專利名稱：固體攝像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體攝像裝置。
背景技術(shù)：
作為這種固體攝像裝置，包括具有能量線感應(yīng)部固體攝像元件、以及裝入該固體攝像元件的插件，公知有在插件的外部設(shè)置處理從上述固體攝像元件輸出信號(hào)的信號(hào)處理電路。(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開(kāi)平-317280號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容然而，在將信號(hào)處理電路設(shè)置在插件外部的情況下，從固體攝像元件到信號(hào)處理電路的信號(hào)傳遞通路(電配線)變長(zhǎng)，該信號(hào)傳遞通路的寄生電容變大。其結(jié)果，從固體攝像元件輸出的信號(hào)的波形鈍化，同時(shí)損害高速響應(yīng)性能。
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而進(jìn)行的發(fā)明，其目的在于提供一種降低信號(hào)傳遞通路的寄生電容，抑制從固體攝像裝置輸出的信號(hào)波形的鈍化，同時(shí)可以提高高速響應(yīng)性能的固體攝像裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的固體攝像裝置的特征在于，包括具有能量線感應(yīng)部的固體攝像元件、處理從固體攝像元件輸出的信號(hào)的信號(hào)處理電路、和收納固體攝像元件以及信號(hào)處理電路的插件，其中，信號(hào)處理電路配置有與在插件中配置的固體攝像元件的平面部不同的平面部。
在本發(fā)明的固體攝像裝置中，由于信號(hào)處理電路配置有與在插件中配置的固體攝像元件的平面部不同的平面部，所以固體攝像元件和信號(hào)處理電路被配置成相互靠近。這樣，從固體攝像元件到信號(hào)處理電路的信號(hào)傳遞通路變短，信號(hào)傳遞通路的寄生電容變小。其結(jié)果，可以抑制從固體攝像裝置輸出的信號(hào)波形的鈍化，同時(shí)，可以提高高速響應(yīng)性能的固體攝像裝置。
此外，本發(fā)明的固體攝像裝置的特征在于，包括具有能量線感應(yīng)部的固體攝像元件、處理從固體攝像元件輸出的信號(hào)的信號(hào)處理電路、和收納固體攝像元件以及信號(hào)處理電路的插件，其中，插件具有第一平面部、和形成為在第一平面部上具有水平差的第二平面部，固體攝像元件被配置在第一平面部上，信號(hào)處理電路被配置在第二平面部上。
在本發(fā)明的固體攝像裝置中，通過(guò)第一平面部和第二平面部的水平差，信號(hào)處理電路被配置成靠近固體攝像元件。這樣，從固體攝像元件到信號(hào)處理電路的信號(hào)傳遞通路變短，信號(hào)傳遞通路的寄生電容變小。其結(jié)果，可以抑制從固體攝像裝置輸出的信號(hào)波形的鈍化，同時(shí)可以提高高速響應(yīng)性能的固體攝像裝置。
如上述這樣，若分別采用本發(fā)明的固體攝像裝置，則可以提供減小信號(hào)傳遞通路的寄生電容，抑制從固體攝像裝置輸出的信號(hào)波形的鈍化，同時(shí)提高高速響應(yīng)性能的固體攝像裝置。
此外，優(yōu)選信號(hào)處理電路包括與固體攝像元件的輸出端子進(jìn)行電氣連接的負(fù)荷電阻。在這樣構(gòu)成的情況下，由于固體攝像元件和負(fù)荷電阻分開(kāi)配置，即使在負(fù)荷電阻發(fā)熱的情況下，也能防止對(duì)固體攝像元件的特性帶來(lái)惡劣的影響(例如暗電流增加等)。
