專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光元件以及利用此的發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于涉及一種發(fā)光器件的技術(shù)領(lǐng)域，其中該發(fā)光器件在其襯底上設(shè)置有由陽(yáng)極、陰極、以及夾在該陽(yáng)極和陰極之間的根據(jù)被稱(chēng)為場(chǎng)致發(fā)光(Electroluminescence，下文中稱(chēng)為‘EL’)現(xiàn)象來(lái)發(fā)光的薄膜構(gòu)成的元件。
背景技術(shù)：
EL元件是在陽(yáng)極和陰極之間形成包含有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的薄膜或結(jié)晶，通過(guò)通電到陽(yáng)極和陰極之間來(lái)獲取發(fā)光的元件。近年來(lái)，尤其積極地開(kāi)發(fā)將以有機(jī)化合物為主要結(jié)構(gòu)成分的薄膜(下文中稱(chēng)為有機(jī)薄膜)設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的EL元件，即有機(jī)EL元件。
有機(jī)EL元件被期待著應(yīng)用于各種各樣的領(lǐng)域，其用途從簡(jiǎn)單的照明器件到手機(jī)或個(gè)人計(jì)算機(jī)的顯示器等。甚至一部分被實(shí)際應(yīng)用于車(chē)載型顯示器或小型電器的顯示部分等。
然而，無(wú)論任何用途，有機(jī)EL元件依然存在著幾個(gè)問(wèn)題。其中一個(gè)是起因于制造步驟的顯示不良。以下參照?qǐng)D1A具體地描述。有機(jī)EL元件是將包含有機(jī)化合物的薄膜設(shè)置在兩個(gè)電極之間的器件，其通過(guò)使電子從一方電極注入、并使空穴從另一方的電極注入來(lái)驅(qū)動(dòng)。然后，空穴和電子在薄膜中重新結(jié)合，從而形成執(zhí)行發(fā)光的化合物、即發(fā)光體的激發(fā)態(tài)。當(dāng)該激發(fā)態(tài)經(jīng)過(guò)輻射步驟回到基態(tài)時(shí)可以獲取發(fā)光。也就是說(shuō)，有機(jī)EL元件是只有當(dāng)電流流過(guò)時(shí)才驅(qū)動(dòng)的發(fā)光元件。因此，當(dāng)電流不流到像素、或者因兩個(gè)電極短路而使均勻的電流流不到像素時(shí)，就不能獲取作為元件的發(fā)光。
尤其是電極之間的短路是個(gè)大問(wèn)題。一般來(lái)說(shuō)，該短路被認(rèn)為有幾個(gè)原因，其中主要原因是由膜中材料的結(jié)晶化以及電極表面的凹凸，即電極表面上的表面粗糙引起的電場(chǎng)集中。前者的原因通過(guò)選擇不易結(jié)晶化的材料可以得到解決，但是后者的原因由于起因于制造步驟所以不能只通過(guò)在材料上下功夫來(lái)解決。例如，在制造襯底的步驟中產(chǎn)生微小的塵粒，并在該塵粒附著的情況下形成第一電極時(shí)(圖1B)，該電極上產(chǎn)生突出部分。在具有這樣粗糙表面的像素電極上形成EL元件的情況下，電場(chǎng)集中到該突出部分而不能使發(fā)光所需要的電流流到其他區(qū)域，從而使像素的發(fā)光產(chǎn)生斑點(diǎn)。而且，如果電場(chǎng)集中進(jìn)一步發(fā)展下去，就會(huì)導(dǎo)致元件被破壞，從而使兩個(gè)電極之間發(fā)生短路。結(jié)果，該像素在大部分的區(qū)域不能發(fā)光。
當(dāng)例如將有機(jī)EL元件應(yīng)用于高精度的顯示器時(shí)，在單純矩陣型(下文中稱(chēng)為無(wú)源矩陣)或有源矩陣型的任一個(gè)襯底上的每個(gè)像素中制造EL元件。通過(guò)由外部電路控制流到各個(gè)像素的電流，可以進(jìn)行顯示。此時(shí)，如起因于上述步驟的問(wèn)題引起像素短路，則該像素在屏幕上被識(shí)別為黑點(diǎn)(下文中稱(chēng)為暗點(diǎn))，從而使顯示質(zhì)量大幅度降低。
當(dāng)有機(jī)EL元件被應(yīng)用于照明時(shí)，由于制造襯底的步驟比較簡(jiǎn)單，所以可以相對(duì)容易地去除在制造步驟中產(chǎn)生的塵粒。然而，當(dāng)有機(jī)EL元件被應(yīng)用于顯示器時(shí)，由于制造有源矩陣型襯底的步驟非常復(fù)雜，所以完全去除在制造步驟中產(chǎn)生的微小塵粒是很不容易的。尤其是，隨著面板的大型化，微少量的塵粒給成品率帶來(lái)很大的影響，因此，開(kāi)發(fā)形成不受起因于塵粒的像素電極的表面粗糙影響的EL元件的方法成為當(dāng)務(wù)之急的課題。
在圖2A所示的常規(guī)型的像素結(jié)構(gòu)上，參考數(shù)字201表示數(shù)據(jù)信號(hào)線，202表示柵信號(hào)線，203表示電源線，204表示開(kāi)關(guān)TFT，205表示電容器，206表示驅(qū)動(dòng)TFT，207表示驅(qū)動(dòng)TFT的漏電極，208表示與驅(qū)動(dòng)TFT的漏電極連接的像素電極，該像素電極208用作發(fā)光元件的陽(yáng)極。
圖2B表示此時(shí)的沿線A-A’切割的剖面的圖。另外，設(shè)置以網(wǎng)絡(luò)狀被圖案化的絕緣體209，其覆蓋與驅(qū)動(dòng)TFT 206連接形成的像素電極208的邊緣部分，并至少覆蓋驅(qū)動(dòng)TFT 206和開(kāi)關(guān)TFT 204。
在圖2A和2B中，在像素電極之下不存在塵粒，從而可以提供具有高平坦性的像素電極208。因此，在像素電極208上形成的發(fā)光層211a至211c并不需要被形成為厚度厚的膜。此時(shí)發(fā)光層的厚度一般為10nm至40nm，即使厚也在100nm左右。在其上形成陰極212。
另一方面，圖3A表示在像素電極之下存在著的起因于制造步驟的塵粒使像素電極失去平坦性時(shí)的模式圖。在圖3A中，參考數(shù)字300表示襯底，301a至301c表示像素電極，圖3A模式地表示出在像素電極301a之下存在著起因于制造步驟的塵粒302的情況。由于不能完全去除塵粒302，所以在該像素部分形成的像素電極301a沒(méi)有平坦性，形成有很大的突出部分。
