專利名稱：多層陶瓷電子部件、電路板以及用于制造這些部件和電路板的陶瓷生片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造電子部件的方法，其中由通過層壓陶瓷生片形成的由所謂的多層陶瓷組成的電子部件來舉例說明。更具體地說，本發(fā)明涉及內(nèi)部包括電極層的所謂的陶瓷生片的制造方法。這里所述的多層陶瓷電子部件的實(shí)例包括多層陶瓷電容器、多層陶瓷電感器、包括它們的LC復(fù)合部件以及EMC相關(guān)部件。
背景技術(shù)：
近年來，隨著蜂窩電話代表的電子裝置的小型化和迅速普及，需要用于這些裝置的電子部件的安裝密度增加以及性能改善。為了滿足這些需要，通過減小層厚度和增加層數(shù)量實(shí)現(xiàn)對(duì)小型化和性能改善的需求寄托于用作無源元件的多層陶瓷電子部件上。另外，也需要改善制造方法來滿足這些需求。
以下，將采用其內(nèi)部形成有電極的多層陶瓷電容器作為實(shí)例，簡潔描述上述多層陶瓷電子部件的制造方法。在該技術(shù)中，首先通過使用包含金屬粉末和有機(jī)粘合劑的導(dǎo)電膠的絲網(wǎng)印刷等同時(shí)在由單一陶瓷物形成的陶瓷生片上形成多個(gè)電極。接著，堆疊其上形成有電極的多個(gè)未加工的陶瓷生片和陶瓷生片，以形成陶瓷多層構(gòu)件。電極將構(gòu)成作為制成品的多層陶瓷電子部件的內(nèi)部電極。而且，在陶瓷多層構(gòu)件的厚度方向?qū)μ沾啥鄬訕?gòu)件加壓以便生片彼此相互緊密接觸。然后將緊密接觸的多層構(gòu)件切成確定的尺寸并分成單個(gè)芯片。在獲得的芯片表面上或在經(jīng)燒結(jié)的芯片上適當(dāng)?shù)匦纬赏獠侩姌O。因此，獲得多層陶瓷電子部件。
有許多關(guān)于與通過層壓陶瓷生片形成的多層陶瓷電子部件有關(guān)的陶瓷生片的制造方法的報(bào)道。(參見日本專利Nos.3216627、3164068和3231987以及日本專利申請(qǐng)公開No.2001-110662。)其中，使用包括施加漿料、烘干、曝光以及顯影的工藝的光刻技術(shù)形成通孔和構(gòu)圖溝槽并用導(dǎo)電材料填充的方法引起了注意。這是因?yàn)榭紤]到隨著多層陶瓷電子部件的小型化在生片中形成的各種電極圖形變得更加精細(xì)的事實(shí)，引入光刻技術(shù)作為適合精細(xì)處理的方法。
更具體地說，一種典型工藝包括這樣的工藝施加光敏漿料，其后通過光刻形成需要的電極圖形并用電極材料填充如此形成的負(fù)圖形。
當(dāng)使用光刻技術(shù)時(shí)，重要的是分辨率以及光透射率。
分辨率影響所形成圖形的形狀的精度。在具有高光衍射特性的陶瓷生片如玻璃陶瓷生片的情況下，分辨率與例如由衍射光影響引起的在圖形外部形狀邊緣處缺乏清晰度的問題有關(guān)。特別地，沿生片厚度方向距離曝光側(cè)越遠(yuǎn)，影響的因素就越多。換句話說，由于由待曝光構(gòu)件引起衍射，存在不需要曝光的部分也被曝光的問題。
光透射率影響形成圖形的截面形狀。在具有低光透射率的陶瓷生片如鐵氧體陶瓷生片的情況下，光透射率與例如圖形截面隨光數(shù)量減少而逐漸變細(xì)的問題有關(guān)。也在這種情況下，沿生片厚度方向距離曝光側(cè)越遠(yuǎn)，影響的因素就越多。換句話說，由于待曝光構(gòu)件的不透明性，存在需要曝光的部分不被曝光的問題。
在許多情況下，用導(dǎo)電材料填充上述曝光圖形，鑒于例如1)容易用導(dǎo)電膠填充以及2)電極的DC電阻值的減少，需要圖形的截面形狀盡可能是矩形。
鑒于上述情況，當(dāng)通過常規(guī)工藝形成包括電極圖形等的厚片時(shí)，分別堆疊每個(gè)具有不影響分辨率和光透射率的厚度的多層或多次重復(fù)包括施加漿料、曝光、顯影以及電極印刷的工藝。例如，在利用能夠傳輸或感光的僅有2μm厚的材料制造20μm厚的層的情況下，需要用常規(guī)工藝形成并堆疊十層。這種堆疊或重復(fù)工藝降低了堆疊準(zhǔn)確度并對(duì)導(dǎo)電特性的可靠度不利。