此外，優(yōu)選信號(hào)電路包括負(fù)荷電阻，它的一端與固體攝像元件的輸出端子進(jìn)行電氣連接、另一端接地；和緩沖放大器，它具有與固體攝像元件的輸出端子進(jìn)行電氣連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在這樣構(gòu)成的情況下，由于固體攝像元件和負(fù)荷電阻分開(kāi)配置，所以，即使在負(fù)荷電阻發(fā)熱的情況下，也能防止對(duì)固體攝像元件的特性帶來(lái)惡劣的影響(例如暗電流增加等)。此外，場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于對(duì)負(fù)荷電阻的驅(qū)動(dòng)能力提高，可以用緩沖放大器減輕后段的信號(hào)傳遞通路的寄生電容的影響。


圖1是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的固體攝像裝置截面結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
圖2是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的俯視圖。
圖3是用于說(shuō)明信號(hào)處理電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖4A是表示現(xiàn)有技術(shù)中的固體攝像裝置的簡(jiǎn)圖。
圖4B是表示第一實(shí)施方式中的固體攝像裝置的簡(jiǎn)圖。
圖5是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的固體攝像裝置截面結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
圖6是第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的俯視圖。
圖7是表示圖6中的緩沖放大器模塊附近的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖8是用于說(shuō)明緩沖放大器模塊的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖9A是表示現(xiàn)有技術(shù)中的固體攝像裝置的簡(jiǎn)圖。
圖9B是表示第二實(shí)施方式中的固體攝像裝置的簡(jiǎn)圖。
圖10是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的變化例子的截面結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
具體實(shí)施例方式
參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的固體攝像裝置進(jìn)行說(shuō)明。在說(shuō)明中對(duì)相同的要素或具有相同功能的要素采用相同的標(biāo)號(hào)，并省略了重復(fù)的說(shuō)明。
(第一實(shí)施方式)首先，根據(jù)圖1～圖3對(duì)第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的固體攝像裝置截面結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖。圖2是相同的第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的俯視圖。圖3是用于說(shuō)明信號(hào)處理電路結(jié)構(gòu)的電路圖。其中，圖2是從固體攝像裝置的里面一側(cè)(與能量線入射一側(cè)相反的一側(cè))看的圖。
第一實(shí)施方式的固體攝像裝置IS1包括陶瓷制的插件P1、背面照射型的CCD芯片11(固體攝像元件)、和芯片電阻陣列21等。在插件P1的中央部位形成有向著插件P1的規(guī)定方向延伸的中空部1。在插件P1中，以從中空部1突出的方式而設(shè)置有用于放置CCD芯片11和芯片電阻陣列21的放置部2。放置部2具有用于放置CCD芯片11的第一平面部3和用于放置芯片電阻陣列21的第二平面部4。第一平面部3和第二平面部4形成為具有水平差。