一般來(lái)說(shuō)，EL元件的膜厚為0.1μm至0.2μm，即使厚也在0.5μm左右。因此，在通過(guò)一般方法在具有突出部分的陽(yáng)極上制作EL元件的情況下，如圖3B所示，在像素電極301b和301c上形成具有高平坦性的發(fā)光層303b和303c，而在像素電極301a上形成的發(fā)光層303a沒(méi)有平坦性，形成有很大的突出部分。在如此形成的發(fā)光層上進(jìn)一步形成陰極304。如在各個(gè)像素中通流電流，從像素電極301b和301c存在的發(fā)光區(qū)域中可以取得發(fā)光，但是在像素電極301a存在的區(qū)域中，在突出部分容易發(fā)生電場(chǎng)集中，這樣的像素的可靠性明顯降低，實(shí)際上，不能從該像素獲取發(fā)光。也就是說(shuō)，該像素區(qū)域成為暗點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供降低起因于塵粒等的缺陷的發(fā)光元件以及其制造方法。
本發(fā)明的一種發(fā)光元件包括，在第一電極和第二電極之間的與所述第一電極連接而設(shè)置的第一層、以及與所述第一層連接而設(shè)置的第二層，并且在第二層和第二電極之間有發(fā)光層。關(guān)于第一電極、第二電極、第一層、第二層和發(fā)光層的順序，按第一層、第二層的順序?qū)盈B形成。在此，第一層包含有機(jī)化合物，并優(yōu)選是具有導(dǎo)電性的有機(jī)化合物。另外，第二層包含無(wú)機(jī)化合物，并優(yōu)選是具有空穴傳輸性能的無(wú)機(jī)化合物。
本發(fā)明的制造發(fā)光元件的方法之一包括以下步驟，即形成第一電極后，在該第一電極上形成第一層，然后在與所述第一電極重疊的所述第一層上選擇性地形成第二層。而且，以第二層為掩模蝕刻第一層。在此，第一層包含有機(jī)化合物，并優(yōu)選是具有導(dǎo)電性的有機(jī)化合物。另外，第二層包含無(wú)機(jī)化合物，并優(yōu)選是具有空穴傳輸性能的無(wú)機(jī)化合物。
通過(guò)將具有高導(dǎo)電性的材料淀積為厚度厚的膜，能夠大幅度地減緩像素電極的表面粗糙，從而可在平坦的表面上形成有機(jī)層。因此，能夠抑制部分性的電場(chǎng)集中，結(jié)果是能夠防止產(chǎn)生被識(shí)別為暗點(diǎn)的像素缺陷。
另外，通過(guò)在像素部分形成具有耐蝕刻性、載流子傳輸性能、且較佳的是具有空穴傳輸性能的保護(hù)膜之后進(jìn)行蝕刻，可以不蝕刻像素部分而選擇性地僅去除在絕緣體上形成的導(dǎo)電膜。不需要去除該保護(hù)膜，因?yàn)樵摫Ｗo(hù)膜用作對(duì)于發(fā)光層的載流子注入層或載流子傳輸層、更具體地是空穴注入層或空穴傳輸層。因此，在該保護(hù)膜上形成發(fā)光層就可以制造EL元件，并且可以抑制發(fā)生暗點(diǎn)和串?dāng)_現(xiàn)象，而不引起步驟的復(fù)雜化。


圖1A至1E是描述本發(fā)明發(fā)光器件的制造方法的附圖。
圖2A和2B是描述利用常規(guī)技術(shù)的發(fā)光元件的附圖。
圖3A和3B是描述利用常規(guī)技術(shù)的發(fā)光元件的附圖。
圖4是描述利用本發(fā)明的發(fā)光器件的附圖。
圖5是描述包含在利用本發(fā)明的發(fā)光器件中的電路的附圖。
圖6是利用本發(fā)明的發(fā)光器件的俯視圖。
圖7是描述利用本發(fā)明的發(fā)光器件的幀操作的附圖。
圖8A至8C是利用本發(fā)明的電子器件的附圖。
圖9是描述在一個(gè)水平周期內(nèi)同時(shí)選擇多個(gè)柵信號(hào)線的方法的附圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中將描述本發(fā)明的實(shí)施方式。本發(fā)明可以用許多不同的模式來(lái)實(shí)現(xiàn)。在不背離本發(fā)明的目的和范圍的情況下，可用各種方法來(lái)修改在本文揭示的實(shí)施方式和細(xì)節(jié)，這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見(jiàn)的。因此，不應(yīng)把本發(fā)明解釋為受將在下面給出的實(shí)施方式描述的限制。
實(shí)施方式1在圖1A-1E中，描述在提供有為了進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)的電路的襯底上形成EL元件的情況，但是本發(fā)明不受襯底的形態(tài)局限，也可以使用提供有為了進(jìn)行無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)的電路的襯底或只包含單獨(dú)像素的襯底。
首先，由于有機(jī)EL元件有必要獲取發(fā)光，因此需要使陽(yáng)極和陰極中至少一個(gè)是透明的。將在下文中說(shuō)明在襯底上形成透明陽(yáng)極，從而從陽(yáng)極一側(cè)獲取發(fā)光的發(fā)光元件。然而，本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)，也適用于例如只使陰極為透明的結(jié)構(gòu)，或使陰極和陽(yáng)極都為透明來(lái)從元件的上面和下面獲取發(fā)光的結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，將說(shuō)明本發(fā)明的發(fā)光元件。注意，在圖1A中，參考數(shù)字412是襯底，其具有包含晶體管410等且進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)的電路。晶體管410通過(guò)連接部分411與發(fā)光元件的第一電極400電連接。襯底412可以利用玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底或其他透光性襯底。
在本發(fā)明中，首先，在暴露于有開(kāi)口部分的絕緣層402的第一電極400上用導(dǎo)電性能良好的材料形成厚導(dǎo)電層401(圖1B)。形成的導(dǎo)電層401的厚度優(yōu)選是0.1μm-2μm，更優(yōu)選是0.2μm-1.5μm。
在此可使用的導(dǎo)電性材料大致分為高分子材料和低分子材料。導(dǎo)電性能良好的高分子材料的優(yōu)選例子包括摻雜樟腦磺酸(camphorsulfonic acid)、甲苯磺酸(toluenesul fonic acid)、或聚(苯乙烯磺酸)等的聚苯胺(polyaniline)衍生物或聚塞吩(polythiophene)衍生物等。尤其是，聚塞吩衍生物的聚(3，4-二氧基噻吩)是優(yōu)選的，這是因?yàn)槠浜艿偷难趸娢皇箍昭ㄈ菀鬃⑷?，有即使形成厚膜也有幾乎不提高?qū)動(dòng)電壓的優(yōu)點(diǎn)。這些高分子材料不能通過(guò)蒸發(fā)淀積等的干式方法來(lái)淀積，因此利用諸如旋涂法或噴霧法等的濕式方法。
作為低分子導(dǎo)電性材料，優(yōu)選使用供體化合物和受體化合物的混合物。通過(guò)共蒸發(fā)方法淀積該兩種化合物?；蛘呖梢酝ㄟ^(guò)濕式方法用混合溶液進(jìn)行淀積。供體化合物優(yōu)選利用含硫化合物如四硫富瓦烯，或芳香胺化合物。另一方面，受體化合物優(yōu)選用具有吸電子基的化合物如四氰基醌二甲烷，更優(yōu)選醌衍生物。
