本實用新型涉及PCB制造技術領域，尤其涉及一種DES線用水裝置。
背景技術：
隨著國家對減排政策的重視，環(huán)保部對企業(yè)用水要求和限排監(jiān)管越來越嚴，并出臺“印制電路-環(huán)保清潔生產標準”相關規(guī)范要求。PCB制造業(yè)生產流程長、耗水量大，特別是DES線(也叫酸性蝕刻線)作為PCB制造的一個耗水大戶，占整個制程耗水量的15％-20％。傳統(tǒng)的，DES線的一般流程為“前工序(光成像)→顯影→溢流水洗→酸性蝕刻→溢流水洗→去膜→溢流水洗→酸洗→溢流水洗→烘干→后工序”，耗水量大，不利于PCB制造的節(jié)能環(huán)保。
技術實現(xiàn)要素：
基于此，有必要提供一種能夠節(jié)省用水，節(jié)能環(huán)保的DES線用水裝置。
其技術方案如下：
一種DES線用水裝置，包括第一回用管道，以及沿走板方向依次布置的顯影水洗機構和酸洗水洗機構，所述酸洗水洗機構通過所述第一回用管道與所述顯影水洗機構連通，所述第一回用管道用于將所述酸洗水洗機構中的清洗液引回至顯影水洗機構中。
在其中一個實施例中，所述DES線用水裝置還包括蝕刻水洗機構、退膜水洗機構及第二回用管道，所述顯影水洗機構、蝕刻水洗機構、退膜水洗機構和酸洗水洗機構沿走板方向依次布置，所述退膜水洗機構通過所述第二回用管道與所述蝕刻水洗機構連通，所述第二回用管道用于將所述退膜水洗機構中的清洗液引回至蝕刻水洗機構中。
在其中一個實施例中，所述顯影水洗機構包括至少兩道顯影水洗槽，所述顯影水洗槽的側壁上設有顯影水洗溢流口，后一道的所述顯影水洗槽上的顯影水洗溢流口與前一道的所述顯影水洗槽連通，沿著由前至后的方向，所述顯影水洗槽上的顯影水洗溢流口的高度逐漸升高；所述酸洗水洗機構包括至少兩道酸洗水洗槽，所述第一回用管道的第一端與第一道所述酸洗水洗槽連通，所述第一回用管道的第二端與最后一道所述顯影水洗槽連通。
在其中一個實施例中，后一道所述酸洗水洗槽上設有與前一道的所述酸洗水洗槽連通的酸洗水洗溢流口，沿著由前至后的方向，所述酸洗水洗槽上的酸洗水洗溢流口的高度逐漸升高，最后一道所述酸洗水洗槽上設有第一新水進口。
在其中一個實施例中，所述酸洗水洗槽中設有噴淋泵，所述第一回用管道的第一端與第一道所述酸洗水洗槽中的噴淋泵連接。
在其中一個實施例中，所述蝕刻水洗機構包括至少兩道蝕刻水洗槽，所述蝕刻水洗槽上設有蝕刻水洗溢流口，后一道的所述蝕刻水洗槽上的蝕刻水洗溢流口與前一道的所述蝕刻水洗槽連通，沿著由前至后的方向，所述蝕刻水洗槽上的蝕刻水洗溢流口的高度逐漸升高；所述退膜水洗機構包括至少兩道退膜水洗槽，所述第二回用管道的第一端與第一道所述退膜水洗槽連通，所述第二回用管道的第二端與最后一道所述蝕刻水洗槽連通。
在其中一個實施例中，后一道所述退膜水洗槽上設有與前一道的所述退膜水洗槽連通的退膜水洗溢流口，沿著由前至后的方向，所述退膜水洗槽上的退膜水洗溢流口的高度逐漸升高，最后一道所述退膜水洗槽上設有第二新水進口。
在其中一個實施例中，所述退膜水洗槽中設有噴淋泵，所述第二回用管道的第一端與第一道所述退膜水洗槽中的噴淋泵連接。
在其中一個實施例中，所述DES線用水裝置還包括顯影槽、蝕刻槽、退膜槽和酸洗槽，所述顯影槽、顯影水洗機構、蝕刻槽、蝕刻水洗機構、退膜槽、退膜水洗機構、酸洗槽以及酸洗水洗機構沿走板方向依次布置。
在其中一個實施例中，所述顯影槽、蝕刻槽、退膜槽和酸洗槽中均設有噴淋泵。
本實用新型的有益效果在于：