放置部2還具有第三平面部5和第四平面部6。第三平面部5位于第一平面部3和第二平面部4之間，第一平面部3和第二平面部4形成為具有水平差。第四平面部6位于插件P1的背面7和第二平面4部之間，插件P1的背面7和第二平面4部形成為具有水平差。多個(gè)外部連接用的電極插頭27被配置在插件P1的背面7上。
CCD芯片11具有將入射的能量線變換成電荷的能量線感應(yīng)部12。該CCD芯片11通過(guò)隔板13而被放置在放置部2的第一平面部3上，使得背面一側(cè)成為能量線入射面，被固定在該放置部2(插件P1)上。而CCD芯片11由厚度約300μm的硅基板構(gòu)成。在背面照射型的CCD芯片11中，需要使基板變薄、以及形成來(lái)自入射面(背面)一側(cè)的電位梯度。
在包括CCD芯片11的對(duì)應(yīng)于能量線感應(yīng)部12的區(qū)域的背面一側(cè)區(qū)域(內(nèi)側(cè)區(qū)域)上，形成有厚度被去薄至10～30μm(因此被蝕刻270～290μm的深度)的薄型部分14。對(duì)于具有這樣薄型部分14的結(jié)構(gòu)，首先在硅基板上堆積硅氮化膜，通過(guò)光刻法工藝制作所希望形狀的布線圖案，并將其作為掩模，通過(guò)在由KOH構(gòu)成的腐蝕液中將覆蓋氮化硅的基板周圍部分蝕刻到剩余厚度而形成硅基板。
隔板13由在規(guī)定溫度區(qū)域(例如133℃)中的熱膨脹系數(shù)比CCD芯片11(硅)的熱膨脹系數(shù)大的材料所構(gòu)成，在本實(shí)施方式中，由氧化鋁等的陶瓷材料所構(gòu)成。在133℃中的硅的熱膨脹系數(shù)為2.5×10-6(/℃)，同樣，在133℃中的氧化鋁的熱膨脹系數(shù)為6.5×10-6(/℃)。隔板13通過(guò)粘接劑(圖中沒(méi)有表示)而被粘接固定在插件P1上。此外，CCD芯片11的框架部分15的背面一側(cè)通過(guò)粘接劑(圖中沒(méi)有表示)而被粘接固定在隔板13上。
密封圈31通過(guò)釬焊等而以包圍中空部1(CCD芯片11)的狀態(tài)被固定在中空部1周圍的插件P1的表面(能量線入射一側(cè)的面)8上。蓋32通過(guò)縫焊而被封堵在密封圈31上。如上所述，對(duì)于蓋32來(lái)說(shuō)，其外圍部分以放置的狀態(tài)而被縫焊封堵在密封圈31上，并且具有設(shè)置在與CCD芯片11的薄型部分14相面對(duì)位置的開(kāi)口部33。此外，蓋32通過(guò)柯伐合金(covar)(鐵鎳鈷合金(fernico))而一體成形，在其表面8進(jìn)行鍍金處理。
透過(guò)能量線(光線、電子射線等)的窗部件34被固定在蓋32上，使得覆蓋開(kāi)口部33。窗部件34由板狀的石英(水晶(quartz))玻璃的基體材料構(gòu)成，可以透過(guò)紫外線，將能量線的入射面和能量線出射面進(jìn)行研磨。此外，通過(guò)該能量線入射面端部沿著整個(gè)周邊而經(jīng)由粘接層(圖中沒(méi)有表示)被固定在蓋32的上面(與面對(duì)CCD芯片11的面相反的面)，使得窗部件34被固定在蓋32上。
其中，雖然在圖中有所省略，但是與插件P1的中空部1的能量線入射一側(cè)部分相反一側(cè)部分可以通過(guò)底蓋或者樹(shù)脂材料填充等封住。
用于與CCD芯片11的CCD芯片一側(cè)電極(圖中沒(méi)有表示)連接的多個(gè)第一插件一側(cè)電極41被設(shè)置在放置部2的第三平面部5上。通過(guò)在插件P1內(nèi)形成的內(nèi)部配線(圖中沒(méi)有表示)，各第一插件一側(cè)電極41與多個(gè)電極插頭27中規(guī)定的電極插頭進(jìn)行電氣連接。CCD芯片一側(cè)電極和第一插件一側(cè)電極41通過(guò)焊絲(圖中沒(méi)有表示)來(lái)進(jìn)行電氣連接。這樣，通過(guò)規(guī)定的電極插頭、內(nèi)部配線、第一插件一側(cè)電極41、焊絲和CCD芯片一側(cè)電極，使得傳遞信號(hào)等的信號(hào)從外部被輸送到CCD芯片11。
