專利名稱：電視機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻播放裝置和便攜式信息終端、圖像播放裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用發(fā)光材料制造的薄膜的發(fā)光器件。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及使用發(fā)光器件作為顯示器部分或光源的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，使用發(fā)光元件(以后稱為EL元件)的發(fā)光器件(以后稱為EL發(fā)光器件)得到了發(fā)展，其中發(fā)光元件使用能夠提供EL(電致發(fā)光)的發(fā)光材料制造的薄膜(以后稱為EL膜)。該EL器件稱作發(fā)光器件或發(fā)光二極管或OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)。本說(shuō)明書所說(shuō)的EL(電致發(fā)光)器件包括三重發(fā)光器件和/或單重發(fā)光器件，例如。EL發(fā)光器件具有由陰極、陽(yáng)極和夾在其間的EL膜組成的EL元件。通過(guò)在陽(yáng)極和陰極之間施加電壓可以從EL發(fā)光器件獲得光發(fā)射。具體地說(shuō)，用作EL膜的有機(jī)膜稱作有機(jī)EL膜。注意，能夠獲得EL的發(fā)光材料包括通過(guò)單重激發(fā)而發(fā)光的發(fā)光材料和通過(guò)三重激發(fā)而發(fā)光的發(fā)光材料。
功函數(shù)小的金屬(通常是周期表1族和2族的金屬)經(jīng)常被用作陰極，例如氧化銦和氧化錫的混合物(ITO)膜的透明氧化導(dǎo)電膜經(jīng)常被用作陽(yáng)極。因此，在光被傳輸通過(guò)陽(yáng)極后，所得的光發(fā)射是可見的。
最近，有源矩陣型EL發(fā)光器件得到了發(fā)展，其中對(duì)各個(gè)象素中EL元件的光發(fā)射的控制是通過(guò)使用TFT(薄膜晶體管)完成的，其進(jìn)展已達(dá)到有試驗(yàn)產(chǎn)品問(wèn)世的階段。所有這些試驗(yàn)產(chǎn)品使用象素電極作為陽(yáng)極，因此其結(jié)構(gòu)是使得EL元件發(fā)出的光發(fā)射到TFT一側(cè)。
然而，由于光沒有發(fā)射到這種結(jié)構(gòu)中的形成TFT和連線的區(qū)域中，實(shí)際能夠被看到的發(fā)光面積(以后稱作有效發(fā)光面積)顯著減小。因此，必須增大所發(fā)的光的亮度以獲得明亮的圖象，這導(dǎo)致有機(jī)EL膜退化的加速。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題提出了本發(fā)明，因此本發(fā)明的目的是提供一種明亮和高度可靠的發(fā)光器件。此外，本發(fā)明另一個(gè)目的是提供一種使用所述發(fā)光器件作為其顯示部分或光源的高度可靠的電子裝置。
本發(fā)明的特征在于使用具有圖1所示結(jié)構(gòu)的EL元件100。在圖1中，參考標(biāo)號(hào)101表示金屬膜制造的反射電極。優(yōu)選地使用具有高反射率的金屬膜作為反射電極101?？梢允褂娩X膜(鋁合金膜或含摻雜劑的鋁膜)或銀薄膜。另外，鍍鋁或鍍銀的導(dǎo)電膜也可以用作反射電極101。
其次，參考標(biāo)號(hào)102表示EL元件100的陽(yáng)極，它是對(duì)可見光透明的導(dǎo)電膜制成的(以后稱為透明導(dǎo)電膜)。應(yīng)注意的是“對(duì)可見光(可見光譜區(qū)內(nèi)的光)透明”表示可見光以80％-100％的透射率透射。在使用氧化物導(dǎo)電膜(通常是氧化銦和氧化錫的化合物膜或氧化銦和氧化鋅的化合物膜)作為透明導(dǎo)電膜時(shí)，其膜厚優(yōu)選在10-200nm之間(優(yōu)選地在50-100nm之間)。
這時(shí)，陽(yáng)極102的功函數(shù)決定了空穴注入勢(shì)壘，反射電極101反射來(lái)自EL元件的光，同時(shí)施加均勻的電壓到陽(yáng)極102上。
接下來(lái)參考標(biāo)號(hào)103表示EL層。EL層103包括單層或多層的EL膜。注意，EL膜可以是有機(jī)EL膜或無(wú)機(jī)EL膜，或由這些膜層疊制成。此外，膜103的結(jié)構(gòu)可以是已知的結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，在本說(shuō)明書中，EL層是通過(guò)自由組合電子注入層、電子輸運(yùn)層和EL膜(也稱作發(fā)光層)形成的。當(dāng)然，EL膜可以是低分子量的膜或高分子量的膜。
參考標(biāo)號(hào)104表示EL元件100的陰極。功函數(shù)小(大約-3.5至-3.8eV)的金屬膜被用作陰極104。含有周期表中1族和2族元素的金屬膜可以用作具有這種功函數(shù)的金屬膜。因此在本發(fā)明中，希望使用含有周期表中1族或2族元素的10-70nm(優(yōu)選在20-50nm之間)的金屬膜被用作陰極104。
可見光可以透過(guò)上述這種薄的膜厚的金屬膜。因此陰極104可用作對(duì)可見光透明的電極。
其次，參考標(biāo)號(hào)105表示與陰極接觸的透明導(dǎo)電膜制成的電極(以后稱作輔助電極)。以氧化銦和氧化錫的化合物或氧化鋅和氧化銦的化合物為代表的氧化物導(dǎo)電膜可以用作輔助電極。其膜厚可形成在10-200nm之間(優(yōu)選為50-100nm之間)。這時(shí)陰極104的功函數(shù)決定了空穴注入勢(shì)壘，輔助電極105對(duì)陰極104施加均勻電壓。
在EL元件具有上述結(jié)構(gòu)時(shí)，能從輔助電極105這一側(cè)(圖1的上方)觀察到在EL層(嚴(yán)格地說(shuō)是在包含EL層的EL膜中)產(chǎn)生的光。通過(guò)考慮到前進(jìn)到陽(yáng)極102側(cè)的光大部分被反射電極101反射，這一事實(shí)很容易理解。
本發(fā)明提供一種發(fā)光器件，包括一個(gè)陽(yáng)極；一個(gè)陰極；和位于所述陽(yáng)極和陰極之間的EL層，其中，所述陽(yáng)極位于所述EL層和一個(gè)反射電極之間。