然而，優(yōu)選的是，通過(guò)濕式方法用高分子材料來(lái)形成導(dǎo)電層401。其原因如下。當(dāng)通過(guò)濕式方法淀積低分子化合物時(shí)，在大多數(shù)情況下容易引起凝集和晶化，因此很難形成非晶性膜。從而，優(yōu)選用干式方法如真空蒸發(fā)淀積法等。但是，通過(guò)蒸發(fā)淀積方法形成微米級(jí)的薄膜原本是非常困難的。與此相反，高分子材料雖然不能用干式淀積，但通過(guò)利用濕式方法可以容易形成具有非晶性均勻的層，并且容易控制厚度。由于上述原因，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，優(yōu)選通過(guò)濕式方法將高分子材料淀積為厚膜。
另外，第一電極400優(yōu)選利用對(duì)可見(jiàn)光透明的導(dǎo)電膜，以便透過(guò)從發(fā)光體發(fā)出的光。優(yōu)選的是，采用氧化物導(dǎo)電膜諸如ITO(氧化銦和氧化錫的化合物)或氧化銦和氧化鋅的化合物。通常上述金屬氧化物導(dǎo)電膜由濺射法來(lái)形成，也可以應(yīng)用溶膠-凝膠方法等而形成。另外，作為金屬氧化物之外的材料，可以使用功函數(shù)大的金屬如金。但是，在此情況下，考慮到光透過(guò)性能，形成超薄薄膜。
接下來(lái)，在像素部分形成導(dǎo)電層401。在本發(fā)明中，當(dāng)將厚度厚的導(dǎo)電膜形成在襯底上時(shí)，有可能在圖案化成網(wǎng)格并覆蓋驅(qū)動(dòng)TFT和開(kāi)關(guān)TFT的絕緣層402之上也形成導(dǎo)電層401。尤其是，當(dāng)通過(guò)濕式方法如旋涂法或噴霧法形成導(dǎo)電層401時(shí)，有可能在絕緣層402上也淀積該導(dǎo)電層。為了抑制像素之間的串?dāng)_，優(yōu)選通過(guò)蝕刻處理去除涂敷在絕緣體上的導(dǎo)電膜。然而，需要防止因蝕刻處理而去除與第一電極400重疊的導(dǎo)電層401。于是首先在像素上提供用作對(duì)抗蝕刻的保護(hù)層403，其包含具有耐蝕刻性能且具有載流子傳輸性能，并優(yōu)選有空穴傳輸性能的無(wú)機(jī)化合物(圖1C)。在此情況下，優(yōu)選通過(guò)蒸發(fā)淀積法用遮擋掩模等在與第一電極400重疊的部分上選擇性地形成保護(hù)層403。此外，通過(guò)使用蒸發(fā)淀積法能夠防止導(dǎo)電層401的損傷。保護(hù)層403的具體例子包括過(guò)渡金屬氧化物諸如氧化鈷、氧化鈦、氧化鈮、氧化鎳、氧化釹、氧化鋇、氧化鉬、氧化鑭、氧化釕、氧化錸等?；蛘?，可以使用各種含有金屬的化合物。例如，可以使用歸屬于元素周期表的從第4族到第7族的過(guò)渡金屬的氧化物、氮化物或者鹵化物。這些金屬的氧化物、氮化物或鹵化物等被預(yù)計(jì)具有比有機(jī)化合物更高的耐蝕刻性，從而在進(jìn)行后面所描述的蝕刻處理之后，該保護(hù)層還存在于像素部分。由于該保護(hù)層具有載流子傳輸性能，尤其具有空穴傳輸性能，所以來(lái)自導(dǎo)電膜的載流子注入到該保護(hù)層中，并且能夠?qū)⑤d流子、特別是空穴注入到形成在該保護(hù)層上的發(fā)光層。
注意，通過(guò)使用所述過(guò)渡金屬的氧化物、氮化物或鹵化物中的一種材料也可以注入空穴，因?yàn)?，在該材料與發(fā)光層連接的界面中產(chǎn)生電子遷移反應(yīng)而形成所謂電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物。因此，可以給所述材料摻雜適當(dāng)?shù)墓w，以積極形成電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物。作為供體包括過(guò)剩電子型的有機(jī)化合物，諸如四硫富瓦烯和咔唑衍生物等。另外，優(yōu)選用分類(lèi)到有機(jī)EL元件的所謂空穴傳輸材料或空穴注入材料的芳香胺化合物類(lèi)。具體包括4，4’-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(TPD)，4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(NPB)等。
如上所述，在形成保護(hù)層403之后，以保護(hù)層403為掩模執(zhí)行蝕刻，去除形成在絕緣層402上的導(dǎo)電層401。蝕刻方法粗略地分類(lèi)為干式蝕刻和濕式蝕刻，該兩種方法都可以被采用(圖1D)。在此，優(yōu)選被蝕刻了的導(dǎo)電層401覆蓋絕緣層402的邊緣。
如此這樣，選擇性地在像素部分形成導(dǎo)電層401和可傳輸載流子的保護(hù)層403。接著，在保護(hù)層403上形成發(fā)光層404(圖1E)。該發(fā)光層404主要由有機(jī)化合物形成，也可以用單一組成的薄膜而形成。例如，可以使用典型金屬絡(luò)合物如三(8-喹啉醇合)鋁(以下稱(chēng)Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉醇合)鋁(以下稱(chēng)Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]-喹啉醇合)鈹(以下稱(chēng)BeBq2)、雙(2-甲基-8-喹啉醇合)-(4-羥基-聯(lián)苯基)-鋁(以下稱(chēng)BAlq)、雙[2-(2-羥苯基)-苯并噁唑醇合]鋅(以下稱(chēng) Zn(BOX)2)、和雙[2-(2-羥苯基)-苯并噻唑醇合]鋅(以下稱(chēng)Zn(BTZ)2)等。另外，也適宜采用含有碳化氫的化合物如9，10-diphenylanthracene、4，4’-二(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯。
發(fā)光層404可采用多種材料的混合層。通過(guò)將少量熒光顏料或磷光顏料(以下稱(chēng)作摻雜物(dopant))加入到上述發(fā)光體中，能夠提高發(fā)光效率。作為熒光材料包括香豆素衍生物、二氫喹吖啶二酮衍生物、吖啶酮衍生物、芘衍生物、苝衍生物、蒽衍生物、吡降衍生物等。作為磷光顏色，可舉出包括三(2-苯基吡啶)銥(以下稱(chēng)作Ir(ppy)3)、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H卟啉鉑(以下稱(chēng)作PtOEP)等的三重發(fā)光材料、和Ir、Ru、Rh、Pt或稀土金屬等的過(guò)渡金屬絡(luò)合物。