芯片電阻陣列21具有在基板21a上形成陣列形的多個(gè)電阻元件22。在基板21a上，在每個(gè)電阻元件22上形成輸入端子(輸入電極)23和輸出端子(輸出電極)24。此外，芯片電阻陣列21通過(guò)粘接層(圖中沒(méi)有表示)而放置在放置部2的第二平面部4上，并被固定在該放置部2(插件P1)上。輸入端子23通過(guò)焊絲42與CCD芯片11的輸出端子(電極)OS進(jìn)行電氣連接。
用于連接芯片電阻陣列21的輸出端子24的多個(gè)第二插件一側(cè)電極43被設(shè)置在放置部2的第四平面部6上。各第二插件一側(cè)電極43通過(guò)在插件P1內(nèi)形成的內(nèi)部配線，與多個(gè)電極插頭27中規(guī)定的電極插頭進(jìn)行電氣連接。輸出端子24和第二插件一側(cè)電極43通過(guò)焊絲44進(jìn)行電氣連接。這樣，通過(guò)CCD芯片11的輸出端子OS、焊絲42、芯片電阻陣列21(電阻元件22)、焊絲44、第二插件一側(cè)電極43、內(nèi)部配線和規(guī)定的電極插頭，使得信號(hào)從CCD芯片11向外部輸出。
這里，參照?qǐng)D3對(duì)處理從CCD芯片11輸出信號(hào)的信號(hào)處理電路進(jìn)行說(shuō)明。
信號(hào)處理電路具有在芯片電阻陣列21中所包括的電阻元件22和運(yùn)算放大器51。運(yùn)算放大器51在裝有固體攝像裝置IS1(插件PI)的外部基板(圖中沒(méi)有表示)等上形成。
CCD芯片11具有用于浮動(dòng)擴(kuò)散(floating diffusion)(圖中沒(méi)有表示)的電位變化的讀出場(chǎng)效應(yīng)晶體管16，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管16的柵極端子與浮動(dòng)擴(kuò)散進(jìn)行電氣連接。場(chǎng)效應(yīng)晶體管16的源極端子與CCD芯片11的輸出端子OS進(jìn)行電氣連接，通過(guò)該輸出端子OS而連接在電阻元件22的輸入端子23上。場(chǎng)效應(yīng)晶體管16的漏電極端子與端子OD進(jìn)行電氣連接，該端子OD被輸入顯示一定的正電壓值的電壓。此時(shí)，電阻元件22起到作為負(fù)荷電阻的功能，場(chǎng)效應(yīng)晶體管16和電阻元件22構(gòu)成源跟隨器電路(source follower)。
電阻元件22的輸出端子24與運(yùn)算放大器51的反轉(zhuǎn)輸入端子進(jìn)行電氣連接。在運(yùn)算放大器51的反轉(zhuǎn)輸入端子和輸出端子之間設(shè)置電阻元件52，可變電壓源53與運(yùn)算放大器51的非反轉(zhuǎn)輸入端子進(jìn)行電氣連接。此外，運(yùn)算放大器51的反轉(zhuǎn)輸入端子和非反轉(zhuǎn)輸入端子具有虛擬短路關(guān)系。
在本實(shí)施方式中，對(duì)于CCD芯片11配置屏蔽部件35，屏蔽CCD芯片11的斜面部分(在薄型部分14和框架部分15之間的傾斜部分)的能量線入射方向前方。該屏蔽部件35由厚度約300μm的硅基板構(gòu)成，屏蔽能量線(例如光)。在屏蔽部件35上，通過(guò)蝕刻而在與薄型部分14相面對(duì)位置形成矩形貫通孔36。屏蔽部件35通過(guò)由環(huán)氧樹(shù)脂等組成的粘接劑而粘接固定在CCD芯片11的框架部分15的背面7一側(cè)。在隔板13上，在對(duì)應(yīng)于固定在CCD芯片11的框架部分15上的屏蔽部件35的位置上，以CCD芯片11和隔板13粘接并固定的狀態(tài)而形成保持屏蔽部件35的凹陷部，以包圍住屏蔽部件35的整個(gè)周邊。