本發(fā)明又提供一種發(fā)光器件，包括一個(gè)反射電極；在所述反射電極上的一個(gè)陽(yáng)極；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)EL層；和在所述EL層上的一個(gè)陰極。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光器件，包括一個(gè)透明導(dǎo)電膜；一個(gè)陰極；和位于所述透明導(dǎo)電膜和陰極之間的EL層；其中，所述透明導(dǎo)電膜位于所述EL層和一個(gè)反射電極之間。
本發(fā)明再提供一種制造發(fā)光器件的方法，包括形成一個(gè)反射電極；在所述反射電極上形成一個(gè)陽(yáng)極；通過(guò)使用掩膜的蒸發(fā)方法在所述陽(yáng)極上形成一個(gè)EL層；和在所述EL層上形成一個(gè)陰極。
本發(fā)明的效果是從陰極側(cè)收集EL發(fā)光器件的光發(fā)射，這在已有技術(shù)中很困難，但現(xiàn)在易于完成。在形成有源矩陣型EL發(fā)光器件時(shí)，這一效果尤其顯著。


圖1是EL元件的剖面圖結(jié)構(gòu)；圖2A和2B是發(fā)光器件的剖面圖結(jié)構(gòu)；圖3A-3E表示制造發(fā)光器件的工藝；圖4A-4D表示制造發(fā)光器件的工藝；圖5A-5B表示發(fā)光器件的象素的頂部結(jié)構(gòu)和電路圖；圖6表示發(fā)光器件的剖面圖結(jié)構(gòu)；圖7表示發(fā)光器件的頂部結(jié)構(gòu)；圖8A-8F表示電子裝置的具體實(shí)例；圖9A和9B表示電子裝置的具體實(shí)例。
具體實(shí)施例方式
參照附圖2A和2B解釋本發(fā)明的實(shí)施例。圖2A中，參考標(biāo)號(hào)201表示其上將形成EL元件的襯底(以后稱為元件形成襯底)。在本發(fā)明中，任何材料都可以用作襯底。玻璃(包括石英玻璃)、晶體玻璃、單晶硅、陶瓷、金屬或塑料可以用作襯底。
象素202形成在元件形成襯底201上，且象素202包括開關(guān)TFT203和電流控制TFT204。注意在圖2A中示意了對(duì)應(yīng)于每個(gè)紅、綠、藍(lán)顏色的三個(gè)象素。開關(guān)TFT203用作提取視頻信號(hào)到象素中的開關(guān)，電流控制TFT204用作控制EL元件的電流的開關(guān)。這時(shí)開關(guān)TFT203的漏極電連接到電流控制TFT204的柵極。
對(duì)于開關(guān)TFT203和電流控制TFT204的結(jié)構(gòu)沒有限制，但其結(jié)構(gòu)可以是頂柵型(通常是平面型)或底柵型(通常是倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型)。另外，N溝道TFT或P溝道TFT都可用于形成開關(guān)TFT203和電流控制TFT204。
開關(guān)TFT203和電流控制TFT204被層間絕緣膜205覆蓋，在其上面，電流控制TFT204的漏極和象素電極207a經(jīng)由導(dǎo)體206電連接。進(jìn)一步地，透明導(dǎo)電膜制造的陽(yáng)極205a層疊在象素電極207a上(對(duì)應(yīng)于圖1的反射電極101)。注意，導(dǎo)體206可以用其中散布有金屬顆粒而具有導(dǎo)電性的樹脂形成。當(dāng)然，象素電極207a可以直接連接到電流控制TFT204的漏極。
在實(shí)施例中，通過(guò)使用導(dǎo)體206，不會(huì)在象素電極207a中形成源自接觸孔的凹部。這種凹部也是使有機(jī)EL層劣化的一個(gè)原因，因此不希望它出現(xiàn)。即，象素電極207a通過(guò)實(shí)施例中的導(dǎo)體206被平整，因此能夠抑制有機(jī)EL層的劣化并獲得均勻的光發(fā)射。
其次，參考標(biāo)號(hào)208表示在相鄰的象素電極207a之間的間隙中的絕緣膜。絕緣膜208被形成以覆蓋在象素電極207a的邊緣部分形成的臺(tái)階。通過(guò)保持有機(jī)EL層離開象素電極207a的邊緣部分一段距離，絕緣膜208具有抑制集中在象素電極207a的邊緣部分的電場(chǎng)的影響的作用。
注意絕緣膜208在本說(shuō)明書中稱為堤。樹脂、氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜可以用于形成堤。具體講，樹脂具有低的相對(duì)介電常數(shù)，因此能有效抑制在象素電極207a的邊緣部分的電場(chǎng)集中。
參考標(biāo)號(hào)209表示發(fā)紅光的有機(jī)EL層，參考標(biāo)號(hào)210表示發(fā)綠光的有機(jī)EL層，參考標(biāo)號(hào)211表示發(fā)藍(lán)光的有機(jī)EL層。有機(jī)EL層209-211的結(jié)構(gòu)可以是已知結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，在分別為每個(gè)象素形成有機(jī)EL層時(shí)，優(yōu)選使用蒸發(fā)方法。
覆蓋有機(jī)EL層209-211的陰極212是同時(shí)蒸發(fā)鋁和鋰形成的合金膜(以后稱為Al-Li膜)。其膜厚在10-70nm之間(典型地在20-50nm之間)。另外，其上形成有膜厚在10-200nm(優(yōu)選地在50-100nm)之間的輔助電極213。
進(jìn)一步地，與元件形成襯底相對(duì)形成的襯底214(下文稱之為相對(duì)襯底)具有樹脂制造的間隔層215和其上形成的鈍化膜216。相對(duì)的襯底214通過(guò)密封件(圖中未示出)連接到元件形成襯底201。對(duì)間隔層215的高度沒有特別限制，高度可以在1-3μm之間。對(duì)于鈍化膜216，優(yōu)選使用高透射率的絕緣膜以抑制間隔層215的排氣。例如，可以使用氮化硅膜、氮氧化硅膜。氧化鉭膜或碳膜(優(yōu)選為類金剛石碳膜)。
還優(yōu)選的是用氮?dú)饣蚨栊詺怏w填充在元件形成襯底210和相對(duì)襯底214之間形成的間隙217。希望在間隙217中提供有吸收劑(具有吸收性的物質(zhì))，水汽、氧氣從樹脂產(chǎn)生的氣體被優(yōu)選地吸收。
如此形成的EL元件218的詳細(xì)結(jié)構(gòu)示于圖2B。象素電極207a也用作反射電極，因此EL元件218的結(jié)構(gòu)與圖1所示的本發(fā)明的EL元件的結(jié)構(gòu)類似。