另一方面，發(fā)光層404可以采用疊層結(jié)構(gòu)的膜。如果所述單一組成的發(fā)光層或混合發(fā)光層難以控制電子和空穴的注入平衡，為了改善這種情況，可通過(guò)層疊多種材料以改善發(fā)光效率。例如，除了由上述單一組成或混合組成的發(fā)光層之外，優(yōu)選提供用來(lái)將被注入的空穴高效地運(yùn)輸?shù)桨l(fā)光層的空穴傳輸層、以及用來(lái)將被注入的電子高效地運(yùn)輸?shù)桨l(fā)光層的電子傳輸層。適合于空穴傳輸層的材料是含有芳香胺(即，具有苯環(huán)-氮的結(jié)合)的化合物。廣泛使用的材料包括，TPD、其衍生物的NPB、星形芳族胺化合物，諸如4，4’，4”-三(N，N-聯(lián)苯-氨基)-三苯基胺、以及4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯基胺。適合于電子傳輸層的材料是上述典型金屬化合物，此外可以使用三唑衍生物，如3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑，以及菲咯啉衍生物，如紅菲繞啉和浴銅靈。
除了真空蒸發(fā)淀積法之外，可以采用旋涂法、浸涂法、噴霧法等的所謂濕式方法作為該發(fā)光層404的淀積方法。
另外，以少量混合到空穴傳輸層或電子傳輸層中的所述摻雜物不限于一種，可以同時(shí)使用兩種或更多種的摻雜物。例如，通過(guò)采用其發(fā)光顏色彼此屬于輔助關(guān)系的兩種摻雜物，可以獲取白色發(fā)光。
并且，通過(guò)在經(jīng)過(guò)上述步驟形成的發(fā)光層404上形成促進(jìn)電子注入的層，可以在更低電壓下驅(qū)動(dòng)EL。適合于電子注入層的材料包括，功函數(shù)低的金屬和該金屬的化合物，比如，Mg-Ag合金、Al-Li合金、Mg-Li合金、Ca3N2、Mg3N2等。還可舉出上述金屬之外的將供體摻雜到有機(jī)半導(dǎo)體中的材料。該有機(jī)半導(dǎo)體優(yōu)選用具有受體性的化合物，即可以使用經(jīng)常利用于發(fā)光元件中的電子傳輸性能材料。例如，包括比如以Alq為代表的典型金屬絡(luò)合物、菲咯啉衍生物、三嗪衍生物、惡唑衍生物、喹啉衍生物、喹惡啉衍生物等。此外，優(yōu)選使用電子受體性化合物，如四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、四氯醌等。作為其他例子包括縮合芳族碳化氫，諸如紅熒烯(rubrene)和苝衍生物。另外，可以使用導(dǎo)電性材料如石墨。也可以使用共軛高分子，諸如聚亞苯基亞乙烯基(polyphenylene vinylene)、聚亞苯基乙炔撐(polyphenylene ethynylene)、聚吡啶(polypyridine)。作為摻雜到有機(jī)半導(dǎo)體中的供體，優(yōu)選用功函數(shù)小的金屬，如堿金屬、堿土金屬?；蛘咭部梢允褂眠^(guò)剩電子型有機(jī)化合物如四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene)等。注意，有機(jī)半導(dǎo)體必須具有極強(qiáng)的受體性。這是因?yàn)?，過(guò)剩電子型有機(jī)化合物的供體性能比堿金屬和堿土金屬更低。作為有機(jī)半導(dǎo)體之外的例子，優(yōu)選使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、以及具有該金屬的化合物。具體來(lái)說(shuō)，可以包括氟化鈣、氧化鋰、氯化鋰、氟化鋰、氟化鎂、氧化鋇等。
在發(fā)光層404之上形成第二電極405(圖1E)。第二電極405可以使用功函數(shù)低的金屬以及該金屬的化合物，例如，Mg-Ag合金、Al-Li合金、Mg-Li合金等。注意，在使用電子注入層時(shí)，由于電子注入能壘被降低，所以可以使用功函數(shù)小的金屬Al。
在根據(jù)上述步驟形成的元件中，通過(guò)在像素電極之間通上電流，電子從第二電極405注入到發(fā)光層404，并空穴從第一電極400注入到發(fā)光層404，從而獲取發(fā)光。而且，由于厚度厚的導(dǎo)電膜可以消除因在制造襯底的步驟中混進(jìn)的塵粒而產(chǎn)生的陽(yáng)極表面粗糙度，所以可以從整個(gè)像素獲取均勻的發(fā)光來(lái)抑制產(chǎn)生暗點(diǎn)。
實(shí)施方式2由于本發(fā)明的發(fā)光元件很少有起因于塵粒等的不良，所以通過(guò)將本發(fā)明的發(fā)光元件用于像素等而可以得到的發(fā)光器件沒(méi)有起因于發(fā)光元件的缺陷的顯示不良等。
在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D4-7描述包含本發(fā)明的發(fā)光元件、并具有顯示功能的發(fā)光器件的電路構(gòu)造及其驅(qū)動(dòng)方法。
圖4是采用本發(fā)明的發(fā)光器件的模式的俯視圖。在圖4中，襯底6500上提供有像素部分6511、源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6512、用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513、用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6514。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6512、用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513以及用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6514分別通過(guò)一組布線連接至作為外部輸入端口的FPC(柔性印刷電路)6503。此外，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6512、用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513以及用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6514分別從FPC 6503接收信號(hào)，例如視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、起始信號(hào)和復(fù)位信號(hào)等。另外，印刷線路板(PWB)6504安裝于FPC 6503。應(yīng)當(dāng)注意，并不需要如上所述那樣在與像素部分6511的同一襯底上提供所述驅(qū)動(dòng)電路部分。例如，通過(guò)采用在形成有布線圖案的FPC上安裝有IC芯片的TCP等，所述驅(qū)動(dòng)電路部分可以提供在所述襯底之外部。
在像素部分6511中，多個(gè)沿列延伸的源信號(hào)線按行排列，電流供應(yīng)線按行排列。此外，在像素部分6511中，多個(gè)沿行延伸的柵信號(hào)線按列排列，并且還排列了多個(gè)包括發(fā)光元件的像素電路。