如上所述，在本實(shí)施方式中，芯片電阻陣列21被配置在與配置CCD芯片11的第一平面部3不同的第二平面部4上，通過(guò)第一平面部3和第二平面部4的水平差，而使CCD芯片11和芯片電阻陣列21靠近配置。因此，與在固體攝像裝置101外側(cè)配置多個(gè)電阻元件(負(fù)荷電阻)103的情況(參照?qǐng)D4A)相比，本實(shí)施方式的固體攝像裝置IS1(參照?qǐng)D4B)從CCD芯片11到芯片電阻陣列21(電阻元件22)的信號(hào)傳遞通路變短，該信號(hào)傳遞通路的寄生電容變小。其結(jié)果，可以抑制從CCD芯片11輸出的信號(hào)的波形的鈍化，同時(shí)可以提高快速響應(yīng)性能。
此外，在本實(shí)施方式中，芯片電阻陣列21包括與CCD芯片11的輸出端子OS進(jìn)行電氣連接的電阻元件22。在這樣構(gòu)成的情況下，由于作為起到負(fù)荷電阻功能的電阻元件22與CCD芯片11分開(kāi)配置，所以電阻元件22即使發(fā)熱，也可以防止對(duì)CCD芯片11的特性帶來(lái)惡劣影響(例如暗電流增加等)。
其中，由于運(yùn)算放大器51的反轉(zhuǎn)輸入端子和非反轉(zhuǎn)輸入端子具有虛擬短路關(guān)系，所以，在這里電位總是固定的。因此不會(huì)產(chǎn)生電荷的充放電，可以忽略從芯片電阻陣列21到運(yùn)算放大器51的信號(hào)傳遞通路的寄生電容造成的影響。
(第二實(shí)施方式)下面，根據(jù)圖5～圖8對(duì)第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖5是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的固體攝像裝置截面結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。圖6是同樣的第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的俯視圖。圖7是表示緩沖放大器模塊附近的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖8是用于說(shuō)明緩沖放大器模塊的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖6和圖7是從固體攝像裝置的背面一側(cè)看的圖。
第二實(shí)施方式的固體攝像裝置IS2包括插件P2、CCD芯片11、和作為信號(hào)處理電路的緩沖放大器模塊61等。
放置部2具有用于配置CCD芯片11的第一平面部3、用于配置緩沖放大器61的第二平面部4、和第三平面部9。第三平面部9位于插件P2的背面7和第二平面部4之間，插件P2的背面7和第二平面部4形成為具有水平差。其中，在與插件P2的中空部1的能量線入射-側(cè)部分相反一側(cè)的部分由底蓋10封堵。
多個(gè)插件一側(cè)電極45被設(shè)置在放置部2的第三平面部9上。各插件一側(cè)電極45通過(guò)在插件P2內(nèi)形成的內(nèi)部配線(圖中沒(méi)有表示)，而與多個(gè)電極插頭27中規(guī)定的電極插頭進(jìn)行電氣連接。在CCD芯片11上形成的CCD芯片一側(cè)電極19中的規(guī)定的電極通過(guò)焊絲46，而與插件一側(cè)電極45中的規(guī)定的電極進(jìn)行電氣連接。這樣，通過(guò)規(guī)定的電極插頭、內(nèi)部配線、規(guī)定的插件一側(cè)電極、焊絲46和規(guī)定的CCD芯片一側(cè)電極，使得輸送信號(hào)等的信號(hào)被從外部輸送到CCD芯片11。
如圖7和圖8所示，緩沖放大器模塊61包括負(fù)荷電阻62、雙極晶體管63和場(chǎng)效應(yīng)晶體管64，負(fù)荷電阻62、雙極晶體管63和場(chǎng)效應(yīng)晶體管64被配置在基板61a上。其中，緩沖放大器模塊61(基板61a)通過(guò)粘接層(圖中沒(méi)有表示)而放置在放置部2的第二平面部4上，并被固定在該放置部2(插件P2)上。
