú)金屬鹵化物反應(yīng)爐可以使用不同的材料比如
石英或者金屬，可以選擇合適的加熱器比如電阻或者
射頻感應(yīng)加扭，將載有高純金屬鎵(Ga)、銦'(In)、
鋁(Al)等的容器放置于爐內(nèi)，通入鹵族氫化物如HC1、HBr或者HI甚至鹵族元素如Cl2、 Br2或者12等在適當(dāng) 的溫度下反應(yīng)生成需要的金屬鹵化物如GaCl、 A1C1: 或者"13等。反應(yīng)氣體可以直接和載氣混合后進(jìn)入 M0CVD中進(jìn)行氮化物材料的高速生長(zhǎng)，從而適合應(yīng)用于 高質(zhì)量(AlGaln) N緩沖層的高效率生長(zhǎng)。
獨(dú)立金屬鹵化物鼓泡瓶使用高純的金屬齒化物如 GaCl3、 AlCls或者Inl3等放置到適當(dāng)?shù)拿荛]容器內(nèi)， 該容器通過(guò)合適的物質(zhì)實(shí)施水浴溫控，通過(guò)調(diào)節(jié)容器 的溫度來(lái)得到合適的蒸汽壓下，并通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)精
確控制氣體的流量，和載氣混合后進(jìn)入M0CVD中進(jìn)行
氮化物材料的高速生長(zhǎng)，從而適合應(yīng)用于高質(zhì)量
(AlGaln) N緩沖層的高效率生長(zhǎng)。
獨(dú)立的金屬鹵化物供應(yīng)源和M0CVD的金屬有機(jī)源 氣路連接在一起，可以通過(guò)在MOCVD的控制面板中加 入必要的控制元件進(jìn)行控制，實(shí)現(xiàn)HVPE生長(zhǎng)方式和 MOCVD生長(zhǎng)方式的方便切換。
以生長(zhǎng)藍(lán)寶石上的GaN基LED材料為例，本發(fā)明 的生長(zhǎng)工藝流程是首先是襯底的預(yù)處理，使用MOCVD 方式生長(zhǎng)低溫緩沖層，生長(zhǎng)一定厚度的GaN緩沖層； 然后停止供應(yīng)有機(jī)源，切換到獨(dú)立金屬鹵化物供應(yīng)源 實(shí)現(xiàn)HVPE生長(zhǎng)方式，生長(zhǎng)2 Opm甚至更厚的GaN，以
得到更低缺陷密度的高質(zhì)量緩沖層；關(guān)閉金屬鹵化物 供應(yīng)源，切換到MOCVD生長(zhǎng)模式，需要時(shí)可以通過(guò)額 外的HCl管路清洗管道和噴頭以便MOCVD生長(zhǎng)的進(jìn)行， 控制MOCVD生長(zhǎng)出需要的LED器件結(jié)構(gòu)。
根據(jù)以上描述，本發(fā)明在常規(guī)MOCVD中加入獨(dú)立 金屬鹵化物供應(yīng)源，從而區(qū)別于已有的MOCVD ，以及前 人的HVPE與MOCVD集成設(shè)備。采用如上具有獨(dú)立金屬 鹵化物供應(yīng)源的MOCVD可以解決現(xiàn)有MOCVD高效率生 長(zhǎng)高質(zhì)量(AlGaln) N緩沖層的困難和HVPE成核質(zhì)量 低的問(wèn)題，同時(shí)結(jié)合MOCVD的成熟設(shè)備和工藝，為一
次外延實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量氮化物材料的高效率生長(zhǎng)，提供了 一條可行的解決方案。
權(quán)利要求
1.一種氮化物材料外延裝置，其特征在于，包括一金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有獨(dú)立的金屬有機(jī)源管路和氣體源管路；一金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源，該金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源通過(guò)閥門和管路與金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的金屬有機(jī)源管路直接相連。
2 .根據(jù)權(quán)利要求1所述的 一 種氮化物材料外延 裝置，其特征在于，其中金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源包括一金屬鹵化物反應(yīng)爐，其內(nèi)部反應(yīng)物為金屬源；一鹵化氫或者鹵素氣體入口，通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)和 閥門連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐上；一載氣入口 ，通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)和閥門連接到金屬 鹵化物反應(yīng)爐上；一氣體出口 ，通過(guò)閥門連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐， 同時(shí)還通過(guò)閥門直接和金屬源連通。
3 .根據(jù)權(quán)利要求2所述的 一 種氮化物材料外延 裝置，其特征在于，其中金屬源是In、 Al、 Ga的一種或者幾種或其混合物.4根據(jù)權(quán)利要求1所述的 一 種氮化物材料外延裝置,其特征在于，其金屬卣化物獨(dú)立供應(yīng)源包括一金屬鹵化物鼓泡瓶，其內(nèi)部物質(zhì)為金屬鹵化諷載氣入□，通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)和閥門連接到金屬鹵化物鼓泡瓶上；氣體出□，通過(guò)闊門連接到金屬鹵化物反應(yīng)爐上，同時(shí)還通過(guò)閥門直接和金屬鹵化物源連通。5根據(jù)權(quán)利要求4所述的 一 種氮化物材料外延裝置，其特征在于，其中金屬鹵化物源是InCl3、AlCl GaCl3的 一 種或幾種或其混合物。
全文摘要
本發(fā)明一種氮化物材料外延裝置，其特征在于，包括一金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有獨(dú)立的金屬有機(jī)源管路和氣體源管路；一金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源，該金屬鹵化物獨(dú)立供應(yīng)源通過(guò)閥門和管路與金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的金屬有機(jī)源管路直接相連。
文檔編號(hào)C30B25/14GK101343777SQ20071011863
公開日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2007年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月11日
發(fā)明者曾一平, 李晉閩, 段瑞飛, 王軍喜 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所