本申請涉及電路板生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電路板。

背景技術(shù)：

在多層電路板生產(chǎn)中，尤其是包括引腳比較密集的芯片，如包括CPU(Central Processing Unit，中央處理器)的電路板中，常開設(shè)通孔實現(xiàn)信號傳遞，通孔貫通各層板，包括地層，通孔將表層的信號傳遞至其它各層。

然而，芯片的引腳比較多且密集，若每一個引腳均通過通孔傳遞信號，需要開設(shè)的通孔數(shù)量極多，造成在地層的通孔面積太大，地層不連續(xù)，帶來信號完整性問題，當(dāng)遇到ESD(Electro-Static discharge，靜電釋放)問題時，靜電得不到快速釋放，會影響系統(tǒng)的正常工作。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請?zhí)峁┝艘环N電路板，能夠使靜電快速釋放，保證系統(tǒng)的可靠性。

本申請的提供了一種電路板，包括基板和第一導(dǎo)電件，所述基板包括器件層、信號層和地層，所述器件層、所述信號層及所述地層層疊設(shè)置，且所述信號層位于所述器件層與所述地層之間，所述器件層設(shè)有多個焊盤；所述基板設(shè)有盲孔，所述盲孔自所述器件層延伸至所述信號層，所述第一導(dǎo)電件設(shè)于所述盲孔內(nèi)，至少一個所述焊盤通過所述第一導(dǎo)電件與所述信號層電導(dǎo)通。

優(yōu)選地，還包括第二導(dǎo)電件，所述基板還設(shè)有通孔，所述通孔貫穿所述器件層、所述信號層和所述地層，所述第二導(dǎo)電件設(shè)于所述通孔內(nèi)，至少一個所述焊盤通過所述第二導(dǎo)電件與所述信號層或者所述地層電導(dǎo)通。

優(yōu)選地，所述器件層包括第一絕緣子層、第二絕緣子層和表層連接線，所述第一絕緣子層和所述第二絕緣子層層疊設(shè)置，所述表層連接線設(shè)于所述第一絕緣子層與所述第二絕緣子層之間；所述第一導(dǎo)電件位于所述盲孔的開口端的一端和所述第二導(dǎo)電件在所述器件層的一端通過所述表層連接線與各自對應(yīng)的所述焊盤電導(dǎo)通。

優(yōu)選地，所述表層連接線包括音頻線、射頻線、高速信號線。

優(yōu)選地，所述信號層包括第三絕緣子層、第四絕緣子層和內(nèi)部連接線，所述第三絕緣子層和所述第四絕緣子層層疊設(shè)置，所述內(nèi)部連接線位于所述第三絕緣子層與所述第四絕緣子層之間；至少一個所述第一導(dǎo)電件位于所述盲孔的底端的一端和至少一個所述第二導(dǎo)電件位于所述信號層的一段通過所述內(nèi)部連接線電導(dǎo)通。

優(yōu)選地，所述地層包括第五絕緣子層、第六絕緣子層和地層連接線，所述第五絕緣子層和所述第六絕緣子層層疊設(shè)置，所述地層連接線位于所述第五絕緣子層與所述第六絕緣子層之間，至少一個所述第二導(dǎo)電件位于所述地層的一段通過所述地層連接線與所述地層電導(dǎo)通。

優(yōu)選地，所述基板還包括混合層，所述混合層包括地區(qū)域和信號區(qū)域，所述混合層位于所述地層遠離所述信號層的一側(cè)，且與所述地層層疊設(shè)置；所述通孔還貫通所述混合層，所述地區(qū)域與所述地層通過所述通孔內(nèi)的所述第二導(dǎo)電件電導(dǎo)通。

優(yōu)選地，至少一個所述焊盤通過所述通孔內(nèi)的所述第二導(dǎo)電件與所述信號區(qū)域電導(dǎo)通。

優(yōu)選地，還包括CPU，所述CPU位于所述器件層遠離所述信號層的一側(cè)，所述CPU包括多個引腳，每個所述引腳與一個所述焊盤連接，部分所述引腳通過所述焊盤與所述第一導(dǎo)電件電導(dǎo)通，其余部分通過所述焊盤與所述第二導(dǎo)電件電導(dǎo)通；與所述引腳電導(dǎo)通的所述第一導(dǎo)電件所在的所述盲孔在所述器件層的投影，位于所述CPU在所述器件層的投影的內(nèi)部，與所述引腳電導(dǎo)通的所述第二導(dǎo)電件所在的所述通孔在所述器件層的投影位于所述CPU在所述器件層的投影的外部。

優(yōu)選地，與所述通孔電導(dǎo)通的所述引腳中，至少有一個通過所述第二導(dǎo)電件與所述信號層或者信號區(qū)域電導(dǎo)通。

本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案可以達到以下有益效果：

本申請所提供的電路板，通過盲孔的設(shè)置，且盲孔內(nèi)設(shè)有第一導(dǎo)電件，能夠使器件層有的焊盤與信號層通過第一導(dǎo)電件電導(dǎo)通，從而減少電路板的通孔數(shù)量，降低對地層的破壞，更好地保證地層的完整性，在遇到ESD問題時，使靜電快速釋放，保證系統(tǒng)的可靠性。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本申請。