所述DES線用水裝置，通過對DES各段水洗后的清洗液水質進行分析，利用酸不與干膜反應的原理，通過設置第一回用管道，能夠通過第一回用管道將酸洗水洗機構中的清洗液引回至顯影水洗機構中，一方面，酸洗水洗機構中的清洗液能夠回用到顯影水洗機構中，用于對顯影后的工件進行清洗，顯影水洗機構無需補充新水，能夠節(jié)省用水，節(jié)能環(huán)保；另一方面，對工件進行清洗后的酸洗水洗機構中的清洗液呈弱酸性，當引回至顯影水洗機構中后能夠更快中和掉顯影水洗機構內殘余的弱堿性溶液，提高清洗效果，避免工件上的干膜被進一步攻擊造成開路風險。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例所述的DES線用水裝置的結構示意圖。
附圖標記說明：
10、第一回用管道，20、第二回用管道，30、顯影槽，40、顯影水洗機構，42、顯影水洗槽，422、顯影水洗溢流口，50、蝕刻槽，60、蝕刻水洗機構，62、蝕刻水洗槽，622、蝕刻水洗溢流口，70、退膜槽，80、退膜水洗機構，82、退膜水洗槽，822、退膜水洗溢流口，824、第二新水進口，90、酸洗槽，100、酸洗水洗機構，102、酸洗水洗槽，104、酸洗水洗溢流口，106、第一新水進口，110、噴淋泵，120、噴淋管道。
具體實施方式
為了便于理解本實用新型，下面將參照相關附圖對本實用新型進行更全面的描述。附圖中給出了本實用新型的較佳實施方式。但是，本實用新型可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本實用新型的公開內容理解的更加透徹全面。
需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實施方式。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本實用新型的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本實用新型的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在于限制本實用新型。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
如圖1所示，一種DES線用水裝置，包括第一回用管道10、第二回用管道20，以及沿走板方向依次布置的顯影槽30、顯影水洗機構40、蝕刻槽50、蝕刻水洗機構60、退膜槽70、退膜水洗機構80、酸洗槽90以及酸洗水洗機構100。顯影槽30、顯影水洗機構40、蝕刻槽50、蝕刻水洗機構60、退膜槽70、退膜水洗機構80、酸洗槽90以及酸洗水洗機構100位于同一水平線上，能夠實現(xiàn)對工件的酸性蝕刻工序。本實施例中，走板方向如圖1中上部的箭頭所示，顯影槽30所在的一側為前，酸洗水洗機構100所在的一側為后。
一般的，在顯影工序中，使用濃度為1％左右的Na2CO3或K2CO3溶液，使在弱堿性條件下能夠溶解工件上未發(fā)生光聯(lián)作用的干膜，而不與工件上已發(fā)生光聯(lián)作用的干膜反應，使得需要蝕刻掉的非圖形位置露出來，為后一步的蝕刻工序做準備。在蝕刻工序中，酸性蝕刻液一般包含鹽酸和氧化劑氯酸鈉溶液，先利用鹽酸和氧化劑把亞銅離子氧化成具有蝕刻能力的Cu2+，然后藥水把上露出需蝕刻的非圖形位置反應；同時，在蝕刻過程中工件表面的干膜不與酸發(fā)生反應。在退膜工序中，一般利用NaOH、KOH或有機堿等強堿溶液把光聯(lián)反應的干膜進一步溶解，把圖形線路銅露出。在酸洗工序中，用于把露出的銅導體上的氧化物清洗干凈。通過上述對各工序進行分析可知，干膜不耐堿可耐酸，顯影后的清洗液不能帶堿性，可使用帶酸性的清洗液。