圖5表示為了操作一個(gè)像素的電路。圖5所示的電路包括第一晶體管901、第二晶體管902以及發(fā)光元件903。
第一晶體管901和第二晶體管902都是三端元件，其中每個(gè)包括柵電極、漏區(qū)、源區(qū)，并且漏區(qū)和源區(qū)之間具有溝道區(qū)。在此，由于源區(qū)和漏區(qū)根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)或操作條件相互轉(zhuǎn)換，因而很難確定哪個(gè)是源區(qū)，哪個(gè)是漏區(qū)。因此，在本實(shí)施方式中用作源區(qū)或漏區(qū)的區(qū)域被分別稱(chēng)為第一電極和第二電極。
提供通過(guò)開(kāi)關(guān)918電連接或斷開(kāi)連接的柵信號(hào)線911和用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913。提供通過(guò)開(kāi)關(guān)919電連接或斷開(kāi)連接的柵信號(hào)線911和用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914。提供通過(guò)開(kāi)關(guān)920電連接到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915或電源916的任一個(gè)的源信號(hào)線912。此外，第一晶體管901具有與柵信號(hào)線911電連接的柵，與源信號(hào)線912電連接的第一電極，以及與第二晶體管902的柵電極電連接的第二電極。第二晶體管902具有與電流供應(yīng)線917電連接的第一電極，以及與發(fā)光元件903中所包括的一個(gè)電極電連接的第二電極。應(yīng)當(dāng)注意，開(kāi)關(guān)918可以包括在用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913中，開(kāi)關(guān)919可以包括在用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914中，開(kāi)關(guān)920可以包括在源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915中。
另外，關(guān)于在像素部分中的晶體管、發(fā)光元件等的布置沒(méi)有特別的限制，例如，可以采用圖6的俯視圖所示的布置。在圖6中，第一晶體管1001具有連接至源信號(hào)線1004的第一電極，以及連接至第二晶體管1002的柵電極的第二電極。此外，第二晶體管1002具有連接至電流供應(yīng)線1005的第一電極和連接至發(fā)光元件的電極1006的第二電極。一部分柵信號(hào)線1003用作第一晶體管1001的柵電極。
接下來(lái)，描述一種驅(qū)動(dòng)方法。圖7描述了伴隨時(shí)間推移的幀的操作。圖7中，橫軸表示時(shí)間的推移，縱軸表示柵信號(hào)線的掃描序數(shù)。
當(dāng)使用本發(fā)明的發(fā)光器件進(jìn)行顯示圖像時(shí)，在顯示期間內(nèi)，重復(fù)圖像的改寫(xiě)操作和圖像的顯示操作。盡管關(guān)于改寫(xiě)的次數(shù)沒(méi)有特別的限制，但是改寫(xiě)的次數(shù)至少優(yōu)選為每秒大約60次，以使在看圖像時(shí)看不到閃爍。在此，將進(jìn)行一個(gè)屏面(一幀)內(nèi)的改寫(xiě)操作和顯示操作的周期稱(chēng)為一幀周期。
如圖7所示，一個(gè)幀周期分為(周期分割)四個(gè)亞幀周期501，502，503和504，每個(gè)分別包括寫(xiě)入周期501a、502a、503a、504a以及保留周期501b，502b，503b和504b。在保留周期中，接受發(fā)光信號(hào)的發(fā)光元件處于發(fā)光狀態(tài)。每個(gè)亞幀周期的保留周期長(zhǎng)度之比為第一亞幀周期501∶第二亞幀周期502∶第三亞幀周期503∶第四亞幀周期504＝23∶22∶21∶20＝8∶4∶2∶1。據(jù)此可進(jìn)行4位等級(jí)的顯示。然而，所述位數(shù)和等級(jí)并不限于本文所述。例如，可以采用8個(gè)亞幀周期，從而執(zhí)行8位等級(jí)的顯示。
以下描述在一個(gè)幀周期內(nèi)的操作。首先，在亞幀周期501中，從第一行至最后一行按順序進(jìn)行寫(xiě)入操作。因此，根據(jù)所述行，寫(xiě)入周期501a的開(kāi)始時(shí)間是不同的。當(dāng)寫(xiě)入周期501a結(jié)束時(shí)，所述行按結(jié)束順序進(jìn)入保留周期501b。在保留周期501b中，接受為發(fā)光的信號(hào)的發(fā)光元件處于發(fā)光狀態(tài)。然后，當(dāng)所述保留周期501b結(jié)束時(shí)，按所述行結(jié)束順序移動(dòng)至下一亞幀周期502中，并如在亞幀周期501中一樣，按從第一行至最后一行的順序進(jìn)行寫(xiě)入操作。重復(fù)上述操作直到完成亞幀周期504的保留周期504b。當(dāng)在亞幀周期504的操作結(jié)束時(shí)，移動(dòng)到下一幀。因此，在每個(gè)亞幀周期中發(fā)光的總時(shí)間為在一個(gè)幀周期中的每個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間。通過(guò)相對(duì)于每個(gè)發(fā)光元件改變所述發(fā)光時(shí)間而在一個(gè)像素中各樣地組合起來(lái)，則可以得到具有各種不同亮度和色度的顯示顏色。
如在亞幀周期504中一樣，當(dāng)?shù)阶詈笠恍械膶?xiě)入結(jié)束之前需要強(qiáng)制終止其中已經(jīng)完成寫(xiě)入并且進(jìn)入保留周期的行的保留周期時(shí)，優(yōu)選在保留周期504b之后提供擦除周期504c，并迫使其行處于不發(fā)光狀態(tài)地進(jìn)行控制。進(jìn)一步，被強(qiáng)制地處于不發(fā)光狀態(tài)的行在一定周期保持不發(fā)光狀態(tài)(該周期稱(chēng)為不發(fā)光周期504d)。然后，就在最后一行的寫(xiě)入周期結(jié)束之后，立即從第一行起按順序進(jìn)入下一寫(xiě)入周期(或下一幀周期)。注意，為了如此在某一行的像素中進(jìn)行寫(xiě)入、而向另一行的像素中輸入使像素處于不發(fā)光狀態(tài)的擦除信號(hào)，如圖9所示，將一個(gè)水平周期分割兩個(gè)部分，其中一個(gè)周期用作寫(xiě)入，另一個(gè)周期用作擦除。在被分割的水平周期內(nèi)，選擇各個(gè)柵信號(hào)線911，將對(duì)應(yīng)于此時(shí)的信號(hào)輸入到源信號(hào)線912。例如，在某一個(gè)水平周期內(nèi)，前半和后半分別選擇第i行和第j行，從而能夠猶如在一個(gè)水平周期內(nèi)同時(shí)選擇兩行分量地操作。也就是說(shuō)，利用各個(gè)水平周期的寫(xiě)入周期在寫(xiě)入周期501a-504a將信號(hào)寫(xiě)入到像素。而且，在此情況的一個(gè)水平周期的擦除周期內(nèi)，不選擇像素。另外，利用其他的水平周期的擦除周期，在擦除周期504c擦除寫(xiě)入到像素的信號(hào)。在此情況的一個(gè)水平周期的寫(xiě)入周期內(nèi)不選擇像素。由此，可以提供具有高孔徑率的像素的顯示器件，從而可以提高成品率。