通過(guò)采用本發(fā)明的實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)，EL元件218產(chǎn)生的光發(fā)射朝著箭頭所示的方向(表示光輻射的方向)。因此，即使象素中TFT和布線的面積很大，有效發(fā)光面積由象素電極207a的面積限定，可以確保足夠大的發(fā)光面積。換句話說(shuō)，不需要增加發(fā)射光的亮度，即可獲得足夠亮的圖象。
這意味著EL元件的驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)置在低量級(jí)以降低EL發(fā)光元件的功耗。此外類似地，這意味著EL元件的驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)置在低量級(jí)以抑制有機(jī)EL層的劣化，由此增大了EL發(fā)光器件的可靠性。
第一實(shí)施例參照附圖3A-5B解釋實(shí)施例1。注意附圖3A-4D是象素部分的制造工藝的剖面圖。此外根據(jù)實(shí)施例1形成的象素的頂視圖(在形成陽(yáng)極時(shí)的頂視圖)示于圖5A，象素的最終電路結(jié)構(gòu)示于圖5B。注意，圖5A和5B中的參考標(biāo)號(hào)對(duì)應(yīng)于圖3A-4D中的參考標(biāo)號(hào)。
首先，如圖3A所示，制備玻璃襯底301作為元件形成襯底，在其上形成200nm厚的氧化硅膜制作的絕緣膜302。可通過(guò)低壓熱CVD、等離子體CVD、濺射或蒸發(fā)形成絕緣膜302。
其次在絕緣膜302上形成50nm厚的晶體硅膜303?？梢允褂靡阎椒ㄗ鳛樾纬删w硅膜303的方法。通過(guò)使用固體激光器或準(zhǔn)分子激光器可以將非晶硅膜結(jié)晶成晶體硅膜103，或者通過(guò)熱處理(爐退火)使非晶硅膜結(jié)晶。在實(shí)施例1中，通過(guò)使用XeCl氣體的準(zhǔn)分子激光器輻照使非晶硅膜結(jié)晶。
然后，如圖3B所述，晶體硅膜303被構(gòu)圖以形成島狀晶體硅膜304和305(以后稱為有源層)。然后形成80nm厚的氧化硅膜制作的柵絕緣膜306，以覆蓋有源層。然后在柵絕緣膜306上形成柵電極307和308。對(duì)于實(shí)施例1中的柵電極307和308的材料，使用350nm厚的鎢膜或鎢合金膜。當(dāng)然其它已知材料也可以用作柵電極的材料。
注意在實(shí)施例1中，在這時(shí)同時(shí)形成連接布線309。連接布線309是電連接電流控制TFT的源極和后來(lái)的電流電源線的布線。
接下來(lái)如圖3C所述，使用柵電極307和308作掩膜，摻雜周期表13族中的元素(通常為硼)?？梢允褂靡阎膿诫s方法。由此，形成呈現(xiàn)P型導(dǎo)電性的摻雜區(qū)(以后稱為P型摻雜區(qū))310-314。進(jìn)一步地在柵電極正下方的是溝道形成區(qū)315a、315b和316。注意P型摻雜區(qū)310-314是TFT的源極或漏極。
被摻雜的元素周期表13族中的元素，通過(guò)熱處理激活。該激活過(guò)程通過(guò)爐退火、激光退火或燈退火，或它們的組合完成。在實(shí)施例1中，熱處理在氮?dú)夥障略?00℃的溫度執(zhí)行4小時(shí)。
然而，優(yōu)選地在激活過(guò)程的處理氣氛中設(shè)定1ppm或更少(優(yōu)選地0.1ppm或更少)的氧濃度。如果氧濃度高，柵電極307和308的表面以及連接布線309的表面會(huì)氧化。結(jié)果很難獲得到柵極布線和電流電源線的電連接，它將在后面的工藝中形成。
注意，在完成激活過(guò)程后執(zhí)行氫化處理是有效的。可以在氫化處理中執(zhí)行已知的氫退火技術(shù)或等離子體氫化技術(shù)。
如圖3D所述，形成電流電源線317以接觸連接布線309。通過(guò)形成這種結(jié)構(gòu)(其頂視圖由圖5A的標(biāo)號(hào)501的區(qū)域表示)，連接布線309和電流電源線317彼此電連接。注意在圖中未示出在這時(shí)同時(shí)形成的用于電連接?xùn)烹姌O307的柵極布線(圖5A中用參考標(biāo)號(hào)502表示的布線)。其頂視圖由圖5A中參考標(biāo)號(hào)503的區(qū)域表示。
在參考標(biāo)號(hào)503表示的區(qū)域中，采用冗余設(shè)計(jì)，使得柵極布線502具有凸部，以確保有一部分不會(huì)超過(guò)柵電極307。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，即使柵極布線502在它超過(guò)柵電極307的部分被切斷了，能夠防止在該點(diǎn)切斷柵極布線502的電連接。另外，使柵電極307加工成U形的結(jié)構(gòu)是用于使電壓務(wù)必施加到兩個(gè)柵電極的冗余設(shè)計(jì)。
電流電源線317和柵極布線502是由電阻率比形成連接布線309和柵電極307的金屬更低的金屬制成的。優(yōu)選使用包含銅、鋁或銀的金屬膜。即，使用可加工性高的金屬膜形成要求精細(xì)構(gòu)圖精度的柵電極，使用低電阻率的金屬膜形成要求低電阻的總線(實(shí)施例1的柵極布線和電流電源線)。
形成柵極布線502和電流電源線309之后，形成厚度800nm厚的氧化硅膜的第一層間絕緣膜318。可以使用等離子體CVD作為形成方法。也可以使用其它無(wú)機(jī)絕緣膜作為第一層間絕緣膜318，或使用樹脂(有機(jī)絕緣膜)。
接下來(lái)如圖3E所述，在第一層間絕緣膜318中形成接觸孔以形成布線319-322。在實(shí)施例1中，使用鈦、鋁、鈦三層結(jié)構(gòu)的金屬布線作為布線319-322。當(dāng)然，可以使用任何材料，只要它是導(dǎo)電膜。布線319-322是TFT的源極布線或漏極布線。
電流控制TFT的漏極布線322電連接到連接布線309。結(jié)果，電流控制TFT402的漏極電連接到電流電源線317。
由此完成這種狀態(tài)的開關(guān)TFT401和電流控制TFT(EL驅(qū)動(dòng)TFT)402。在實(shí)施例1中兩種TFT都由P溝道TFT形成。然而開關(guān)TFT401的形成使得柵電極將有源層切成兩塊，結(jié)果是形成兩個(gè)溝道形成區(qū)串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。通過(guò)形成這種結(jié)構(gòu)，能有效抑制關(guān)斷電流值(在TFT關(guān)斷時(shí)流過(guò)的電流)。