CCD芯片11的輸出端子OS1(場(chǎng)效應(yīng)晶體管16的源極端子)與緩沖放大器模塊61的輸入端子(電極)65進(jìn)行電氣連接。負(fù)荷電阻62的一個(gè)端子通過(guò)輸入端子65與CCD芯片11的輸出端子OS1進(jìn)行電氣連接，負(fù)荷電阻62的另一個(gè)端子接地。
雙極晶體管63的基極通過(guò)輸入端子65和電阻元件66而與CCD芯片11的輸出端子OS1進(jìn)行電氣連接，發(fā)射極端子與場(chǎng)效應(yīng)晶體管64的漏極端子和緩沖放大器模塊61的輸出端子(電極)67進(jìn)行電氣連接。雙極晶體管63的集電極端子與端子(電極)70進(jìn)行電氣連接。該端子70與端子OD相同，被輸入顯示一定的正電壓值的電壓。場(chǎng)效應(yīng)晶體管64的控制極和源極端子接地。此外，電阻元件66是用于控制雙極晶體管63的基極電流的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管16和負(fù)荷電阻62構(gòu)成源跟隨器電路。
CCD芯片11的輸出端子OS1和緩沖放大器模塊61的輸出端子65通過(guò)焊絲68進(jìn)行連接。緩沖放大器模塊61的輸出端子67通過(guò)焊絲69而被連接在規(guī)定的插件一側(cè)電極OS2上。端子OD通過(guò)焊絲71而連接在緩沖放大器模塊61的端子72上，與端子70進(jìn)行電氣連接。端子70通過(guò)焊絲74而連接在規(guī)定的插件一側(cè)電極上。
CCD芯片的端子SS通過(guò)焊絲75而連接在緩沖放大器模塊61的端子(電極)76上，與該端子76進(jìn)行電氣連接的端子(電極)77通過(guò)焊絲78而被連接在規(guī)定的插件一側(cè)電極上。該規(guī)定的插件一側(cè)電極與電極插頭27中的接地的規(guī)定的電極插頭(接地插頭)進(jìn)行電氣連接。
如上所述，在本實(shí)施方式中，緩沖放大器模塊61被配置在與配置CCD芯片11的第一平面部3不同的第二平面部4上，通過(guò)第一平面部3和第二平面部4的水平差，CCD芯片11和緩沖放大器模塊61可以靠近配置。這樣，與在固體攝像裝置201外側(cè)配置多個(gè)緩沖放大器203的的情況(參照?qǐng)D9A)相比，本實(shí)施方式的固體攝像裝置IS2(參照?qǐng)D9B)從CCD芯片11到緩沖放大器模塊61的信號(hào)傳遞通路變短，該信號(hào)傳遞通路的寄生電容變小。其結(jié)果，可以抑制從CCD芯片11輸出的信號(hào)的波形的鈍化，同時(shí)可以提高快速響應(yīng)性能。其中，圖9A中的緩沖放大器模塊203采用具有與本實(shí)施方式的緩沖放大器模塊61相同結(jié)構(gòu)。
此外，緩沖放大器模塊61包括負(fù)荷電阻62，它的一端與CCD芯片11的輸出端子OS1進(jìn)行電氣連接，另一端與接地；和雙極晶體管63，它與CCD芯片11的輸出端子OS1進(jìn)行電氣連接。在這樣構(gòu)成的情況下，由于CCD芯片11和負(fù)荷電阻62分開(kāi)配置，所以即使負(fù)荷電阻62發(fā)熱的情況下，也能防止對(duì)CCD芯片11的特性帶來(lái)惡劣的影響(例如暗電流增加等)。此外，由于雙極晶體管63提高對(duì)負(fù)荷電阻62的驅(qū)動(dòng)能力，所以用緩沖放大器模塊61可以減輕后段的信號(hào)傳遞通路的寄生電容造成的影響。
下面，根據(jù)圖10對(duì)第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的變化例進(jìn)行說(shuō)明。圖10是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的變化例的截面結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
第二實(shí)施方式變化例的固體攝像裝置IS3包括插件P3、表面照射型的CCD芯片81、和作為信號(hào)處理電路的緩沖放大器模塊61等。