本實施例中，所述酸洗水洗機構100通過所述第一回用管道10與所述顯影水洗機構40連通。所述第一回用管道10用于將所述酸洗水洗機構100中的清洗液引回至顯影水洗機構40中。所述DES線用水裝置，通過對DES線各段水洗后的清洗液水質進行分析，利用酸不與干膜反應的原理，通過設置第一回用管道10，能夠通過第一回用管道10將酸洗水洗機構100中的清洗液引回至顯影水洗機構40中，一方面，酸洗水洗機構100中的清洗液能夠回用到顯影水洗機構40中，用于對顯影后的工件進行清洗，顯影水洗機構40無需補充新水，能夠節(jié)省用水，節(jié)能環(huán)保；另一方面，由于對工件進行清洗后的酸洗水洗機構100中的清洗液呈弱酸性，且水質清澈，當引回至顯影水洗機構40中后能夠更快中和掉顯影水洗機構40內殘余的弱堿性溶液，提高清洗效果，避免工件上的干膜被進一步攻擊造成開路風險。
所述顯影水洗機構40包括至少兩道顯影水洗槽42。所述顯影水洗槽42的側壁上設有顯影水洗溢流口422。后一道的所述顯影水洗槽42上的顯影水洗溢流口422與前一道的所述顯影水洗槽42連通。具體的，可以將前后兩道顯影水洗槽42相鄰共用側壁設置，進而后一道顯影水洗槽42上的顯影水洗溢流口422即可與前一道顯影水洗槽42連通；或者前后兩道顯影水洗槽42不相鄰設置，通過在后一道顯影水洗槽42上的顯影水洗溢流口422處設置連通管，也可實現(xiàn)與前一道顯影水洗槽42的連通。沿著由前至后的方向，所述顯影水洗槽42上的顯影水洗溢流口422的高度逐漸升高。所述酸洗水洗機構100包括至少兩道酸洗水洗槽102。所述第一回用管道10的第一端與第一道所述酸洗水洗槽102連通，所述第一回用管道10的第二端與最后一道所述顯影水洗槽42連通。本實施例中，所述顯影水洗槽42為三道，所述酸洗水洗槽102為三道。
采用上述結構，顯影水洗機構40能夠對顯影后的工件進行至少兩道水洗，酸洗水洗機構100能夠對酸洗后的工件進行至少兩道水洗；第一回用管道10能夠將第一道酸洗水洗槽102中的清洗液引回至最后一道顯影水洗槽42中，由于第一道酸洗水洗槽102內的清洗液的酸含量較高，該酸洗水洗槽102內的清洗液引回后能夠更快中和掉顯影水洗機構40內殘余的弱堿性溶液，提高清洗效果，避免工件上的干膜被進一步攻擊造成開路風險；引回后的清洗液先進入最后一道顯影水洗槽42中，能夠對最后一道清洗中的工件進行有效清洗，然后再通過顯影水洗溢流口422依次向前一道顯影水洗槽42中溢流，實現(xiàn)對工件的清洗。
本實施例中，后一道所述酸洗水洗槽102上設有與前一道的所述酸洗水洗槽102連通的酸洗水洗溢流口104。沿著由前至后的方向，所述酸洗水洗槽102上的酸洗水洗溢流口104的高度逐漸升高。最后一道所述酸洗水洗槽102上設有第一新水進口106。采用上述設置，新水可以通管道從第一新水進口106進入，從最后一道酸洗水洗槽102開始補充，有利于對最后一道酸洗水洗槽102中的工件進行有效清洗，然后再通過酸洗水洗溢流口104依次向前一道酸洗水洗槽102中溢流，實現(xiàn)對工件的清洗。
所述酸洗水洗槽102中設有噴淋泵110，所述第一回用管道10的第一端與第一道所述酸洗水洗槽102中的噴淋泵110連接。噴淋泵110上設有噴淋管道120，噴淋管道120用于與噴嘴連接，進而將酸洗水洗槽102中的清洗液噴向工件進行清洗；此外，噴淋泵110也能夠向第一道酸洗水洗槽102中的清洗液施壓，進而將第一道酸洗水洗槽102中的清洗液通過第一回用管道10引回至最后一道顯影水洗槽42中。
進一步的，所述退膜水洗機構80通過所述第二回用管道20與所述蝕刻水洗機構60連通，所述第二回用管道20用于將所述退膜水洗機構80中的清洗液引回至蝕刻水洗機構60中。采用上述設置，第二回用管道20能夠將退膜水洗機構80中的清洗液引回至蝕刻水洗機構60中，一方面，退膜水洗機構80中的清洗液能夠回用到蝕刻水洗機構60中，用于對蝕刻后的工件進行清洗，蝕刻水洗機構60無需補充新水，能夠節(jié)省用水；另一方面，對退膜后的工件進行清洗后的清洗液回用到蝕刻水洗機構60后，可中和退膜后的工件上殘留的酸性蝕刻逸出液，能夠減少退膜藥劑的消耗。從整體上配藥濃度來看，一般堿性退膜液的堿當量COH-約0.25-1mol/L，酸性蝕刻的酸當量CH+約1.8-3mol/L，酸性蝕刻和退膜藥水缸逸出的量接近，因此，退膜水洗機構80中的清洗液與工件上殘留的酸性蝕刻液中和后還是呈現(xiàn)酸性，不會造成氫氧化銅殘留在工件板面上。