附圖說明

圖1為本申請所提供的電路板一種具體實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本申請所提供的電路板一種具體實施例基板的爆炸視圖；

圖3為本申請所提供的電路板一種具體實施例的俯視圖。

附圖標(biāo)記：

1-基板；

11-器件層；

111-焊盤；

112-表層連接線；

12-信號層；

121-內(nèi)部連接線；

13-地層；

14-混合層；

141-混合層連接線；

15-盲孔；

16-通孔；

2-CPU；

21-引腳。

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本申請的實施例，并與說明書一起用于解釋本申請的原理。

具體實施方式

下面通過具體的實施例并結(jié)合附圖對本申請做進一步的詳細描述。文中所述“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”均以附圖中的放置狀態(tài)為參照。

如圖1-3所示，本申請實施例提供了一種電路板，包括基板1和第一導(dǎo)電件，基板1包括器件層11、信號層12和地層13，器件層11、信號層12及地層13層疊設(shè)置，且信號層12位于器件層11與地層13之間，器件層11設(shè)有多個焊盤111；基板1設(shè)有盲孔15，盲孔15自器件層11延伸至信號層12，即不穿透地層13，第一導(dǎo)電件設(shè)于盲孔15內(nèi)，即每一個盲孔15內(nèi)均設(shè)有第一導(dǎo)電件，第一導(dǎo)電件可以為貼合于盲孔15內(nèi)壁的金屬膜，其工藝可以為化學(xué)腐蝕，也可以為涂覆或者電鍍，第一導(dǎo)電件也可以為導(dǎo)電條或者導(dǎo)電棒，第一導(dǎo)電件貫穿盲孔15，至少一個焊盤111通過第一導(dǎo)電件與信號層12電導(dǎo)通，通常盲孔15的內(nèi)壁貼合金屬膜，被盲孔15穿過的各層均能夠與第一導(dǎo)電件電導(dǎo)通。

上述實施例通過盲孔15的設(shè)置，且在盲孔15內(nèi)設(shè)有第一導(dǎo)電件，能夠使器件層11中有的焊盤111與信號層12通過第一導(dǎo)電件電導(dǎo)通，從而減少電路板的通孔16的數(shù)量，降低對地層13的破壞，更好地保證地層13的完整性，在遇到ESD問題時，使靜電快速釋放，保證系統(tǒng)的可靠性。

基板1還包括混合層14，混合層14包括地區(qū)域和信號區(qū)域，混合層14位于地層13遠離信號層12的一側(cè)，且與地層13層疊設(shè)置，在此方案中，盲孔15僅延伸至信號層12，即在盲孔15沿基板1的厚度方向的投影的位置，地層13、混合層14未被破壞，仍完整。通過增加混合層14，既可以增加基板1的接地面積，進而盡快釋放靜電，又能夠增加走線的面積，方便線路設(shè)計。

上述實施例還包括第二導(dǎo)電件，基板1還設(shè)有通孔16，通孔16貫穿器件層11、信號層12和地層13，在包括混合層14的實施例中，通孔16還貫穿混合層14，第二導(dǎo)電件設(shè)于通孔內(nèi)，即每一個通孔16內(nèi)均設(shè)有第二導(dǎo)電件，第二導(dǎo)電件可以為貼合于通孔16內(nèi)壁的金屬膜，其工藝可以為化學(xué)腐蝕，或者涂覆、電鍍，第二導(dǎo)電件也可以為導(dǎo)電條或者導(dǎo)電棒，第二導(dǎo)電件貫穿通孔16，至少一個焊盤111通過第二導(dǎo)電件與信號層12或者地層13電導(dǎo)通，通常通孔16的內(nèi)壁貼合金屬膜，被通孔16貫穿的各層均能夠與第二導(dǎo)電件電導(dǎo)通。在包含混合層14的實施例中，地區(qū)域與地層通過通孔16內(nèi)的第二導(dǎo)電件電導(dǎo)通，至少一個焊盤111通過通孔16內(nèi)的第二導(dǎo)電件與信號區(qū)域電導(dǎo)通。通過增設(shè)通孔16，采用通孔16與盲孔15的組合方式，由于通孔的加工工藝簡單，既能夠保證地層13或者混合層14盡可能的完整性，又能夠降低生產(chǎn)成本。

上述實施例中的器件層11包括第一絕緣子層、第二絕緣子層和表層連接線112，第一絕緣子層和第二絕緣子層層疊設(shè)置，表層連接線112設(shè)于第一絕緣子層與第二絕緣子層之間；盲孔15的開口端和通孔16在器件層11的一端通過表層連接線112與各自對應(yīng)的焊盤111電導(dǎo)通，即第一導(dǎo)電件位于盲孔15的開口端的一端或者第二導(dǎo)電件位于器件層11的一端通過表層連接線112與各自對應(yīng)的焊盤111電導(dǎo)通，如圖2所示。盲孔15的開口與通孔16的開口端(包括在器件層的一端和地層的一端或者混合層的一端)周圈設(shè)有焊錫，焊錫與第一導(dǎo)電件或者第二導(dǎo)電件電導(dǎo)通，通過增加表層連接線112將焊盤111與盲孔15的開口端或者通孔16在器件層11的一端電導(dǎo)通，以實現(xiàn)焊盤111與第一導(dǎo)電件或者第二導(dǎo)電件的電導(dǎo)通，能夠防止盲孔15或者通孔16周圍的空間狹小，造成焊盤111擁擠，甚至互相導(dǎo)通。當(dāng)然，焊盤111也可以直接與盲孔15的開口端或者通孔16的開口連接。