盡管在本實(shí)施方式中亞幀周期501至504按照保留周期從最長(zhǎng)至最短的順序排列，但是并不需要如本實(shí)施方式所述那樣排列。例如，亞幀周期501至504可以按照保留周期從最短至最長(zhǎng)的順序排列，或者隨機(jī)排列。另外，所述亞幀可以進(jìn)一步地分為多個(gè)幀周期。即，可以在發(fā)出相同的圖像信號(hào)的周期內(nèi)，進(jìn)行多次柵信號(hào)線的掃描。
在此，描述圖5所示的電路在寫(xiě)入周期和擦除周期的操作。
首先描述在寫(xiě)入周期中的操作。在寫(xiě)入周期中，第i行(i為自然數(shù))的柵信號(hào)線911通過(guò)開(kāi)關(guān)918與用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913電連接，并與用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914斷開(kāi)連接。另外，源信號(hào)線912通過(guò)開(kāi)關(guān)920與源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915電連接。在此情況下，信號(hào)輸入到與第i行的柵信號(hào)線911連接的第一晶體管901的柵電極，從而啟動(dòng)第一晶體管901。此時(shí)，圖像信號(hào)一齊輸入到第一至最后一列的每個(gè)源信號(hào)線。應(yīng)注意，從各列的源信號(hào)線912輸入的圖像信號(hào)是相互獨(dú)立的。從源信號(hào)線912輸入的圖像信號(hào)通過(guò)與各個(gè)源信號(hào)線相連接的第一晶體管901被輸入到第二晶體管902的柵電極。此時(shí)，根據(jù)輸入到第二晶體管902的柵電極的信號(hào)控制第二晶體管902的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。然后，第二晶體管902一起動(dòng)電壓就施加在發(fā)光元件903，從而使發(fā)光元件903中流過(guò)電流。也就是說(shuō)，根據(jù)輸入到第二晶體管902的柵電極的信號(hào)來(lái)確定發(fā)光元件903是否發(fā)光。例如，當(dāng)?shù)诙w管902為p溝道晶體管時(shí)，通過(guò)將低電平信號(hào)輸入到第二晶體管902的柵電極，使發(fā)光元件903發(fā)光。另一方面，當(dāng)?shù)诙w管902為n溝道晶體管時(shí)，通過(guò)將高電平信號(hào)輸入第二晶體管902的柵電極，使發(fā)光元件903發(fā)光。
接下來(lái)描述在擦除周期中的操作。在擦除周期中，第j行(j為自然數(shù))的柵信號(hào)線911通過(guò)開(kāi)關(guān)919與用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914電連接，并與用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913斷開(kāi)連接。另外，源信號(hào)線912通過(guò)開(kāi)關(guān)920與電源916電連接。在此情況下，信號(hào)輸入至與第j行的柵信號(hào)線911連接的第一晶體管901的柵電極，從而起動(dòng)第一晶體管901。此時(shí)，擦除信號(hào)一齊輸入到第一至最后一列的每個(gè)源信號(hào)線。從各個(gè)源信號(hào)線912輸入的擦除信號(hào)通過(guò)與各個(gè)源信號(hào)線相連接的第一晶體管901被輸入到第二晶體管902的柵電極。此時(shí)，根據(jù)輸入到第二晶體管902的柵電極的擦除信號(hào)，從而關(guān)閉第二晶體管902，從電流供應(yīng)線917至發(fā)光元件903的電流供應(yīng)被阻斷。然后，迫使發(fā)光元件903處于不發(fā)光狀態(tài)。例如，當(dāng)?shù)诙w管902為p溝道晶體管時(shí)，通過(guò)將高電平信號(hào)輸入第二晶體管902的柵電極，使發(fā)光元件903不發(fā)光。另一方面，當(dāng)?shù)诙w管902為n溝道晶體管，通過(guò)將低電平信號(hào)輸入第二晶體管902的柵電極，使發(fā)光元件903不發(fā)光。
應(yīng)注意，在擦除周期中，對(duì)于第j行，通過(guò)上述操作輸入用于擦除的信號(hào)。然而，如上所述，第j行為擦除周期的同時(shí)，另一行(稱(chēng)為第i行(i為自然數(shù)))可以為寫(xiě)入周期。在上述情況下，需要通過(guò)使用同一列的源信號(hào)線，將用于擦除的信號(hào)輸入第j行，并將用于寫(xiě)入的信號(hào)輸入第i行。因此，以下所述的操作是優(yōu)選的。
在通過(guò)上述擦除周期的操作使第j-1行的發(fā)光元件903不發(fā)光之后，立即使柵信號(hào)線911和用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914處于相互斷開(kāi)連接的狀態(tài)，同時(shí)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)920使源信號(hào)線912和源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915連接。然后，將源信號(hào)線912和源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915連接，同時(shí)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)918使柵信號(hào)線911和用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913連接起來(lái)。然后，選擇性地將信號(hào)從用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913輸入至第i行的柵信號(hào)線911，從而起動(dòng)第一晶體管901，同時(shí)將用于寫(xiě)入的圖像信號(hào)從源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915輸入到第一至最后一列的每個(gè)源信號(hào)線912。該圖像信號(hào)使得第i行的發(fā)光元件903處于發(fā)光或不發(fā)光狀態(tài)。