鑒于上述情況，需要一種改善堆疊精確度和導(dǎo)電可靠性同時(shí)不受分辨率和光透射率影響的陶瓷生片的制造方法。
關(guān)于分辨率，在日本專利No.3216627以及日本專利申請(qǐng)公開No.5-271576(其被日本專利No.3216627引用)公開了例如用于吸收反射光的使絕緣層表面平滑以及混合著色劑的方法。然而，沒有現(xiàn)有技術(shù)提供涉及光透射率問題的解決方法。
對(duì)于涉及光敏厚膜中的衍射，接觸曝光時(shí)掩膜的污染以及曝光附近的分辨率的問題，日本專利No.3216627公開了制造電感器的解決方法。在該方法中，形成光敏、導(dǎo)電厚膜，然后使其平滑并通過使用掩膜的曝光和顯影在其中形成圖形，在其上形成光敏絕緣厚膜，然后使其平滑并通過曝光和顯影形成通孔，在其上形成光敏、導(dǎo)電厚膜以填充通孔，然后使其平滑并通過曝光和顯影形成圖形。該方法包括在導(dǎo)電材料圖形上形成光敏絕緣膜，然后對(duì)其暴光并顯影。然而，形成在導(dǎo)電材料圖形上的光敏絕緣膜作為厚層并通過曝光和顯影形成通孔。因此，需要具有更廣泛應(yīng)用的更簡單工藝。
在日本專利No.3164068中公開的技術(shù)是以增加導(dǎo)電材料圖形的厚度為目的。在該文獻(xiàn)公開的方法中，通過重復(fù)進(jìn)行如下工藝制造電子部件形成光敏導(dǎo)電厚膜，接著通過用掩膜曝光以及顯影在其中形成圖形，在其上形成絕緣材料膜，然后使用溶劑除去絕緣層直到下面的下導(dǎo)電圖形的上表面曝光，在下導(dǎo)電圖形上形成上導(dǎo)電圖形層，在其上形成光敏絕緣厚膜，然后通過曝光和顯影形成通孔，形成光敏、導(dǎo)電層，以及通過使用掩膜的曝光和顯影填充通孔。然而，根據(jù)該方法，因?yàn)椴煌趯?dǎo)電圖形上的部分的絕緣薄膜的部分被溶解，所以減小了薄膜厚度，因此存在堆疊未對(duì)準(zhǔn)的問題。
日本專利No.3231987公開了制造陶瓷電路板的方法，其中通過重復(fù)進(jìn)行如下工藝形成層壓構(gòu)件施加光敏陶瓷滑動(dòng)材料(指漿料)，通過曝光和顯影形成用于內(nèi)部布線的圖形溝槽并其后用導(dǎo)電膠填充溝槽，以及燒結(jié)如此形成的層壓構(gòu)件。該方法是從印刷層壓方法中開發(fā)的，是以裝配方式形成層壓構(gòu)件。換句話說，在成功形成層壓層中，如果沒有施加、烘干、曝光、顯影、液態(tài)去除或烘干、用導(dǎo)體填充、烘干、用樹脂填充并烘干(或曝光)的所有連續(xù)工藝步驟，就不能完成一層的形成。因此，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，如果在工藝過程中產(chǎn)生缺陷層，那么已形成的所有層有時(shí)被浪費(fèi)，其對(duì)交付時(shí)間和產(chǎn)量不利。
日本專利申請(qǐng)公開No.2001-110662公開了一種包括電感器的部件的制造方法，其中在導(dǎo)電處理材料上施加光敏漿料，通過曝光和顯影在其上形成圖形溝槽，通過電沉積在溝槽中形成電極，堆疊以這種方法形成的層和然后燒結(jié)。然而，該方法遇到以下問題，絕緣層厚度(或分辨率或衍射特性)影響內(nèi)部電極圖形的截面形狀以及增加工藝步驟的數(shù)量。而且，在該方法中，由于分辨率依賴性，在施加光敏漿料和電沉積光敏粉末的情況下，存在對(duì)在高縱橫比下分辨(resolving at high aspect)和制造厚層的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述背景形成，以及本發(fā)明的一個(gè)目的是提供電子部件的制造方法，其可以防止堆疊未對(duì)準(zhǔn)并可以使用各種光敏材料而無需考慮它們的光透射率。特別地，利用本發(fā)明的方法，甚至當(dāng)所使用的材料具有低透射率以在大量光下最多固化僅僅一或幾微米的厚度時(shí)，只要形成允許顯影的固化薄膜，就可以通過一次曝光和顯影形成具有足夠厚度和包括電極的生片，該方法在堆疊精確度和導(dǎo)電可靠性上是有利的。