如圖5A所述，還在象素中形成存儲(chǔ)電容器504。存儲(chǔ)電容器504由電連接到電流控制TFT402的漏極、柵極絕緣膜306和電容器布線506的半導(dǎo)體層505組成。電容器布線506與柵極布線308和電流電源線317同時(shí)形成，也用作電連接?xùn)烹姌O308和連接布線507的布線。注意，連接布線507電連接到開關(guān)TFT401的漏極布線320(有時(shí)用作源極布線)。
形成布線319-322后，形成厚度200nm的氮化硅膜或氮氧化硅膜制作的鈍化膜323。在形成鈍化膜323之前或之后進(jìn)行氫化處理，由此提高TFT的電特性。
如圖4A所述，形成1微米厚的丙烯聚制作的第二層間絕緣膜324。在打開接觸孔325之后，形成各向異性導(dǎo)電膜326。在實(shí)施例1中，其中散布有銀顆粒的聚丙烯用作各向異性導(dǎo)電膜326。另外，優(yōu)選地形成的各向異性導(dǎo)電膜326的厚度大約足以平整接觸孔325。在實(shí)施例1中通過(guò)旋涂形成厚度約1.5微米的各向異性導(dǎo)電膜326。
其次，使用氧氣通過(guò)等離子體刻蝕各向異性導(dǎo)電膜326。該工藝?yán)^續(xù)直到第二層間絕緣膜324暴露出來(lái)。在刻蝕完成之后，形成具有圖4B所示形狀的導(dǎo)體327。
在形成導(dǎo)體327之后，在其上層疊形成摻雜鈧或鈦的鋁膜和ITO膜(氧化銦和氧化錫的化合物膜)。然后同時(shí)刻蝕這些膜以形成象素電極328和陽(yáng)極329。在實(shí)施例1中，形成的鋁膜的厚度是200nm，形成的ITO膜的厚度是100nm。此外，使用ITO-40N(Kento化學(xué)公司制造的ITO膜腐蝕液的產(chǎn)品名)刻蝕ITO膜，鋁膜通過(guò)干法刻蝕使用四氯化硅(SiCl4)和氯氣(Cl2)的混合氣體來(lái)刻蝕。
由此獲得的圖4B的剖面結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于沿圖5A的線A-A’的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖4C所述，接下來(lái)形成絕緣膜制造的堤330。在實(shí)施例1中，丙烯酸用于形成堤330。然而，可以使用氧化硅膜形成堤330。形成堤330之后，在氧氣氛下用紫外線照射陽(yáng)極329，以對(duì)其進(jìn)行表面處理。該工藝具有增大陽(yáng)極329的功函數(shù)的效果，還具有去除陽(yáng)極表面329的上的沾污的效果。
形成厚度50nm的有機(jī)EL層331和332。注意，有機(jī)EL層331是發(fā)藍(lán)色的有機(jī)EL層，有機(jī)EL層332是發(fā)紅光的有機(jī)EL層。注意盡管圖中未示出，同時(shí)形成發(fā)綠色的有機(jī)EL層。在實(shí)施例1中，通過(guò)使用掩膜的蒸發(fā)方法分別形成每個(gè)象素的有機(jī)EL層。當(dāng)然，可以通過(guò)使用印刷方法和噴墨方法分別形成有機(jī)EL層。
形成的有機(jī)EL層331和332具有實(shí)施例1的層疊結(jié)構(gòu)。具體地說(shuō)，CuPc(酞化菁銅)用作空穴注入層。這時(shí)，首先在所有象素上形成酞化菁銅膜。之后，為每個(gè)對(duì)應(yīng)于紅色、綠色、藍(lán)色的象素，在其上分別形成發(fā)紅光的發(fā)光層、發(fā)綠光的發(fā)光層和發(fā)藍(lán)光的發(fā)光層。
注意在形成發(fā)綠光的發(fā)光層時(shí)，Alq3(3-8-喹啉-鋁絡(luò)合物)用作發(fā)光層的核心材料，喹丫啶或香豆素6用作摻雜劑。此外在形成發(fā)紅光的發(fā)光層時(shí)，Alq3用作發(fā)光層的核心材料，DJCT、DCM1或DCM2用作摻雜劑。在形成發(fā)藍(lán)光的發(fā)光層時(shí)，BAlq3(具有2-甲基-8-喹啉的5配位體絡(luò)合物和酚導(dǎo)體的混合配位體)用作發(fā)光層的核心材料，二萘嵌苯用作摻雜劑。
當(dāng)然，本發(fā)明不限于上述有機(jī)材料，且可以使用已知的低分子量有機(jī)EL材料、高分子量有機(jī)EL材料和無(wú)機(jī)EL材料。在使用高分子量有機(jī)EL材料時(shí)，也可以使用涂覆的方法。
在根據(jù)上述步驟形成有機(jī)EL層331和332后，形成20nm厚的MgAg膜(在鎂(Mg)中摻雜有1％-10％銀(Ag)的金屬膜)作為陰極333。還形成150nm厚的ITO膜作為輔助電極334。由此形成由陽(yáng)極329、有機(jī)EL層332和陰極333組成的EL元件400。在實(shí)施例1中，EL元件400用作發(fā)光元件。
接下來(lái)，如圖4D所示，在相對(duì)襯底335的兩側(cè)形成由樹脂制造的間隔層336和由氧化鉭膜或類金剛石碳膜制造的相對(duì)側(cè)的鈍化膜337。然后，元件形成襯底301和相對(duì)襯底335使用圖中未示出的密封件連接在一起。相對(duì)側(cè)的鈍化膜337具有防止從樹脂做的間隔層336排氣的作用。注意在實(shí)施例1中，包括形成在其上面的元件的襯底被稱作元件形成襯底。而且，包括形成在其上面的間隔層和相對(duì)側(cè)鈍化膜的襯底被稱作相對(duì)襯底。
注意兩個(gè)襯底的連接工藝是在氬氣環(huán)境下進(jìn)行的。結(jié)果，空間338中填充有氬氣。當(dāng)然，例如氮?dú)饣蚨栊詺怏w等不活潑氣體也可以用作填充空間338的氣體。另外，優(yōu)選地提供的材料能吸收空間338中的氧氣或水汽。此外，如果不讓空間338為空的空間，可以在其中填充樹脂。
由此，開關(guān)TFT(實(shí)施例1中的P溝道TFT)401和電流控制TFT(實(shí)施例1中的P溝道TFT)402根據(jù)上述的制造工藝形成在象素中。在實(shí)施例1中，由于所有的TFT形成為P溝道TFT，制造工藝簡(jiǎn)單易行。當(dāng)然，也可以使用N溝道TFT作為開關(guān)TFT和/或電流控制TFT。對(duì)于制造N溝道TFT及其結(jié)構(gòu)的已知技術(shù)沒有特別限制。
平整步驟由第二層間絕緣膜324執(zhí)行。進(jìn)一步地，由于電流控制TFT402的漏極布線321和象素電極328使用填充接觸孔325的導(dǎo)體327彼此電連接，象素電極328是高度平整的。因此，從象素中發(fā)出的光很均勻，因?yàn)樵鰪?qiáng)了有機(jī)EL層332薄膜厚度的均勻性。