按照上述步驟在第i行的寫(xiě)入周期結(jié)束之后，立即開(kāi)始第j行的擦除周期。出于該目的，轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)918使所述柵信號(hào)線911和用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913處于相互斷開(kāi)連接的狀態(tài)，同時(shí)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)920從而連接源信號(hào)線912和電源916。進(jìn)一步地，使柵信號(hào)線911與用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913互相斷開(kāi)連接，同時(shí)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)919從而連接?xùn)判盘?hào)線911與用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914。然后，選擇性地將信號(hào)從用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914輸入到第j行的柵信號(hào)線911，從而起動(dòng)第一晶體管901，同時(shí)輸入來(lái)自電源916的擦除信號(hào)。然后，擦除信號(hào)迫使發(fā)光元件903不發(fā)光。如此，在第j行的擦除周期結(jié)束之后，立即進(jìn)入第i+1行的寫(xiě)入周期。以下，可以以相同方式重復(fù)擦除周期和寫(xiě)入周期，直至最后一行的擦除周期結(jié)束。
注意，盡管在本實(shí)施方式中描述了在第j-1行的擦除周期和第j行的擦除周期之間提供第i行的寫(xiě)入周期的例子，但是本發(fā)明并不局限于此。也可以在第j行的擦除周期和第j+1行的擦除周期之間提供第i行的寫(xiě)入周期。
另外，在本實(shí)施方式中，當(dāng)如在亞幀周期504中那樣提供不發(fā)光周期504d時(shí)，重復(fù)以下操作，即，使用于擦除的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914和某一個(gè)柵信號(hào)線處于相互斷開(kāi)連接的狀態(tài)，同時(shí)使用于寫(xiě)入的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913和另一個(gè)柵信號(hào)線處于相互連接的狀態(tài)。該類(lèi)型的操作可以在其中并不提供不發(fā)光周期的幀周期中進(jìn)行。
實(shí)施方式3
由于包含本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件可以進(jìn)行良好的圖像顯示，所以通過(guò)將本發(fā)明的發(fā)光器件應(yīng)用于電子器件的顯示部分，從而可以得到能夠提供良好顯示的電子器件。
圖8A至8C示出了安裝有采用本發(fā)明的發(fā)光器件的電子器件的一些例子。
圖8A顯示了根據(jù)本發(fā)明而制造的個(gè)人計(jì)算機(jī)，其由主體5521、框體5522、顯示部分5523以及鍵盤(pán)5524等來(lái)構(gòu)成。通過(guò)將具有本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光器件結(jié)合至所述顯示部分5523來(lái)可以得到所述個(gè)人計(jì)算機(jī)。
圖8B顯示了根據(jù)本發(fā)明而制造的手機(jī)，其主體5552由顯示部分5551、聲音輸出部分5554、聲音輸入部分5555、操作鍵5556和5557、以及天線5553等來(lái)構(gòu)成。通過(guò)將具有本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光器件結(jié)合至所述顯示部分5551，可以得到所述手機(jī)。
圖8C顯示了根據(jù)本發(fā)明而制造的電視機(jī)，其由顯示部分5531、框體5532以及揚(yáng)聲器5533等來(lái)構(gòu)成。通過(guò)將具有本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光器件結(jié)合至所述顯示部分5531，可以得到所述電視機(jī)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件非常適合用作各種電子器件的顯示部分。
注意，盡管在本實(shí)施方式中，描述了便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)和電視機(jī)，但是另外還可以在例如汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)和照明設(shè)備等中安裝具有本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光器件。
本說(shuō)明書(shū)根據(jù)2004年8月25日在日本專(zhuān)利局受理的日本專(zhuān)利申請(qǐng)編號(hào)2004-244803而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說(shuō)明書(shū)中。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件，包括第一電極；形成在所述第一電極上的包含有機(jī)化合物且具有導(dǎo)電性的第一層；形成在所述第一層上的包含無(wú)機(jī)化合物且具有空穴傳輸性能的第二層；形成在所述第二層上的發(fā)光層；以及形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中所述有機(jī)化合物是包含選自樟腦磺酸、甲苯磺酸、以及聚(苯乙烯磺酸)中至少一個(gè)的化合物的聚塞吩衍生物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中所述無(wú)機(jī)化合物是從氧化鈷、氧化鈦、氧化鈮、氧化鎳、氧化釹、氧化鋇、氧化鉬、氧化鑭、氧化釕、氧化錸中選擇的至少一個(gè)的化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中所述第一層的厚度為0.1μm至2μm。