插件P3具有由底部91和側(cè)部92包圍的坑洼部93，與上述的插件P1、P2相同，通過(guò)陶瓷制造。底部91具有用于配置CCD芯片81的第一平面部94、和用于配置緩沖放大器模塊61的第二平面部95。第一平面部94和第二平面部95形成為具有水平差。此外，底部91還具有第三平面部96，該第三平面部96位于插件P3的表面8和第二平面部95之間，在插件P3的表面8和第二平面部95之間具有水平差。
CCD芯片81具有能量線感應(yīng)部12，以表面一側(cè)為能量線入射面的方式而放置在底部91的第一平面部94上，被固定在該底部91(插件P3)上。
如上述這樣，在本變化例中，緩沖放大器模塊61被配置在與配置CCD芯片81的第一平面部94不同的第二平面部95上，通過(guò)第一平面部94和第二平面部95的水平差，CCD芯片81和緩沖放大器模塊61可以靠近配置。因此，從CCD芯片81到緩沖放大器模塊61的信號(hào)傳遞通路變短，該信號(hào)傳遞通路的寄生電容變小。其結(jié)果，可以抑制從CCD芯片81輸出的信號(hào)的波形的鈍化，同時(shí)可以提高快速響應(yīng)性能。
本發(fā)明并不是限定于上述的實(shí)施方式。例如，固體攝像元件不限定于是CCD芯片11、81，也可以是用非晶硅制的光電二極管(PD)陣列和薄膜晶體管(TFT)形成的，也可以是MOS型的圖像傳感器。
工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明可以利用在CCD圖像傳感器等的固體攝像裝置中。
權(quán)利要求
1.一種固體攝像裝置，其特征在于，包括具有能量線感應(yīng)部的固體攝像元件；處理從所述固體攝像元件輸出的信號(hào)的信號(hào)處理電路；和收納所述固體攝像元件以及所述信號(hào)處理電路的插件，其中，所述信號(hào)處理電路被配置在與在所述插件中配置所述固體攝像元件的平面部不同的平面部上。
2.一種固體攝像裝置，其特征在于，包括具有能量線感應(yīng)部的固體攝像元件；處理從所述固體攝像元件輸出的信號(hào)的信號(hào)處理電路；和裝入所述固體攝像元件以及所述信號(hào)處理電路的插件；其中，所述插件具有第一平面部、和形成為在所述第一平面部上具有水平差的第二平面部；所述固體攝像元件被配置在所述第一平面部上，所述信號(hào)處理電路被配置在所述第二平面部上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的固體攝像裝置，其特征在于所述信號(hào)處理電路包括與所述固體攝像元件的輸出端子進(jìn)行電氣連接的負(fù)荷電阻。
4.如權(quán)利要求1或2所述的固體攝像裝置，其特征在于所述信號(hào)處理電路包括負(fù)荷電阻，它的一端與所述固體攝像元件的輸出端子進(jìn)行電氣連接，另一端接地；和緩沖放大器，它具有與所述固體攝像元件的輸出端子進(jìn)行電氣連接的雙極晶體管。
全文摘要
本發(fā)明的固體攝像裝置(IS1)包括插件(P1)、CCD芯片(11)、芯片電阻陣列(21)等。在插件(P1)上以向中空部(1)突出的方式而設(shè)置有用于放置CCD芯片(11)和芯片電阻陣列(21)的放置部(2)。放置部(2)具有第一平面部(3)和第二平面部(4)，第一平面部(3)和第二平面部(4)形成水平差。CCD芯片(11)通過(guò)隔板(13)而放置并固定在第一平面部(3)上。芯片電阻陣列(21)放置并固定在第二平面部(4)上。芯片電阻陣列(21)通過(guò)第一平面部(3)和第二平面部(4)的水平差而將CCD芯片(11)和芯片電阻陣列(21)靠近配置。
文檔編號(hào)H04N5/335GK1778103SQ20048001104
公開(kāi)日2006年5月24日 申請(qǐng)日期2004年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月24日
發(fā)明者小林宏也, 赤堀寬, 村松雅治 申請(qǐng)人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社