本發(fā)明的主要特征是從EL元件400發(fā)出的光朝向相對(duì)襯底335的方向照射。因此，幾乎全部象素面積成為有效發(fā)光面積，且象素電極328的面積基本決定了有效發(fā)光面積。因此可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)80-95％的孔徑比。
第二實(shí)施例在實(shí)施例2中，參照附圖6解釋具有象素的發(fā)光器件，其象素結(jié)構(gòu)不同于圖2所示的EL發(fā)光器件中的象素結(jié)構(gòu)。注意在實(shí)施例2中，EL發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)可以通過(guò)在圖2的結(jié)構(gòu)中添加一些變化來(lái)制造，因此針對(duì)與圖2不同的地方來(lái)解釋。因此實(shí)施方式中參照與圖2中部件相同標(biāo)號(hào)的部件進(jìn)行解釋。
在實(shí)施例2中，在形成層間絕緣膜205的接觸孔之后，在這個(gè)狀態(tài)下形成象素電極601a和陽(yáng)極601b。然后，形成絕緣膜602以填充接觸孔形成的凹部。在實(shí)施例2中絕緣膜602稱作填充絕緣膜602。填充絕緣膜602可以與堤208同時(shí)形成，因此制造工藝中不需要添加任何特別工藝。
類似于圖2的導(dǎo)體206，填充絕緣膜602是用于抑制有機(jī)EL層由于接觸孔導(dǎo)致的凹部引起的劣化的。這時(shí)，優(yōu)選地將填充絕緣膜602頂部與陽(yáng)極601b之間的高度設(shè)置在100-300nm之間。如果高度超過(guò)300nm，會(huì)形成臺(tái)階，此臺(tái)階可能會(huì)加速有機(jī)EL層的劣化。此外，如果高度小于100nm，將會(huì)降低同時(shí)形成的堤208的作用(抑制在象素電極的邊緣部分的電場(chǎng)集中的影響的作用)。
在形成陽(yáng)極601a之后，在實(shí)施例2中通過(guò)旋涂形成500nm厚的丙烯酸膜。然后，用氧氣形成等離子體以刻蝕丙烯酸膜，直到其膜厚(只是接觸孔外的膜厚)達(dá)到200nm。因此，在使丙烯酸膜的厚度減薄之后，進(jìn)行構(gòu)圖以形成堤208和填充絕緣膜602。
實(shí)施例2中的象素的頂部結(jié)構(gòu)示于圖7。沿圖7的A-A’線的剖面圖對(duì)應(yīng)于圖6。注意圖7中未示出相對(duì)襯底214和間隔層215。另外，象素的基本結(jié)構(gòu)與圖5的相同，因此略去了其詳細(xì)解釋。
在圖7中，形成堤208以隱藏在象素電極601a和陽(yáng)極601b的邊緣部分的臺(tái)階。形成填充絕緣膜602以使堤208的部分凸出。因此，該結(jié)構(gòu)是使凸出的絕緣膜填充了由象素電極601a的接觸孔形成的凹部。
注意通過(guò)組合上述填充絕緣膜的形成方法和實(shí)施例1的制造方法，實(shí)施例2的EL發(fā)光器件很容易制造。
實(shí)施例3盡管實(shí)施例1的EL發(fā)光器件中只示出了象素部分的結(jié)構(gòu)，但可以在相同的襯底上與其一體地形成用于驅(qū)動(dòng)這些象素部分的驅(qū)動(dòng)電路。在形成驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路可以形成為nMOS電路、pMOS電路或CMOS電路。當(dāng)然，可以只有象素部分形成為TFT，且含IC芯片的驅(qū)動(dòng)電路可以用作外接的驅(qū)動(dòng)電路。
此外，實(shí)施例1的制造工藝通過(guò)只形成P溝道TFT的象素部分而得到簡(jiǎn)化。然而，在實(shí)施例2中驅(qū)動(dòng)電路形成為pMOS電路，且含IC芯片的驅(qū)動(dòng)電路可以用作不能由pMOS電路形成的驅(qū)動(dòng)電路。
注意可以通過(guò)自由組合其與實(shí)施例1或2的結(jié)構(gòu)，來(lái)形成實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例4在實(shí)施例4中，解釋了其中非晶硅膜用作將形成在象素部分的開關(guān)TFT和電流控制TFT的有源層的例子。倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型TFT是已知的使用非晶硅膜的TFT。實(shí)施例4使用這種TFT。
使用非晶硅膜的TFT的制造工藝簡(jiǎn)單易行，另一方面，其缺點(diǎn)是元件的尺寸很大。然而在本發(fā)明的EL發(fā)光器件中，TFT的尺寸對(duì)象素的有效發(fā)光面積沒有影響。因此，使用非晶硅膜作為TFT的有源層，能制造更便宜的EL發(fā)光器件。
注意實(shí)施例4的結(jié)構(gòu)可以與實(shí)施例1-3中任一個(gè)的結(jié)構(gòu)自由結(jié)合。然而，在結(jié)合實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選地外接含有IC芯片的驅(qū)動(dòng)器電路，因?yàn)楹茈y用非晶硅膜的TFT來(lái)制造操作速度很快的驅(qū)動(dòng)器電路。
實(shí)施例5
在實(shí)施例1-4中，針對(duì)有源矩陣型EL發(fā)光器件進(jìn)行解釋。然而，本發(fā)明也可以實(shí)施為無(wú)源矩陣型EL發(fā)光器件的EL元件。
形成的無(wú)源矩陣型EL發(fā)光器件包括其中陽(yáng)極和陰極為彼此垂直的條形且中間夾有有機(jī)EL層的結(jié)構(gòu)。在制造無(wú)源矩陣型EL發(fā)光器件時(shí)，可以使用圖1的結(jié)構(gòu)。
注意實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)可以與實(shí)施例1-3中的任意一個(gè)的結(jié)構(gòu)自由結(jié)合。然而，在結(jié)合實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)時(shí)，含IC芯片的驅(qū)動(dòng)電路是外接的。
實(shí)施例6在實(shí)施例6中，解釋將本發(fā)明的EL發(fā)光器件用作液晶顯示器或熒光顯示燈的背光光源的例子。這時(shí)，不需要根據(jù)各個(gè)象素分割EL元件?？梢哉归_方式使用本發(fā)明的EL元件作為發(fā)光照明元件。