所述蝕刻水洗機構60包括至少兩道蝕刻水洗槽62。所述蝕刻水洗槽62上設有蝕刻水洗溢流口622，后一道的所述蝕刻水洗槽62上的蝕刻水洗溢流口622與前一道的所述蝕刻水洗槽62連通。同樣的，此處的連通方式可參考上述描述的連通方式。沿著由前至后的方向，所述蝕刻水洗槽62上的蝕刻水洗溢流口622的高度逐漸升高。所述退膜水洗機構80包括至少兩道退膜水洗槽82。所述第二回用管道20的第一端與第一道所述退膜水洗槽82連通，所述第二回用管道20的第二端與最后一道所述蝕刻水洗槽62連通。本實施例中，蝕刻水洗槽62為三道，退膜水洗槽82為三道。
采用上述結構，蝕刻水洗機構60能夠對蝕刻后的工件進行至少兩道水洗，退膜水洗機構80能夠對退膜后的工件進行至少兩道水洗；第二回用管道20能夠將第一道退膜水洗槽82中的清洗液引回至最后一道蝕刻水洗槽62中，由于第一道退膜水洗槽82內的清洗液的堿含量較高，該退膜水洗槽82內的清洗液引回后當能夠更快中和掉工件上殘留的酸性蝕刻逸出液，提高清洗效果；引回后的清洗液先進入最后一道蝕刻水洗槽62中，能夠對最后一道清洗中的工件進行有效清洗，然后再通過蝕刻水洗溢流口622依次向前一道蝕刻水洗槽62中溢流，實現(xiàn)對工件的清洗。
本實施例中，后一道所述退膜水洗槽82上設有與前一道的所述退膜水洗槽82連通的退膜水洗溢流口822，沿著由前至后的方向，所述退膜水洗槽82上的退膜水洗溢流口822的高度逐漸升高。最后一道所述退膜水洗槽82上設有第二新水進口824。采用上述設置，新水可以通過管道從第二新水進口824進入，從最后一道退膜水洗槽82開始補充，有利于對最后一道退膜水洗槽82中的工件進行有效清洗，然后再通過退膜水洗溢流口822依次向前一道退膜水洗槽82中溢流，實現(xiàn)對工件的清洗。
所述退膜水洗槽82中設有噴淋泵110，所述第二回用管道20的第一端與第一道所述退膜水洗槽82中的噴淋泵110連接。同樣的，噴淋泵110上設有噴淋管道120，噴淋管道120用于與噴嘴連接，進而將退膜水洗槽82中的清洗液噴向工件進行清洗；此外，噴淋泵110也能夠向第一道退膜水洗槽82中的清洗液施壓，進而將第一道退膜水洗槽82中的清洗液通過第二回用管道20引回至最后一道蝕刻水洗槽62中。
本實施例中，所述顯影槽30、蝕刻槽50、退膜槽70和酸洗槽90中也均設有噴淋泵110。噴淋泵110上設有噴淋管道120，噴淋管道120用于與噴嘴連接，進而分別將顯影槽30、蝕刻槽50、退膜槽70和酸洗槽90內的溶液噴向工件進行相應工序處理。
本實施例所述的DES線用水裝置，通過對酸性蝕刻線各段水洗后的水質進行分析，利用酸不與干膜反應的原理，把酸洗水洗液(帶弱酸性、水質清澈)的水質回用到顯影后水洗；同時，利用蝕刻之后板面的干膜本身就要溶解，把退膜后的水洗回用到蝕刻后的水洗中。所述DES線用水裝置，通過建立第一回用管道10和第二回用管道20，可以把傳統(tǒng)的四個新水補充口下降到兩個，進而可以節(jié)約50％左右的用水量。此外，酸洗后的清洗液回用到顯影后的清洗液中，能夠充分發(fā)揮酸堿中和作用，一方面可以減少正常新水稀釋顯影呈堿性的溶膜量，另一方面也減少帶入的堿性水質與酸性蝕刻段酸反應；同時，退膜后的清洗液回用到蝕刻后的清洗液中，能夠減少酸性水質帶入到堿性退膜液中，減少退膜藥劑的消耗，進而不僅能夠降低清洗液使用量，還能夠減少藥水的消耗。
以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對實用新型專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應以所附權利要求為準。