此外，只要滿足涉及透射厚度的分辨率和顯影容差(tolerance against development)的條件，甚至可以使用例如容易衍射光的玻璃陶瓷材料的材料，以及該材料可以應(yīng)用于通過設(shè)置所使用的掩膜和制造條件來制造大多數(shù)產(chǎn)品的工藝。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于制造多層陶瓷電子部件的陶瓷生片的制造方法，包括以下步驟通過任意工藝在襯底或形成于襯底上的層上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極；以這樣的方式在襯底或所述層和內(nèi)部電極的表面上形成光敏陶瓷漿料，以便剛好在以曝光之前光敏陶瓷漿料的厚度基本上等于內(nèi)部電極從襯底或所述層的表面的厚度；在掩蔽內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從襯底的上側(cè)用光照射光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光，從而選擇性地固化光敏陶瓷漿料的表面，以這樣的方式控制曝光量以使光敏陶瓷漿料的表面固化；以及通過顯影工藝除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露內(nèi)部電極圖形的表面。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造多層陶瓷電子部件的陶瓷生片的制造方法，包括以下步驟通過任意工藝在襯底或形成于襯底上的層上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極；以這樣的方式在襯底或所述層和內(nèi)部電極的表面上形成光敏陶瓷漿料，以便剛好在以曝光之前光敏陶瓷漿料的厚度小于內(nèi)部電極從襯底或所述層的表面的厚度；在掩蔽內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從襯底的上側(cè)用光照射光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光，從而選擇性地固化光敏陶瓷漿料的表面，以這樣的方式控制曝光量以使光敏陶瓷漿料的表面固化；以及通過顯影工藝除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露內(nèi)部電極圖形的表面。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造多層陶瓷電子部件的陶瓷生片的制造方法，包括以下步驟在通過上述方法制造的陶瓷生片的暴露柱狀電極上形成圖形電極；以這樣的方式在圖形電極的表面上形成光敏陶瓷漿料，以便剛好在以曝光之前光敏陶瓷漿料的厚度基本上等于圖形電極的厚度；在掩蔽內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從襯底的上側(cè)用光照射如此形成的生片以進(jìn)行曝光，從而選擇性地固化光敏陶瓷漿料的表面，以這樣的方式控制曝光量以使光敏陶瓷漿料的表面固化；以及通過顯影工藝除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露內(nèi)部電極圖形的表面。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在用于制造陶瓷生片的上述方法中，通過如下方法之一形成內(nèi)部電極絲網(wǎng)印刷、噴墨、光敏電極材料光刻、金屬電鍍、電泳沉積、濺射或它們的組合。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種制造多層陶瓷電子部件的方法，其中通過堆疊用上述用于制造陶瓷生片的方法形成的陶瓷生片或包括用不同的制造方法形成的陶體生片的一組陶瓷生片，來制造多層陶瓷電子部件。
根據(jù)使用陶瓷生片的電子部件的制造方法，可以防止堆疊未對(duì)準(zhǔn)并可以使用各種光敏材料而無需考慮它們的光透射率。