此外，在襯底的表面，其面積可以分為多個(gè)區(qū)域，使得從各個(gè)區(qū)域發(fā)出不同顏色的光。關(guān)于分別形成的EL元件，可以參考實(shí)施例1的有機(jī)EL層的制造工藝。
注意實(shí)施例6的EL元件基本對(duì)應(yīng)于實(shí)施例1的象素以較大尺寸形成的情況。因此，希望參考實(shí)施例1形成用絕緣膜覆蓋陽(yáng)極邊緣的發(fā)明性思想。
實(shí)施例7根據(jù)本發(fā)明形成的發(fā)光器件可以用作各種電子裝置的顯示部分。例如，在享受電視廣播等時(shí)，可以使用外殼中含有對(duì)角線尺寸為20-60英寸的本發(fā)明的發(fā)光器件的顯示器。注意，個(gè)人計(jì)算機(jī)、電視廣播接收顯示器和例如用于顯示通知等的顯示器的顯示所有信息的顯示器，都包括在具有包含在外殼中的發(fā)光器件的顯示器中。
下面是本發(fā)明的其它電子裝置攝像機(jī)、數(shù)字相機(jī)、護(hù)目鏡型(頭戴型)顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻播放器(例如汽車立體聲音響或音頻立體聲音響)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(例如移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手提電話、便攜式游戲機(jī)或電子書)、裝有記錄媒質(zhì)的圖象播放設(shè)備(具體地具有播放記錄媒質(zhì)中的圖象和顯示圖象的顯示器部分的設(shè)備)。這些電子裝置的具體例子示于圖8A-9B。
圖8A表示具有裝在外殼中的發(fā)光器件的顯示器，該顯示器包括外殼2001、支撐臺(tái)2002、顯示部分2003等。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2003。這種顯示器是自發(fā)光型的，不需要背光。因此，顯示部分可以比液晶顯示器更薄。
圖8B是攝像機(jī)，包括主體2101、顯示部分2102、聲音輸入部分2103。操作開關(guān)2104、電池2105、圖象接收部分2106等。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2102。
圖8C是頭戴式EL顯示器，包括主體2201、信號(hào)電纜2202、頭部固定帶2203、顯示部分2204、光學(xué)系統(tǒng)2205、發(fā)光器件2206等。本發(fā)明可以應(yīng)用于自發(fā)光器件2206。
圖8D是帶有記錄媒質(zhì)的圖象播放裝置(例如，DVD播放器)，包括主體2301、記錄媒質(zhì)(例如DVD)2302、操作開關(guān)2303、顯示部分(a)2304、顯示部分(b)2305等。顯示部分(a)2304主要用于顯示圖象信息。顯示部分(b)2305主要用于顯示字符信息。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分(a)2304和顯示部分(b)2305。注意，包含記錄媒質(zhì)的圖象播放裝置包括例如家用游戲機(jī)的裝置。
圖8E是移動(dòng)計(jì)算機(jī)，包括主體2401、攝像部分2402、圖象接收部分2403、操作開關(guān)2404、顯示部分2405等。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2405。
圖8F是個(gè)人計(jì)算機(jī)，包括主體2501、外殼2502、顯示部分2503、鍵盤2504等。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2503。
注意如果在將來(lái)亮度增大，可以將本發(fā)明的發(fā)光器件用于前投型或背投型投影儀，通過(guò)用透鏡、光纖等擴(kuò)展和投射包含輸出圖象信息的光。
另外由于發(fā)光器件保存了發(fā)光部分的能量，優(yōu)選地使發(fā)光部分盡可能小地顯示信息。結(jié)果，在使用主要用于顯示字符信息的顯示部分中的發(fā)光器件時(shí)，例如在便攜式信息終端中，尤其是手提電話或音頻播放器中，優(yōu)選地驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件以通過(guò)發(fā)光部分形成字符信息，而不發(fā)光的部分作為背景。
圖9A是手提電話，包括主體2601、聲音輸出部分2602、、聲音輸入部分2603、顯示部分2604、操作開關(guān)2605和天線2606。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2604。注意通過(guò)在黑色背景中顯示白色字符，顯示部分2604能降低手提電話的功耗。
圖9B是音頻播放器，具體講是汽車立體聲音響，包括主體2701、顯示部分2702和操作開關(guān)2703和2704。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2702。此外汽車立體聲音響示于實(shí)施例7，但也可以使用便攜式或家用音頻播放裝置。注意通過(guò)在黑色背景中顯示白色字符，顯示部分2704能降低功耗。這在便攜式音頻播放裝置中尤其有用。
可以使用本發(fā)明的發(fā)光器件作為用于液晶顯示器(液晶顯示模塊)的背光的光源。液晶顯示器，類似于本發(fā)明的發(fā)光器件，可以用作上述所有電子裝置的顯示部分。本發(fā)明的發(fā)光器件可以提供在使用液晶顯示器的電子裝置中。
因此，本發(fā)明的應(yīng)用范圍很寬，它可以應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子裝置中。此外，實(shí)施例7的電子裝置可以使用具有實(shí)施例1-6中任何構(gòu)造的發(fā)光器件。
在本發(fā)明中，在由陽(yáng)極、陰極和夾在其間的EL層組成的EL元件中，陰極對(duì)可見光透明，反射電極位于EL元件下面，因此可以收集來(lái)自陰極側(cè)的光。結(jié)果，象素的有效發(fā)光面積顯著增大，由此可以獲得明亮的光發(fā)射而不需要增大EL元件的驅(qū)動(dòng)電壓。
此外，由于可以降低驅(qū)動(dòng)電壓，可以實(shí)現(xiàn)抑制EL層的劣化和實(shí)現(xiàn)發(fā)光層功耗的降低。換句話說(shuō)，可以提供明亮和高度可靠的發(fā)光器件。另外，可以提高使用本發(fā)明的發(fā)光器件作為顯示部分或光源的電子裝置的可靠性。