5.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件的電子器件，其中所述電子器件選自個(gè)人計(jì)算機(jī)、電話(huà)和電視機(jī)。
6.一種發(fā)光元件，包括第一電極；形成在所述第一電極上的絕緣層；形成在所述第一電極上以便覆蓋所述絕緣層的邊緣的包含有機(jī)化合物且具有導(dǎo)電性的第一層；形成在所述第一層上的包含無(wú)機(jī)化合物且具有空穴傳輸性能的第二層；形成在所述第二層上的發(fā)光層；以及形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中所述有機(jī)化合物是包含選自樟腦磺酸、甲苯磺酸、以及聚(苯乙烯磺酸)中至少一個(gè)的化合物的聚塞吩衍生物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中所述無(wú)機(jī)化合物是從氧化鈷、氧化鈦、氧化鈮、氧化鎳、氧化釹、氧化鋇、氧化鉬、氧化鑭、氧化釕、氧化錸中選擇的至少一個(gè)的化合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件，其中所述第一層的厚度為0.1μm至2μm。
10.一種包括根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光元件的電子器件，其中所述電子器件選自個(gè)人計(jì)算機(jī)、電話(huà)和電視機(jī)。
11.一種發(fā)光元件，包括形成在襯底上的薄膜晶體管；形成在所述薄膜晶體管上的第一電極；形成在所述第一電極上的包含有機(jī)化合物且具有導(dǎo)電性的第一層；形成在所述第一層上的包含無(wú)機(jī)化合物且具有空穴傳輸性能的第二層；形成在所述第二層上的發(fā)光層；以及形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的發(fā)光元件，其中所述有機(jī)化合物是包含選自樟腦磺酸、甲苯磺酸、以及聚(苯乙烯磺酸)中至少一個(gè)的化合物的聚塞吩衍生物。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的發(fā)光元件，其中所述無(wú)機(jī)化合物是從氧化鈷、氧化鈦、氧化鈮、氧化鎳、氧化釹、氧化鋇、氧化鉬、氧化鑭、氧化釕、氧化錸中選擇的至少一個(gè)的化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的發(fā)光元件，其中所述第一層的厚度為0.1μm至2μm。
15.一種包括根據(jù)權(quán)利要求11的發(fā)光元件的電子器件，其中所述電子器件選自個(gè)人計(jì)算機(jī)、電話(huà)和電視機(jī)。
16.一種發(fā)光元件，包括形成在襯底上的薄膜晶體管；形成在所述薄膜晶體管上的第一電極；形成在所述第一電極上的絕緣層；形成在所述第一電極上以便覆蓋所述絕緣層的邊緣的包含有機(jī)化合物且具有導(dǎo)電性的第一層；形成在所述第一層上的包含無(wú)機(jī)化合物且具有空穴傳輸性能的第二層；形成在所述第二層上的發(fā)光層；以及形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的發(fā)光元件，其中所述有機(jī)化合物是包含選自樟腦磺酸、甲苯磺酸、以及聚(苯乙烯磺酸)中至少一個(gè)的化合物的聚塞吩衍生物。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的發(fā)光元件，其中所述無(wú)機(jī)化合物是從氧化鈷、氧化鈦、氧化鈮、氧化鎳、氧化釹、氧化鋇、氧化鉬、氧化鑭、氧化釕、氧化錸中選擇的至少一個(gè)的化合物。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的發(fā)光元件，其中所述第一層的厚度為0.1μm至2μm。
20.一種包括根據(jù)權(quán)利要求16的發(fā)光元件的電子器件，其中所述電子器件選自個(gè)人計(jì)算機(jī)、電話(huà)和電視機(jī)。
21.一種發(fā)光元件的制造方法，包括以下步驟在襯底上形成第一電極；在所述第一電極上形成絕緣層；在所述絕緣層中形成開(kāi)口部分以便使第一電極從所述開(kāi)口部分暴露出；形成第一層以覆蓋所述第一電極；選擇性地在所述第一電極和所述第一層重疊的所述第一層上的部分形成第二層；以及以所述第二層為掩模蝕刻所述第一層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的發(fā)光元件的制造方法，其中所述第一層包含有機(jī)化合物且具有導(dǎo)電性。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的發(fā)光元件的制造方法，其中所述第二層包含無(wú)機(jī)化合物且具有空穴傳輸性能。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的發(fā)光元件的制造方法，其中所述第一層通過(guò)濕式方法而形成。
25.根據(jù)權(quán)利要求21的發(fā)光元件的制造方法，其中所述第一層形成為0.1μm至2μm。
26.一種包括根據(jù)權(quán)利要求21的發(fā)光元件的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光元件被組合在像素中。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供降低起因于塵粒等的缺陷的發(fā)光元件以及其制造方法。本發(fā)明的特征之一是，一種發(fā)光元件包括在第一電極和第二電極之間的與所述第一電極連接而設(shè)置的第一層、以及與所述第一層連接而設(shè)置的第二層，并且，在第二層和第二電極之間提供有發(fā)光層。其中，第一電極、第二電極、第一層、第二層和發(fā)光層按第一層比第二層先形成的順序?qū)盈B形成。在此，第一層包含有機(jī)化合物，且優(yōu)選是具有導(dǎo)電性的有機(jī)化合物。另外，第二層包含無(wú)機(jī)化合物，且優(yōu)選是具有空穴傳輸性能。
文檔編號(hào)H05B7/00GK1741697SQ20051009944
公開(kāi)日2006年3月1日 申請(qǐng)日期2005年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月25日
發(fā)明者野村亮二, 鈴木恒德, 瀨尾智史 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所