根據(jù)本發(fā)明用于制造陶瓷生片的方法包括以下步驟通過任意工藝在襯底或形成于襯底上的層上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極；以這樣的方式在襯底或所述層和內(nèi)部電極的表面上形成光敏陶瓷漿料，以便剛好在以曝光之前光敏陶瓷漿料的厚度基本上等于或小于內(nèi)部電極從襯底或所述層的表面的厚度；在掩蔽內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從襯底的上側(cè)用光照射光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光，從而選擇性地固化光敏陶瓷漿料的表面，以這樣的方式控制曝光量以使光敏陶瓷漿料的表面固化；以及通過顯影工藝除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露內(nèi)部電極圖形的表面。利用本發(fā)明的方法，可以不受光敏陶生片的光分辨率或光透射率對(duì)電極圖形的截面形狀的影響而形成內(nèi)部電極圖形。因此，即使生片是深色或較厚，也可以形成內(nèi)部電極圖形。
曝光量應(yīng)當(dāng)足以固化光敏陶瓷漿料表面，即在曝光之后足以固化這樣厚度的光敏漿料，以便在顯影工藝中顯影液不溶解光敏漿料的希望部分。
內(nèi)部電極圖形的截面形狀取決于用于形成內(nèi)部電極的方法，該方法可以是絲網(wǎng)印刷、噴墨、光敏電極材料光刻、金屬電鍍、電泳沉積、濺射等或這些方法的組合。特別適合的方法是使所形成的導(dǎo)電部分的截面形狀盡可能地接近矩形并可以實(shí)現(xiàn)高縱橫比的方法。
而且，以這樣的方式在內(nèi)部電極上形成光敏生片，以便剛好在以曝光之前光敏生片的厚度基本上等于內(nèi)部電極的厚度。因此，能生制造包括內(nèi)部電極的基本上平坦的陶瓷生片。
在本發(fā)明的方法中，以這樣的方式施加并烘干光敏陶瓷漿料，以便在曝光和顯影之后生片部分的高度與內(nèi)部電極的高度彼此基本上相等，并使其經(jīng)歷使用電極圖形掩膜的曝光和顯影以制造包括電極的基本上平坦的層。所施加的漿料厚度應(yīng)該略大于電極厚度，以便在曝光和顯影之后漿料厚度基本上等于電極厚度并且生片部分的高度和電極的高度彼此基本上相等。在由于顯影中的溶解而發(fā)生通過曝光固化的部分的層厚減小的情況下，烘干的漿料厚度比電極厚度大對(duì)應(yīng)于由于溶解而減小的量。通過堆疊以這種方式制造的基本上平坦的層，可以減少堆疊未對(duì)準(zhǔn)并進(jìn)一步提高燒結(jié)構(gòu)件的尺寸精度。
而且，本發(fā)明可以應(yīng)用于在由例如PET構(gòu)成的襯底上形成的電極?？梢允褂萌魏晤愋偷囊r底只要其上能夠形成電極?？梢酝ㄟ^印刷或轉(zhuǎn)移形成電極。本發(fā)明還可以應(yīng)用于通過電沉積在其上形成電極等的襯底。在這種情況下，可以形成包括電極的層同時(shí)保持通過電沉積形成的電極的精度。因此，可以進(jìn)一步改善其電學(xué)特性。
而且，不管材料對(duì)曝光光是否具有高透射率或低透射率，都可以應(yīng)用本發(fā)明。特別地，本發(fā)明可以應(yīng)用于磁性材料、介質(zhì)材料以及包含這些材料的產(chǎn)品或襯底。因此可以采用相同的工藝實(shí)現(xiàn)本發(fā)明并可以使用同一生產(chǎn)線。因此，降低了設(shè)備成本。
因?yàn)楸景l(fā)明僅僅需要固化光敏材料表面，因此一旦曝光在光敏材料中發(fā)生的衍射不會(huì)影響分辨率。由于材料的衍射通常劣化了沿厚度方向上的分辨率。然而，在本發(fā)明的方法中，由于通過曝光形成具有幾微米厚度的固化薄膜，所以分辨率劣化影響小。