權(quán)利要求
1.一種含有一個(gè)顯示部分的電視機(jī)，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；和一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的外接驅(qū)動(dòng)電路，所述外接驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)IC芯片。
2.一種含有一個(gè)顯示部分的電視機(jī)，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；和一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的外接驅(qū)動(dòng)電路，所述外接驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)IC芯片。
3.一種含有一個(gè)顯示部分的電視機(jī)，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
4.一種含有一個(gè)顯示部分的電視機(jī)，所述顯示部分包括一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
5.一種含有一個(gè)顯示部分的導(dǎo)航系統(tǒng)，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；含有一個(gè)IC芯片、用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的一個(gè)外接驅(qū)動(dòng)電路。
6.一種含有一個(gè)顯示部分的導(dǎo)航系統(tǒng)，所述顯示部分包括一種含有一個(gè)顯示部分的電視機(jī)，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；和一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的外接驅(qū)動(dòng)電路，所述外接驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)IC芯片。
7.一種含有一個(gè)顯示部分的的導(dǎo)航系統(tǒng)，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
8.一種含有一個(gè)顯示部分的的導(dǎo)航系統(tǒng)，所述顯示部分包括一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
9.一種含有一個(gè)顯示部分的音頻播放裝置，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；含有一個(gè)IC芯片、用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的一個(gè)外接驅(qū)動(dòng)電路。
10.一種含有一個(gè)顯示部分的音頻播放裝置，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；和一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的外接驅(qū)動(dòng)電路，所述外接驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)IC芯片。
11.一種含有一個(gè)顯示部分的的音頻播放裝置，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
12.一種含有一個(gè)顯示部分的的音頻播放裝置，所述顯示部分包括一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
13.一種含有一個(gè)顯示部分的便攜式信息終端，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；含有一個(gè)IC芯片、用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的一個(gè)外接驅(qū)動(dòng)電路。
14.一種含有一個(gè)顯示部分的便攜式信息終端，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；和一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的外接驅(qū)動(dòng)電路，所述外接驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)IC芯片。
15.一種含有一個(gè)顯示部分的的便攜式信息終端，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
16.一種含有一個(gè)顯示部分的的便攜式信息終端，所述顯示部分包括一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
17.一種含有一個(gè)顯示部分的圖象播放裝置，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；含有一個(gè)IC芯片、用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的一個(gè)外接驅(qū)動(dòng)電路。
18.一種含有一個(gè)顯示部分的圖象播放裝置，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的像素部分，所述像素部分包括一個(gè)EL元件；和一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；和一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)所述像素部分的外接驅(qū)動(dòng)電路，所述外接驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)IC芯片。