其中，表層連接線112包括音頻線、射頻線、高速信號線，以方便相應(yīng)器件的連接，減少信號干擾。

上述各實施例的信號層12包括第三絕緣子層、第四絕緣子層和內(nèi)部連接線121，第三絕緣子層和第四絕緣子層層疊設(shè)置，內(nèi)部連接線121位于第三絕緣子層與第四絕緣子層之間；至少一個即一個或者多個第一導(dǎo)電件位于盲孔15的底端的一端和至少一個第二導(dǎo)電件位于信號層12的一段通過內(nèi)部連接線121電導(dǎo)通，具體地，由于第一導(dǎo)電件貫通盲孔15，第二導(dǎo)電件貫通通孔16，內(nèi)部連接線121的一端穿過盲孔15的內(nèi)壁與第一導(dǎo)電件位于盲孔15底端的一端電導(dǎo)通，內(nèi)部連接線121的另一端穿過通孔16位于信號層12的一段的內(nèi)壁，與第二導(dǎo)電件位于信號層12的一段電導(dǎo)通，如圖2所示。通過增加內(nèi)部連接線121能夠防止盲孔15或者通孔16周圍的空間狹小，造成焊盤111擁擠，甚至互相導(dǎo)通。當(dāng)然，第一導(dǎo)電件也可以直接穿過盲孔15的內(nèi)壁，第二導(dǎo)電件穿過通孔16位于信號層12的一段的內(nèi)壁，二者的穿出端直接電導(dǎo)通。

上述各實施例的地層13包括第五絕緣子層、第六絕緣子層和地層連接線，第五絕緣子層和第六絕緣子層層疊設(shè)置，地層連接線位于第五絕緣子層與第六絕緣子層之間，至少一個，即一個或者多個第二導(dǎo)電件位于地層13的一段通過地層連接線與地層13電導(dǎo)通，即地層連接線穿過通孔16位于地層13的一段的內(nèi)壁與第二導(dǎo)電件電導(dǎo)通，進而使與該通孔16連接的焊盤111接地，起到釋放靜電或者接地的作用，通常地層連接線為一銅層，以方便多個焊盤111通過第二導(dǎo)電件與地層13電導(dǎo)通。

包括混合層14的實施例中，混合層14包括第七絕緣子層、第八絕緣子層及混合層連接線141，混合連接線141設(shè)于第七絕緣子層和第八絕緣子層之間，且設(shè)于地區(qū)域或者信號區(qū)域，其中設(shè)于地區(qū)域時，其與盲孔15、通孔16或者焊盤111的連接方式與地層連接線的設(shè)置方式相同，設(shè)于信號區(qū)域時，其與盲孔15、通孔16或者焊盤111的連接方式與內(nèi)部連接線121的設(shè)置方式相同，請參考上述論述。

上述各實施例中，電路板還包括芯片，芯片設(shè)有引腳21，尤其引腳21比較密集的芯片，如CPU2，參見圖1、3所示，CPU2位于器件層11遠離信號層12的一側(cè)，CPU2包括多個引腳21，每個引腳21與一個焊盤111連接，部分引腳21通過焊盤111與第一導(dǎo)電件電導(dǎo)通，即部分引腳21通過與其對應(yīng)的焊盤111和盲孔15的開口端電導(dǎo)通，其余部分通過焊盤111與第二導(dǎo)電件電導(dǎo)通，即其余部分引腳21通過與其對應(yīng)的焊盤111與通孔16位于器件層11的一端電導(dǎo)通；與引腳21電導(dǎo)通的盲孔15在器件層11的投影位于CPU2在器件層11的投影的內(nèi)部，與引腳21電導(dǎo)通的通孔16在器件層11的投影位于CPU2在器件層的投影的外部，即CPU2的各引腳21中，部分通過盲孔15與信號層12電導(dǎo)通，部分通過通孔16與信號層12、地層13及混合層14中的至少一者通過通孔16電導(dǎo)通，其中，通過通孔16電導(dǎo)通的引腳21中，至少有一個，即一個、兩個或者更多個引腳21通過通孔16與信號層12或者信號區(qū)域電導(dǎo)通，以實現(xiàn)信號線的布線。且通孔16位于CPU2的外部區(qū)域，盲孔15位于CPU2的內(nèi)部區(qū)域。由于CPU2內(nèi)部區(qū)域的焊盤111走線受外周通孔16的限制，采用盲孔15直接將信號引至信號層12，再進行走線，方便整個電路板的布線。

以上所述僅為本申請的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本申請，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本申請的保護范圍之內(nèi)。