不管光敏材料的光透射率，本發(fā)明都可以應(yīng)用于在生片上形成的電極。生片具有形成于其上的通孔并具有包括圖形和柱的結(jié)構(gòu)，從而提高了導(dǎo)電可靠性。根據(jù)本發(fā)明，在不形成通孔或圖形溝槽的情況下并不管材料的光透射率和圖形分辨率，可以進(jìn)一步提供具有包括圖形和柱的結(jié)構(gòu)的生片。這進(jìn)一步提高了導(dǎo)電可靠性。


圖1是根據(jù)本發(fā)明制造陶瓷生片的方法流程圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明制造陶瓷生片的另一方法流程圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明制造陶瓷生片的另一方法流程圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明使用掩膜曝光陶瓷生片的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參考附圖具體描述本發(fā)明的實(shí)施例。圖1到4是根據(jù)本發(fā)明的電子部件制造方法的主要步驟的流程圖。在圖1到4中的每一個(gè)示出了襯底和生片等主要部分的截面。
如圖1所示，通過任意工藝在襯底1上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極2。然后在內(nèi)部電極表面上施加光敏陶瓷3的漿料。烘干漿料以便剛好在曝光之前其厚度基本上與內(nèi)部電極的厚度相等。隨后，在通過如圖4所示的光掩膜4掩蔽內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從襯底的上側(cè)用光照射光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光。在該工藝中，選擇性地固化光敏陶瓷漿料的表面，同時(shí)以這樣的方式控制曝光量以使光敏陶瓷漿料的表面上的暴露部分固化。通過顯影工藝除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分以形成包括內(nèi)部電極的基本上平坦的層。
通過堆疊多個(gè)如此形成的光敏陶瓷生片并對(duì)其加壓和燒結(jié)，來形成電路板或電子部件等。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明確定在陶瓷生片中光敏漿料厚度的因素以及掩膜曝光工藝。在內(nèi)部電極厚度為約10μm的情況下，施加約30μm厚的光敏漿料。當(dāng)烘干所施加的漿料時(shí)，光敏漿料收縮(收縮比大約1/3)，內(nèi)部電極上漿料的所得厚度為約7μm。在如此烘干漿料之后，使用光掩膜有選擇地曝光生片。然后，生片經(jīng)歷顯影工藝以除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分。因此，曝露內(nèi)部電極圖形的表面。
圖1、4以及下述的圖2、3示出了其中襯底1包含由其中將要形成電極的光敏陶瓷漿料構(gòu)成的層的情況。其中將要形成電極的該層可以由玻璃陶瓷材料或鐵氧體材料構(gòu)成。另外，在該層中可以形成通孔。根據(jù)將要制造的多層陶瓷電子部件等適當(dāng)?shù)剡x擇其中將要形成電極的層。
如圖2所示，通過任意工藝在襯底1上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極2。然后在內(nèi)部電極的表面上施加光敏陶瓷3的漿料。烘干漿料以便剛好在曝光之前其厚度小于內(nèi)部電極的厚度。隨后，在通過如圖4所示的光掩膜4掩蔽內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從襯底的上側(cè)用光照射光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光。在該工藝中，選擇性地固化光敏陶瓷漿料的表面，同時(shí)以這樣的方式控制曝光量以使光敏陶瓷漿料的表面上的暴露部分固化。通過顯影工藝除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露內(nèi)部電極圖形。