19.一種含有一個(gè)顯示部分的圖象播放裝置，所述顯示部分包括在一個(gè)襯底上的一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括含有非晶硅的有源層；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
20.一種含有一個(gè)顯示部分的圖象播放裝置，所述顯示部分包括一個(gè)倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管；在所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管上的像素電極；在所述像素電極上的陽(yáng)極，與所述倒轉(zhuǎn)交錯(cuò)型薄膜晶體管電連接；在所述陽(yáng)極上的一個(gè)發(fā)光層；在所述發(fā)光層上的一個(gè)陰極。
21.根據(jù)權(quán)利要求1的電視機(jī)，其中所述圖像部分是對(duì)角線尺寸為20-60英寸的發(fā)光器件。
22.根據(jù)權(quán)利要求2的電視機(jī)，其中所述圖像部分是對(duì)角線尺寸為20-60英寸的發(fā)光器件。
23.根據(jù)權(quán)利要求3的電視機(jī)，其中所述圖像部分是對(duì)角線尺寸為20-60英寸的發(fā)光器件。
24.根據(jù)權(quán)利要求4的電視機(jī)，其中所述圖像部分是對(duì)角線尺寸為20-60英寸的發(fā)光器件。
25.根據(jù)權(quán)利要求9的音頻播放裝置，其中所述音頻播放裝置汽車立體聲音響或音頻立體聲音響。
26.根據(jù)權(quán)利要求10的音頻播放裝置，其中所述音頻播放裝置汽車立體聲音響或音頻立體聲音響。
27.根據(jù)權(quán)利要求11的音頻播放裝置，其中所述音頻播放裝置汽車立體聲音響或音頻立體聲音響。
28.根據(jù)權(quán)利要求12的音頻播放裝置，其中所述音頻播放裝置汽車立體聲音響或音頻立體聲音響。
29.根據(jù)權(quán)利要求13的便攜式信息終端，其中所述便攜式信息終端是從移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手提電話、便攜式游戲機(jī)或電子書的組中選出的一個(gè)。
30.根據(jù)權(quán)利要求14的便攜式信息終端，其中所述便攜式信息終端是從移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手提電話、便攜式游戲機(jī)或電子書的組中選出的一個(gè)。
31.根據(jù)權(quán)利要求15的便攜式信息終端，其中所述便攜式信息終端是從移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手提電話、便攜式游戲機(jī)或電子書的組中選出的一個(gè)。
32.根據(jù)權(quán)利要求16的便攜式信息終端，其中所述便攜式信息終端是從移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手提電話、便攜式游戲機(jī)或電子書的組中選出的一個(gè)。
33.根據(jù)權(quán)利要求17的圖像播放裝置，其中所述圖像播放裝置是DVD播放器。
34.根據(jù)權(quán)利要求18的圖像播放裝置，其中所述圖像播放裝置是DVD播放器。
35.根據(jù)權(quán)利要求19的圖像播放裝置，其中所述圖像播放裝置是DVD播放器。
36.根據(jù)權(quán)利要求20的圖像播放裝置，其中所述圖像播放裝置是DVD播放器。
37.根據(jù)權(quán)利要求3的電視機(jī)，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
38.根據(jù)權(quán)利要求4的電視機(jī)，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
39.根據(jù)權(quán)利要求7的導(dǎo)航系統(tǒng)，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
40.根據(jù)權(quán)利要求8的導(dǎo)航系統(tǒng)，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
41.根據(jù)權(quán)利要求11的音頻播放裝置，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
42.根據(jù)權(quán)利要求12的音頻播放裝置，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
43.根據(jù)權(quán)利要求15的便攜式信息終端，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
44.根據(jù)權(quán)利要求16的便攜式信息終端，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
45.根據(jù)權(quán)利要求19的圖像播放裝置，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
46.根據(jù)權(quán)利要求20的圖像播放裝置，其中所述發(fā)光層發(fā)出的光從陰極側(cè)射出。
全文摘要
提供了明亮和高度可靠的發(fā)光器件。陽(yáng)極(102)、EL層(103)、陰極(104)和輔助電極(105)以疊層順序地形成在反射電極(101)上。此外，陽(yáng)極(102)、陰極(104)和輔助電極(105)是對(duì)可見光透明或半透明的。在這種結(jié)構(gòu)中，EL層(103)中產(chǎn)生的光幾乎全部照射到陰極(104)一側(cè)，由此象素的有效發(fā)光面積顯著增強(qiáng)。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1767190SQ200510099448
公開日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2001年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月3日
發(fā)明者福永健司, 丸山純矢 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所