通過堆疊多個(gè)如此形成的光敏陶瓷生片并對(duì)其加壓和燒結(jié)，來形成電路板或電子部件等。
如圖3所示，通過任意工藝在襯底1上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極2。然后在內(nèi)部電極的表面上施加光敏陶瓷3的漿料。烘干漿料以便剛好在曝光之前其厚度小于內(nèi)部電極的厚度。隨后，在通過如圖4所示的光掩膜4掩蔽內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從襯底的上側(cè)用光照射光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光。在該工藝中，選擇性地固化光敏陶瓷漿料的表面，同時(shí)以這樣的方式控制曝光量以使光敏陶瓷漿料的表面上的暴露部分固化。通過顯影工藝除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露內(nèi)部電極圖形。在如此形成的柱狀電極上形成圖形電極6。然后，以與實(shí)施例1相似的方式在其上施加光敏漿料，并經(jīng)選擇地曝光。其后，進(jìn)行用于除去圖形電極上的漿料的顯影工藝以形成包括圖形電極和柱狀電極的基本上平坦的層。
進(jìn)一步，以如實(shí)施例1(圖1)所示的方式形成包括圖形電極和柱狀電極的層，在內(nèi)部電極2(柱狀電極)的表面上施加光敏陶瓷漿料以便漿料的厚度與內(nèi)部電極的厚度基本上相等，然后以與該實(shí)施例中相同的方式在該層上形成圖形電極。
通過堆疊多個(gè)如此形成的層并對(duì)其加壓和燒結(jié)，來形成電路板或電子部件等。
根據(jù)內(nèi)部包括電極層的所謂的陶瓷生片的制造方法，該陶瓷生片在制造多層電子部件中用作原材料，根據(jù)本發(fā)明，可以防止堆疊未對(duì)準(zhǔn)并可以使用各種光敏材料而無需考慮它們的光透射率。因此，適當(dāng)?shù)貙⒈景l(fā)明的方法應(yīng)用于制造多層陶瓷電子部件如多層陶瓷電容器、多層陶瓷電感器、包括它們的LC復(fù)合部件以及EMC相關(guān)部件。
權(quán)利要求
1.一種用于制造多層陶瓷電子部件的陶瓷生片的制造方法，包括以下步驟通過任意工藝在襯底或形成于襯底上的層上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極；以這樣的方式在所述襯底或所述層和所述內(nèi)部電極的表面上形成光敏陶瓷漿料，以便剛好在以曝光之前所述光敏陶瓷漿料的厚度基本上等于所述內(nèi)部電極從所述襯底或所述層的表面的厚度；在掩蔽所述內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從所述襯底的上側(cè)用光照射所述光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光，從而選擇性地固化所述光敏陶瓷漿料的表面，以這樣的方式控制曝光量以使所述光敏陶瓷漿料的表面固化；以及通過顯影工藝除去所述光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露所述內(nèi)部電極圖形的表面。
2.一種用于制造多層陶瓷電子部件的陶瓷生片的制造方法，包括以下步驟通過任意工藝在襯底或形成于襯底上的層上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極；以這樣的方式在所述襯底或所述層和所述內(nèi)部電極的表面上形成光敏陶瓷漿料，以便剛好在以曝光之前所述光敏陶瓷漿料的厚度小于所述內(nèi)部電極從所述襯底或所述層的表面的厚度；在掩蔽所述內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從所述襯底的上側(cè)用光照射所述光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光，從而選擇性地固化所述光敏陶瓷漿料的表面，以這樣的方式控制曝光量以使所述光敏陶瓷漿料的表面固化；以及通過顯影工藝除去所述光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露所述內(nèi)部電極圖形的表面。
3.一種用于制造多層陶瓷電子部件的陶瓷生片的制造方法，包括以下步驟在通過根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法形成的陶瓷生片的暴露柱狀電極上形成圖形電極；以這樣的方式在所述圖形電極的表面上形成光敏陶瓷漿料，以便剛好在以曝光之前所述光敏陶瓷漿料的厚度基本上等于所述圖形電極的厚度；在掩蔽所述內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從所述襯底的上側(cè)用光照射如此形成的生片以進(jìn)行曝光，從而選擇性地固化所述光敏陶瓷漿料的表面，以這樣的方式控制曝光量以使所述光敏陶瓷漿料的表面固化；以及通過顯影工藝除去所述光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露所述內(nèi)部電極圖形的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的陶瓷生片的制造方法，其中通過如下方法之一形成所述內(nèi)部電極絲網(wǎng)印刷、噴墨、光敏電極材料光刻、金屬電鍍、電泳沉積、濺射或它們的組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的陶瓷生片的制造方法，其中通過如下方法之一形成所述內(nèi)部電極絲網(wǎng)印刷、噴墨、光敏電極材料光刻、金屬電鍍、電泳沉積、濺射或它們的組合。
6.一種制造多層陶瓷電子部件的方法，其中通過堆疊用根據(jù)權(quán)利要求1或2制造陶瓷生片的方法形成的陶瓷生片或包括用不同的制造方法形成的陶體生片的一組陶瓷生片，來制造多層陶瓷電子部件。
7.一種制造多層陶瓷電子部件的方法，其中通過堆疊用根據(jù)權(quán)利要求3制造陶瓷生片的方法形成的陶瓷生片或包括用不同的制造方法形成的陶體生片的一組陶瓷生片，來制造多層陶瓷電子部件。
8.一種制造多層陶瓷電子部件的方法，其中通過堆疊由根據(jù)權(quán)利要求4制造陶瓷生片的方法形成的陶瓷生片或包括用不同的制造方法形成的陶體生片的一組陶瓷生片，來制造多層陶瓷電子部件。
9.一種制造多層陶瓷電子部件的方法，其中通過堆疊由根據(jù)權(quán)利要求5制造陶瓷生片的方法形成的陶瓷生片或包括用不同的制造方法形成的陶體生片的一組陶瓷生片，來制造多層陶瓷電子部件。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種電子部件的制造方法，其可以解決小型化、改善多層電子部件的性能和質(zhì)量。通過以下步驟制造陶瓷生片通過任意工藝在襯底或形成于襯底上的層上形成具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極；以這樣的方式在襯底或所述層和內(nèi)部電極的表面上形成光敏陶瓷漿料，以便剛好在以曝光之前光敏陶瓷漿料的厚度基本上等于或小于內(nèi)部電極從襯底或所述層的表面的厚度；在掩蔽內(nèi)部電極圖形的同時(shí)，從襯底的上側(cè)用光照射光敏陶瓷漿料以進(jìn)行曝光，從而選擇性地固化光敏陶瓷漿料的表面，以這樣的方式控制曝光量以使光敏陶瓷漿料的表面固化；以及通過顯影工藝除去光敏陶瓷漿料的未曝光部分以暴露內(nèi)部電極圖形的表面。
文檔編號(hào)H05K1/03GK1665373SQ200510062810
公開日2005年9月7日 申請(qǐng)日期2005年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月3日
發(fā)明者吉田政幸, 青木俊二, 須藤純一, 渡邊源一 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社